JP2015026731A - 半導体光素子アレイ及びその作製方法と、半導体光素子アレイを用いた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板100と、基板100上に成長させた導電性の高い導電性半導体からなり、一方向に向かってストライプ状にパターニングされた複数の下部電極層102と、活性層103を含んでおり、各下部電極層102上に並んで配置された複数の半導体光素子Cと、下部電極層102と交差する方向にパターニングされ、そのストライプ方向に並んだ複数の半導体光素子Cを連結し、かつ、その上面の一部を露出させるように開口部Hを有する上部電極層401とを備えている。
【選択図】図3
Description
基板と、
前記基板上に成長させた導電性の高い半導体からなり、一方向に向かってストライプ状にパターニングされた複数の下部電極層と、
活性層を含んでおり、前記各下部電極層上に並んで配置された複数の半導体光素子と、
前記下部電極層と交差する方向にパターニングされ、そのストライプ方向に並んだ複数の前記半導体光素子を連結し、かつ、その上面の一部を露出させるように開口部を有する上部電極層とを備えていることを特徴とする。
基板上に導電性の高い半導体からなる下部電極層を結晶成長させる下部電極層堆積工程と、
前記下部電極層上に、活性層を含む半導体光素子層を結晶成長させる半導体光素子層堆積工程と、
前記半導体光素子層をマトリックス状にパターニングして、複数の半導体光素子を露出させる半導体光素子パターニング工程と、
前記下部電極層を一方向にストライプ状にパターニングして、前記下部電極層間を電気的に分離させる下部電極層パターニング工程と、
前記下部電極層と前記半導体光素子上に複数個の開口部を形成しつつ絶縁層を堆積させる絶縁層形成工程と、
前記下部電極層と交差する方向に上部電極層をストライプ状に堆積させて、前記半導体光素子上を電気的に連結させる電極層形成工程とを備えていることを特徴とする。
第1の発明の半導体光素子アレイを具備し、前記下部電極層から前記上部電極層に対して電圧を印加することで、複数の前記半導体光素子を発光表示させることを特徴とする。
(1) 第1の発明の半導体光素子アレイは、
前記下部電極層にはn型不純物がドーピングされていることが好ましい。
この構成によれば、下部電極層にp型不純物をドーピングするのに比べて高い導電性を付与でき、低抵抗化が容易である。
前記上部電極層は金属層であることが好ましい。
この構成によれば、上部電極層を金属層とすれば、半導体光素子の凹凸形状に倣うようにして堆積させることができる。よって、上部電極層において段切れ等の発生を大幅に抑制でき、高い電気的信頼性が確保される。
前記基板と前記下部電極層は、前記活性層のバンドギャップエネルギーに対応する波長に対して透過性を有していることが好ましい。
この構成によれば、基板側から、活性層のバンドギャップエネルギーに対する波長の光を取り出し可能となる。
前記半導体光素子層堆積工程は、前記活性層を形成後に、高濃度のp型不純物及びn型不純物をそれぞれドーピングしたp型層とn型層が積層されたトンネル接合層を形成させるトンネル接合層堆積工程を含んでいることが好ましい。
この構成によれば、トンネル接合層を利用してその上層を必要に応じてp型層又はn型層に反転させることが可能となる。
前記下部電極層にはn型不純物をドーピングさせることが好ましい。
この構成によれば、下部電極層に高い導電性を付与でき、低抵抗化も容易である。
前記下部電極層と前記トンネル接合層の上層とは同じ伝導型を有する同型層であり、
前記絶縁層形成工程により形成された前記開口部に対して、1回の前記電極層形成工程によって前記同型層とオーミック接合が形成可能な電極層を堆積させることで、下部電極用パッドと前記上部電極層及び上部電極用パッドとを一括で形成させることが好ましい。
この構成によれば、下部電極層及びトンネル接合層の上層を同型層とし、更にオーミック接合が形成可能な電極層を堆積させることにより、下部電極層用パッドと上部電極層用パッドとを一括して形成することが可能となる。よって、従来手法では、2工程必要であった電極層形成工程を1回に削減でき、作製コストについても低減できる。
本発明の実施例1に係る青色発光ダイオードアレイ(半導体光素子アレイ)を構成する青色発光ダイオード単体セルC(半導体光素子:以下では、単にセルCと称する)の断面構造を図2に示す。セルCはサファイア基板上にGaNを図示しない低温バッファ層を介してエピタキシャル成長させたGaN基板100と、n型下部電極層(下部電極層)102と、GaInN量子井戸層108とGaNバリア層109で構成されるGaInN五重量子井戸活性層(活性層)103と、n+−GaN層302とp+−GaInN層301からなるトンネル接合層106とを備えている。以下の下部電極層堆積工程P1と半導体光素子層堆積工程P2では、有機金属気相成長法(MOCVD法)を用いてGaN基板100上に窒化物半導体結晶を成膜した。
本発明の実施例2に係るフォトダイオードアレイ(半導体光素子アレイ)を構成するフォトダイオード単体セルC(半導体光素子:以下では、単にセルCと称する)の断面構造を図9に示す。実施例1のセルCとの相違点は、活性層における量子井戸層とバリア層のペア数と、GaInN量子井戸層におけるIn組成のみである。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施例に限定されるものではなく、例えば次のような実施例も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記実施例では、基板にサファイア上GaN基板を用いたが、これに限らず、SiC上GaN基板や、ZnO上GaN基板、AlN基板、GaAs、GaP、InP、GaN自立基板等を用いても良い。
(2)上記実施例では、活性層に窒化物半導体結晶を用いたが、これに限らず、GaAsやGaPなどのIII−V族化合物半導体結晶やその他の直接遷移型半導体結晶を用いても良い。
(3)上記実施例では、n型、p型不純物にそれぞれSi、Mgを用いたが、これに限らず、GeやZn、Be等であっても良い。
