WO2004001489A1

WO2004001489A1 - 光変調器

Info

Publication number: WO2004001489A1
Application number: PCT/JP2002/006121
Authority: WO
Inventors: Tsutomu Nagatsuka; Yoshihito Hirano
Original assignee: Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
Priority date: 2002-06-19
Filing date: 2002-06-19
Publication date: 2003-12-31

Abstract

　電気光学効果を有する第１の基板（１）と、前記第１の基板（１）に設けた光を伝搬させるための光導波路（２）と、前記前記第１の基板（１）の上面に設けた進行波型の電極（３）とを備える光変調器において、前記第１の基板（１）の上面に第１の基板（１）よりも厚さが厚い第２の基板（１０）を備える。

Description

明細書光変調器技術分野

この発明は > 主に高速光通信システムの送信装置などに用いられる光変調器に関するものである。背景技術

第 6図は、特開昭 6 3 - 2 3 4 2 1 9号公報などに示されている従来の光変調器の構成を模式的に示す構成図である。同図において、 1は基板、 2は光導波路、 3は電極、 4は Y分岐、 5は光入力端子、 6は光出力端子、 7はマイクロ波入力端子、 8は終端抵抗、 9は裏溝を夫々示している。基板 1には T i拡散法などによって光導波路 2が形成されており、この光導波路 2は 2つの Y分岐 4によって途中が 2つの経路に分離され、また 2つの経路が結合されている。板 1には、金属によって電極 3がさらに形成されている。

第 6図において、電極 3に電圧が印加されると、光導波路 2を間に含む夫々の電極 3間に電界が生じ、基板 1の電気光学効果により、光導波路 2の屈折率が変化する。この屈折率の変化が、光導波路 2の 2つの経路に、光の速度差を生じさせる。そして、この光の速度差が光の位相差を生み、 Υ分岐 4で合波される光の強度を変化させる。このように、印加する電圧の値によって、 Υ分岐 4で取り出される合波出力光強度を変化させることができる。したがって、送信するデータ 0、 1に対応して異なる所定の電圧の値を設定し、この電圧を電極 3に印加することにより、入力データに応じて光の強度が変ィ匕する光の強度変調器として動作させることができる。

この光変調器は、小さい電圧値でも動作するが、変調効率のよい光変調器を得るためには、電極 3に電圧を印加したときに生じる電界が、光導波路 2をできるだけ効率よく横切るようにし、基板 1の電気光学効果を効果的に引き出すことが必要となる。

ところで、電極 3に入力するデータが高速に変化し、ビットレートが大きいマィク口波領域になると、光が光導波路 2を通過するのに要する時間が無視できなくなる。このような高ビットレートの信号を変調する場合には、電極 3を進行波型にし、電極 3を伝搬するマイク口波の速度と光導波路 2を伝搬する光の速度とを一致させる、いわゆる速度整合が必要になる。

一般的に、基板 1に使用するニオブ酸リチウム'などの材料では、光に対する誘電率とマイク口波に対する誘電率の値が大きく異なっており、光に対する誘電率よりもマイクロ波に対する誘電率の値が大きい。このため、通常ではマイクロ波の速度は光の速度に対して遅くなり、速度整合がとれない状態になっている。第 7図は、第 6図に示す従来の光変調器の X— X，線の断面図である。第 7図において、基板 1の裏面において、電極 3の中央部の電極から両端部の電極の一部の範囲で基板 1の厚さを薄くした裏溝 9を設けている。このとき、電極 3間に生じる電界の一部は、基板 1の裏面に接する空気層に漏出する。空気は誘電率が約 1と小さいため、マイク口波に対する電極線路の実効誘電率は基板 1を薄くしない場合に比べて小さくなる。したがって、基板 1を薄くした場合のマイク口波の速度が、基板 1を薄くしない場合のマイクロ波の速度よりも速くなり、光の速度に近付くので、速度整合をとることが可能となる。また、基板 1を光導波^ 2 の厚さ近くまで薄くしているので、基板 1内を通過する電界の殆どが光導波路 2 を横切り、効率のよい光変調器を得ることができる。

