JP2007265633A - 有機el素子の製造方法および有機el素子の製造装置 - Google Patents
有機el素子の製造方法および有機el素子の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007265633A JP2007265633A JP2006085216A JP2006085216A JP2007265633A JP 2007265633 A JP2007265633 A JP 2007265633A JP 2006085216 A JP2006085216 A JP 2006085216A JP 2006085216 A JP2006085216 A JP 2006085216A JP 2007265633 A JP2007265633 A JP 2007265633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- short
- manufacturing
- defect
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 80
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 180
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000005326 engraved glass Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】陰極40を膜厚135nm以上として有機EL素子100を形成し、続いて、上下電極20、40のうち陰極40側をプラス極、陽極20側をマイナス極としてこれら両電極20、40間に、直流電圧を、有機EL素子100に存在する欠陥部が短絡するレベル以上まで時間とともに上昇させながら印加し、その後、有機EL素子100において短絡した欠陥部の有無を検出する。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る1つの有機EL素子100の断面構成を示す図である。
図14は、本発明の第2実施形態に係る有機EL素子の製造方法を示す図であり、本製造方法における欠陥部短絡工程に供するワークの概略平面図である。
図15は、本発明の第3実施形態に係る有機EL素子の製造装置300の構成を模式的に示す図である。本実施形態の製造装置300は、有機EL素子100の欠陥部の有無を検出するものであり、上記第1実施形態の製造方法における欠陥部短絡工程、判定工程を行う検査装置として適用される。
図16は、本発明の第4実施形態に係る有機EL素子の製造装置400の構成を模式的に示す図である。本実施形態の製造装置400は、有機EL素子100の欠陥部の有無を検出するものであり、上記第1実施形態の製造方法における欠陥部短絡工程、判定工程および欠陥部修復工程を行う製造装置として適用される。
なお、上記第3および第4実施形態の製造装置では、第1および第2の端子部331、332は端子群として構成されていたが、端子群を単一の端子部に変えれば、これらの製造装置は上記第2実施形態に用いてもよい。
40…上部電極としての陰極、100…有機EL素子、310…直流電源、
311…直流電源の第1の出力端子、312…直流電源の第2の出力端子、
321…第1のリード線、322…第2のリード線、
331…第1の端子部としての第1の端子群、
332…第2の端子部としての第2の端子群、340…検出手段としてのカメラ、
360…検出手段としての電流計測部、
370…欠陥部修復手段としてのレーザ照射装置。
Claims (20)
- 基板(10)上に、下部電極(20)、有機膜(30)、上部電極(40)を積層してなる有機EL素子(100)を形成する素子形成工程を備える有機EL素子の製造方法において、
前記素子形成工程では、前記上部電極(40)を膜厚135nm以上にて形成し、
続いて、前記有機EL素子(100)における前記上下両電極(20、40)のうち陰極(40)側をプラス極、陽極(20)側をマイナス極としてこれら両電極(20、40)間に、直流電圧を、前記有機EL素子(100)に存在する欠陥部が短絡するレベル以上まで時間とともに上昇させながら印加する欠陥部短絡化工程と、
前記有機EL素子(100)において前記欠陥部短絡化工程により短絡した欠陥部の有無を検出する判定工程とを、備えることを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記欠陥部短絡工程では、前記直流電圧の上昇レートを1V/秒以下とすることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記欠陥部短絡工程では、前記直流電圧を、時間に対して階段状に上昇させていくことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記欠陥部短絡工程では、前記直流電圧における印加の開始電圧を0Vよりも大きくすることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記判定工程によって検出された前記欠陥部の領域に位置する前記上部電極(40)もしくは前記有機膜(30)を除去することにより、当該欠陥部を修復する欠陥部修復工程を備えることを特徴とする請求項1ないし4に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記欠陥部修復工程では、前記欠陥部に光エネルギーもしくは電気エネルギーを与えることにより、当該上部電極(40)もしくは有機膜(30)を焼失させることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記判定工程は、前記有機EL素子(100)を点灯させた状態で外観検査を行い、前記欠陥部の有無を検出するものであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記外観検査は、前記欠陥部短絡工程の前と後との両時点で行い、前記欠陥部短絡工程の前後の外観の差により前記欠陥部の有無を検出することを特徴とする請求項7に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記判定工程は、前記有機EL素子(100)の前記上下電極(20、40)間のリーク電流を測定し、前記リーク電流の値に基づいて前記有機EL素子(100)の欠陥部の有無を検出することにより行うことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記リーク電流の測定は、前記有機EL素子(100)における前記上下両電極(20、40)のうち陰極(40)側をプラス極、陽極(20)側をマイナス極として行うことを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記リーク電流の測定は、前記有機EL素子(100)の実駆動時に用いられる逆バイアス電圧以上の電圧を印加して測定することを特徴とする請求項9または10に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記リーク電流の測定は、前記欠陥部短絡工程の前と後との両時点で行い、前記欠陥部短絡工程の前後のリーク電流の差により前記欠陥部の有無を検出することを特徴とする請求項9ないし11のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記素子形成工程では、前記有機EL素子(100)をマトリクス状に複数個形成し、
前記欠陥部短絡工程では、これら複数個の有機EL素子(100)における前記上下両電極(20、40)に対し、一括して前記直流電圧を印加することを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記素子形成工程では、前記マトリクス状に配置された複数個の前記有機EL素子(100)を前記基板(10)上に形成するとともに、
