JPH0961769A - 導波路型低dcドリフト性光変調器およびその製造方法 - Google Patents
導波路型低dcドリフト性光変調器およびその製造方法Info
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Abstract
光変調器のDCドリフト現象を抑制乃至低減させる。 【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板と、Ti熱拡散に
より形成された光導波路と、誘電体バッファ層と、電極
を含む光素子、導波路端面に接続された光ファイバ、お
よびこれらを収納封止する筐体により構成される光変調
器において、導波路を−40℃以下の露点に保持された
酸素含有ガス中における熱拡散処理により形成し、基板
の少なくとも電極間部分を、−40℃以下の露点を有す
る不活性ガスにより被覆し、上記不活性ガスの露点で長
期にわたって−40℃以下に保持し、それによって、D
Cドリフトを抑制乃至低減する。
Description
フト性光変調器およびその製造方法に関するものであ
る。更に詳しく述べるならば、本発明はニオブ酸リチウ
ムからなる基板に形成された光導波路を有する光素子を
含み、DCドリフトが低くかつ安定している導波路型光
変調器、およびそれを再現性よく製造する方法に関する
ものである。導波路型光変調器は光通信システムおよび
光応用計測分野において広く用いられている。
に、所望の形状寸法に、例えばマッハツェンダー干渉計
型形状・寸法に、チタンを熱拡散させて、屈折率を局部
的に高くすることにより形成された光導波路を有する光
素子は、高速光変調に好適であるため、光通信システム
における外部光変調器として用いられている。
して調製された基板を用いると、得られる光導波路の屈
折率を、電極から印加される電界によって変調する際
に、Z方向における大きな電気光学定数を利用すること
ができる。このため5V以下の小さな制御電圧におい
て、10GHz を超える広い変調帯域を示す光素子を実現
することができる。また、広い変調帯域を得るには、電
極に入力される高周波信号と、光導波路を伝播する光信
号との速度整合、およびその他の調整を可能にするため
に、光導波路を有する基板表面と電極との間に誘電体か
らなるバッファ層を設けることが一般に行われている。
を形成する方法として、薄膜堆積技術およびリソグラフ
ィー技術を用いて、基板表面上に金属チタン又は酸化チ
タンを所望形状寸法にパターニングし、熱処理炉中にお
いて、この金属チタン又は酸化チタンに対し、酸素およ
び水蒸気を含むガス雰囲気中において、1000℃前後
の温度で5〜10時間の熱処理を施し、チタンを基板表
面部に熱拡散させる方法が知られている。このような光
導波路形成方法は、例えば、L.McCaughan "Critical ma
terials issues in the performance and manufacturab
ility of LiNb03 integrated optics", Critical Revie
ws of Optical Science and Technology, vol.CR45 (SP
IE, Washington, 1993) pp.15-43などに解説されてい
る。上記熱拡散雰囲気に用いられるガスとしては、酸素
ガス、酸素−窒素混合ガス(合成空気)、又は酸素−ア
ルゴン混合ガスを、水中にバブリングさせて湿潤させた
ものが用いられている。
ば厚さ0.5〜1.5μmの誘電体薄膜を堆積形成し、
その上に複数個の電極を配置する。これらの電極は光導
波路の屈折率を電気的に制御するために用いられ、例え
ば、マッハツェンダー型光導波路の1方の光導波路の上
方に配置された1個のホット電極と、それをはさんでそ
の両側に配置された1対のグランド電極から構成され
る。
ンが用いられることが多い。酸化シリコンを、真空蒸着
