KR101012077B1 - 유기el소자의 검사방법 - Google Patents

유기el소자의 검사방법 Download PDF

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Abstract

기판(10) 위에 제1 전극(20), 발광층을 포함하는 유기막(30), 막두께 135㎚ 이상의 제2 전극(40)이 순차적으로 적층된 유기EL소자(100)의 검사방법에 있어서, 상기 제1, 제2 전극(20, 40) 중, 음극측(40)을 플러스 극, 양극(20)측을 마이너스 극으로 해서 상기 양쪽 전극(20, 40) 사이에 소정 전압(V)을 인가하여 상기 유기막(30)에 존재하는 결함부를 현재화시키고, 상기 양쪽 전극(20, 40) 사이에 상기 소정 전압(V)을 인가하는 전체 기간에서, 상기 양쪽 전극(20, 40) 사이에 흐르는 리크 전류를 측정하며, 측정된 상기 리크 전류에 의거해서 상기 유기EL소자(100)의 불량을 판정한다.
기판, 전극, 유기막, 유기EL소자, 결함부, 리크전류, 불량판정

Description

유기EL소자의 검사방법{INSPECTION METHOD FOR AN ORGANIC ELECTRO LUMINESCENCE DEVICE}
본 발명은 유기EL소자의 검사방법에 관한 것이다.
유기EL소자는 일반적으로 기판 위에 하부 전극으로서의 양극, 발광층을 포함하는 유기막, 상부 전극으로서의 음극을 적층해서 이루어지지만, 유기재료를 이용하고 있기 때문에, 전계나 열에 의해 변질이나 확산이 일어나기 쉽고, 이에 의해 상하 양쪽 전극의 단락이 발생하는 일이 있다. 특히 초기의 리크 전류가 검출 한계(예를 들면, 1nA) 이하이더라도, 구동시에 갑자기 상하 양쪽 전극이 단락에 이르는 경우가 있다.
이에 대하여, 일본특허 제3,562,522호 공보에 제안된 방법에서는, 유기EL소자의 형성 후, 음극을 플러스 극, 양극을 마이너스 극으로 하고, 양쪽 전극 사이에서 발광시에 인가되는 순전압과는 반대의 역 바이어스 전압으로서, 미리 구해진 결함부의 파괴전압 및 유기EL소자의 파괴 전압 사이, 또한 유기EL소자의 실제 구동시 의 역 바이어스 전압 이상으로 되는 전압 범위의 전압을 인가하여 결함부를 현재화(顯在化)시켜 오픈 파괴하는 에이징을 행하도록 하고 있다. 이에 따르면, 역 바이어스 전압의 인가에 따라 결함부에 리크(leak) 전류가 발생하고, 이 리크 전류에 의한 줄 열로 유기재료가 팽창하여 상부 전극이 비산되기 때문에, 결함부는 전기적으로 오픈 상태로 되고, 구동시에 리크가 발생하지 않게 된다. 즉 결함부로서는 이물(異物) 등의 단차에 의해 유기막이 국소적으로 얇게 되어 단락이 쉽게 되는 부분이고, 오픈화된 결함부(이하, 오픈 결함으로 나타냄)는 상부 전극의 비산에 의해 국소적인 비발광부로 된다.
그런데 본 발명자가 검토한바, 상부 전극의 막두께가 135nm 이상으로 두꺼운 막의 경우, 에이징에 의해 발생하는 오픈 결함의 대부분은 육안으로 확인할 수 있는 크기(예를 들면, 구멍 지름이 150㎛ 이상)로 되는 것임을 명확히 알 수 있었다. 이와 같이 육안으로 확인할 수 있는 크기의 오픈 결함은 표시(表示) 품질상 문제가 된다.
또한, 일본특허 제2007-66707호 공보에 제안된 방법에서는, 막두께가 135nm이상의 상부 전극을 갖는 유기EL소자에 대하여 상하 양쪽 전극 사이에 역 바이어스 전압으로서 제1의 전압(V1)을 인가하고, 결함부를 현재화시키는 에이징을 실행한 후, 상하 양쪽 전극 사이에 역 바이어스 전압으로서 제2의 전압(V2)을 인가하며, 이 제2의 전압(V2)을 인가할 때 정상품의 리크 전류보다도 결함 품의 리크 전류가 커지는 시간 내에서, 리크 전류의 측정을 행한다. 그리고 측정된 리크 전류에 의거하여 유기EL소자의 불량을 판정하도록 하고 있다. 이에 의하면, 막두께가 135nm 이 상의 상부 전극을 갖는 유기EL소자에 대하여, 리크가 발생하기 쉬운 결함부를 현재화시켜서 불량 판정을 적절히 행할 수 있다.
