JP2007258438A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、半導体基板11と、前記半導体基板11上に配設された配線層15と、前記配線層15を選択的に被覆する絶縁層14と、前記絶縁層14に設けられた開口部に於いて前記配線層15上に配設された金属層16と、前記絶縁層14に設けられた開口部に於いて前記金属層16上に配設された外部接続用電極17とを具備し、前記金属層16は、前記絶縁層14に設けられた開口部に於いて、前記絶縁層14と前記配線層15との間に延在して配設されてなる。
【選択図】図2
Description
1.半導体装置の第1の実施の形態
本発明に係る半導体装置の第1の実施の形態について、図2乃至図4を参照して説明する。
そして、当該第2の有機絶縁膜18に設けられた開口18a部に対応する、前記配線層15には、その表面部に断面が円弧状の凹部15aが設けられ、当該凹部15aにその一部が受容されて金属層16が配設されている。この時、第2の有機絶縁膜18に設けられた開口18a部の開口寸法A1に比して、円弧状の凹部15aの上端部の寸法B1は大きい。
(図2において点線Sにて囲んだ箇所)従って、突起電極17に外力が加わった場合、当該金属層16の第2の有機絶縁膜18下への延在部には所謂アンカー効果が生じ、突起電極17の剥離・脱落などを防止することができる。従って、当該半導体装置の実装信頼性を向上させることができる。
次に、図5乃至図7を参照して、本発明に係る半導体装置の第2の実施の形態について説明する。
そして、当該第2の有機絶縁膜28に設けられた開口28a部に対応する、前記配線層25には、その表面部に断面が円弧状の凹部25aが設けられ、当該凹部25aにその一部が受容されて金属層26が配設されている。この時、第2の有機絶縁膜28に設けられた開口28a部の開口寸法A2に比して、円弧状の凹部25aの上端部の寸法B2は大きい。
(図2において点線Sにて囲んだ箇所)従って、突起電極27に外力が加わった場合、当該金属層26の第2の有機絶縁膜28下への延在部には所謂アンカー効果が生じ、突起電極27の剥離・脱落などを防止することができる。従って、当該半導体装置の実装信頼性を向上させることができる。
次に、上述の半導体装置の製造方法の実施の形態について説明する。
まず、図8及び図9を参照して、図2乃至図4に示す半導体装置の製造方法の実施の形態について説明する。また、図10を用いて、金属層16を形成する方法を説明する。
次いで、前記開口内から前記第1の有機絶縁膜14上に延在して、銅(Cu)からなる配線層15を形成する。当該銅層はメッキ法などにより形成される。本例では、パッシベーション膜12及び第1の有機絶縁膜14の開口している箇所及びその近傍のみならず、隣に設けられた他の電極層12側に延出するように、配線層15を形成する。
なお、前記図9(c)に示す金属層16の形成は、図10に示すように、印刷方式で行ってもよい。
まず、図11及び図12を参照して、図5乃至図7に示す半導体装置の製造方法の実施の形態について説明する。
なお、図11及び図12に示す例では、金属層26を、配線層25のうち、直下に電極層22が配設されていない箇所の上部に形成する場合を説明したが、第2の有機絶縁膜28の開口28a内における凹部25aの形成箇所を、直下に電極層22が配設されていない箇所の配線層25の上面にすることにより、金属層26を、配線層25のうち直下に電極層22が配設されている箇所の上部に形成することができ、図6に示す構造を有する半導体装置を製造することができる。
(付記1) 半導体基板と、
前記半導体基板上に配設された配線層と、
前記配線層を選択的に被覆する絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた開口部に於いて前記配線層上に配設された金属層と、
前記絶縁層に設けられた開口部に於いて前記金属層上に配設された外部接続用電極とを具備し、
前記金属層は、前記絶縁層に設けられた開口部に於いて、前記絶縁層と前記配線層との間に延在して配設されてなることを特徴とする半導体装置。
(付記2) 前記金属層は、前記配線層を構成する物質と前記外部接続用突起電極を構成する物質との相互の拡散を抑制するものであることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記3) 前記配線層は、開口部を有する絶縁膜により封止され、
前記金属層は、前記開口部内に形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記4) 前記金属層は、前記開口部内から前記絶縁膜の上面の上方に、盛り上がるように形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記5) 付記1乃至4いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記金属層は、略平坦な表面を有していることを特徴する半導体装置。
(付記6) 付記1乃至4いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記金属層は、バンプ形状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記7) 付記1乃至6いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記金属層は無電解金属めっきからなることを特徴とする半導体装置。
(付記8) 付記7記載の半導体装置であって、
前記無電解金属めっきは、ニッケル、鉛、及び銀から構成される群から選択される金属の無電解めっきであることを特徴とする半導体装置。
(付記9) 半導体基板上に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に絶縁層を形成する工程と、
前記配線層上の絶縁層に開口を形成する工程と、
前記開口に対応する配線層の表面に、当該開口内から当該配線層と絶縁層との界面に沿って金属層を形成する工程と、
前記金属層上に外部接続用電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記10) 前記開口を、エッチングにより形成することを特徴とする付記9記載の半導体装置の製造方法。
(付記11) 付記9又は10記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線層は、前記絶縁膜により封止されており、
前記開口部により露出した前記配線層の上面に前記エッチングを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記12) 付記9乃至11記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属層を無電解金属めっきで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記13) 付記9乃至11記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属層を印刷形式で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
14、24 第1の有機絶縁膜
15、25 配線層
15a、25a 凹部
16、26、66、76 金属層
17、27 突起電極
18、28 第2の有機絶縁膜
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に配設された配線層と、
前記配線層を選択的に被覆する絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた開口部に於いて前記配線層上に配設された金属層と、
前記絶縁層に設けられた開口部に於いて前記金属層上に配設された外部接続用電極とを具備し、
前記金属層は、前記絶縁層に設けられた開口部に於いて、前記絶縁層と前記配線層との間に延在して配設されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記金属層は、前記配線層を構成する物質と前記外部接続用突起電極を構成する物質との相互の拡散を抑制するものであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記配線層は、開口部を有する絶縁膜により封止され、
前記金属層は、前記開口部内に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記金属層は、前記開口部内から前記絶縁膜の上面の上方に、盛り上がるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 半導体基板上に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に絶縁層を形成する工程と、
前記配線層上の絶縁層に開口を形成する工程と、
前記開口に対応する配線層の表面に、当該開口内から当該配線層と絶縁層との界面に沿って金属層を形成する工程と、
前記金属層上に外部接続用電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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