JP2007250802A

JP2007250802A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2007250802A
Application number: JP2006071811A
Authority: JP
Inventors: Toru Kagaya; 徹加賀谷; Tomoyasu Miyashita; 智康宮下
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2006-03-15
Filing date: 2006-03-15
Publication date: 2007-09-27

Abstract

【課題】変圧器の発熱を抑制し、変圧器及び周辺部品の熱劣化を防止し、変圧器収納室の小型化を実現することを可能とする。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理室と、処理室を加熱する加熱装置と、加熱装置に接続される電源供給ラインと、電源供給ラインに設けられる変圧器と、変圧器を収納する変圧器収納室とを備える。変圧器収納室は、変圧器収納室内に冷却気体を供給する第１の冷却気体供給手段と、変圧器収納室内に供給された冷却気体を導いて前記変圧器収納室内の局所へ供給する冷却気体流路と、局所供給された冷却気体を変圧器に供給する第２の冷却気体供給手段とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、変圧器を備えた基板処理装置に関する。

ウェハに対して熱処理を行う装置として基板処理装置が知られている。この基板処理装置は、装置本体と、装置本体へ電力等を供給するユーティリティユニット（用力ユニット）とから構成されている（例えば、特許文献１参照）。

ユーティリティユニットには、処理炉内に処理ガスを供給するためのガス供給ユニット、処理炉のヒータ等に電源を供給する電源供給ユニット、駆動部のコントローラなどを含む制御ユニット、処理炉内を真空排気するための排気ユニット等が設けられている。

上記電源供給ユニットには外部電源が接続される。この外部電源電圧が装置本体内で必要とされる電圧と異なる場合には、変圧器（トランス）が必要となり、基板処理装置とは別体にトランスボックスと呼ばれる変圧器収納室が設けられる。この変圧器収納室に設けられたトランスは発熱するために、従来は、トランスのコイル外周に冷却ジャケット等の水冷機構を設置して冷却水による冷却を行ったり、あらかじめ発熱を抑えた余裕のある大きいトランスを使用したりしていた。
特開２００１−２１０６０２号公報

しかしながら上述した従来技術には次のような問題があった。
（１）変圧器のコイル外周に冷却ジャケットを設置して冷却水による冷却を行うものでは、変圧器のコイル間を直接冷却できないため、コイル間に熱溜まり箇所が生じ、変圧器自体の発熱を有効に抑制することができなかった。このため、変圧器自体の発熱による変圧器収納室内の温度上昇によって、変圧器収納室内の周辺機器は耐熱以上の環境にさらされて部品寿命を縮める原因となっていた。また、変圧器収納室外のパネル温度も上がるという不具合もあった。
（２）あらかじめ発熱を抑えた余裕のある大きい変圧器を使用したものでは、変圧器収納室の大型化が避けられないが、近年の基板処理装置の市場動向としては、省エネルギー化や設置面積の省スペース化の要請があり、必要以上に大きい変圧器収納室は需要が少なくなってきているため、時代の要請に応えることができなかった。

本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、変圧器の発熱を抑制し、変圧器及び周辺部品の熱劣化を防止し、変圧器収納室の小型化を実現することが可能な基板処理装置を提供することにある。

本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室を加熱する加熱装置と、該加熱装置に接続される電源供給ラインと、該電源供給ラインに設けられる変圧器と、該変圧器を収納する変圧器収納室とを備える基板処理装置であって、前記変圧器収納室は、該変圧器収納室内に冷却気体を供給する第１の冷却気体供給手段と、前記変圧器収納室内に供給された前記冷却気体を導いて前記変圧器収納室内の局所へ供給する冷却気体流路と、前記局所供給された前記冷却気体を前記変圧器に供給する第２の冷却気体供給手段とを有することを特徴とする基板処理装置である。
第１の冷却気体供給手段により変圧器収納室内に冷却気体が供給される。変圧器収納室内に供給された冷却気体は、冷却気体流路により導かれて変圧器収納室内の局所に供給される。局所供給された冷却気体は第２の冷却気体供給手段により変圧器に供給される。
したがって、変圧器収納室内に供給した冷却気体を変圧器に直接供給することができるので、変圧器に熱溜まり箇所がなくなり、変圧器の発熱を抑制することができ、変圧器収納室の温度も下げることができる。それに伴い変圧器の占有面積も抑えることができるので、変圧器収納室を小型化できる。