法、又はスパッタリング法を用いて基板上に堆積させ、
これを熱処理する。このとき、堆積中に誘電体層に発生
する酸素欠損を補い、誘電体層の電気抵抗を高くするた
めには、前記熱処理を酸素を含有するガス雰囲気中で行
うことが好ましい。この誘電体層熱処理用酸素含有ガス
も、その酸化力を高くするために、水中でバブリングさ
せ、それによって湿潤させたものを用いることが広く行
われている。誘電体バッファ層の熱処理温度は、500
〜600℃であることが好ましい。
子は、光素子の光導波路の両端面に光ファイバを接続
し、かつ上記電極に対し、外部電気回路と連結可能な状
態に配線し、筐体内に収納される。一般的に半導体I
C、レーザ回路などの電気的配線が基板上に施されてい
る素子の場合、素子電極の電気化学的反応による短絡、
或は劣化を防止するために筐体を金属により形成し、そ
の中に素子を気密に封止して、その機能を安定に保持
し、信頼性を確保することが試みられている。しかしな
がら、ニオブ酸リチウム製光変調器に関する従来技術に
おいては、例えば、A.C.O' Donnell, J.Dodson, C.Reyn
olds, and P.Jiang, "Environmentally Rugged2.5Gbit/
s Lithium Niobate Modulators for Volume Manufactur
e", TechincalDigest of IPR'95, Dana Point, Califor
nia, Feb.23-25, 1995 (OSA, Washington, 1995) pp.24
3-245 などにより教示されているように、筐体の封止部
は、樹脂充填により行われているのが一般である。
おいては、しばしば光素子の性能の低下が発生し、特に
DCドリフト現象が発生しているが、その原因および対
策については明らかでなかった。
変調器において、その出力信号をなす変調光の位相が経
時的にシフトする(強度変調器においては光強度が変化
する)現象、すなわちDCドリフト現象が発生すること
が知られており、このDCドリフト量を可及的に小さく
することが要望されている(例えば清野、「LNを用い
たEOデバイス」、O plus E, No.186 (1995) 91〜97
頁)。また上記DCドリフト現象は微小リーク電流、電
気キャリアのホッピング等のような誘電体材料の本質的
な特性に係る現象であるため、これを完全に皆無にする
ことは困難である。
うに、気相成長法により堆積した誘電体層を、酸素雰囲
気中において熱処理し、誘電体層中の酸素欠損を著しく
減少させ、それによって電気抵抗を高めるという方法
は、室温において、数時間から数日間のオーダーで観測
される初期DCドリフトを低減するのに有効である。
し(例えば真空蒸着法を用い)、誘電体層の、膜組成お
よび密度などに依存する電気的特性を適性化する方法
も、DCドリフト現象の抑制に有効である。(例えば、
H.Nagata, K.Kiuchi, S.Shimotsu, J.Ogiwara, and J.M
inowa, "Estimation of direct current bias and drif
t of Ti:LiNb03 optical modulators", J.Appl.Phys.,
76 (3) (1994) pp.1405-1408; H.Nagata, H.Takahashi,
H.Takai, and T.Kougo, "Impurity Evaluationof Si02
Films Formed on LiNb03 Substrate", Jpn.J.Appl.Phy
s., 34 (2A) (1995) pp.606-609等) 。
Cドリフト現象を実用上十分に抑制することは困難であ
って、光通信部品などに要求される性能、すなわち0〜
70℃の温度範囲において、15〜25年の寿命を保持
するという性能を、保証することは困難である。これは
