JP2015014715A - 電気光学デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
実施形態1に示す電気光学デバイスを実際に試作し特性を評価した。単結晶基板4の材質はサファイア、スパッタ法で成膜されエピタキシャル成長させたLN膜5の膜厚は1.5μm、スパッタ法で成膜されたバッファ層6の材質はアルミナ膜とし、膜厚は、1.0μmとした。電気抵抗を測定した所、LN膜5の体積抵抗率は約10の10乗Ωmであった。バッファ層6として用いたアルミナ膜の体積抵抗率は測定限界以上であり、10の12乗Ωm以上であった。バッファ層6の体積抵抗率はLN膜5の体積抵抗率の100倍以上であった。
1、1a、1b、1c 光導波路
2a、2b 第1電極
3a、3b、3c 第2電極
4 単結晶基板
5 LN膜
6 バッファ層
9 終端抵抗
11 入力側
12 出力側
13a、13b 入力側
21〜23 ノード
31〜33 ノード
Claims (3)
- 単結晶基板と、
前記単結晶基板の主面上に形成され、光導波路を有するニオブ酸リチウム膜と、
前記光導波路上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された第1電極と、
前記第1電極とは離間して配置された第2電極とを少なくとも有し、
前記バッファ層の体積抵抗率が前記ニオブ酸リチウム膜の体積抵抗率の100倍以上であり、
半波長電圧をVπ、動作周波数をfとして、前記第1電極と前記第2電極の間に、光出力中点にVπ/5のステップ電圧を印加した場合に、出力される光量変化の時定数が、100/f以上100秒以下であることを特徴とする電気光学デバイス。 - 単結晶基板と、
前記単結晶基板の主面上に形成され、光導波路を有するニオブ酸リチウム膜と、
前記光導波路上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された第1電極と、
前記第1電極とは離間して配置された第2電極とを少なくとも有し、
半波長電圧をVπ、動作周波数をfとして、前記第1電極と前記第2電極の間に、光出力中点にVπ/5のステップ電圧を印加した場合に、出力される光量変化の時定数τが、動作周波数をfとして、100/f以上100秒以下であり、ステップ電圧印加前に出力される光量をP1、ステップ電圧を印加して10τ後に出力される光量をP2とした場合に、|P2−P1|/P1≦0.02を満足していることを特徴とする電気光学デバイス。 - 前記動作周波数が1kHz以上である請求項1または請求項2に記載の電気光学デバイス。
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- 2013-07-05 JP JP2013141438A patent/JP2015014715A/ja active Pending
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