JP6503900B2 - 導波路型光素子の駆動方法、及び当該駆動方法に用いる導波路型光素子 - Google Patents
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Description
本発明の他の態様は、ニオブ酸リチウムから成る電気光学効果を有する基板と、前記基板上に形成された、マッハツェンダ型光導波路を構成する2つの並行導波路である2つの光導波路と、前記2つの光導波路に、前記基板の自発分極方位に沿って互いに逆向き方向の電界をそれぞれ印加して、当該2つの光導波路間に屈折率差を発生させてドリフト現象を補償するためのバイアス電極である制御電極と、を備え、前記制御電極は、前記2つの光導波路の間に配置された基準電極と、前記基準電極に対しそれぞれ前記2つの光導波路を挟んで当該基準電極と平行に又は略平行に配置された2つの動作電極と、を含み、且つ、前記自発分極方位に対し逆方向の電界を生じさせる一の前記動作電極と前記基板との間には非導電性の中間層が配置されており、他の前記動作電極と前記基板との間には非導電性の中間層が配置されていない、導波路型光素子である。
本発明の他の態様は、ニオブ酸リチウムから成る電気光学効果を有する基板と、前記基板上に形成された、マッハツェンダ型光導波路を構成する2つの並行導波路である2つの光導波路と、前記2つの光導波路に、前記基板の自発分極方位に沿って互いに逆向き方向の電界をそれぞれ印加して、当該2つの光導波路間に屈折率差を発生させてドリフト現象を補償するためのバイアス電極である制御電極と、を備え、前記制御電極は、前記2つの光導波路の間に配置された基準電極と、前記基準電極に対しそれぞれ前記2つの光導波路を挟んで当該基準電極と平行に又は略平行に配置された2つの動作電極と、を含み、前記2つの動作電極と前記基板との間には非導電性の中間層が配置されており、且つ、前記自発分極方位に対し逆方向の電界を生じさせる一の前記動作電極と前記基板との間の前記中間層は、他の前記動作電極と前記基板との間の前記中間層より厚い、導波路型光素子である。
本発明の更に他の態様は、上記いずれかの導波路型光素子の駆動方法であって、前記一の動作電極と前記基準電極との間に第1の電圧を印加して、前記一の動作電極と前記基準電極との間の前記基板内に、前記自発分極方位に対し逆方向に電界を生じさせる工程と、前記他の動作電極と前記基準電極との間に第2の電圧を印加して、前記他の動作電極と前記基準電極との間の前記基板内に、前記自発分極方位と同じ方向に電界を生じさせる工程と、を有し、前記第1及び第2の電圧は、前記基板内に生ずる前記自発分極方位に対し逆方向の電界の電界強度が、前記自発分極方位と同じ方向の電界の電界強度よりも小さくなるように設定される。
まず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る導波路型光素子の構成及び駆動方法を説明する図である。
本導波路型光素子10は、基板100上にマッハツェンダ(MZ、Mach-Zehnder)型光導波路102が形成された、マッハツェンダ型光変調器である。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図2は、本発明の第2の実施形態に係る導波路型光素子の構成及び駆動方法を説明する図である。なお、図2においては、図1に示す第1の実施形態に係る導波路型光素子10と同じ構成要素については、図1と同じ符号を用いるものとし、上述した第1の実施形態に係る導波路型光素子10における説明を援用するものとする。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図3は、本発明の第3の実施形態に係る導波路型光素子の構成及び駆動方法を説明する図である。なお、図3及び後述する図4においては、図1に示す第1の実施形態に係る導波路型光素子10と同じ構成要素については、図1と同じ符号を用いるものとし、上述した第1の実施形態に係る導波路型光素子10における説明を援用するものとする。
Claims (4)
- ニオブ酸リチウムから成る電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に形成された、マッハツェンダ型光導波路を構成する2つの並行導波路である2つの光導波路と、
前記2つの光導波路に、前記基板の自発分極方位に沿って互いに逆向き方向の電界をそれぞれ印加して、当該2つの光導波路間に屈折率差を発生させてドリフト現象を補償するためのバイアス電極である制御電極と、
を備え、
前記制御電極は、前記2つの光導波路の間に配置された基準電極と、前記基準電極に対しそれぞれ前記2つの光導波路を挟んで当該基準電極と平行に又は略平行に配置された2つの動作電極と、を含み、且つ、
前記自発分極方位に対し逆方向の電界を生じさせる一の動作電極と前記基準電極との離間距離が、前記基準電極と他の動作電極との離間距離よりも大きくなるように配置されている、
導波路型光素子。 - ニオブ酸リチウムから成る電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に形成された、マッハツェンダ型光導波路を構成する2つの並行導波路である2つの光導波路と、
前記2つの光導波路に、前記基板の自発分極方位に沿って互いに逆向き方向の電界をそれぞれ印加して、当該2つの光導波路間に屈折率差を発生させてドリフト現象を補償するためのバイアス電極である制御電極と、
を備え、
前記制御電極は、前記2つの光導波路の間に配置された基準電極と、前記基準電極に対しそれぞれ前記2つの光導波路を挟んで当該基準電極と平行に又は略平行に配置された2つの動作電極と、を含み、且つ、
前記自発分極方位に対し逆方向の電界を生じさせる一の前記動作電極と前記基板との間には非導電性の中間層が配置されており、
他の前記動作電極と前記基板との間には非導電性の中間層が配置されていない、
導波路型光素子。 - ニオブ酸リチウムから成る電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に形成された、マッハツェンダ型光導波路を構成する2つの並行導波路である2つの光導波路と、
前記2つの光導波路に、前記基板の自発分極方位に沿って互いに逆向き方向の電界をそれぞれ印加して、当該2つの光導波路間に屈折率差を発生させてドリフト現象を補償するためのバイアス電極である制御電極と、
を備え、
前記制御電極は、前記2つの光導波路の間に配置された基準電極と、前記基準電極に対しそれぞれ前記2つの光導波路を挟んで当該基準電極と平行に又は略平行に配置された2つの動作電極と、を含み、
前記2つの動作電極と前記基板との間には非導電性の中間層が配置されており、且つ、
前記自発分極方位に対し逆方向の電界を生じさせる一の前記動作電極と前記基板との間の前記中間層は、他の前記動作電極と前記基板との間の前記中間層より厚い、
導波路型光素子。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の導波路型光素子の駆動方法であって、
前記一の動作電極と前記基準電極との間に第1の電圧を印加して、前記一の動作電極と前記基準電極との間の前記基板内に、前記自発分極方位に対し逆方向に電界を生じさせる工程と、
前記他の動作電極と前記基準電極との間に第2の電圧を印加して、前記他の動作電極と前記基準電極との間の前記基板内に、前記自発分極方位と同じ方向に電界を生じさせる工程と、
を有し、
前記第1及び第2の電圧は、前記基板内に生ずる前記自発分極方位に対し逆方向の電界の電界強度が、前記自発分極方位と同じ方向の電界の電界強度よりも小さくなるように設定される、方法。
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JP2015111616A Active JP6503900B2 (ja) | 2015-06-01 | 2015-06-01 | 導波路型光素子の駆動方法、及び当該駆動方法に用いる導波路型光素子 |
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