JP2003075790A

JP2003075790A - 進行波形光変調器

Info

Publication number: JP2003075790A
Application number: JP2001268592A
Authority: JP
Inventors: Kenji Aoki; 謙治青木; Jungo Kondo; 順悟近藤; Atsuo Kondo; 厚男近藤; Osamu Mitomi; 修三冨
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2001-09-05
Filing date: 2001-09-05
Publication date: 2003-03-12

Abstract

(57)【要約】【課題】電極を伝搬するマイクロ波と光導波路を伝搬す
る光との間の速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと電
極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を小さくする。【解決手段】光変調器１Ａは、相対向する表面２ａと底
面２ｂ、１０とを備えている電気光学材料からなる基板
２Ａ、基板２Ａの表面２ａ側に形成されている光導波路
６Ａ、６Ｂ、基板２の表面２ａ上に形成されており、光
導波路６Ａ、６Ｂ内を伝搬する光を変調するための電極
３、４、５、および底面１０に形成されている導電性膜
１４Ａ、１４Ｂを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、進行波形光変調器
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】マッハツェンダー型の光導波路を有する
進行波形光変調器を動作させる際には、動作点を適正な
位置へと補正するために直流バイアスをかけて駆動す
る。光変調器を小型化するためには、電極の長さを短く
する必要があり、このためには駆動電圧Ｖπと電極の長
さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を小さくすることが必要であ
る。本出願人は、特開平１０−１３３１５９号公報にお
いて、進行波形光変調器の基板の光導波路の下に薄肉部
分を設け、この薄肉部分の厚さを例えば１０μｍ以下に
薄くすることを開示した。これによって、酸化珪素等か
らなるバッファ層を形成することなしに高速光変調が可
能であるし、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ
・Ｌ）を小さくできる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】例えば１０ＧＨｚ以上
の電気信号で動作する進行波形光変調器において速度整
合を達成するためには、薄肉部分の厚さを１０μｍ程度
まで薄くすることが必要である。しかし、薄肉部分の上
と下とには通常は大気が接触しており、大気の屈折率は
電気光学結晶の屈折率よりもはるかに低い。この結果、
薄肉部分の厚さが１０μｍ近辺になると、光導波路の形
態が偏平化する傾向がある。一方、進行波形光変調器と
結合される外部の光ファイバー内を伝搬する光ビームの
形態はほぼ真円形状である。このため、光導波路の形態
が偏平化すると、光ファイバー内を伝搬する光ビームの
強度分布と光変調器内の光導波路を伝搬する光ビームの
強度分布との不一致が大きくなる。薄肉部分の厚さを大
きくすると、前述の速度整合が困難になるし、駆動電圧
Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）をある程度以上
低下させることが難しい。

【０００４】本発明の課題は、電極を伝搬するマイクロ
波と光導波路を伝搬する光との間の速度整合を達成しつ
つ、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を
小さくできるようにすることである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、相対向する表
面と底面とを備えている電気光学材料からなる基板、こ
の基板の表面側に形成されている光導波路、基板の表面
側に形成されており、光導波路内を伝搬する光を変調す
るための電極、および底面側に形成されている導電性膜
を備えていることを特徴とする、進行波形光変調器に係
るものである。

【０００６】本発明によって、基板の底面側に導電性膜
を形成することによって、導電性膜が底面において等電
位膜として機能し、この等電位膜側から光導波路へと向
かって電圧が印加される。これによって、光導波路に印
加される実効電圧が向上するため、駆動電圧Ｖπと電極
の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を小さくできる。この結
果、駆動電圧Ｖπを一定としたときに、必要な補正電極
の長さＬを短くできる。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明において、基板の底面と
は、基板の光導波路および電極が形成されている面（表
面）と対向する反対側の面を意味している。従って、底
面は、表面に対して略並行な面であるか、少なくとも１
０°以下の傾斜角度を有している面である。また、底面
は、平坦であってよく、あるいは起伏を有していて良
い。また、底面は、後述するような凹部に面している面
であってよく、あるいは、薄肉部分の底面であってよ
い。

【０００８】導電性膜とは、導電性を有する膜のことを
意味している。導電性膜は、導電性を有していればよ
く、電流が流れている膜であってもよいが、電流が実際
に流れている必要はない。