그러나 본 발명자가 더 검토한바, 막두께가 135nm 이상의 상부 전극을 갖는 유기EL소자에서 에이징에 의해 현재화된 오픈 결함은 그 크기(구멍 지름)에 의하지 않고, 막두께가 135nm 미만의 상부 전극을 갖는 유기EL소자에서 에이징에 의해 현재화된 오픈 결함보다도 구동시에 오픈 결함이 단락 불량에 이르기 쉬운 것이 명확해졌다. 이는 상부 전극이 두텁게 비산하기 어렵기 때문에, 에이징에 의해 오픈 결함이 발생하더라도, 오픈 결함의 구조(형상)가 단락하기 쉬운 구조(다시 말하면, 상부 전극이 하부 전극에 가까운 구조)가 되고, 또한 구동 시에 오픈 결함의 부위에서 상하 전극이 단락하더라도, 구동 시의 전압이 에이징의 전압보다 작기 때문에, 다시 오픈화하기 어렵기 때문이라고 생각된다.
따라서, 막두께가 135nm 이상의 상부 전극을 유기EL소자에서는 시장에 있어서의 단락 불량을 방지하기 위해서 오픈 결함을 검출할 필요가 있다. 상기한 바와 같이 구멍 지름이 큰 것에 대해서는 육안으로 확인할 수 있는 것으로 오픈 결함을 검출할 수 있다. 그러나 오픈 결함은 전기적으로 오픈 상태이기 때문에, 육안으로 확인할 수 없는 크기, 예를 들면 구멍 지름이 150㎛ 미만의 오픈 결함에 대해서는 일본특허 제2007-66707호 공보에 제안된 에이징 후의 리크 전류측정에 의해서도 검출할 수 없다.
본 발명은 상기한 문제점을 감안한 것으로, 막두께가 135nm 이상의 상부 전극을 갖는 유기EL소자에 있어서 에이징에 의해 발생한 오픈 결함을 검출하고, 불량 판정을 적절히 행할 수 있는 유기EL소자의 검사방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 유기EL소자의 검사방법은, 기판 위에 제1 전극, 발광층을 포함하는 유기막, 막두께 135㎚ 이상의 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기EL소자의 검사방법으로서, 제1, 제2 전극 중, 음극측을 플러스 극, 양극측을 마이너스 극으로 해서 양쪽 전극 사이에 소정 전압을 인가하여 상기 유기막에 존재하는 결함부를 현재화시키고, 양쪽 전극 사이에 상기 소정 전압을 인가하는 전체 기간에서, 상기 양쪽 전극 사이에 흐르는 리크 전류를 측정하며, 측정된 상기 리크 전류에 의거해서 상기 유기EL소자의 불량을 판정한다.
이와 같은 검사방법에 따르면, 상기와 같이 에이징 중에 측정된 리크 전류에 의거해서 유기EL소자가 오픈 결함을 갖는가 아닌가를 식별할 수 있기 때문에, 불량 판정을 적절히 행할 수 있다.
본 발명에 대해서 상기 목적 및 그의 다른 목적, 특징이나 이점은 첨부의 도면을 참조하면서 하기의 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 된다.
본 발명의 실시예에 관하여 설명하기에 앞서, 본 발명자가 본 발명을 창작하는 데까지의 경위를 설명한다. 본 발명자는 에이징에 의해 현재화(顯在化)시킨 결함으로서의 오픈 결함에 대해서 검토를 행했다. 여기에서, 오픈 결함으로서는 이물 등의 단차에 의해 유기막이 국소적으로 얇아지고, 단락이 쉽게 되는 부위로서, 에이징 공정에서의 전압 인가에 의해 상부 전극이 비산된 국소적인 비발광부이다. 본 발명자는 먼저 상부 전극으로서의 음극의 막두께와 단락불량 발생률의 관계에 대해서 정밀히 조사했다.