(4)上記実施例では、活性層にGaInN五重量子井戸層、GaInN十重量子井戸層を用いたが、これに限らず、発光及び受光させたい光の波長に応じて、Alを含む窒化物結晶層を用いても良いし、窒化物以外のIII−V族化合物半導体結晶を用いても良い。また、活性層のペア数には制限はない。
(5)上記実施例では、下部電極層をn型としたが、これに限らず、p型であっても良い。
(6)上記実施例では、上部電極層と上部電極用パッド及び下部電極用パッドを一括で形成したが、作り分けても良い。その際はトンネル接合層を用いなくても良い。
(7)上記実施例では、半導体光素子として青色発光ダイオードとフォトダイオードを例示したが、レーザダイオードや面発光レーザなどの発光デバイス、フォトダイオード以外の受光デバイスであっても良い。
(8)上記実施例では、同一基板上に半導体光素子を集積化させて表示装置を構成したが、基板を複数個並べて構成しても良い。
(9)上記実施例では、トンネル接合層を活性層上部に形成したが、これに限らず、形成しなくても良い。
(10)上記実施例では、上部電極層にTi/Al/Auの積層膜を用いたが、これに限らず、上部電極層と接触する半導体材料とオーミック接合が形成できる金属層であれば、材料に制限はない。
(11)上記実施例では、下部電極層のみを半導体材料にて形成したが、上部電極層を半導体材料にて形成しても良い。
(12)上記実施例では、絶縁層にSiO2を用いたが、これに限らず、PSG(リンガラス)やBSG(ホウ素ガラス)、SiN(窒化シリコン)などを用いても良い。
(13)上記実施例では、半導体光素子を一方向に同一周期で配列させたが、これに限らず、千鳥状に配列させたり、配列のピッチを変更しても構わない。
(14)上記実施例では、半導体素子のセルサイズをすべて同じにしたが、これに限らず、異なっていても構わない。
(15)上記実施例では、絶縁層や電極層のパターニングにリフトオフを用いたが、これに限らず、ドライエッチングやウェットエッチングを用いても構わない。
(16)上記実施例では、下部電極層及び半導体光素子層をMOCVD法により成膜したが、これに限らず、HVPE法やMBE法、スパッタリング法等で成膜しても良い。
102…n型下部電極層(下部電極層)
103…GaInN五重量子井戸活性層(活性層)
106…トンネル接合層
103〜108、201、202、501…半導体光素子層
(104…p型AlGaN層、105…p型GaN層、106…トンネル接合層、107…n型GaN上部層、108…n型GaNコンタクト層、201、501…GaInN量子井戸活性層、202…GaNバリア層)
301…p+−GaInN層(p型層)
302…n+−GaN層(n型層)
401…絶縁層
402…上部電極層、電極層
503…GaInN十重量子井戸活性層(活性層)
PL…下部電極用パッド
PH…上部電極用パッド
C…セル(半導体光素子)
H…開口部
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に成長させた導電性の高い半導体からなり、一方向に向かってストライプ状にパターニングされた複数の下部電極層と、
活性層を含んでおり、前記各下部電極層上に並んで配置された複数の半導体光素子と、
前記下部電極層と交差する方向にパターニングされ、そのストライプ方向に並んだ複数の前記半導体光素子を連結し、かつ、その上面の一部を露出させるように開口部を有する上部電極層とを備えていることを特徴とする半導体光素子アレイ。 - 前記下部電極層にはn型不純物がドーピングされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光素子アレイ。
- 前記上部電極層は金属層であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載に半導体光素子アレイ。
- 前記基板と前記下部電極層は、前記活性層のバンドギャップエネルギーに対応する波長に対して透過性を有していることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載の半導体光素子アレイ。
- 基板上に導電性の高い半導体からなる下部電極層を結晶成長させる下部電極層堆積工程と、
前記下部電極層上に、活性層を含む半導体光素子層を結晶成長させる半導体光素子層堆積工程と、
前記半導体光素子層をマトリックス状にパターニングして、複数の半導体光素子を露出させる半導体光素子パターニング工程と、
前記下部電極層を一方向にストライプ状にパターニングして、前記下部電極層間を電気的に分離させる下部電極層パターニング工程と、
前記下部電極層と前記半導体光素子上に複数個の開口部を形成しつつ絶縁層を堆積させる絶縁層形成工程と、
前記下部電極層と交差する方向に上部電極層をストライプ状に堆積させて、前記半導体光素子上を電気的に連結させる電極層形成工程とを備えていることを特徴とする半導体光素子アレイの作製方法。 - 前記半導体光素子層堆積工程は、前記活性層を形成後に、高濃度のp型不純物及びn型不純物をそれぞれドーピングしたp型層とn型層が積層されたトンネル接合層を形成させるトンネル接合層堆積工程を含んでいることを特徴とする請求項5に記載の半導体光素子アレイの作製方法。
- 前記下部電極層にはn型不純物をドーピングさせることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の半導体光素子アレイの作製方法。
- 前記下部電極層と前記トンネル接合層の上層とは同じ伝導型を有する同型層であり、
前記絶縁層形成工程により形成された前記開口部に対して、1回の前記電極層形成工程によって前記同型層とオーミック接合が形成可能な電極層を堆積させることで、下部電極用パッドと前記上部電極層及び上部電極用パッドとを一括で形成させることを特徴とする請求項6に記載の半導体光素子アレイの作製方法。 - 請求項1から請求項4の何れか1項に記載の半導体光素子アレイを具備し、前記下部電極層から前記上部電極層に対して電圧を印加することで、複数の前記半導体光素子を発光表示させることを特徴とする表示装置。
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