【０００９】本発明においては、導電性膜は、底面の全
面にわたって設けられていても良い。しかし、好適な実
施形態においては、基板の表面側に電極ギャップが形成
されており、導電性膜が、少なくとも電極ギャップに対
向する領域の少なくとも一部に形成されている。これに
よって、光導波路に対して効果的に電圧を印加しやす
い。

【００１０】この場合には、好ましくは、底面のうち光
導波路に対向する領域には光導波路を形成しない。これ
によって、光導波路の光ビームへの悪影響を抑制でき
る。

【００１１】特に好適な実施形態においては、基板の底
面側に凹部が設けられており、基板が、厚肉部分、凹部
に面する第一の薄肉部分および凹部に面する第二の薄肉
部分を備えており、第一の薄肉部分内に光導波路が設け
られており、第一の薄肉部分が第二の薄肉部分よりも厚
い。

【００１２】「第一の薄肉部分内に光導波路が設けられ
ている」とは、光導波路の少なくとも屈折率の中心が第
一の薄肉部分内に存在することを意味している。

【００１３】こうした実施形態においては、マイクロ波
と光との速度整合を確保し、Ｖπ・Ｌを抑制しつつ、同
時に光導波路内を伝搬する光のビーム形状を真円形に近
づけ、光の結合損失を低減できる。

【００１４】図１は、この実施形態に係る光変調器１Ａ
を概略的に示す横断面図である。光変調器１Ａは、電気
光学材料、好ましくは電気光学結晶からなる基板２Ａを
備えている。基板２Ａは、２つの厚肉部分２１と、１つ
の第一の薄肉部分９と、２つの第二の薄肉部分８Ａ、８
Ｂとを備えている。基板２Ａは、相対向する表面２ａと
底面２ｂ、１０とを備えている。また、基板２Ａの底面
２ｂ側には凹部７が形成されており、凹部７に対して、
薄肉部分８Ａ、８Ｂ、９が面している。第一の薄肉部分
９の凹部７側には突起２２が形成されている。突起２２
の高さの分だけ、薄肉部分９の厚さＴ（ＯＰ）が薄肉部
分８Ａ、８Ｂの厚さＴ（ｓｕｂ）よりも大きくなってい
る。薄肉部分９の表面２ａ側には一対の光導波路６Ａ、
６Ｂが形成されている。

【００１５】また、基板２Ａの表面２ａ側には、例えば
３列の電極３、４、５が形成されている。電極は、図示
しないマイクロ波信号源に接続されている。本例では、
Ｘ板またはＹ板を使用し、光導波路内にＴＥモードの光
を伝搬させる。このため、各光導波路６Ａ、６Ｂは、そ
れぞれ隣接する電極３と４との間、あるいは電極４と５
との間に挟まれている。

【００１６】基板の底面、特に薄肉部分８Ａ、８Ｂの底
面１０上に導電性膜１４Ａ、１４Ｂが形成されている。
これと共に、薄肉部分２１の側面１２上には焦電防止膜
２０Ｂが形成されており、厚肉部分２１の凹部７に面す
る側面１１上には焦電防止膜２０Ａが形成されている。

【００１７】本発明によれば、電極３、５と導電性膜１
４Ａ、１４Ｂとの間に電圧が印加される共に、各導電性
膜１４Ａ、１４Ｂが等電位膜として作用する。そして、
導電性膜１４Ａ、１４Ｂの末端部分と電極４との間にも
電圧が印加される。このように、導電性膜１４Ａ、１４
Ｂと中心電極４との間の電圧印加によって、光導波路６
Ａ、６Ｂに印加される実効電圧が向上する。

【００１８】また、図１のような形態の光変調器におい
ては、電極を伝搬する変調波（マイクロ波）によって生
成する電界は、基板の底面側の空気（溝ないし凹部中）
にかなりリークする。この際、光導波路および中心電極
４の直下の領域においても電界の空気中へのリークが発
生するが、第二の薄肉部分８Ａ、８Ｂの領域でもマイク
ロ波電界のリークの寄与がある。この結果、変調波の位
相速度が向上する。

【００１９】これと同時に、突起２２を設けない場合と
比べて、光導波路６Ａ、６Ｂの直下の領域の厚さは若干
大きくできるので、光導波路６Ａ、６Ｂを伝搬する光ビ
ームの偏平化を防止でき、これによって光の結合損失を
抑制できる。