DCドリフト現象の発生メカニズムが十分に解明されて
おらず、従って長期間におけるDCドリフト量を見積る
ことが困難であることに起因する。そこで、光素子の動
作安定性を確保するためには、DCドリフト量を少しで
も低くすることが必要である。
開平6−3710号の方法が知られており、また本発明者ら
は、特開平7−128624号に開示されているよう
に、ニオブ酸リチウム基板上に光導波路を形成するため
のチタン熱拡散処理を、酸素を含有する乾燥ガス雰囲気
中で行い、ニオブ酸リチウム基板中の水素(イオン)量
を低下させ、その電気抵抗を高めることによって、導波
路型光素子を製造する方法を提案した。この方法によ
り、従来の湿潤ガスを用いる方法に比較して、DCドリ
フト量を約1/2に低減することに成功した。しかし、
この方法を用いて得られた光素子にDC電圧を長時間印
加すると、その後の測定において、DCドリフト量は、
従来方法を用いて得られた光素子とほゞ同一レベルまで
劣化するという現象が見出された(例えば、H.Nagata,
J. Ichikawa, M.Kobayashi, J.Hidaka, H.Honda, K.Kiu
chi, and T.Sugamata, "Possibility of dc drift redu
ctionof Ti:LiNb03 modulators via dry 02 annealing
process", Appl.Phys.Lett.,64 (10), (1995) pp.1180-
1182) 。すなわち、上記既知方法においては、光素子を
長期間にわたり連続又は断続使用する場合のDCドリフ
ト特性の変化の予測が困難であるため、光素子のDCド
リフト現象を、さらに抑制し、光素子の特性を安定化す
る手段の開発が強く要望されていた。
述のような問題点を解消し、DCドリフト特性がDC電
圧印加の履歴に影響されることがなく、又は少なく、安
定した特性を長期にわたり維持することができる導波路
型光変調器、およびその製造方法を提供しようとするも
のである。
ドリフト性光変調器は、ニオブ酸リチウム基板と、この
基板上に形成された光導波路と、前記光導波路を有する
基板表面上に形成された少なくとも1層の誘電体バッフ
ァ層と、前記誘電体バッファ層上に配設された複数個の
電極とを有する光素子、前記光素子の光導波路の両端面
に接続された光ファイバ、および前記光素子および光フ
ァイバを収容し、気密に封止する筐体とを含み、前記光
導波路が、少なくとも酸素を含むガス雰囲気中におい
て、このガス雰囲気の露点を−40℃以下に保持しなが
ら、前記基板の所定表面部分に、チタンを熱拡散させて
形成されたものであり、かつ、前記筐体内の前記光素子
の、少なくとも前記電極の間に位置する部分が−40℃
以下の露点に保持された不活性ガス雰囲気により被覆さ
れていることを特徴とするものである。
光変調器の製造方法は、(1)ニオブ酸リチウム基板の
表面の所定部分にチタンを堆積し、これを前記基板表面
部分中に熱拡散させて、所定形状寸法の光導波路を形成
し、(2)前記光導波路を有する前記基板表面上に少な
くとも1層の誘電体バッファ層を堆積形成し、これを熱
処理し、(3)前記誘電体バッファ層上に複数個の電極
を配設して光素子を作製し、(4)前記光素子の光導波
路の両端面に光ファイバを接続し、(5)前記光素子お
よび光ファイバを筐体内に固定し、かつ(6)前記筐体
を気密に封止する工程を含み、前記光導波路形成におけ
る熱拡散を、少なくとも酸素を含むガス雰囲気中におい
て、その露点を−40℃以下に保持しながら実施し、前
記筐体内の、前記光素子の少なくとも前記電極の間に位
置する部分を、−40℃以下の露点に保持された不活性
ガス雰囲気により被覆し、かつこれを気密に封止して、
前記露点を−40℃以下に保持することを特徴とするも
のである。
施態様の構成を図1により説明する。図1(1)および
(2)において、筐体1は箱状の本体部材2と、その開