しかしながら、第 6図および第 7図に示す従来の光変調器では、速度整合をとるため、電極 3の部分の基板 1の厚さを 1 0 m程度と非常に薄くする必要があつた。このため、基板 1の十分な機械的強度を得ることができず、製造工程中に、基板 1にクラックが生じて製造歩留まりが下がったり、使用中の温度変化等により、基板 1が破損し故障に至る等、信頼性の観点から十分なものが得られないという課題があった。このように、この種の従来の光変調器では、広帯域で効率よく動作させるため、基板 1に裏溝 9を設けて基板 1を薄くする必要があるため、機械的強度が十分にとれず、信頼性の高レ、光変調器を得ることができないという課題があつた。

したがって、この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、高速'広帯域で効率よく動作させる場合であっても、信頼性の高い光変調器を提供することを目的としている。発明の開示

この発明にかかる光変調器は、電気光学効果を有する第 1の基板と、前記第 1 の基板に設けた光を伝搬させるための光導波路と、前記第 1の基板の上面に設けた進行波型の電極とを備える光変調器において、前記第 1の基板の上面に第 1の基板よりも厚さが厚い第 2の基板を備えることを特徴とする。

この発明によれば、第 2の基板よりも厚さの薄い第 1の基板によって、裏溝を設けることなく速度整合をとることができるとともに、第 2の基板が第 1の基板を直接支えるので、第 1の基板を保持するための十分な機械的強度が得られる。つぎの発明にかかる光変器は、上記の発明において、前記第 2の基板を固定するパッケージをさらに備えることを特徴とする。

この発明によれば、第 2の基板がパッケージに固定され、第 1の基板の上面が空気層となるので、速度整合をとることが容易になるとともに、第 1の基板ゃ電極を気密封止することができ、第 1の基板や電極の経時劣化を抑制することがでさる。 ' つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 1の基板と前記第 2の基板とが、同一の材料であることを特徴とする。

この発明によれば、第 1の基板と第 2の基板の熱膨張係数が、ほぼ同じになるので、熱応力を緩和することができる。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 1の基板と前記第 2の基板と力同一の結晶方位であることを特徴とする。この発明によれば、両者の熱膨張係数が、ほぼ完全に一致するので、熱応力をさらに緩和することができる。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 2の基板が、前記第 1の基板よりも誘電率が低いことを特徴とする。

この発明によれば、第 1の基板よりも誘電率が低い第 2の基板がマイクロ波の実効誘電率を小さくするので、速度整合をとることができる。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 1の基板と前記第 2の基板との間に、前記第 1の基板よりも誘電率が低い接着層を備えることを特徴とする。

この発明によれば、第 1の基板と第 2の基板との間に備えられた第 1の基板よりも誘電率の低い接着層がマイク口波の実効誘電率を小さくするので、速度整合をとることができる。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 1の基板と前記第 2の基板との間に、前記第 1の基板上面の前記電極の少なくとも一部に接する空気層を備える：：とを特徴とする。

この発明によれば、第 1の基板と第 2の基板との間に備えられた第 1の基板上面の電極の少なくとも一部に接する空気層がマイク口波の実効誘電率を小さくするので、速度整合をとることができる。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、電気光学効果により前記光導波路の屈折率を変化させ、前記光導波路を伝搬する光の位相変化を利用して、出力光の位相を変調することを特徴とする。

この発明によれば、電気光学効果により光導波路の屈折率が変化し、この屈折率変化によって光導波路を伝搬する光の位相が変ィ匕し、出力光の位相が変調される。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記光導波路が、途中を 2つの経路に分岐させたマッハツヱンダー型の導波路であり、電気光学効果により前記光導波路の屈折率を変化させ、前記 2つの経路の光導波路を伝搬する光の位相変化を利用して、出力光の強度を変調することを特徴とする。

この発明によれば、光導波路が、途中を 2つの経路に分岐させたマツハツヱンダー型の導波路であっても、電気光学効果により光導波路の屈折率が変化し、この屈折率変化によって 2つの経路の光導波路を伝搬する光の位相が変化し、出力光の強度が変調される。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 1の基板にニォブ酸リチウムを用いたことを特徴とする。

この発明によれば、第 1の基板にニオブ酸リチウムを用レ、た場合であっても、信頼性を損なわない機械的強度を保持しつつ、速度整合をとるための必要な薄さ ' に加工することができる。

つぎの発朋にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 1の基板に酸化マグネシゥムをドープしたニオブ酸リチウムを用いたことを特徴とする。

この発明によれば、酸ィ匕マグネシゥムをドープしたニオブ酸リチウムを用いた第 1の基板によって、光の強度に対する光導波路の損傷を少なくすることができる。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 1の基板にタンタル酸リチウムを用いたことを特徴とする。