【００２０】図１の例では、薄肉部分の凹部７側に突起
２２を設けることによって、薄肉部分９の厚さを薄肉部
分８Ａ、８Ｂの厚さよりも大きくした。しかし、突起を
薄肉部分の表面２ａ側に設けることもでき、突起を薄肉
部分の凹部７側および表面２ａ側の両方に設けることも
できる。

【００２１】本発明の好適な実施形態においては、光の
進行方向における導電性膜の単位長さ１ｃｍ当たりの、
進行方向と垂直な方向の導電性膜の抵抗値が、１×１０
⁻³Ω以上である。例えば図１を参照すると、紙面に垂
直な方向（Ａ方向）が光の進行方向であり、光の進行方
向に垂直な方向は矢印Ｂで表している。

【００２２】このように、導電性膜が単位長さ1cmあた
り１×１０⁻³Ω以上の前記抵抗値を備える場合にも、
絶縁性膜でなければ、動作点調整のための等電位膜とし
ての機能は損なわれない。これと同時に、導電性膜が一
定以上の抵抗値を備えることによって、高周波電圧、つ
まりマイクロ波電圧に対しては誘電体として機能し、マ
イクロ波特性に対する悪影響を抑制できる。

【００２３】即ち、光変調器の電極対によってキャパシ
タンスが形成されており、また導電性膜は抵抗として作
用するので、電極対と導電性膜とによってＣＲ回路が構
成される。電極対によって構成される単位長１ｃｍあた
りのキャパシタンスＣと、導電性膜単位長１ｃｍあたり
の矢印Ｂ方向の抵抗値Ｒとによって、ＣＲ回路の遮断周
波数が決定される。光変調器の高周波特性への悪影響を
抑制するためには、この遮断周波数よりマイクロ波の使
用周波数を高くする必要がある。この観点から、動作周
波数を10GHzとした場合、前記単位長さ1cmあたりの抵抗
値を１×１０⁻³Ω以上とすることが好ましい。

【００２４】但し、動作周波数が低い場合は、導電性膜
によるマイクロ波特性の悪化が生じても、変調器の変調
動作に問題はない。また、VOA（可変光減衰器）、光ス
イッチに適用した場合も、高速動作を要求しない限り、
動作に問題はない。このため、動作周波数範囲に応じて
導電層抵抗値を低くしてもよい。この場合においては前
記単位長さ1cmあたりの前記抵抗値が１×１０⁻³Ω以下
であってもよい。

【００２５】動作点調整のための等電位膜としての機能
を発揮させるという観点からは、使用変調周波数に応じ
て導電性膜の抵抗値の上限が制限される。例えば、動作
点補正を1Hz以上の周波数で行う場合、前記抵抗値が１
×１０⁹Ω以下であればよい。

【００２６】本発明の導電性膜は、金属膜や半導体膜を
含んでいる。導電性膜を構成する金属としては、金、ア
ルミニウム、銅を例示できる。

【００２７】導電性膜を構成する半導体としては、アモ
ルファスシリコン、カーボンを例示できる。

【００２８】この半導体中に、不純物として以下のもの
を添加することによって、半導体膜の抵抗値を制御する
ことができる。半導体シリコンに対しては、ドナー不純
物として窒素、リンなどがあり、アクセプタ不純物とし
てホウ素、マグネシウムなどが考えられる。

【００２９】本発明において、導電性膜の厚さｔは、前
述の抵抗値を実現できるように適宜選択すれば良い。

【００３０】本実施形態においては、基板２Ａの表面２
ａ側に電極ギャップ１９Ａ、１９Ｂが形成されており、
導電性膜１４Ａ、１４Ｂが、底面のうち電極ギャップに
対向する領域Ｄの少なくとも一部に形成されている。底
面のうち電極ギャップに対向する領域Ｄとは、言い換え
ると、表面２ａに垂直な方向Ｈから見たときの底面への
投影面において、電極ギャップ１９Ａ、１９Ｂと重なる
領域のことである。本例においては、各導電性膜１４
Ａ、１４Ｂのうち、１４ａは領域Ｄ内にあり、１４ｂ
は、底面のうち電極３、５に対向する領域Ｇ内にある。

【００３１】また、本実施形態においては、導電性膜が
底面のうち光導波路に対向する領域Ｅに形成されていな
い。底面のうち光導波路に対向する領域Ｅとは、言い換
えると、表面２ａに垂直な方向Ｈから見たときの底面へ
の投影面において、光導波路６Ａ、６Ｂと重なる領域の
ことである。

