JP2007281245A - 電子装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子装置は、その主要部として電子部品4が搭載された絶縁基板1、金属製枠体3、および金属製蓋体5から構成されており、金属製枠体3は、枠本体31、枠本体31の外面に設けられたニッケルメッキ層7、およびニッケルメッキ層7の表面に設けられた厚さ1nm〜100nmの酸化ニッケル層8を含み、融点300℃以下の低融点半田2にて絶縁基板1と半田付けされて絶縁基板1上の電子部品4を囲繞している。
【選択図】図1
Description
さらに低融点半田の採用により絶縁基板の構成材として、低強度であるが安価な低温焼成温度セラミックの使用が可能となる大きな利点もある。
図1および図2は、本発明の実施の形態1を説明するものであって、図1は実施の形態1の断面図であり、図2は、図1の一部拡大図である。図1および図2において、実施の形態1の電子装置は、その主要部として電子部品4が搭載された絶縁基板1、金属製枠体3、および金属製蓋体5から構成されている。金属製枠体3は、枠本体31、枠本体31の外面に設けられたニッケルメッキ層7、およびニッケルメッキ層7の表面に設けられた酸化ニッケル層8を含み、融点300℃以下の低融点半田2にて絶縁基板1と半田付けされて絶縁基板1上の電子部品4を囲繞している。絶縁基板1と金属製枠体3と低融点半田2にて容器6が形成されている。
Claims (3)
- 電子部品が搭載された絶縁基板、上記電子部品を囲繞するように融点300℃以下の低融点半田にて上記絶縁基板と半田付けされた金属製枠体、表面に金メッキ層が形成されたニッケルメッキ層を有すると共に上記金属製枠体にろう付けされた金属製蓋体、を備えたことを特徴とする電子装置。
- 上記絶縁基板は、焼成温度が1000℃以下のセラミックにて形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子装置。
- 上記酸化ニッケル層は、平均厚みが1nm〜100nmであることを特徴とする請求項1記載の電子装置。
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