この発明によれば、第 1の基板にタンタル酸リチウムを用いた場合であっても、信頼性を損なわない機械的強度を保持しつつ、速度整合をとるための必要な薄さに加工することができる。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 1の基板に酸ィ匕マグネシゥムをドープしたタンタル酸リチウムを用いたことを特徴とする。

この発明によれば、酸ィ匕マグネシウムをドープしたタンタル酸リチウムを用いた第 1の基板によって、光の強度に対する光導波路の損傷を少なくすることができる。

つぎの発明にかかる光変調器は、上記の発明において、前記第 1の基板にガリゥム砒素を用いたことを特徴とする。この発明によれば、第 1.の基板にガリウム砒素を用いた場合であっても、信頼性を損なわない機械的強度を保持しつつ、速度整合をとるための必要な薄さに加ェすることができる。

つぎの発明にかかる光変調器の製造方法は、上記の発明において、前記第 1の基板の上面に第 2の基板を固定し、前記第 1の基板を薄く加工することを特徴とする。

この発明によれば、第 1の基板が第 2の基板に固定された状態で、この第 1の基板を薄く加工することができる。

つぎの発明にかかる光変調器の製造方法は、上記の発明において、前記第 1の基板と前記第 2の基板とを、前記第 1の基板よりも誘電率が低い接着剤を用いて接着したことを特徴とする。

つぎの発明にかかる光変調器の製造方法は、上記の発明において、さらに前記第 2の基板をパッケージに固定することを特徴とする。

この発明によれば、第 2の基板がパッケージに固定され、第 1の基板の上面が空気層になるので、速度整合をとることが容易になるとともに、第 1の基板ゃ電極を気密封止することができ、第 1の基板や電極の経時変化を抑制することができる。図面の簡単な説明

第 1図は、この発明の実施の形態 1である光変調器の構成を模式的に示す構成図であり、第 2図は、第 1図における電極 3の部分の A— A' 線の断面図であり、第 3図は、この発明の実施の形態 2である光変調器の構成を模式的に示す構成図であり、第 4図は、第 3図における電極 3の部分の B— B ' 線の断面図であり、第 5図は、実施の形態 1の光変調器をパッケージに固定した実施の形態 3の光変調器の断面図であり、第 6図は、特開昭 6 3— 2 3 4 2 1 9号公報などに示されている従来の光変調器の構成を模式的に示す構成図であり、第 7図は、第 6図に示す従来の光変調器の X— X ' 線の断面図である。発明を実施するための最良の形態

以下、添付図面を参照して、この発明にかかる光変調器の好適な実施の形態を詳細に説明する。

実施の形態 1 .

第 1図は、この発明の実施の形態 1である光変調器の構成を模式的に示す構成図である。同図において、 1は第 1の基板、 2は光導波路、 3は電極、 4は Y分岐、 5は光入力端子、 6は光出力端子、 7はマイクロ波入力端子、 8は終端抵抗、 ' 1 0は第 2の基板をそれぞれ示している。

第 1図において、第 1の基板 1は電気光学効果を有する Xカツトのニオブ酸リチウムを用いており、 T i拡散法によって光導波路 2を形成している。光導波路 2は、一方の Y分岐 4により 2つの経路に分離され、他方の Y分岐 4により 2つの経路が結合されている。第 1の基板 1上、光導波路 2が 2つの経路に分かれている部分には、金属により進行波型の電極 3が設けられている。電極 3の両端にはマイクロ波入力端子 7および終端抵抗 8が接続されている。また、第 1の基板 1の上面は、その全面が第 2の基板 1 0と貼り合わされている。

. 第 2図は、第 1図における電極 3の部分の A— A，線の断面図である。同図において、 1 1は接着層を示している。この接着層 1 1は、第 1の基板 1に比べてマイクロ波に対する誘電率が低い材料が用いられており、第 1の基板 1と第 2の基板 1 0とを接着している。また、第 1の基板 1は、第 2の基板 1 0を接着した後、研磨加工によって厚さを薄くしている。