【００３２】本例では、焦電防止膜２０Ａ、２０Ｂを設
けることによって、焦電に起因する温度ドリフトを抑制
できる。焦電防止膜の材質としては、以下のものを例示
できる。金、銅、アルミニウム、アモルファスシリコ
ン、カーボンから構成され、蒸着あるいはスパッタリン
グ法などによって形成された膜。さらにはペースト状の
塗布膜が例示できる。

【００３３】図１に示すような形態の溝７（つまり薄肉
部分）は、エキシマレーザーを用いたレーザーアブレー
ション加工によって成形できる。あるいは、ダイシング
加工によって成形できる。

【００３４】基板は、強誘電性の電気光学材料、好まし
くは単結晶からなる。こうした結晶は、光の変調が可能
であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タン
タル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウ
ム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、タンタル酸カリ
ウムリチウム、ニオブ酸カリウムリチウム−タンタル酸
カリウムリチウム固溶体、ＫＴＰ、ＧａＡｓ及び水晶な
どを例示することができる。ニオブ酸リチウム単結晶、
タンタル酸リチウム単結晶およびニオブ酸リチウム−タ
ンタル酸リチウム固溶体単結晶からなる群より選ばれた
一種以上の単結晶が、特に好ましい。

【００３５】基板２Ａ、２Ｂにおいては、特に好ましく
は結晶の分極軸が基板の表面２ａと略水平である。ニオ
ブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオ
ブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からな
るＸ板あるいはＹ板が好ましい。

【００３６】第二の薄肉部分８Ａ、８Ｂの厚さＴ（ｓｕ
ｂ）は、マイクロ波の実効屈折率ｎｍを顕著に低減する
という観点からは、１５μｍ以下であることが好まし
く、１２．５μｍ以下が更に好ましく、１０μｍ以下で
あることが一層好ましい。

【００３７】第一の薄肉部分９の厚さＴ（ＯＰ）は、マ
イクロ波の実効屈折率ｎｍを顕著に低減するという観点
からは、３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ
以下が更に好ましい。第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ（Ｏ
Ｐ）は、光導波路を伝搬する光ビームの偏平化を防止す
るという観点からは、１０μｍ以上が好ましい。

【００３８】第一の薄肉部分の厚さＴ（ＯＰ）と第二の
薄肉部分の厚さＴ（ｓｕｂ）との差が大きいことが好ま
しく、２μｍ以上であることが特に好ましい。ただし、
この差は２５μｍ以下であることが好ましい。

【００３９】電極の厚さＴ（ＥＬ）は、５−５０μｍと
することが好ましい。電極の厚さＴ（ＥＬ）は、マイク
ロ波の実効屈折率、特性インピーダンス、更には電極損
失に大きく影響する。厚さＴ（ＥＬ）を小さくすると、
マイクロ波の実効屈折率を低減するために、薄肉部分の
厚さＴ（ｓｕｂ）を小さくする必要があり、電極損失も
増加してしまう。一方、厚さＴ（ＥＬ）を大きくするこ
とは、マイクロ波の実効屈折率の低減化と電極損失の低
減には必要であるが、作製上の問題がある。実際には、
特性インピーダンスの制御も含めて、電極の厚さＴ（Ｅ
Ｌ）を決定する。

【００４０】電極は、低抵抗でインピーダンス特性に優
れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、
銀、銅などの材料から構成することができる。

【００４１】基板表面２ａと電極との間にはバッファ層
を設けることができる。バッファ層は、酸化シリコン、
弗化マグネシウム、窒化珪素、及びアルミナなどの公知
の材料を使用することができる。

【００４２】電極構造については、図１に示したコプレ
ーナ型導波路（Coplanarwaveguide：ＣＰＷ電極) の
他、非対称コプレーナストリップライン（Asymmetric c
oplanar strip line：Ａ−ＣＰＳ電極) を適用できる。

【００４３】本発明は、基板の底面側に凹部が特に形成
されていない場合にも有効である。図２は、この実施形
態に係る光変調器１Ｂを概略的に示す横断面図である。

【００４４】光変調器１Ｂの基板２Ｂは略平板状であ
る。基板２Ｂの表面側には電極３、４、５、光導波路６
Ａ、６Ｂが形成されている。基板２Ｂの底面２ｂ上に
は、導電性膜１５Ａ、１５Ｂが形成されている。