放上面を閉塞する蓋部材3からなる。本体部材2は収納
室4を有し、その中に光素子5が収容固定されている。
光素子5は、ニオブ酸リチウム基板と、この基板上に形
成された光導波路と、この光導波路を有する基板表面上
に形成された少なくとも1層の誘電体バッファ層と、こ
の誘電体バッファ層上に配設された複数個の電極と(い
ずれも図示されていない)を有するものである。
壁面部7に挿入された電極ピン6により外部電気回路に
接続される。この電極ピン6は、例えば中心部の電気導
体の外周をガラス等の絶縁物で覆い、更にその外側に筒
状の金属保護体を設けてなる複合構造の電極ピン(例え
ば、ウィルトロン社製、K100, K102F)であり、電極封止
用ハンダ付け孔8から注入されたハンダにより側壁面部
7に固定され、かつ気密に封止されている。筐体本体部
材2の端壁面部9a,9bには光ファイバ引出しブッシ
ュ11a,11bが設けられていて、それを通って光フ
ァイバ10a,10bの端部が収納室4内に挿入され、
光ファイバの裸ファイバ12a,12bの端面は、光素
子5の光導波路(図示されていない)の端面に接続され
ている。筐体本体部材の開放上面は蓋部材3をシーム溶
接、又ははんだ接着などの金属封止により気密に閉塞さ
れ、また光ファイバ引出しブッシュ11a,11bもは
んだなどの金属封止剤により気密に封止される。従来技
術においては、一般に上記封止が、樹脂接着剤を用いて
なされていたため、その封止性能は必ずしも十分でな
く、かつ経時的に劣化するという問題点が認められた。
は、ニオブ酸リチウム結晶により形成される。また、光
導波路は、基板表面上に、所望形状・寸法に金属チタン
又は酸化チタンを堆積する。この堆積方法には制限はな
く、従来既知の真空蒸着法、スパッタリング法、および
レーザーアブレーション蒸着法を適宜に選択使用すれば
よい。前記金属チタン又は酸化チタン堆積層に対して熱
拡散処理を施し光導波路を形成する。この熱拡散処理は
900°〜1000℃の温度において、かつ少なくとも
酸素を含むガス雰囲気中において、その露点を−40℃
以下、好ましくは−70℃以下、に保持しながら施され
る。酸素含有ガスとしては、例えば酸素ガス、酸素−窒
素混合ガス(合成空気)或は酸素−アルゴン又はヘリウ
ム混合ガスなどを用いることができる。また、ガス雰囲
気の露点を−40℃以下に保持するためには、熱処理室
(炉)中に露点−40℃以下の酸素含有ガスを連続的に
流してもよく、露点を所望温度に保持するように断続的
に流してもよく、或いは、大容量の熱処理室内を、所定
露点を有する酸素含有ガスで充満させて熱拡散処理の間
に露点が実質的に変動しないようにしてもよい。ガス雰
囲気の露点が−40℃より高くなると、得られる光変調
器の経時的DCドリフト現像が顕著になる。
する基板表面上に、誘電体バッファ層を形成する。この
誘電体バッファ層は、SiO2 ,Al2 O3 、又はIT
Oなどの誘電体酸化物を、真空蒸着法、イオンアシスト
真空蒸着法、スパッタリング法、又は化学的気相蒸着法
(CVD)などの既知薄膜堆積形成法により堆積させて
形成される。このようにして形成された誘電体バッファ
層に前記チタン熱拡散温度よりも低い温度、好ましくは
約600℃前後の温度において熱処理を施すことが好ま
しい。この熱処理は酸素を含み、かつ−40℃以下の露
点に保持されたガス雰囲気中において行われることが好
ましく、−70℃以下であることがより好ましい。また
この雰囲気ガスとしては、酸素ガス、アルゴン/酸素混
合ガス、又は空気などの酸素含有ガスを用いることが好
ましく、酸素ガスを用いることがより好ましい。
に、前記光導波路を通る光波の特性を調整するための電
極が配設される。この電極の配設は、フォトリソグラフ
技術と薄膜成形技術を用いてAu電極パターン(厚さ:
数百nm)を作製したのち、金メッキ技術を用いて電極パ
ターンの肉厚を数μm〜十数μm程度に肉付けすること
によって行われる。上記のようにして作製された光素子
は、図1に示されているように筐体本体部材2の収納室
4内に収納され、ブッシュ11a,11bを通って挿入
された光ファイバ10a,10bの裸光ファイバ12
a,12bの端面が光素子5の光導波路(図示されてい
ない)の端面に接続される。筐体はその熱膨張率をニオ
ブ酸リチウム基板の熱膨張率と整合させるため、ステン
レス鋼製であることが好ましい。筐体とニオブ酸リチウ
ム基板の熱膨張率の差が、過度に大きい場合は、基板の
損傷および素子特性の温度ドリフトを生ずる原因にな
る。
層により被覆されているため、はんだ接合には不適であ
る。このためステンレス鋼製筐体のはんだ接合面は、ニ
ッケルなどのような、はんだ接合に適した金属で被覆し
ておくことが好ましい。又、光素子のニオブ酸リチウム
基板の電気的アースを十分にとるためにも筐体の最表面
を金により被覆することが好ましい。すなわち本発明に
用いられる筐体は、ステンレス鋼製であって、その表面
をニッケルによりめっきされ、さらに金によりめっきさ
れたものであることが好ましい。
剤を用いて接着してよいが接着剤としては、硬化による
脱水、脱ガスのない、又は少ない熱硬化型導電性エポキ
シ接着剤を用いることが好ましい。
おいて、光ファイバ端部の被覆を除去し、露出した裸光
ファイバの表面にNi/Auからなる2層めっきを施し
てはんだ接合を可能とし、その端面を光素子の光導波路
端面に例えば紫外線硬化型接着剤を用いて接続する。さ
らに、光ファイバのめっき面と筐体の光ファイバ引出し
ブッシュとをはんだ接合して、光ファイバ挿入口を気密
に封止する。また光ファイバを補強するために光ファイ
バのブッシュに挿入されている部分と、ブッシュ内壁面
とを接着剤で固定する。
雰囲気を有するシーム溶接処理室に入れ、筐体内部のガ
スを、乾燥不活性ガスにより置換する。この不活性ガス
の露点は−40℃以下に保持される。不活性ガスとして
は窒素、ヘリウム、アルゴン又はこれらの混合ガスが好
適に用いることができる。筐体の存在によりシーム溶接
処理室内の雰囲気ガスの露点が−40℃以下にならない
ときは、筐体を脱水、脱ガスするためにこれを真空乾燥
処理してもよい。この乾燥処理は、例えば温度80℃、
圧力4〜5mmTorrにおいて15時間行われる。
をシーム溶接し、それによって筐体内部を、−40℃以
下の露点に保持されたガスにより充填し、かつこれを気
密に密封する。このとき、光素子表面の電極間部分を、
気密カバー、例えばガラス薄板により被覆し、この気密
カバーによる被覆を露点−40℃以下の不活性ガス雰囲
気内において行い、この気密カバー内に上記低露点不活
性ガスを充填保持してもよい。封止された筐体内部又は
密封カバー内部の充填ガスの露点を−40℃以下に保持
するためには、接合、又は、封止部分の総ガスリーク量
をヘリウム量に換算して1×10-7atm ・ml/秒より小
さくすることが好ましく、より好ましくは5×10-8at
m ・ml/秒以下である。筐体内部の充填ガスの露点が−
40℃より高くなると、得られる光変調器のDCドリフ
ト量が経時的に増大し、或は不安定化するから、光変調
器の特性維持のためには、筐体内充填ガスの露点を−4
0℃以下に保持するようにチェックし、封止を強化し、
或は充填ガスの置換を行う必要がある。
調器の特性を、下記実施例により、従来方法により製造
された光変調器と対比しながら更に説明する。実施例1 Z面カットニオブ酸リチウム基板のZ面に、真空蒸着法
により金属チタンを、厚さ約75nmに堆積し、この金属
チタン膜を、マッハツェンダー型導波路のパターンにエ
ッチング成形した。この金属チタン膜を約1000℃の
温度で約20時間熱処理してチタン拡散光導波路を形成
した。この熱拡散処理中、露点が約−70℃の高純度合
成空気を、ボンベからステンレス鋼導管を経て熱拡散炉
中に流通させた。熱拡散炉のガス出口において測定され
たガス露点は−50〜−40℃であった。