つぎに、この実施の形態 1の光変調器の動作について、第 1図および第 2図を用いて説明する。第 1図において、マイクロ波入力端子 7を通して電極 3に電圧が印加されると、光導波路 2を間に含む夫々の電極 3間に電界が生じ、第 1の基板 1での電気光学効果により、光導波路 2の屈折率が変化する。この屈折率の変化が、光導波路 2の 2つの経路に、光の速度差を生じさせる。そして、この光の速度差が光の位相差を生み、 Y分岐 4で合波される光の強度を変化させる。このように、印加する電圧の値によって、 Y分岐 4で取り出される合波出力光の強度を変化させることができる。したがって、送信するデータ 0、 1に対応して異なる所定の電圧の値を設定し、この電圧を電極 3に印加することにより、入力データに応じて光の強度が変化する光の強度変調器として動作させることができる。この動作については、第 6図に示した従来の光変調器の動作と同様である。

また、第 2図に示すように、第 1の基板 1は薄く加工されているので、電極 3 間に生じる電界の一部は第 1の基板 1の裏面に接する空気層に漏出する。このため、電極 3を伝搬するマイク口波の実効誘電率は第 1の基板 1が厚い場合に比べ小さくなり、これにより、マイクロ波の速度が光導波路 2を伝搬する光の速度に近付くので、両者の速度整合をとることができる。また、第 1の基板 1を光導波路 2の厚さ近くまで薄くしているので、第 1の基板 1内を通過する電界の殆どが光導波路 2を横切ることになり、効率のよい光変調器を得ることができる。

なお、接着層 1 1には、第 1の基板 1に比べてマイクロ波に対する誘電率が低い材料が用いられるので、電極 3の上部の接着層 1 1内にできる電界もマイクロ波の速度を速くする働きをする。このため、接着層 1 1があっても第 1の基板 1 の厚さを適当に選択することなどにより、電極 3を伝搬するマイク口波の伝搬速度と光導波路 2を伝搬する光の伝搬速度とを十分に近付けることができ、両者の速度整合をとることができる。

さらに、第 1図および第 2図から明らかなように、第 6図および第 7図に示すような裏溝 9を設けず、第 1の基板 1を、接着層 1 1を介して直接、第 2の基板 1 0で支える構造としているため、十分な機械的強度を得ることができ、従来問題となっていた信頼性を格段に向上することができる。

以上のように、この発明の実施の形態 1によれば、光導波路 2と電極 3を構成した第 1の基板 1と第 2の基板 1 0とを貼り合わせたことにより、高速で動作し、高効率かつ信頼性の高い光変調器が得られるという効果を奏する。

なお、上述した実施の形態 1では、製造の容易さを考えて、第 1の基板 1と第 2の基板 1 0とを貼り合わせた後、第 1の基板 1を薄く加工して構成した場合について説明したが、この実施の形態 1はこれに限らず、最初からある程度薄い第 1の基板 1を用いて第 2の基板 1 0と貼り合わせれば、その後の加工を必ずしも必要とはせず、この場合も同様の効果を得ることができる。また、電極 3を伝搬するマイク口波の速度と光導波路 2を伝搬する光の速度は完全に一致している必要はなく、必要とする帯域幅に応じた速度整合をとればよい。

なお、この実施の形態 1では、第 1の基板 1として Xカットのニオブ酸リチウムを用いた場合について説明したが、これに限るのものではなく、例えば、 Z力ットのニオブ酸リチウムを用いてもよい。この場合よく知られているように光導波路 2や電極 3等の構造を若干変化させたり、電極 3と第 1の基板 1との間にバッファ層を設けたりする必要があるが、この場合も同様の効果を得ることができる。

また、ニオブ酸リチウム以外に、タンタル酸リチウムやガリウム砒素等、電気光学効果を有する他の材料を第 1の基板 1として用いることもでき、この場合も同様の効果を得ることができる。さらに、第 1の基板 1としてニオブ酸リチウムや、タンタル酸リチウムを用いる場合、材料に酸化マグネシウムを一定の割合でドープすることにより、光の強度に対する光導波路 2の損傷が少なくなることが知られており、第 1の基板 1としてこれらの材料を用いれば、強度の大きな光を入力できる光変調器が得られるという効果を奏する。実施の形態 2 .