【００４５】本実施形態においては、基板２Ｂの表面２
ａ側に電極ギャップ１９Ａ、１９Ｂが形成されており、
導電性膜１５Ａ、１５Ｂが、底面のうち電極ギャップに
対向する領域Ｄの少なくとも一部に形成されている。本
例においては、各導電性膜１５Ａ、１５Ｂのうち、１５
ａは領域Ｄ内にあり、１５ｂは、底面のうち電極３、５
に対向する領域Ｇ内にある。

【００４６】また、本実施形態においては、導電性膜１
５Ａ、１５Ｂが、底面のうち光導波路に対向する領域Ｅ
に形成されていない。

【００４７】本発明において、導電性膜が、底面のうち
電極ギャップに対向する領域Ｄの少なくとも一部に形成
されている場合には、光の進行方向に垂直な方向（矢印
Ｂ方向）に見たときの領域Ｄ内における各導電性膜の幅
Ｆを0〜W(Gap)の範囲で変化させると、あるF(vmin)の値
でVπLは極小値を持つ。このF(vmin)とすることがVπL
低減という観点からは好ましい。

【００４８】本発明はｚ板を使用した場合にも適用でき
る。ただし、ｚ板を使用した場合には、光導波路は電極
の直下に設ける必要があり、光の伝搬損失を低減するた
めに、基板の表面と電極との間にはバッファ層を設ける
ことができる。バッファ層は、酸化シリコン、フッ化マ
グネシウム、窒化珪素、およびアルミナなどの公知の材
料を使用することができる。

【００４９】図３はこの実施形態に係る光変調器１Ｃを
概略的に示す横断面図である。光変調器１Ｃは、略平板
形状の基板２Ｃを備えている。基板２Ｃの表面２ａ上に
はバッファ層１８を介して電極３、４が形成されてお
り、電極３と４との間には電極ギャップ１９Ａが設けら
れている。基板２Ｃの底面２ｂ上には、底面２ｂの全面
にわたって導電性膜１７が形成されている。

【００５０】導電性膜１７の１７ａは、底面２ｂのうち
電極３、４に対向する領域Ｇを被覆しており、１７ｂ
は、電極ギャップ１９Ａに対向する領域Ｄを被覆してお
り、１７ｃは、光導波路１６に対向する領域Ｅを被覆し
ている。

【００５１】

【実施例】有限要素法を用いて、準ＴＥＭ波解析を行っ
た。ただし、本発明例としては、図１に示す形態の光変
調器１Ａを使用した。比較例としては、光変調器１Ａか
ら導電性膜１４Ａ、１４Ｂを除いた光変調器を使用し
た。

【００５２】基板２Ａの材質は、Ｘカットした３インチ
ウエハー（ＬｉＮｂＯ_３単結晶製）とした。光導波路６
Ａ、６Ｂはマッハツェンダー型の光導波路３とした。光
導波路のサイズは１／ｅ^２半径で紙面横方向３μm、縦
方向２μｍとした。電極３、４、５の形態はＣＰＷ電極
とした。溝７の幅（Ｂ方向の長さ）は１３０μｍとし、
薄肉部分８Ａ、８Ｂにおける深さは１０μｍとし、厚肉
部分２１の幅は２０μｍとした。薄肉部分９の厚さＴ
（ＯＰ）を１５μｍとし、薄肉部分８Ａ、８Ｂの厚さＴ
（ｓｕｂ）を１０μｍとし、中心電極４の幅を３０μｍ
とし、光導波路６Ａ、６Ｂの光軸中心と中心電極４との
間隔を１０μｍとし、電極ギャップ１９Ａ、１９Ｂの大
きさを４０μｍとし、電極の厚さＴ（ＥＬ）を３０μｍ
とした。

【００５３】本発明例では、導電性膜１４Ａ、１４Ｂの
材質をアモルファスSiとし、導電性膜の厚さｔを０．１
μｍとし、誘電率は完全導体を想定して１００００とし
た。また、焦電防止膜２０Ａ、２０Ｂの材質をアモルフ
ァスSiとし、厚さを0.1μｍとした。Ｆは１０μｍとし
た。