本発明によれば、変圧器の発熱を抑制し、変圧器及び周辺部品の熱劣化を防止し、変圧器収納室の小型化を実現することができる。

以下に本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。

［第１の実施の形態］
本実施の形態による基板処理装置は、半導体などのウェハに対して酸化膜の形成、ドーパントの拡散、アニールあるいはＣＶＤといったプロセス処理を行う。この基板処理装置は、減圧ＣＶＤ処理炉（処理炉ともいう）を有する装置本体と、装置本体へ電力等を供給するユーティリティユニットとから構成されている。基板処理装置には、ユーティリティユニットが装置本体と別置きにされた別体型と、ユーティリティユニットが装置本体と一体化された一体化型とがある。

図４に実施の形態によるユーティリティユニット別体型の基板処理装置の斜視図を示す。装置本体には、図示しない処理炉やボート、ボートエレベータ等が設けられている。この装置本体の構成は、後述する図５で詳細に説明する。ユーティリティボックス５２には、処理炉内に処理ガスを供給するためのガス供給ユニット１１、処理炉のヒータ等に電源を供給する電源供給ユニット１２、駆動部のコントローラなどを含む制御ユニット１３、処理炉内を真空排気するための排気ユニット１４等が設けられており、装置本体５１とユーティリティボックス５２との間には、配管やケーブル等が引き回されている。

また、図５にユーティリティ一体型の基板処理装置を示す。筐体２０内の前部には、外部との間でウェハカセット（基板カセット）Ｃの搬入出を行うカセットステージ１が設けられ、筐体２０内の後部上方には、ウェハに対して所定の処理（ＣＶＤ）を行う縦型の処理炉１０が設けられている。処理炉１０は、ヒータ１０１と、その内部の反応管１００とから構成されている。また、筐体２０内のカセットステージ１の後側には、ウェハカセットＣを搬送するカセットローダ２と、ウェハカセットＣを保管するカセット棚３と、ウェハカセットＣを一時的に保管するバッファカセット棚４と、ウェハカセットＣの中からウェハを取り出してボート７に移載するウェハ移載機（基板移載手段）５及び移載エレベータ６とが設けられ、処理炉１０の下側には、ウェハが搭載されたボート７を処理炉１０の反応管１００に対して出し入れするボートエレベータ８が設けられている。

ユーティリティユニットとしては、処理炉１０に処理ガスを供給するガス供給ユニット１１と、処理炉１０のヒータ１０１や各種駆動部あるいは制御部等に対して電源を供給する電源供給ユニット１２と、駆動部のコントローラや各種計器類などを含む制御ユニット１３と、処理炉１０内を真空排気するための排気ユニット（図示せず）とが設けられており、これらは全て装置本体の筐体２０の内部、あるいは筐体２０の外部に直接一体的に装備されている。

図２は上述した何れのタイプの基板処理装置に共通する装置本体に設けられる処理炉の概略構成図である。
基板処理装置を構成する処理炉は、外管（アウタチューブ）１０３と内管（インナーチューブ）１０４とからなる反応管１００と、反応管１００内の処理室９０を加熱する加熱装置としてのヒータ１０１とから構成される。
さらに、ヒータ１０１の温度を検出するヒータ熱電対１０２と、外管１０３と内管１０４の間の温度を検出するカスケード熱電対１０５と、処理室９０内で熱処理するための基板としてのウェハ２００を搭載したボート１０６と、ヒータ熱電対１０２及びカスケード熱電対１０５の検出温度と、設定温度Ｙとからヒータ１０１への操作量Ｚ（電力値）を演算して求める温度コントローラ（温度制御部）１０７と、外部電源１０８の電圧を変圧する変圧器としてのトランス１１０と、トランス１１０で変圧された電力を上記操作量Ｚに応じて制御する電力制御部としてのサイリスタ制御器１２０と、サイリスタ制御器１２０を介してトランス１１０とヒータ１０１とを接続してサイリスタ制御器１２０からヒータ１０１に制御電力を供給する電源供給ライン１３０とから構成される。