これら複数個の有機EL素子(100)における前記上下両電極(20、40)の少なくとも一方に対して前記欠陥部短絡工程において一括して直流電圧を送るための配線部(200)を、前記基板(10)上に形成することを特徴とする請求項13に記載の有機EL素子の製造方法。 - 基板(10)上に、下部電極(20)、有機膜(30)、膜厚135nm以上の上部電極(40)を積層してなる有機EL素子(100)の欠陥部の有無を検出する製造装置であって、
第1の出力端子(311)および第2の出力端子(312)を有する直流電源(310)と、
前記第1の出力端子(311)に第1のリード線(321)を介して接続され、かつ前記有機EL素子(100)における陽極側の電極(20)に電気的に接続される第1の端子部(331)と、
前記第2の出力端子(312)に第2のリード線(322)を介して接続され、かつ前記有機EL素子(100)における陰極側の電極(40)に電気的に接続される第2の端子部(332)と、
前記欠陥部を検出する検出手段(340、360)とを備え、
前記直流電源(310)の前記第1の出力端子(311)をアースとし、前記第2の出力端子(312)にて時間とともに電圧が上昇する直流電圧を出力するようにしたことを特徴とする有機EL素子の製造装置。 - 前記検出手段(360)によって検出された前記欠陥部の領域に位置する前記上部電極(40)を除去することにより、当該欠陥部を修復する欠陥部修復手段(370)を有することを特徴とする請求項15に記載の有機EL素子の製造装置。
- 前記直流電源(310)の前記第1の出力端子(311)に一定電圧を出力し、前記第2の出力端子(312)をアースとして前記有機EL素子(100)を点灯させ、この点灯させた状態の前記有機EL素子(100)の外観検査を前記検出手段(340)によって行い、前記欠陥部の有無を検出することを特徴とする請求項15または16に記載の有機EL素子の製造装置。
- 前記検出手段は、前記有機EL素子(100)の画像を記録するカメラ(340)を備えており、前記外観検査は、このカメラ(340)により記録された画像によって行うことを特徴とする請求項17に記載の有機EL素子の製造装置。
- 前記検出手段は、前記第1のリード線(311)および前記第2のリード線(312)の少なくとも一方に電気的に接続された電流計測手段(360)を備え、
前記直流電源(310)の前記第1の出力端子(311)をアースとし、前記第2の出力端子(312)に一定電圧を出力したときに前記電流計測手段(360)により計測される電流値により、前記欠陥部の有無を検出するものであることを特徴とする請求項15または16に記載の有機EL素子の製造装置。 - 前記有機EL素子(100)をマトリクス状に複数個形成したものについて用いられるものであり、
前記第1の端子部は、前記第1のリード線(321)から分岐して前記複数個の有機EL素子(100)の陽極側の電極(20)に電気的に接続される第1の端子群(331)として構成されたものであり、
前記第2の端子部は、前記第2のリード線(322)から分岐して前記複数個の有機EL素子(100)の陰極側の電極(40)に電気的に接続される第2の端子群(332)として構成されたものであることを特徴とする請求項15ないし19のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006085216A JP4853072B2 (ja) | 2006-03-27 | 2006-03-27 | 有機el素子の製造方法 |
KR1020070028973A KR100818009B1 (ko) | 2006-03-27 | 2007-03-26 | 유기 el 소자의 제조 방법 및 유기 el 소자의 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006085216A JP4853072B2 (ja) | 2006-03-27 | 2006-03-27 | 有機el素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007265633A true JP2007265633A (ja) | 2007-10-11 |
JP4853072B2 JP4853072B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=38638434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006085216A Expired - Fee Related JP4853072B2 (ja) | 2006-03-27 | 2006-03-27 | 有機el素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4853072B2 (ja) |
KR (1) | KR100818009B1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009211994A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Denso Corp | 有機el素子の検査方法 |
JP2011049159A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の検査方法及び作製方法 |
WO2011155159A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | パナソニック株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JP2012182048A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Sanken Electric Co Ltd | 有機el駆動装置 |
JP2014164998A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Kaneka Corp | 有機el装置の検査装置、有機el装置の検査方法及び有機el装置の製造方法 |
JP2017162718A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 住友化学株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
CN114464761A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-05-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光装置的制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0414794A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2004199970A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Sony Corp | El表示装置の補修方法及びel表示装置の補修装置 |
JP2005310659A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネルの製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282249A (ja) | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル及びその製造方法 |
KR20040058780A (ko) * | 2002-12-27 | 2004-07-05 | 오리온전기 주식회사 | 오엘이디(oled)의 에이징 처리 방법 |
KR100606815B1 (ko) * | 2004-04-13 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자의 에이징 방법 |
-
2006