第 3図は、この発明の実施の形態 2である光変調器の構成を模式的に示す構成図である。同図において、 1は第 1の基板、 2は光導波路、 3は電極、 4は Y分岐、 5は光入力端子、 6は光出力端子、 7はマイクロ波入力端子、 8は終端抵抗、 1 0は第 2の基板、 1 2は空気層をそれぞれ示している。第 3図において、第 1の基板 1は電気光学効果を有する Xカツトのニオブ酸リチウムを用いており、 T i拡散法によって光導波路 2を形成している。光導波路 2は、一方の Y分岐 4により 2つの経路に分離され、他方の Y分岐 4により 2つの経路が結合されている。第 1の基板 1上、光導波路 2が 2つの経路に分かれている部分には、金属により進行波型の電極 3が設けられている。電極 3の両端にはマイクロ波入力端子 7および終端抵抗 8が接続されている。また、第 1の基板 1の上面は、大部分が第 2の基板 1 0と貼り合わされている。

第 4図は、第 3図における電極 3の部分の B— B ' 線の断面図である。第 4図において、 1 1は接着層を示している。第 1の基板 1と第 2の基板 1 0とは、大部分が接着層 1 1で接着されているが、中央の電極 3の上部と両側の電極 3の一部の上部とには、空気層 1 2を設けている。

このように実施の形態 2では、電極 3の上部に空気層 1 2を設けている力空気は誘電率が約 1と小さいので、電極 3を伝搬するマイク口波に対する実効誘電率を小さくするのに最も適している。このため、第 1の基板 1と第 2の基板 1 0 とを接着層 1 1で全て覆う場合に比べ、さらに速度整合をとり易くでき、広帯域な光変調器を得ることができる。また、基板 1の加工自体は、全体が一様な厚さにすればよいので、従来の光変調器の裏溝 9の製作よりも、製作が容易であり、十分な信頼性を得ることができる。

以上のように、この発明の実施の形態 2によれば、電極 3の上面の一部に空気層 1 2を設けたことにより、速度整合がとりやすく、広帯域で信頼性の高いの光変調器が得られるという効果を奏する。

なお、上述した実施の形態 2における空気層 1 2は、いわゆる大気である必要はなく、窒素等の任意の気体であればよく、また真空であってもよい。さらに、実施の形態 1と同様に、第 1の基板 1としては Zカツトのニオブ酸リチウムや他の電気光学効果を有する材料を用いてもよく、この場合も同様の効果を得ることができる。実施の形態 3 .

第 5図は、実施の形態 1の光変調器をパッケージに固定した実施の形態 3の光変調器の断面図である。同図において、 1は第 1の基板、 2は光導波路、 3は電極、 1 0は第 2の基板、 1 1は接着層、 1 3は接着剤、 1 4はパッケージを夫々示している。

第 5図において、第 1の基板 1は電気光学効果を有する Xカツトのニオブ酸リチウムを用いており、 T i拡散法によって光導波路 2を形成するとともに、金属により進行波型の電極 3が設けられている。第 1の基板 1の上面は第 2の基板 1 0と貼り合わされている。なお、この光変調器の動作は、実施の形態 1と同様のものである。

実施の形態 3では、第 2の基板 1 0を接着剤 1 3を用いてパッケージ 1 4に固定している。第 5図に示すように、第 1の基板 1の上面は空気層となるため、実施の形態 1および実施の形態 2と同様に、広帯域、高効率な光変調器を得ることができる。さらに、第 2の基板 1 0をパッケージ 1 4に接着しているため、例えば、第 1の基板 1とパッケージ 1 4との間では熱膨張係数に差異がある場合でも、第 2の基板 1 0を介することで熱応力を緩和することができ、さらに信頼性の高い光変調器を得ることができる。

また、第 2の基板 1 0として、第 1の基板 1と同じニオブ酸リチウムを用いるようにすれば、第 1の基板 1と第 2の基板 1 0の熱膨張係数がほぼ同じになるので、熱応力をさらに緩和することができる。さらに、第 2の基板 1 0として、第 1の基板 1と結晶の方位も同一とした Xカツトのォブ酸リチウムを用いれば、両者の熱膨張係数はほぼ完全に一致し、非常に信頼性の高い光変調器を得ることができる。

以上のように、この発明の実施の形態 3によれば、第 1の基板 1の上面を空気層にすることができ、第 2の基板 1 0をパッケージに接着しているので、広帯域、高効率で、非常に信頼性の高い光変調器が得られるという効果を奏する。

なお、図示していないが、パッケージはカバーを用いて気密封止する場合が多く、これにより第 1の基板 1や電極 3の経時劣化を抑えることができ、さらに信賴性の高い光変調器が得られるという効果を奏する。