ヒータ１０１は、処理室内温度（炉内温度）をより高精度に制御するためにゾーン分割されており、図示例のように４ゾーン分割の場合には、上部から順にＵ，ＣＵ，ＣＬ，Ｌゾーンなどと呼ばれる。それぞれのゾーンごとに、ヒータ熱電対１０２とカスケード熱電対１０５が設置されている。この減圧ＣＶＤ処理炉における温度制御の目的は、熱処理するためのウェハ２００に、より近い場所（炉内）に設置してあるカスケード熱電対１０５の検出温度を、温度制御部１０７にフィードバックして設定温度Ｙと一致させることである。

次に、上述した減圧ＣＶＤ処理炉で、一般に使用される処理シーケンスについて説明する。処理シーケンスは図示しない統括制御部により、温度制御部１０７を制御することによって実行される。図３（ａ）は、減圧ＣＶＤ処理炉で行われるプロセス処理の１例のフローチャートを示し、図３（ｂ）は、そのときの炉内の温度変化の概略を示したものである。
ステップＳ１は、炉内温度を比較的低い目標温度Ｔ₀に維持させる処理である。そのために、温度制御部１０７に設定温度として目標温度Ｔ₀を設定し、ヒータ熱電対１０２及びカスケード熱電対１０５の検出温度が目標温度Ｔ₀となるように、温度制御部１０７は操作量Ｚを求める。この操作量Ｚに基づいてサイリスタ制御器１２０がヒータ１０１に電源供給ライン１３０を介して制御電力を供給し、炉内温度を比較的低い目標温度Ｔ₀に維持させる。以下のステップで行われる温度制御も上述したのと同様な温度制御部１０７によるフィードバック制御によって行われる。なお、このステップＳ１では、ボート１０６はまだ炉内へ挿入されていない。ステップＳ２は、複数のウェハ２００を搭載したボート１０６を炉内に挿入する処理（ボートロード）である。このとき、炉内温度を目標温度Ｔ₀に維持させるようにしても、炉内温度は一時的に目標温度Ｔ₀よりも低下する。

ステップＳ３は、目標温度Ｔ₀からウェハ２００に成膜処理等のプロセス処理を施すための処理温度Ｔ₁まで徐々に炉内の温度を上昇させる処理（ランプアップ）である。ステップＳ４はウェハ２００にプロセス処理を施すために炉内の温度を処理温度Ｔ₁に安定させた後、ウェハ２００にプロセス処理を施す。プロセス処理後のステップＳ５は、処理温度Ｔ₁から再び比較的低い目標温度Ｔ₀まで徐々に炉内の温度を下降させる処理（ランプダウン）である。ステップＳ６は、プロセス処理が施されたウェハ２００を搭載しているボート１０６を炉内から引き出す処理である。このときも炉内温度は、ステップＳ２のときほどではないが、一時的に低下する。
炉内から引き出されたボート１０６から処理済のウェハ２００が払い出され、未処理のウェハ２００が新たにボート１０６に搭載され、これらの未処理のウェハ２００に対して上記ステップＳ１〜Ｓ６が繰り返される。

ところで、上述したユーティリティユニットに設けられる電源供給ユニット１２内に、前述したサイリスタ制御器１２０が設けられる。サイリスタ制御器１２０に接続される上述したトランス１１０は、電源供給ユニット１２に接続される外部電源１０８の電圧が装置本体内で必要とされる内部供給電圧と相違する場合に、相違する電圧を変換するために設けられる。トランス１１０は、通常、基板処理装置とは別体に変圧器収納室としてのトランスボックス内に収納される。

図１は上記のトランス１１０を収納するトランスボックス３１の透視斜視図を示す。
トランスボックス３１の本体は、上部が閉じ底部が開放した上下に長い直方体をしており、４枚の側面板（３１ｃ、３１ｅ…）と天板とで構成されている。底部は、一部が熱を外部に排出する開口部３１ａとなっている。トランスボックス３１の本体は、床面より多少、例えば５０ｍｍ程度ジャッキアップされている。
この開口部３１ａにトランス１１０が取り付けられている。このトランス１１０は、ヨーク１１１とコイル１１２を有するトランス本体１１３とから構成される。トランス１１０のコイル１１２は、ヨーク１１１の中心部に渦巻き状に巻かれており、上部から見ると、トランスボックス３１本体の正面側（側面板３１ｅ側）部分と背面側（側面板３１ｅと反対側の側面板側）部分とがヨーク１１１から突き出している。

