JP2007281387A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型III族窒化物半導体から成るn型基板1上には、n型クラッド層2と、n型光ガイド層3と、不純物がドーピングされていない多重量子井戸(MQW)活性層4と、p型電子障壁層5と、p型光ガイド層6と、p型クラッド層7と、p型コンタクト層8とがこの順で積層されている。p型電子障壁層5はp型Alx2Ga(1-x2)N(0<x2<1)から成り、p型クラッド層7はp型Alx3Ga(1-x3)N(0<x3<1)から成り、p型コンタクト層8はp型GaNから成る。p型電子障壁層5、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8はそれぞれp型ドーパントとしてベリリウムを含んでいる。
【選択図】図1
Description
Claims (10)
- III族窒化物半導体から成る基板と、
前記基板上に設けられたn型半導体層と、
前記n型半導体層上に設けられた、光を発する活性層と、
前記活性層上に設けられたp型半導体層と
を備え、
前記p型半導体層は、p型III族窒化物半導体層を含み、
前記p型III族窒化物半導体層はp型ドーパントとしてベリリウムを含んでいる、半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記p型III族窒化物半導体層は、前記活性層上に設けられたp型電子障壁層である、半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記p型III族窒化物半導体層はp型クラッド層である、半導体発光素子。 - 請求項2及び請求項3のいずれか一つに記載の半導体発光素子であって、
前記p型III族窒化物半導体層は、p型GaNあるいはp型AlxGa(1-x)N(0<x<1)から成る、半導体発光素子。 - 請求項2に記載の半導体発光素子であって、
前記p型半導体層は、前記p型電子障壁層上に設けられた、p型III族窒化物半導体から成るp型クラッド層をさらに含み、
前記p型クラッド層はp型ドーパントとしてベリリウムを含み、
前記p型電子障壁層は、p型Alx1Ga(1-x1)N(0<x1<1)から成り、
前記p型クラッド層は、p型Alx2Ga(1-x2)N(0<x2<1)から成る、半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記p型III族窒化物半導体層は、電極に接触するp型コンタクト層である、半導体発光素子。 - 請求項6に記載の半導体発光素子であって、
前記p型コンタクト層は、p型GaN、p型AlxGa(1-x)N(0<x<1)及びp型GayIn(1-y)N(0<y<1)のいずれか一つから成る、半導体発光素子。 - 請求項7に記載の半導体発光素子であって、
前記p型コンタクト層は、p型GayIn(1-y)N(0<y<1)から成る、半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記p型III族窒化物半導体層を有機金属気相成長法を使用して形成する工程を備え、当該工程では、前記p型ドーパントとしてのベリリウムの原材料としてビスメチルシクロペンタジエニルベリリウムが使用される、半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記p型III族窒化物半導体層を分子線エピタキシャル成長法を使用して形成する、半導体発光素子の製造方法。
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