구체적으로, 기판 위에 하부 전극으로서의 양극, 유기막, 상부 전극으로서의 음극이 적층되고, 상부 전극의 막두께가 다른 복수 종류의 유기EL소자를 준비하고, 각 유기EL소자에 대해서 에이징에 의해 발생한 오픈 결함의 개수(N1)를 측정했다. 이 오픈 결함에는 육안으로 볼 수 없는 것도 포함한다. 그리고 상하 양쪽 전극 사이에 실제 구동 전압 15V를 10시간 인가한 후, 오픈 결함 중, 구동에 의해 단락에 도달하는 것, 즉 오픈 결함의 부위에서 상하 전극이 단락한 것의 개수(N2)를 측정하고, 단락불량 발생율(N2/N1)을 구했다.
그 결과, 도1에 나타낸 바와 같이 상부 전극의 막두께가 135nm 이상에서는, 상부 전극의 막두께가 135nm 미만에 비해서 단락 불량 발생률이 크고, 구동시에 오픈 결함이 단락 불량에 도달하기 쉬운 것임을 알게 되었다. 또한, 상부 전극으로서의 막두께가 135nm 이상의 유기EL소자에서 에이징에 의해 현재화(顯在化)된 오픈 결함은 그 크기, 즉 구멍 지름에 의하지 않고, 상부 전극의 막두께가 135nm 미만에 비해서 구동시에 오픈 결함이 단락 불량에 도달하기 쉬운 것임을 알게 되었다.
이는 에이징에 의해 오픈 결함이 발생하더라도, 상부 전극의 막두께가 엷은 것에 비해서 두꺼운 막인 상부 전극이 비산하기 어렵고, 상부 전극이 오픈 결함을 통해 하부 전극 가까이에 위치하는 것으로 되기 때문에, 구동시에 오픈 결함 부위에서 상하 전극이 단락하기 쉬운 것이 그 한가지 원인인 것으로 생각된다. 또한, 구동시에 에이징 결함 부위에서 단락하더라도, 구동시의 전압이 에이징의 전압보다 작기 때문에, 다시 오픈화하기 어려운 것도 한가지 원인으로 생각된다.
이와 같이 종래에서는 표시 품질의 점에서 영향이 없는 것으로 여겨진, 육안으로 확인할 수 없는 크기, 예를 들면 구멍 지름이 150㎛ 미만의 오픈 결함에 대해서도, 막두께가 135nm 이상의 상부 전극을 갖는 유기EL소자에서는 시장에 있어서 단락 불량이 발생할 우려가 있는 것으로 밝혀졌다.
여기에서 본 발명자는 상부 전극으로서의 음극의 막두께가 135nm 이상의 유기EL소자에 대해서, 육안 이외에서 오픈 결함을 검출하는 방법을 알아내고자 검사를 행했다. 구체적으로, 음극과 하부 전극으로서의 양극 사이에 결함부를 현재화시키는 전압(V)을 인가하면서, 전압(V)의 인가 기간 동안, 양쪽 전극 사이에 흐르는 리크 전류를 측정했다. 그 결과, 도2에 나타낸 바와 같이, 에이징에 의해 오픈 결함이 발생하지 않는 유기EL소자에서는 리크 전류가 거의 일정했지만, 에이징에 의해 오픈 결함이 발생한 유기EL소자에서는 리크 전류로서 스파이크 형태의 순간적으로 큰 전류(이하, 순간 전류로 칭함)가 흐르는 것을 새롭게 알았다. 도2는 에이징 중에 유기EL소자에 흐르는 리크 전류의 변화를 나타내는 도면으로, 실선은 오픈 결함이 발생한 유기EL소자, 점선은 오픈 결함이 발생하지 않은 유기EL소자의 결과를 나타내고 있다. 또한, 가로축을 인가 전압시간, 세로축을 리크 전류(I)의 대수값(logI)으로 하고 있다. 이 순간 전류는 결함부가 전기적으로 오픈 상태로 되는 현상이 단기간에 발생하기 때문에 발생한 것으로 생각된다. 또한, 에이징 후에 상하 양쪽 전극 사이에서 흐르는 리크 전류를 측정한 경우에, 오픈 결함이 발생하지 않은 유기EL소자와 오픈 결함이 발생한 유기EL소자에서 상기와 같은 차이를 알게 되었다. 본 발명은 이러한 견지에 의거한 것으로, 이하 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하여 설명한다.