- 2006-03-27 JP JP2006085216A patent/JP4853072B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-26 KR KR1020070028973A patent/KR100818009B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0414794A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2004199970A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Sony Corp | El表示装置の補修方法及びel表示装置の補修装置 |
JP2005310659A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネルの製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009211994A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Denso Corp | 有機el素子の検査方法 |
JP4650505B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2011-03-16 | 株式会社デンソー | 有機el素子の検査方法 |
JP2011049159A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の検査方法及び作製方法 |
WO2011155159A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | パナソニック株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
US8597067B2 (en) | 2010-06-07 | 2013-12-03 | Panasonic Corporation | Method of manufacturing organic electroluminescence display device |
JP5620988B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2014-11-05 | パナソニック株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JP2012182048A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Sanken Electric Co Ltd | 有機el駆動装置 |
JP2014164998A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Kaneka Corp | 有機el装置の検査装置、有機el装置の検査方法及び有機el装置の製造方法 |
JP2017162718A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 住友化学株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
CN114464761A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-05-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光装置的制造方法 |
CN114464761B (zh) * | 2022-01-20 | 2023-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光装置的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4853072B2 (ja) | 2012-01-11 |
KR100818009B1 (ko) | 2008-03-31 |
KR20070096924A (ko) | 2007-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4853072B2 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
KR101268237B1 (ko) | 일렉트로루미네센스 표시 장치의 결함 검사 방법 및 결함검사 장치 및 이들을 이용한 일렉트로루미네센스 표시장치의 제조 방법 | |
US20180108297A1 (en) | Amoled display panel detection method and detection device | |
US8680764B2 (en) | Method of manufacturing organic EL device and organic EL device | |
JP2003282253A (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
KR20130021029A (ko) | 표시 패널의 리페어 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 | |
JP2003178871A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びその装置 | |
US8597067B2 (en) | Method of manufacturing organic electroluminescence display device | |
WO2013038454A1 (ja) | 有機el素子の製造方法及び評価方法 | |
JP2009266917A (ja) | 有機発光素子および有機発光素子のリペア装置 | |
JP2009016195A (ja) | 有機発光装置のリペア方法及びそれを用いた有機発光装置の製造方法 | |
JP2007042492A (ja) | 有機elリペア方法とリペア装置 | |
KR101012077B1 (ko) | 유기el소자의 검사방법 | |
JP2009277528A (ja) | 有機el素子検査リペア方法および装置 | |
KR100785976B1 (ko) | 유기 el 소자의 제조 방법 | |
JPWO2010137452A1 (ja) | 有機elパネル検査方法、有機elパネル検査装置及び有機elパネル | |
JP4882091B2 (ja) | 有機elパネルの製造方法 | |
JP2008276030A (ja) | 有機elディスプレイの製造方法 | |
JP5842212B2 (ja) | 有機el表示パネルの検査方法及び検査システム | |
JP2010267420A (ja) | 有機el素子検査リペア方法および装置 | |
JP4733445B2 (ja) | 有機el表示装置用基板 | |
JP2005083951A (ja) | エミッション・マイクロスコープ法による有機el素子の検査法 | |
JP5578136B2 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP2009301934A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
JP3804835B1 (ja) | 有機elパネルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080414 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110927 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111010 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |