JP2007256534A - 光制御素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
バイアスジャンプ現象を防止し、瞬間的な制御電圧の変動が少ない光制御素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果、圧電効果または焦電効果を有する基板と、該基板内を伝搬する光波を制御するための電極とを有する光制御素子において、該光制御素子が筐体内に設置され、該筐体内を乾燥窒素よりも絶縁性の高いガスで充填することを特徴とする。
また、該筐体内に充填されたガスが消弧性ガスを含むことが、より好ましい。
【選択図】なし
Description
特に、光制御素子が筐体内に設置され、該筐体内を乾燥窒素よりも絶縁性の高いガスで充填するため、長期間に渡りバイアスジャンプ現象を防止することが可能となる。また、筐体を用いるため、充填圧を大気圧よりも大きくとることが可能となり、より効果的にバイアスジャンプを抑制することが可能となる。
本発明は、電気光学効果、圧電効果または焦電効果を有する基板と、該基板内を伝搬する光波を制御するための電極とを有する光制御素子において、該光制御素子が筐体内に設置され、該筐体内を乾燥窒素よりも絶縁性の高いガスで充填することを特徴とする。
特に、筐体内に充填されたガスは、消弧性ガス(SF6,H2,CO2)を含むことが好ましい。
特に、SF6ガスは、化学的に安定した、無毒・無臭なガスであり、空気の約3倍の絶縁性能と約100倍の消弧能力(高温の放電(火花)を消す能力)を有している。使用方法としては、圧力を高めるほど消弧効果は高くなるが、充填圧力が高すぎると液化するため、0.3Paから0.5MPaの範囲で使用することが望ましい。
さらに、消弧性ガスと組合わせる他のガスとしては、CO2,CF4,N2やHeが、消弧性ガスの性能を安定的に発現させる上で好ましい。また、これらのガスは、筐体の密閉状態を検査するリークテストにも使用でき、より好ましい気体である。また、N2/CO2/SF6混合ガスでは、SF6単独で使用する場合より、高い絶縁特性を持つ混合比があることも知られている。
(1)光制御素子を筐体内に設置する。
(2)筐体を真空容器内に収容し、真空パージを行う。好ましくは加熱しながら真空パージする方がより不要なガスを排出することが可能である。加熱時間は1〜6時間が好ましい。
(3)真空パージした真空容器内に、消弧性ガスの分圧が0.1気圧以上5気圧以下となる、消弧性ガスを含むガスを導入する。
(4)真空容器内に筐体を暫らく放置し、筐体内に消弧性ガスを含むガスを十分に充填する。
(5)筐体を封止し、筐体を真空容器から取り出す。
電気光学効果を有する結晶性基板として、厚み500μmのX−cut型のLiNbO3板を用い、フォトリソグラフィーを用いて導波路パターンを形成した。Tiを真空蒸着法にて成膜後、リフトオフ法によりTiの導波路パターンを得た。次に、大気中にて1000℃、10〜20時間の熱処理を経て光導波路を形成した。該結晶基板上にはSiO2からなるバッファ層をスパッタ法にて形成し、その後、レジストパターンをガイドとして電界メッキにより高さ20μmのAu電極を変調電極として形成した。なお、本実施例に用いた光制御素子には、特許文献5に開示したようなバイアスジャンプ抑制の構成は付加していない。
製作した光制御素子のモジュールを、0℃→70℃→0℃まで連続的に温度変化させたときの駆動電圧の変動を測定した。昇温速度、降温速度は共に5℃/minとした。上記温度変化を3回繰り返し、駆動電圧の不連続点をカウントした。
筐体内に封入するガスをCO2とした以外は、実施例1と同様に製作し、評価試験した。
筐体内に封入するガスをHeを僅かに含む合成空気とした以外は、実施例1と同様に製作し、評価試験した。
Claims (7)
- 電気光学効果、圧電効果または焦電効果を有する基板と、該基板内を伝搬する光波を制御するための電極とを有する光制御素子において、
該光制御素子が筐体内に設置され、
該筐体内を乾燥窒素よりも絶縁性の高いガスで充填することを特徴とする光制御素子。 - 請求項1に記載の光制御素子において、該基板に光導波路が形成されていることを特徴とする光制御素子。
- 請求項1又は2に記載の光制御素子において、該筐体内に充填されたガスが消弧性ガスを含むことを特徴とする光制御素子。
- 請求項3に記載の光制御素子において、該消弧性ガスはSF6であることを特徴とする光制御素子。
- 請求項3又は4に記載の光制御素子において、該消弧性ガスの分圧が0.1気圧以上であることを特徴とする光制御素子。
- 電気光学効果、圧電効果または焦電効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を制御するための電極とを有する光制御素子の製造方法において、
該光制御素子が筐体内に設置され、
該筐体を真空パージし、
その後、該筐体内を消弧性ガスを含むガスで充填させ、該筐体を封止することを特徴とする光制御素子の製造方法。 - 請求項6に記載の光制御素子の製造方法において、該筐体を真空パージした後、消弧性ガスの分圧が0.1気圧以上5気圧以下の気体中で放置し、該筐体内に消弧性を含むガスを充填させ、該筐体を封止することを特徴とする光制御素子の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014081575A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気光学結晶を用いた光学装置 |
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2006
- 2006-03-22 JP JP2006079742A patent/JP2007256534A/ja active Pending
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