(제1 실시예)
본 발명의 제1 실시예에 관한 유기EL소자에 대해서 도3을 참조해서 설명한다. 도3 나타낸 유기EL소자(100)는 기판(10), 양극(20), 발광층을 포함하는 유기막(30), 음극(40)을 포함하고 있다. 이 유기EL소자(100)는 음극(40)의 막두께가 135nm 이상으로 두꺼운 막인 것 이외는, 일반적인 유기EL소자의 막 구성과 동일한 막 구성으로 되어 있다.
기판(10)은 모재(기재)로서의 역할을 다하는 것으로, 글라스나 플라스틱 등 로 이루어지는 투명 기판이다. 기판(10)의 일면 위에는 하부 전극으로서의 양극(20)이 적층되어 있다. 양극(20)의 구성 재료로서는, 인듐주석 산화물(ITO) 등의 도전성 및 광투과성을 갖는 재료를 채용할 수 있다. 양극(20)에 있어서의 기판(10)과는 반대측의 표면 위에 유기막(30)이 적층되어 있다. 유기막(30)으로서는 주지의 구성, 즉 발광측만으로 이루어지는 단층형이나 발광층 이외의 정공(正孔) 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 다층형을 채용할 수 있다. 그리고 유기막(30)에 있어서의 양극(20)과는 반대측의 표면 위에는 상부 전극으로서의 음극(40)이 적층되어 있다. 음극(40)의 구성 재료로서는 알루미늄 등의 도전성 재료를 채용할 수 있다.
그리고 이 유기EL소자(100)에 있어서, 실제 구동 시에는 양극(20)을 플러스 극, 음극(40)을 마이너스 극으로 해서 양쪽 전극(20, 40) 사이에 순전압을 인가함으로써 유기막(30)에서 발광되고, 예를 들면 기판(10) 측으로부터 빛이 취출되도록 되어 있다.
본 실시형태에서, 동일한 기판(10)에 대하여 상기한 유기EL소자(100)를 행렬 형태(매트릭스 형태)로 복수 형성하고 있다. 도4에 나타낸 바와 같이, 양극(20)과 음극(40)이 기판(10) 상에서 서로 교차하도록 각각 스트립 형태로 형성되어 있고, 이들 상하 양쪽 전극(20, 40)이 교차해서 겹치는 부위가 화소 즉 도3에 나타낸 유기EL소자(100)로서 구성되어 있다.
이와 같은 매트릭스 형태로 배열된 유기EL소자(100)에 있어서는, 도면에 도시하지 않은 구동 회로에 의해 복수의 유기EL소자(100) 중, 요구되는 것을 발광시킴으로써 디스플레이 패널로서 사용할 수 있도록 되어 있다.
다음으로, 유기EL소자(1OO)의 제조 방법에 대해서, 도5 내지 도7을 참조하여 설명한다. 도5에 나타낸 바와 같이, 먼저 S10에서 상기 구성의 유기EL소자(100)를 형성한다. 구체적으로, 기판(10) 위에 스퍼터 등에 의해 하부 전극으로서의 양극(20)을 형성하고, 유기발광재료를 이용하여 증착법에 의해 유기막(30)을 형성한다. 그 다음, 알루미늄 등을 증착시킴으로써 상부 전극으로서의 음극(40)을 막두께 135nm 이상, 예를 들면 300nm 정도가 되도록 형성한다. 여기에서, 본 실시 형태에서는 양극(20) 및 음극(40)을 포토리소그라피 등에 의해 도4에 나타낸 바와 같이 스트립 형태로 각각 패터닝함으로써 유기EL소자(100)를 매트릭스 형태로 복수 형성한다. 여기까지가 소자형성 공정이며, 이에 따라 도3 및 도4에 나타낸 유기EL소자(1OO)가 형성된다.
그리고 S20에 있어서, 형성된 유기EL소자(100)에 대하여 검사를 실행한다. 본 실시 형태에 있어서는, 도5에 나타낸 바와 같이, 검사 공정을 유기EL소자(1OO)의 제조 공정의 하나의 공정으로서, 상기한 소자형성 공정에 계속해서 연속적으로 실시한다. 이 검사 공정은 유기EL소자(100)에 있어서의 음극(40)을 플러스 극, 양극(20)을 마이너스 극으로 해서 양쪽 전극(20, 40) 사이에 상기 순전압과는 역방향의 직류전압, 즉 역 바이어스 전압을 인가하고, 결함부를 현재화시키는 처리를 행하는 에이징 공정과, 에이징 공정의 전압(V)인가의 전체 공정에 있어서 양쪽 전극(20, 40) 사이에 흐르는 리크 전류를 측정하는 리크전류 측정공정을 포함한다. 즉, 에이징하면서 리크 전류의 측정을 행한다.