に、真空蒸着法により、厚さ約1μmの酸化シリコン膜
を形成し、これを、熱処理炉中において、約600℃の
温度で5時間熱処理した。この熱処理炉中には、湿潤酸
素ガス(露点:約30℃)を流した。上記のようにして
形成された誘電体バッファ層上に、光導波路の光波特性
を制御するためのプッシュ・プル型対称電極を、金を用
いて、真空蒸着法、リソグラフィ法、および湿式電解め
っき法により厚さ約15μmに形成した。上記積層体ウ
エファを所定形状寸法に切断し、導波路端面を研磨して
光素子を作製し、これを、金めっきを施したステンレス
鋼製筐体本体部材中に、導電性接着剤を用いて固定し、
素子中の電極と、筐体に封着された電極ピンとをボンデ
ィング接合した。
を通って、筐体本体部材内に挿入された裸光ファイバの
端面と、光素子の光導波路端面とを接続し、表面にNi
/Auからなる2層めっきを施した光ファイバと、筐体
本体部材の光ファイバ引出しブッシュとをはんだにより
気密に封止した。さらに筐体本体部材に、金めっきステ
ンレス鋼製蓋部材をシーム溶接して筐体内を気密に封止
した。このシーム溶接は、乾燥窒素およびヘリウムの混
合ガスにより充満された溶接処理室内で行われた。この
混合ガスの露点は−45〜−40℃に保持された。従っ
て、筐体内に充填された不活性混合ガスの露点は−40
℃以下に保持された。
て130℃におけるDCドリフトを測定した。DCドリ
フト測定はオートバイアス方式(H.Nagata, K.Kiuchi,
S.Shimotsu, J.Ogiwara, and J.Minowa, "Estimation o
f direct current bias anddrift of Ti:LiNb03 optica
l modulators", J.Appl.Phys., 76 (3) (1994) pp.1405
-1408) によって行なった。尚、本実施例1において
は、チタン熱拡散処理を乾燥ガス(露点−40℃以下)
中で行い、誘電体バッファ層熱処理を湿潤ガス(露点:
約30℃以下)中で行ったので、この製造法をDry/
Wet法と記す。図2の縦軸は、測定初期に印加するd
cバイアス電圧値で規格化したものである(バイアス電
圧、白角印:4.5V、実線:3.5V)。ドリフト現
象の活性化エネルギーをleVとすると、50,60,7
0℃における20年間は、本測定温度130℃では、そ
れぞれ141,414,1143時間に対応する。その
結果を図2に白角印により示す。
3台の光変調器を作製した。但し、チタン熱拡散処理雰
囲気ガスとして高純度合成空気を、水中バブリングした
もの(露点:約30℃)を用いた(Wet/Wet法と
記す)。更に筐体の封止を樹脂を用いて行った。これら
変調器のDCドリフト測定結果を図2に実線(3本)に
より示す。図2から明らかなように、本発明に係る実施
例1の光変調器は、比較例1のものにくらべて、そのD
Cドリフトが著るしく低減されていた。
2回のDCドリフト測定結果を図3に示す。また、別途
チタン熱拡散処理を乾燥ガス(露点−40℃以下)中で
行ない誘導体バッファ層熱処理を酸素ガス(露点−40
℃以下)中で行ない、(DRY/DRY法と記す)作製
した光変調器の、100℃における2回のDCドリフト
測定結果を図4に示す。尚、この光変調器の封止は、実
施例1と同様の方法で気密に封止したものである。DC
ドリフト測定は、固定バイアス電圧5Vを連続印加して
行い(縦軸は5Vで規格化してある)、一回目の100
時間の測定(白マーク)の後、100℃で100時間以
上バイアス無付加の状態で保持し、最初のドリフトを回
復させた後に、一回目と同じ条件で2回目の測定(黒マ
ーク)を行った(H.Nagata, J.Ichikawa, M.Kobayashi,
J.Hidaka, H.Honda, K.Kiuchi, and T.Sugamata, "Pos
sibility of dc drift reduction of Ti:LiNb03 modula