以上、実施の^態:!〜 3において、第 1の基板 1と第 2の基板 1 0とを接着層 1 1を介して貼り合わせた場合について上述してきたが、この発明はこれらの実施の形態に限らず、接着層 1 1を用いずに機械的あるいは化学的な方法等を用いて第 1の基板 1と第 2の基板 1 0とを直接固定させてもよい。この場合も、実施の形態 1〜3と同様の作用および効果が得られる。また、実施の形態 2のように、第 1の基板 1と第 2の基板 1 0との間の一部に空気層 1 2を設けることにより、マイク口波の実効誘電率をさらに小さくすることもでき、同様の作用および効果が得られる。さらに、実施の形態 1および 3のように空気層 1 2を設けなレ、場合でも、第 2の基板 1 0として第 1の基板 1よりも誘電率の小さい材料を用いることにより、やはりマイクロ波の実効誘電率を小さくすることができ、同様の効果が得られる。

なお、実施の形態 1〜 3では、 Y分岐 4によって光導波路 2を 2つに分岐し、 2つの光を干渉させて光の振幅を変調するマッハツェンダー型の光振幅変調器について説明したが、この発明はこれらに限らず、光導波路 2を 1本にし、電極 3 に印加する電気信号により光の位相を変調する光位相変調器に適用することもでき、この場合も全く同様な効果を得ることができる。

さらに実施の形態 1〜3では、 T i拡散法によって製作した光導波路 2を有する光変調器を例示したが、この製造法に限ることなく、 M g拡散法やプロトン交換法など種々の製造法により製作した光導波路 2を用いてもよく、この場合も同様の効果が得られる。産業上の利用可能性

以上のように、この発明にかかる光変調器は、ビットレートが大きく、入力データが高速に変化するようなデータ通信を実現するための光変調器を必要とする高速光通信の分野に適している。

Claims

請求の範囲

1 . 電気光学効果を有する第 1の基板と、前記第 1の基板に設けた光を伝搬させるための光導波路と、前記第 1の基板の上面に設けた進行波型の電極とを備える光変調器において、

前記第 1の基板の上面に第 1の基板よりも厚さが厚い第 2の基板を備えることを特徴とする光変調器。

2 . 前記第 2の基板を固定するパッケージをさらに備えることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

3 . 前記第 1の基板と前記第 2の基板とが、同一の材料であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

4 . 前記第 1の基板と前記第 2の基板とが、同一の結晶方位であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

5 . 前記第 2の基板が、前記第 1の基板よりも誘電率が低いことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

6 . 前記第 1の基板と前記第 2の基板との間に、前記第 1の基板よりも誘電率が低い接着層を備えることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

7 . 前記第 1の基板と前記第 2の基板との間に、前記第 1の基板上面の前記電極の少なくとも一部に接する空気層を備えることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

8 . 電気光学効果により前記光導波路の屈折率を変化させ、前記光導波路を伝搬する光の位相変化を利用して、出力光の位相を変調することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

9 . 前記光導波路が、途中を 2つの経路に分岐させたマッハツェンダー型の導波路あり、電気光学効果により前記光導波路の屈折率を変化させ、前記 2つの経路の光導波路を伝搬する光の位相変化を利用して、出力光の強度を変調することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

1 0 . 前記第 1の基板に、ニオブ酸リチウムを用いたことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

1 1 . 前記第 1の基板に、酸化マグネシウムをドープしたニオブ酸リチウムを用いたことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

1 2 . 前記第 1の基板に、タンタル酸リチウムを用いたことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

1 3 . 前記第 1の基板に、酸ィ匕マグネシゥムをドープしたタンタノレ酸リチウムを用いたことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

1 4 . 前記第 1の基板に、ガリゥム砒素を用いたことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光変調器。

1 5 . 進行波型の電極を電気光学効果を有する第 1の基板の上面に設け、光を伝搬させるための光導波路を前記第 1の基板の内部かつ前記電極の間に設ける光変調器の製造方法において、前記第 1の基板の上面に第 2の基板を固定し、前記第 1の基板を薄く加工することを特徴とする光変調器の製造方法。

1 6 . 前記第 1の基板と前記第 2の基板とを、前記第 1の基板よりも誘電率が低い接着剤を用いて接着したことを特徴とする請求の範囲第 1 5項に記載の光変調器の製造方法。

1 . さらに前記第 2の基板をパッケージに固定することを特徴とする請求の範囲第 1 5項に記載の光変調器の製造方法。