구체적으로, 도6에 나타낸 바와 같이, 먼저 S21에 있어서 전극(20, 40) 사이에 역 바이어스 전압(V)을 인가하여 에이징을 행한다. 이 역 바이어스 전압(V)은 유기EL소자에 존재하는 결함부가 현재화되는 전압을 인가한다. 본 실시형태에서는, 역 바이어스 전압(V)을 유기EL소자(100)의 실제 구동시에 인가되는 전압의 크기보다도 크게 함으로써, 오픈 결함의 현재화를 촉진하도록 하고 있다. 이 역 바이어스 전압(V)의 인가는 도7에 나타낸 바와 같이 직류전압(110)을 이용하여 행할 수 있 다. 본 실시 형태에서는 도7에 나타낸 바와 같이 복수개의 유기EL소자(100)에 있어서의 상하 양쪽 전극(20, 40)을 각각 공통의 배선을 이용해서 직류전원(110)에 접속하고, 제어부(130)에 의해 복수개의 유기EL소자(100)에 대해서 일괄해서 역 바이어스 전압(V)을 인가하도록 직류전원(110)의 작동을 제어한다. 따라서, 복수개의 유기EL소자(100)에 대해서, 일괄해서 오픈 결함 유무의 검사(검사 공정)를 행할 수 있고, 단시간의 처리가 가능하게 된다. 그러나 역 바이어스 전압(V)의 인가(검사 공정)는 각각의 유기EL소자(100) 마다 행해도 좋다.
또한, S22에 있어서, 역 바이어스 전압(V)의 인가와 동시에, 양쪽 전극(20, 40) 사이에 흐르는 리크 전류의 측정을 개시한다. 본 실시 형태에서는 도7에 나타낸 바와 같이, 직류 전류를 측정하는 전류측정부(120)가 음극(40)과 직류전원(110) 사이에 전기적으로 개재되어 있다. 또한, 전류측정부(120)는 양극(20)과 직류전원(110) 사이에 개재되어도 좋다. 그리고 유기EL소자(100)에 역 바이어스 전압(V)을 인가한 상태에서, 전류측정부(120)에 의해 유기EL소자(1OO)의 리크 전류를 측정하도록 전류측정부(120)의 작동이 제어부(130)에 의해 제어된다. 또한, 전류측정부(120)에 의해 측정된 리크 전류가 제어부(130)로 보내지고, 제어부(130)에서는 이 리크 전류의 값과 소정의 역치를 비교하여 오픈 결함의 유무를 검출한다. 따라서, 일정한 시간간격(S)으로 데이터를 취득하도록 전류측정부(120)의 작동이 제어부(130)에 의해 제어된다.
이와 같이 제어부(130)에 의해 작동 제어된 전류측정부(120)에 의해 일정한 시간 간격(S)으로 역 바이어스 전압(V)의 인가 중에 계속 리크 전류의 측정이 이루 어져 샘플링되는 경우에는, 시간 간격(S)이 작을수록 순간 전류를 측정할 수 있는 확률이 높아진다. 그러나 시간 간격(S)을 작게 할수록, 데이터 취득 수가 증가하기 때문에, 검사장치의 코스트가 증가한다. 그리고 본 발명자는 시간 간격(S)과 순간 전류 검출률(오픈결함 검출률)의 관계에 대해서 정밀 조사했다. 오픈결함 유무에 대해서는, 육안 및 현미경에 의한 확인을 행했다. 그 결과, 도8에 나타낸 바와 같이, 시간 간격(S)을 28㎲ 이하로 하면, 순간 전류, 즉 오픈결함을 확실하게 검출할 수 있음을 알아냈다. 또한, 28㎲는 측정된 순간 전류의 반값 폭과 거의 일치하는 것으로, 본 실시형태에서는 시간간격(S)을 28㎲로 했다.
도6의 S23에 나타낸 바와 같이, 이들 역 바이어스 전압(V)의 인가와 리크 전류의 측정은 역 바이어스 전압(V)의 인가로부터의 경과 시간이 결함부를 현재화시키기 위한 소정 시간을 경과할 때까지 실시된다. 또한, 경과 시간, 즉 결함부를 현재화시키기 위한 소정시간은 역 바이어스 전압(V)에 의해 변화하기 때문에, 인가되는 역 바이어스 전압(V)에 따라 적당하게 설정된다. 본 실시 형태에서는, 역 바이어스 전압(V)은 28V, 인가 시간을 60초로 했다.