【００５４】この条件で計算を行った結果、マイクロ波
屈折率ｎｍを２．３以下に制御した場合に、駆動電圧Ｖ
πと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）は、比較例におい
ては１３．１Ｖ・ｃｍであり、本発明例においては１
０．２Ｖ・ｃｍであった。このように、導電性膜を裏溝
部に設けることで、位相をπずらす電圧Ｖ・πと電極長
Ｌの積Ｖπ・Ｌを２．９Ｖ・ｃｍ低減できることがわか
った。また、導電性膜が高周波で誘電体であることを想
定し、誘電率を１０として同じモデルで計算を行ったと
ころ、マイクロ波特性は導電性膜がない場合とほぼ一致
し、導電膜の存在が高周波でマイクロ波特性に影響を及
ぼさないことがわかった。

【００５５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、電
極を伝搬するマイクロ波と光導波路を伝搬する光との間
の速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬ
との積（Ｖπ・Ｌ）を小さくするようにできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る光変調器１Ａを概略
的に示す横断面図である。

【図２】本発明の他の実施形態に係る光変調器１Ｂを概
略的に示す横断面図である。

【図３】本発明の更に他の実施形態に係る光変調器１Ｃ
を概略的に示す横断面図である。

【符号の説明】

１Ａ、１Ｂ、１Ｃ光変調器２Ａ、２Ｂ、２Ｃ
基板２ａ表面２ｂ、１０底面３、４、
５電極６Ａ、６Ｂ光導波路７凹部８Ａ、
８Ｂ第二の薄肉部分９第一の薄肉部分１１厚肉部分２１の凹部
７に面する側面１２薄肉部分９の凹部７に面する側面１４
Ａ、１４Ｂ、１５Ａ、１５Ｂ、１７導電性膜
１８バッファ層１９Ａ、１９Ｂ電極ギャップ
２０Ａ、２０Ｂ焦電防止膜Ａ光の
進行方向Ｂ進行方向Ａに垂直な方向（光変調器の幅方向）
Ｄ底面のうち電極ギャップに対向する領域Ｅ底面のうち光導波路に対向する領域ＦＥ
内における導電性膜の幅Ｇ底面のうち電極に
対向する領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者近藤厚男愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号日本碍子株式会社内 (72)発明者三冨修愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号日本碍子株式会社内Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA12 BA01 DA03 EA05 EB05 HA12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】相対向する表面と底面とを備えている電気
光学材料からなる基板、この基板の前記表面側に形成さ
れている光導波路、前記基板の前記表面側に形成されて
おり、前記光導波路内を伝搬する光を変調するための電
極、および前記底面側に形成されている導電性膜を備え
ていることを特徴とする、進行波形光変調器。
【請求項２】前記光の進行方向における前記導電性膜の
単位長さ１ｃｍ当たりの、前記進行方向と垂直な方向の
前記導電性膜の抵抗値が、１×１０⁻³Ω以上であるこ
とを特徴とする、請求項１記載の光変調器。
【請求項３】前記導電性膜が金属からなることを特徴と
する、請求項１または２記載の光変調器。
【請求項４】前記導電性膜が半導体からなることを特徴
とする、請求項１または２記載の光変調器。
【請求項５】前記基板の前記表面側に電極ギャップが形
成されており、前記導電性膜が、前記底面のうち前記電
極ギャップに対向する領域の少なくとも一部に形成され
ていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つ
の請求項に記載の光変調器。
【請求項６】前記導電性膜が前記底面のうち前記光導波
路に対向する領域に形成されていないことを特徴とす
る、請求項５記載の光変調器。
【請求項７】前記基板の前記底面側に凹部が設けられて
おり、前記基板が、厚肉部分、前記凹部に面する第一の
薄肉部分および前記凹部に面する第二の薄肉部分を備え
ており、前記第一の薄肉部分内に前記光導波路が設けら
れており、前記第一の薄肉部分が前記第二の薄肉部分よ
りも厚いことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一
つの請求項に記載の光変調器。
【請求項８】少なくとも前記第二の薄肉部分の底面に前
記導電性膜が形成されていることを特徴とする、請求項
７記載の光変調器。
【請求項９】前記第一の薄肉部分の前記凹部に面する側
面に設けられている焦電防止膜を備えていることを特徴
とする、請求項７または８記載の光変調器。
【請求項１０】前記厚肉部分の前記凹部に面する側面に
設けられている焦電防止膜を備えていることを特徴とす
る、請求項７〜９のいずれか一つの請求項に記載の光変
調器。
【請求項１１】前記導電性膜が、前記底面のうち少なく
とも前記電極に対向する領域および前記光導波路に対向
する領域に形成されていることを特徴とする、請求項１
〜５のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。