JP4429711B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
また、上記の光変調器については、基板の側面上に形成されたシリコン膜を備えるようにしてもよい。これにより、光変調器の温度特性が安定なものになる。
図1は、本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型光変調器の構成を示す斜視図である。また、図2は、図1のA−A断面を示す図である。
図1および図2において、本光変調器は、例えば、電気光学効果を有する基板1と、その基板1の表面に形成された分岐干渉型の光導波路10と、基板1の表面にバッファ層41を介して形成されたコプレーナ(CPW)電極20と、基板1の側面1A,1Bにシリコン(Si)膜42を介して形成されたフローティング電極30A,30Bと、を備えて構成される。
フローティング電極30A,30Bは、基板1の表面に略垂直な側面のうちの平行導波路13A,13Bに沿った側面1A,1Bに導電性を有する膜を形成したものである。このフローティング電極30A,30Bは、具体的には、基板1への密着性に優れた例えばチタン(Ti)または金(Au)等からなる金属膜を基板1の各側面1A,1Bに1000Å程度の厚さで製膜するのが好ましい。ただし、本発明のフローティング電極に用いられる材料は、上記の具体例に限定されるものではなく、導電性を有する任意の材料を使用することが可能である。また、上記のフローティング電極30A,30Bは、基板1からの膜の剥離を防ぐために、基板1の角の付近、具体的には基板1の上記側面のうちの表面および裏面からそれぞれ略100μmまでの範囲に対しては製膜を行わずに、残りの中間部分に電極が形成されるようにするのがよい。さらに、信号電極21のパッド部21A,21Bに近接する側面1Aについては、信号電極21に印加される電気信号Sの入力部における反射を抑えるために、各パッド部21A,21Bの中心からそれぞれ略0.5mmの範囲にはフローティング電極30Aを形成しないようにするのが望ましい。一方、上記の側面1Aに対向する側面1Bに関しては、高周波電気信号Sの反射に影響を及ぼさないので、基板1の角の付近を除いた全ての範囲に亘ってフローティング電極30Bを形成してもよい。
前記基板の表面に略垂直な側面のうちの前記平行導波路に沿った少なくとも1つの側面に、導電性を有する材料を用いて形成したフローティング電極を備えて構成されたことを特徴とする光変調器。
前記フローティング電極は、前記基板の側面上において、前記基板の表面および裏面からそれぞれ所定の距離までの範囲を除いた中間部分に形成されたことを特徴とする光変調器。
前記フローティング電極は、前記電気信号が印加される前記信号電極のパッド部に近接する前記基板の側面上において、前記パッド部の中心から所定の距離までの範囲を除いた残りの部分に形成されたことを特徴とする光変調器。
前記フローティング電極は、チタンおよび金のうちの少なくとも1つを用いて形成されたことを特徴とする光変調器。
前記基板は、ニオブ酸リチウム基板であることを特徴とする光変調器。
前記信号電極は、前記一対の平行導波路のうちの片方の導波路に沿って設けられたことを特徴とする光変調器。
前記信号電極は、前記一対の平行導波路のうちの両方の導波路に沿って設けられたことを特徴とする光変調器。
前記基板の側面上に形成されたシリコン膜を備えたことを特徴とする光変調器。
前記シリコン膜は、前記基板の側面と前記フローティング電極の間に位置することを特徴とする光変調器。
前記シリコン膜は、前記フローティング電極の上層に位置することを特徴とする光変調器。
1A,1B…側面
10…光導波路
11…入射導波路
12…分岐部
13A、13B…平行導波路
14…合波部
15…出射導波路
20…コプレーナ電極
21…信号電極
21A,21B…パッド部
22…接地電極
30A,30B…フローティング電極
41…バッファ層
42…シリコン層
Claims (4)
- 電気光学効果を有する基板の表面にマッハツェンダ干渉計の構造を有する光導波路を形成し、該光導波路の分岐部および合波部の間に位置する一対の平行導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、前記信号電極に電気信号を印加することにより前記光導波路を伝搬する光の変調を行うマッハツェンダ型の光変調器であって、
前記基板の表面に略垂直な側面のうちの前記平行導波路に沿った少なくとも1つの側面に、導電性を有する材料を用いて形成したフローティング電極を備え、さらに、
前記フローティング電極は、前記基板の側面上において、前記基板の表面および裏面からそれぞれ所定の距離までの範囲を除いた中間部分に形成されたことを特徴とする光変調器。 - 前記フローティング電極は、前記電気信号が印加される前記信号電極のパッド部に近接する前記基板の側面上において、前記パッド部の中心から所定の距離までの範囲を除いた残りの部分に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の光変調器。
- 前記フローティング電極は、チタンおよび金のうちの少なくとも1つを用いて形成されたことを特徴とする請求項1に記載の光変調器。
- 前記基板の側面上に形成されたシリコン膜を備えたことを特徴とする請求項1に記載の光変調器。
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