소정 시간이 경과한 후, S24 및 S25에 있어서, 역 바이어스 전압의 인가와 리크 전류의 측정을 종료한다. 상기한 바와 같이 검사공정 즉 에이징 공정 및 리크전류 측정공정이 종료된다. 그리고 S30의 판정 공정에서는, 리크전류 측정공정에서 측정된 리크전류에 의거하여 유기EL소자(100)의 불량을 판정한다. 본 실시형태에서는 상기한 바와 같이, 전류측정부(120)에 의해 측정된 리크 전류가 제어부(130)에서 소정의 역치와 비교되고, 순간적으로 역치를 초과하는 것이 오픈결함을 갖는 것 으로 판정된다. 한번 역치를 초과하고나서 역 바이어스 전압(V)의 인가가 종료할 때까지 계속 역치를 초과하는 것이 양극(20)과 음극(40)이 단락한 것으로 판정된다. 또한, 역치 이하의 것은 양극(20)과 음극(40)이 단락하지 않으며, 또한 오픈결함을 갖지 않는 것으로 판정된다. 또한, 유기EL소자(100)의 구조에 의해 오픈결함을 갖지 않는 정상 소자의 리크 전류 값은 달라지고, 역 바이어스 전압(V)에 의해서도 순간 전류의 피크값이 변화된다. 따라서, 오픈결함 유무의 판정 기준이 되는 역치는 각각의 조건에 따라 적당하게 설정된다. 이상으로부터 유기EL소자(1OO)가 실제 구동 시에 단락에 이르는 오픈결함을 갖는 있는 것인가 아닌가가 판정된다. 본 실시형태에서는 상기한 바와 같이, 검사공정 및 판정공정을 자동화할 수 있다.
이와 같이 본 실시형태에 관한 유기EL소자(100)의 검사 방법에 의하면, 막두께가 135nm 이상의 음극(40)을 갖는 유기EL소자(100)에 대하여, 양쪽 전극(20, 40) 사이에 역 바이어스 전압(V)을 인가해서 결함부, 즉 오픈결함 및 양극(20)과 음극(40)의 단락 결함을 현재화시키면서, 이때 측정되는 리크전류에 의거하여 유기EL소자(100)의 불량을 판정하도록 하고 있다.
따라서, 리크전류로서의 순간 전류의 검출 유무에 의해 유기EL소자(100)가 오픈 결함이 있는 것인가 아닌가를 식별할 수 있기 때문에, 불량 판정을 적절히 행할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는 시간 간격(S)을 28㎲ 이하로 해서, 양쪽 전극(20, 40) 사이에 흐르는 리크 전류를 샘플링하기 때문에, 순간 전류를 검출하기 위한 데이터 취득 수를 줄이면서, 순간 전류를 확실하게 검출할 수 있다. 또한, 검사 장치의 구성을 간소화할 수 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기한 실시형태에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변형해서 실시하는 것이 가능하다.
본 실시 형태에서는, 에이징 공정에 있어서의 역 바이어스 전압(V)을 직류전압으로 한 예를 설명하였다. 이와 같이 직류전압으로 하면, 전압을 인가하기 위한 전원의 코스트를 억제할 수 있다. 또한, 전압의 제어가 간단하게 된다. 그러나 직류뿐만 아니라 교류이어도 좋다. 실효 전압으로서 목적 전압으로 되면 좋다.
본 실시 형태에서는, 검사 공정을 유기EL소자(100)의 제조 공정의 하나의 공정으로 해서 소자형성공정에 계속해서 연속적으로 실시되는 예를 설명하였다. 그러나 소자형성공정과는 사이를 둔 독립된 공정으로서 실시해도 좋다.
본 실시 형태에서는, 검사 공정(리크전류 측정공정) 후에, 판정 공정을 실시하는 예를 설명하였다. 그러나 리크전류 측정공정과 판정공정을 동시에 행해도 좋다. 즉, 리크전류의 측정과 동시에 불량 판정을 행해도 좋다. 순간 전류의 검출 방법도 상기 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 직류전원(110)과 음극(40) 사이에 접속된 전류 측정용 저항에서 발생한 전압이 콤퍼레이터에서 기준전압과 비교되어, 순간 전류의 유무에 따라 콤퍼레이터의 출력이 「1」「0」중 어느 것으로 되도록 한 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 샘플링이 아니라, 역 바이어스 전압(V)의 인가 중 계속 연속해서 리크전류를 측정할 수 있기 때문에, 순간 전류를 확실하게 검출할 수 있다. 또한, 소정 시간의 경과를 기다리지 않고, 순간 전류가 검출된 시점에서 검사 공정을 종료하여도 좋다.
