JP2007258567A - 半導体基板の検査方法、半導体基板の検査装置、半導体基板の評価方法、および半導体基板の評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板に励起光を照射する照射部と、前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出部と、前記検出部で検出された発光データを処理して前記半導体基板の欠陥を検出するデータ処理部と、を有し、前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまで前記励起光を照射して前記発光を検出することにより、前記欠陥を検出するよう構成されていることを特徴とする半導体基板の検査装置。
【選択図】図5
Description
Itsumiら、J.Appl.Phys.78(1995)5984. Hyun−Sooら、Jpn.J.Appl.Phys.40(2001)L1286 V.V.Voronkovら、J.Crystal Growth 59(1982)625.
(付記1)
半導体基板に励起光を照射する照射工程と、
前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された発光データを処理して前記半導体基板の欠陥を検出するデータ処理工程と、を有し、
前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまで前記励起光を照射して前記発光を検出することにより、前記欠陥を検出することを特徴とする半導体基板の検査方法。
(付記2)
前記半導体基板はシリコン基板であることを特徴とする付記1記載の半導体基板の検査方法。
(付記3)
前記半導体基板は、実質的な熱処理がされていないことを特徴とする付記2記載の半導体基板の検査方法。
(付記4)
前記半導体基板は、実質的な酸化処理がされていないことを特徴とする付記2または3記載の半導体基板の検査方法。
(付記5)
前記欠陥は、OSFリング領域の欠陥であることを特徴とする付記2乃至4のうち、いずれか1項記載の半導体基板の検査方法。
(付記6)
前記照射工程では、波長が400nm以下のレーザ光が前記半導体基板に照射されることを特徴とする付記2乃至5のうち、いずれか1項記載の半導体基板の検査方法。
(付記7)
半導体基板に励起光を照射する照射部と、
前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出部と、
前記検出部で検出された発光データを処理して前記半導体基板の欠陥を検出するデータ処理部と、を有し、
前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまで前記励起光を照射して前記発光を検出することにより、前記欠陥を検出するよう構成されていることを特徴とする半導体基板の検査装置。
(付記8)
前記半導体基板はシリコン基板であることを特徴とする付記7記載の半導体基板の検査装置。
(付記9)
前記半導体基板は、実質的な熱処理がされていないことを特徴とする付記8記載の半導体基板の検査装置。
(付記10)
前記半導体基板は、実質的な酸化処理がされていないことを特徴とする付記8または9記載の半導体基板の検査装置。
(付記11)
前記欠陥は、OSFリング領域の欠陥であることを特徴とする付記8乃至10のうち、いずれか1項記載の半導体基板の検査装置。
(付記12)
前記照射部は、波長が400nm以下のレーザ光を前記半導体基板に照射するよう構成されていることを特徴とする付記8乃至11のうち、いずれか1項記載の半導体基板の検査装置。
(付記13)
半導体基板に励起光を照射する照射工程と、
前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された発光データを処理するデータ処理工程と、を有し、
前記照射工程において、前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまでの時間以上前記励起光を照射することを特徴とする半導体基板の評価方法。
(付記14)
半導体基板に励起光を照射する照射部と、
前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出部と、
前記検出工程で検出された発光データを処理するデータ処理部と、を有し、
前記照射部は、前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまでの時間以上前記励起光を照射することを特徴とする半導体基板の評価装置。
101 保持台
102 半導体基板
103 反射板
104 照射部
105 検出部
200 装置制御部
201 照射部制御手段
202 検出部制御手段
203 データ処理手段
204 記憶手段
205 入出力手段
Claims (10)
- 半導体基板に励起光を照射する照射工程と、
前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された発光データを処理して前記半導体基板の欠陥を検出するデータ処理工程と、を有し、
前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまで前記励起光を照射して前記発光を検出することにより、前記欠陥を検出することを特徴とする半導体基板の検査方法。 - 前記半導体基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1記載の半導体基板の検査方法。
- 前記欠陥は、OSFリング領域の欠陥であることを特徴とする請求項2記載の半導体基板の検査方法。
- 前記照射工程では、波長が400nm以下のレーザ光が前記半導体基板に照射されることを特徴とする請求項2または3記載の半導体基板の検査方法。
- 半導体基板に励起光を照射する照射部と、
前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出部と、
前記検出部で検出された発光データを処理して前記半導体基板の欠陥を検出するデータ処理部と、を有し、
前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまで前記励起光を照射して前記発光を検出することにより、前記欠陥を検出するよう構成されていることを特徴とする半導体基板の検査装置。 - 前記半導体基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項5記載の半導体基板の検査装置。
- 前記欠陥は、OSFリング領域の欠陥であることを特徴とする請求項6記載の半導体基板の検査装置。
- 前記照射部は、波長が400nm以下のレーザ光を前記半導体基板に照射するよう構成されていることを特徴とする請求項6または7記載の半導体基板の検査装置。
- 半導体基板に励起光を照射する照射工程と、
前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された発光データを処理するデータ処理工程と、を有し、
前記照射工程において、前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまでの時間以上前記励起光を照射することを特徴とする半導体基板の評価方法。 - 半導体基板に励起光を照射する照射部と、
前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出部と、
前記検出工程で検出された発光データを処理するデータ処理部と、を有し、
前記照射部は、前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまでの時間以上前記励起光を照射することを特徴とする半導体基板の評価装置。
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