トランスボックス３１の正面となる側面板３１ｅの上部には、冷却気体として例えば外気（白抜き矢印で示す）をトランスボックス３１内に供給するめの外気取込口３２が設けられている。なお、外気としては常温の空気の他に冷却した空気でもよい。また、冷却気体として、外気の他に常温または冷却した不活性ガスを挙げることができる。

外気取込口３２には、第１の冷却気体供給手段としての吸気ファン３３が設けられている。吸気ファン３３は、トランスボックス３１外からトランスボックス３１内に冷却気体としての外気を供給するように構成されている。
また、外気取込口３２には、吸気ファン３３を覆うファンボックス３４がトランスボックス３１内に突出するように設けられ、吸気ファン３３により供給された外気を一旦、ファンボックス３４内に取り込むようになっている。

ファンボックス３４の底部に複数、図示例では２つの排気口３５、３６が設けられている。各排気口３５、３６には、吸気ファン３３から供給される外気をトランスボックス３１内に局所供給する冷却気体流路としてのダクト３７、３８がそれぞれ接続されている。ここで、局所供給とは、外気をガイドして特定の場所に集中的に供給することをいう。特定の場所とは、トランス１１０を冷却するのに最適な場所である。ダクト３７、３８は、例えばフレキシブルチューブ等から構成することができる。

２つのダクト３７、３８は、それぞれ空冷ファン３９、４０に取り付けられ、ダクト３７、３８でガイドされる外気が空冷ファン３９、４０にそれぞれ局所供給されるようになっている。この空冷ファン３９、４０のファン能力は吸気ファン３３と同等か、それより小さくてもよい。
空冷ファン３９は、トランス１１０の近傍、例えば、トランス１１０の上方であって、渦巻き状に構成されているコイル１１２の背面側部分を見降ろす位置に設けられている。空冷ファン４０は、同じくトランス１１０の近傍、例えば、トランス１１０の上方であって、渦巻き状に構成されているコイル１１２の正面側部分を見降ろす位置に設けられている。
したがって、空冷ファン３９及び４０にそれぞれ局所供給された外気は、白抜き矢印Ｂ及びＣで示すように、コイル１１２の背面部分及び正面側部分に上方から供給されるようになっている。

なお、空冷ファン３９の上方に、水平面に対して所定角度傾斜した支持板４２は、図示しないケーブルを支えるためのものである。

次に、上述したようなトランスボックス３１の作用を説明する。
トランスボックス３１の上部に設けた吸気ファン３３によって常時外気が内部に供給される。供給された外気は、一旦、ファンボックス３４内に取り込まれた後、ダクト３７、３８によって外気を下方に導かれて空冷ファン３９及び４０に局所供給される。局所供給された外気は、空冷ファン３９、及び４０により、トランス１１０の発熱部であるコイル１１２の背面部分及び正面側部分に供給され、これらの部分を集中的に冷却する。冷却により発生した熱はトランスボックス３１の底部に設けた開口部３１ａから外部へ排出される。

以上述べたように、第１の実施の形態によれば、従来の水冷による冷却を空冷とすることで、従来必要とされた水冷機構を不要とすることができる。また、トランス１１０のコイル間に常に一定の温度の外気を送り込むことができるので、コイル１１２間に熱溜まり箇所がなくなり、トランス１１０自体の発熱を抑制することができる。それに伴いトランスボックス３１内の雰囲気温度の上昇を抑制でき、トランスボックス３１外パネルの温度も室温程度に下げることができるので、周辺機器の劣化を抑制して周辺機器部品の寿命を延ばすことができる。また必要以上に占有していたトランス１１０の面積も最低限に抑えることができ、トランスボックス３１の小型化を実現できる。

また、通常、熱は上方に逃げるため、ボックスの下方から吸気してボックスの上方へ排気する冷却方式が採用され、上方から吸気して下方へ排気する方式は、冷却効果が低くなるため採用されないのが普通である。しかし、本実施の形態では、ダクトによる局所供給を実現しているので（吸気局所供給方法）、上方から吸気して下方へ排気する方式を採用しながら、通常の冷却方式と同等の冷却効果を得ることができる。したがって、特にボックスの構造上、ボックス下方からボックスの上方へ外気を流せないような構造の場合に、本実施の形態は有効である。
また、本実施の形態は、吸気局所供給方法を採用しているので、単に、空冷ファンのみで冷却する場合のように、トランスボックス３１内での渦の発生などのトラブルが生じ難く、したがってトランス１１０を有効に冷却することができる。また、吸気局所供給方法は、同じ空冷方式であっても内部の熱した空気を排気ファンによって単に外部に排気する方法に比べて、トランス１１０を有効に冷却することができる。また、吸気局所供給方法は、排気と吸気とを併用する方法と比べても、騒音とコストの点で有利である。