tors via dry 02 annealingprocess", Appl.Phys.Let
t., 64 (10), (1995) pp.1180-1182)。図3および図4
において、1回目の測定と、1回目のドリフトを回復さ
せた後の2回目測定の結果が、ほぼ一致しており、これ
によって特性の再現性が著しく改善されていることが確
認された。
フトが少なく、かつその性能を安定して保持し得る導波
路型光変調器を得ることが可能になった。
ト性光変調器の一例の構成を示す斜視説明図。図1−
(2)は上記光変調器の側断面説明図。
びに比較例1の従来の光変調器における、作動時間とD
Cドリフト(130℃)との関係を示すグラフ。
動時間とDCドリフト(100℃)との関係の再現性を
示すグラフ。
y法、金属封止)された光変調器の作動時間とDCドリ
フト(100℃)との関係の再現性を示すグラフ。
Claims (7)
- 【請求項1】 ニオブ酸リチウム基板と、この基板上に
形成された光導波路と、前記光導波路を有する基板表面
上に形成された少なくとも1層の誘電体バッファ層と、
前記誘電体バッファ層上に配設された複数個の電極とを
有する光素子、前記光素子の光導波路の両端面に接続さ
れた光ファイバ、および前記光素子および光ファイバを
収容し気密に封止する筐体とを含み、 前記光導波路が、少なくとも酸素を含むガス雰囲気中に
おいて、このガス雰囲気の露点を−40℃以下に保持し
ながら、前記基板の所定表面部分に、チタンを熱拡散さ
せて形成されたものであり、かつ、 前記筐体内の前記光素子の、少なくとも前記電極の間に
位置する部分が−40℃以下の露点に保持された不活性
ガス雰囲気により被覆されていることを特徴とする、導
波路型低DCドリフト性光変調器。 - 【請求項2】 前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム、ア
ルゴン又はこれらの混合ガスからなる、請求項1に記載
の光変調器。 - 【請求項3】 前記筐体内部が不活性ガスにより充填さ
れ、かつ−40℃以下の露点に保持されている、請求項
1又は2に記載の光変調器。 - 【請求項4】 (1)ニオブ酸リチウム基板の表面の所
定部分にチタンを堆積し、これを前記基板表面部分中に
熱拡散させて、所定形状寸法の光導波路を形成し、 (2)前記光導波路を有する前記基板表面上に少なくと
も1層の誘電体バッファ層を堆積形成し、これを熱処理
し、 (3)前記誘電体バッファ層上に複数個の電極を配設し
て光素子を作製し、 (4)前記光素子の光導波路の両端面に光ファイバを接
続し、 (5)前記光素子および光ファイバを筐体内に固定し、
かつ (6)前記筐体を気密に封止する工程を含み、 前記光導波路形成における熱拡散を、少なくとも酸素を
含むガス雰囲気中において、その露点を−40℃以下に
保持しながら実施し、 前記筐体内の、前記光素子の少なくとも前記電極の間に
位置する部分を、−40℃以下の露点に保持された不活
性ガス雰囲気により被覆し、かつこれを気密に封止し
て、前記露点を−40℃以下に保持することを特徴とす
る、導波路型低DCドリフト性光変調器の製造方法。 - 【請求項5】 前記誘電体バッファ層形成工程(2)の
熱処理が、前記堆積形成された誘電体バッファ層を、少
なくとも酸素を含むガス雰囲気と接触させ、かつその露
点を−40℃以下に保持しながら、前記光導波路形成工
程(1)におけるチタン熱拡散温度よりも低い温度にお
いて実施される、請求項4に記載の方法。 - 【請求項6】 前記不活性ガスが窒素、ヘリウム、アル
ゴン又はこれらの混合ガスからなる、請求項4又は5に
記載の方法。 - 【請求項7】 前記筐体内に、不活性ガスを充填・封止
し、その露点を−40℃以下に保持する、請求項4,5
又は6に記載の方法。
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