JP2007266529A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下部電極のサセプタ16には被処理基板Wが載置され、高周波電源30よりプラズマ生成用の高周波が印加される。サセプタ16の上方にこれと平行に対向して配置される上部電極34は、チャンバ10にリング状の絶縁体35を介して電気的に浮いた状態で取り付けられている。また、上部電極34の上面とチャンバ10の天井との間には所定ギャップサイズの隙間が設けられ、その隙間の一部または全部に真空空間50が形成されている。この真空空間50の内壁の全部または一部はシート状の絶縁体52で覆われている。
【選択図】 図1
Description
ウエハ口径:300mm
処理ガス:C4F6/C4F8/Ar/02=流量40/20/500/60sccm
チャンバ内の圧力:30mTorr
高周波電力:40MHz/2MHz=2500/3200W
16 サセプタ(下部電極)
30 高周波電源
34 上部電極
34A 内側上部電極
34B 外側上部電極
35 リング状絶縁体
36 電極板
36a ガス噴出孔
38 電極支持体
40 ガスバッファ室
42 ガス供給管
44 処理ガス供給源
50 真空空間
52 絶縁体
64 高周波電源
70,72 キャパシタ
73 絶縁体
74,76 リング状絶縁体
80,82,84 キャパシタ
86,92 静電容量可変部
Claims (23)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に絶縁物または空間を介して電気的に浮いた状態で取り付けられる第1の電極と、
前記処理容器内に前記第1の電極と所定の間隔を空けて平行に配置され、前記第1の電極と対向させて被処理基板を支持する第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために前記第2の電極に第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と
を有し、前記処理空間で生成されるプラズマについて所望のプラズマ密度分布特性が得られるように前記第1の電極と前記処理容器との間の静電容量を設定するプラズマ処理装置。 - 前記第1の電極と前記処理容器との間の静電容量を可変するための静電容量可変部を有する請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極と前記処理容器との間の静電容量が5000pF以下の値になるように前記第1の電極の周囲を構成する請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極と前記処理容器との間の静電容量が2000pF以下の値になるように前記第1の電極の周囲を構成する請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器が導電体からなり、接地される請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の電極からみて前記第1の電極の裏面と前記処理容器との間に前記処理空間から独立した真空空間が設けられる請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記真空空間の内壁の全部または一部を覆う第1の絶縁体を有する請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の電極からみて前記第1の電極の裏面と対向する前記処理容器の部位の全部または一部を第2の絶縁体で構成する請求項1〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極が上部電極であり、前記第2の電極が下部電極である請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極の上部または上方に前記処理ガス供給部からの前記処理ガスを導入するガス室が設けられ、前記第1の電極に前記ガス室から前記処理空間に前記処理ガスを噴出するための多数のガス噴出孔が形成される請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極の外周面と前記処理容器の側壁との間にリング状の第3の絶縁体が設けられる請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第3の絶縁体が、前記第1の電極の外周面と前記処理容器の側壁との間の隙間を塞ぐように設けられる請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極の外周面と前記処理容器の側壁との間に空間が形成される請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極が、半径方向において円盤状の内側電極とリング状の外側電極とに2分割されている請求項1〜13のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記内側電極と前記外側電極との間にリング状の第4の絶縁体が挿入され、または空間が形成される請求項14に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外側電極と前記処理容器の側壁との間にリング状の第5の絶縁体が挿入され、または空間が形成される請求項14または請求項15に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外側電極と前記処理容器との間の静電容量は、前記内側電極と前記処理容器との間の静電容量よりも大きい請求項14〜16のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の電極に前記第1の高周波よりも周波数の低い第2の高周波を印加する第2の高周波給電部を有する請求項1〜17のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極に所望の直流電圧を印加するための直流電源を有する請求項1〜18のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空可能な処理容器内で第1の電極と第2の電極とを所定の間隔を空けて平行に配置し、前記第1の電極に対向させて被処理基板を第2の電極で支持し、前記処理容器内を所定の圧力に真空排気し、前記第1の電極と前記第2の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給し、前記第2の電極に第1の高周波を印加して前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記第1の電極を前記処理容器に対して絶縁体または空間を介して電気的に浮かせ、前記処理空間で生成されるプラズマについて所望のプラズマ密度分布特性が得られるように前記第1の電極と前記処理容器との間の静電容量を設定するプラズマ処理方法。 - 前記第1の電極と前記処理容器との間の静電容量を可変とする請求項20に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の電極と前記処理容器との間の静電容量を2000pF以下の値に選定する請求項20または請求項21に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の電極と前記処理容器との間の静電容量を250pF以下の値に選定する請求項22に記載のプラズマ処理方法。
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