본 실시형태에서는 검사 공정 및 판정 공정이 자동화된 예를 설명했지만, 특별히 자동화에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 실시예에서는 특별히 언급하지 않았지만, 역 바이어스 전압(V)의 인가 전과 인가 후에, 유기EL소자(1OO)에 있어서의 음극(40)을 마이너스 극, 양극(20)을 플러스 극으로 해서 양쪽 전극(20, 40) 사이에 순방향의 전압을 인가해서 유기EL소자(100)를 점등시킴으로써 양쪽 전극(20, 40)의 전기적인 접속상태를 검사해도 좋다. 이와 같이 점등검사를 하면, 에이징 전의 시점에서 이미 양쪽 전극(20, 40)의 전기적인 접속상태가 불량으로 되어 있는 유기EL소자(100)나, 에이징 중에 양쪽 전극(20, 40)의 전기적인 접속 상태가 불량으로 된 유기EL소자(100)를 검출할 수 있다. 즉, 본 실시 형태에서 설명된 오픈결함 유무 검사의 신뢰성을 향상시킬 수있다.
도1은 상부 전극의 막두께와 단락 불량 발생률의 관계를 나타내는 도면.
도2는 에이징 중에 유기EL소자에 흐르는 리크 전류의 변화를 나타내는 도면.
도3은 제1 실시 형태에 관한 유기EL소자의 개략적인 구성을 나타내는 단면도.
도4는 복수의 유기EL소자를 매트릭스 형태로 형성한 구성을 나타내는 개략적인 평면도.
도5는 유기EL소자의 제조방법을 나타내는 공정 흐름도.
도6은 검사 공정을 나타내는 흐름도.
도7은 유기EL소자를 검사하기 위한 장치 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
도8은 시간 간격과 오픈 결함 검출률의 관계를 나타내는 도면.
*도면부호에 대한 간단한 설명*
10: 기판 20: 양극(하부 전극)
30: 유기막 40: 음극(상부 전극)
100: 유기EL소자 110: 직류전원
120: 전류측정부 130: 제어부

Claims (7)

  1. 기판 위에 하부 전극, 발광층을 포함하는 유기막, 막두께 135㎚ 이상의 상부 전극이 순차적으로 적층된 유기EL소자의 검사방법으로서,
    상기 상부 전극과 하부 전극 중, 음극 측을 플러스 극, 양극 측을 마이너스 극으로 해서 상기 양쪽 전극 사이에 전압을 인가해서 상기 유기막에 존재하는 결함부를 현재화(顯在化)시키는 에이징 공정;
    상기 양쪽 전극 사이에 상기 전압을 인가하는 전체 기간에서, 28㎲ 이하의 일정 시간 간격으로 상기 양쪽 전극 사이에 흐르는 리크 전류를 측정하는 리크전류 측정 공정; 및
    측정된 상기 리크 전류에 의거해서 상기 유기EL소자의 불량을 판정하는 판정공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    유기EL소자의 검사방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 에이징 공정에 있어서의 전압은 상기 유기EL소자의 실제 구동 시에 인가되는 전압의 크기보다도 큰 것을 특징으로 하는
    유기EL소자의 검사방법.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 에이징 공정에 있어서의 전압은 직류 전압인 것을 특징으로 하는
    유기EL소자의 검사방법.
  6. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    동일의 상기 기판 위에 복수의 상기 유기EL소자가 매트릭스 형태로 형성되고,
    상기 에이징 공정에서는, 복수의 상기 유기EL소자에 있어서의 상기 양쪽 전극에 대해서 일괄해서 상기 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는
    유기EL소자의 검사방법.
  7. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 양쪽 전극 사이에 상기 전압을 인가하기 전과 인가한 후에, 상기 유기EL소자를 점등시킴으로써 상기 양쪽 전극의 전기적인 접속 상태를 검사하는 것을 특징으로 하는
    유기EL소자의 검사방법.
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