また、本実施の形態では、吸気ファン３３によりトランスボックス３１内に供給した外気を、ダクト３７、３８へ送り込むことによって、２系統に分流させ、加熱部分が２箇所の分れているコイル１１２の表面側部分と背面側部分とに導いているので、トランス１１０を均一に冷却することができる。
また、空冷ファン３９、４０によって、それらの下流に集中して強い気流を生じさせるので、渦巻き上に構成されたコイル１１２間の隙間に効率良く外気を送り、まわりの空気を強制的に対流させたり、コイル１１２の熱を底部の開口部３１ａへ排気したりすることができる。これによって、コイル１１２間に熱の溜まり箇所が生じるのを防止できるので、効率の良い冷却が可能となる。

また、本実施の形態によれば、上流側に共通の吸気ファン３３を、下流側に空冷ファン３９、４０をそれぞれぞれ設置して、正常運転時は各系統で２台のファンを一緒に稼働させ、外気を供給してトランスを冷却している。このため、仮に共通の吸気ファン３３が故障して稼働しなくなる異常運転時であっても、残る空冷ファン３９、４０のみでトランス１１０を冷却させることができる。反対に、下流側の空冷ファン３９、４０の一方、または他方、あるいは両方が稼働しなくなっても、吸気ファン３３のみでトランス１１０を冷却することができる。

また、実施の形態のように、トランスボックス３１底部に放熱用の開口部を設けると、多数のトランスボックス３１を隙間無く横に並べたり（多連にしたり）、背面を壁に押しつけたりしても、放熱を確保できる。この点で、トランスボックスの側面に放熱孔を設けるのは、放熱が確保できないため、好ましくない。
また、上述した第１の実施の形態では、ファンボックス３４の側面に開口孔を設けない場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、ファンボックス３４の側面にスリット等の開口孔を設けるようにし、トランスボックス３１の上方へも吸気ファン３３から吸気された冷却気体の一部を流すようにしてもよい。この際、吸気ファン３３の吸気容量は、ダクト３７、３８および開口孔へ吸気される量が十分確保されるように設定するのが好ましい。
また、例えば、空冷ファン３９の上方の支持板４２には、ケーブルのみならず、例えば電装品を設けるようにしてもよい。

なお、上述した第１の実施の形態では、電源供給ユニット１２とは別体にトランスボックス３１を設けた基板処理装置について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図４に示すユーティリティユニット別体型の基板処理装置の電源供給ユニット１２内にトランスボックス３１を一体的に設けたものにも適用可能である。また、トランスボックス３１が小さい場合には、図５に示すユーティリティ一体型の基板処理装置の電源供給ユニット１２内にトランスボックス３１を一体的に設けたものにも適用可能である。

［第２の実施の形態］
ところで、上述した第１の実施の形態においては、トランス１１０の温度に関係なく、常時、吸気ファン３３及び空冷ファン３９を稼働してトランス１１０を冷却するようにしているが、トランス１１０の温度に応じて、吸気ファン３３及び空冷ファン３９を制御してトランス１１０を冷却するようにすることも可能である。

第２の実施の形態は、そのようなトランス１１０の温度に応じて、吸気ファン３３及び空冷ファン３９を稼働制御するようにしたものである。
図６に示すように、トランス１１０にトランス本体１１３の温度を検出する温度センサ４１を設け、この温度センサ４１による検出温度に基づいて、吸気ファン３３、空冷ファン３９を制御する冷却制御手段４５を設ける。これにより吸気ファン３３、空冷ファン３９の効率的な運用を制御するようにする。
具体的には、図７に示すように、冷却制御手段４５は、温度センサ４１の検知温度が８０℃未満か否かを判定する（ステップ７０１）。検知温度が８０℃未満のときは、トランスボックス３１内に外気を供給する吸気ファン３３のみを稼働させてトランス１１０を冷却する（ステップ７０２）。
温度センサ４１の検知温度が８０℃以上のときは、さらに検知温度が１３０℃以上か否かを判定する（ステップ７０３）。検知温度が１３０°未満のときは、吸気ファン３３に加えて、一方のダクト３７から局所供給される外気をトランス本体１１３に供給する空冷ファン３９をも稼働させて、２つの吸気ファン３３、及び空冷ファン３９によってトランス１１０を冷却する（ステップ７０４、７０５）。
ステップ７０３で検知温度が１３０℃以上である場合には、トランス１１０の温度異常と判定し、アラームを発生させるとともに基板処理装置の電源をシャットダウンさせたり、処理室９０内への処理ガスの供給に替えて不活性ガスを供給したりする等のエラー処理をする（ステップ７０６）。
この第２の実施の形態によれば、トランス１１０の温度に応じて、吸気ファン３３及び空冷ファン３９を制御するので、より省エネルギー化がはかれ、トランス１１０の発熱を有効に抑制し、トランス１１０及び周辺部品の熱劣化をさらに防止することが可能となる。

［第３の実施の形態］
第３の実施の形態は、第２の実施の形態をさらに一歩進めたもので、プロセス処理シーケンスに応じて、吸気ファン３３及び空冷ファン３９の運用を制御するようにしたものである。
具体的には、冷却制御手段４５によって次のように運用する。図３に示すように、ステップＳ１、ステップＳ４、ステップＳ５の工程では、吸気ファン３３のみを稼働させる。また、ステップＳ２のウェハ挿入工程と、ステップＳ３の昇温工程と、ステップＳ６のウェハ引出し工程では、吸気ファン３３、及び空冷ファン３９を稼働させるようにする。つまり、処理室９０内の温度が安定している工程であるステップＳ１、ステップＳ４に比べて、処理室９０内の温度を昇温させるために大容量の電力を供給する必要のある工程が含まれているステップＳ２、ステップＳ３、及びステップＳ６の工程時に、トランス１１０をより有効に冷却するように、吸気ファン３３、空冷ファン３９を両方稼働させる。なお、温度降下工程のステップＳ５では、ヒータ１０１に電力は供給されていない状態なので、吸気ファン３３の稼働のみで足りる。

この第３の実施の形態によれば、プロセス処理シーケンスに応じて、吸気ファン３３及び空冷ファン３９を制御するので、さらに省エネルギー化がはかれ、トランス１１０の発熱を有効に抑制し、トランス１１０及び周辺部品の熱劣化をさらに防止することが可能となる。

本発明の第１の実施の形態における基板処理装置に設けられるトランスボックスの透視斜視図である。本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の一部を構成する減圧ＣＶＤ処理炉の概略構成図である。本発明の第１の実施の形態の動作を示すフローチャート及びタイムチャートである。本発明の適用な可能な第１の実施の形態におけるユーティリティユニット別体型の基板処理装置の斜視図である。本発明の適用な可能な第１の実施の形態におけるユーティリティユニット一体型の基板処理装置の透視斜視図である。本発明の第２の実施の形態における基板処理装置に設けられるトランスボックスの透視斜視図である。本発明の第２の実施の形態における動作を示すフローチャートである。

符号の説明

Ａ外気（冷却気体）
３１トランスボックス（変圧器収納室）
３３吸気ファン（第１の冷却気体供給手段）
３７、３８ダクト（冷却気体流路）
３９空冷ファン（第２の冷却気体供給手段）
９０処理室
１０１ヒータ（加熱装置）
１１０トランス（変圧器）
１３０電源供給ライン
２００ウェハ（基板）

Claims

基板を処理する処理室と、
該処理室を加熱する加熱装置と、
該加熱装置に接続される電源供給ラインと、
該電源供給ラインに設けられる変圧器と、
該変圧器を収納する変圧器収納室と、
を備える基板処理装置であって、
前記変圧器収納室は、
該変圧器収納室内に冷却気体を供給する第１の冷却気体供給手段と、
前記変圧器収納室内に供給された前記冷却気体を導いて前記変圧器収納室内の局所へ供給する冷却気体流路と、
前記局所供給された前記冷却気体を前記変圧器に供給する第２の冷却気体供給手段と
を有することを特徴とする基板処理装置。