JPH06349749A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH06349749A JPH06349749A JP16310493A JP16310493A JPH06349749A JP H06349749 A JPH06349749 A JP H06349749A JP 16310493 A JP16310493 A JP 16310493A JP 16310493 A JP16310493 A JP 16310493A JP H06349749 A JPH06349749 A JP H06349749A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- nitrogen gas
- wafer
- clean
- storage chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置に於いて、処理後のウェーハの
冷却効果を向上させ、又クリーンユニットの寿命の延長
を図るものである。 【構成】反応炉１から引出されたボート５を収納するボ
ート収納室１０、該ボート収納室を少なくとも循環路の
一部に含むクリーンガス循環系を有する半導体製造装置
に於いて、前記クリーンガス循環系が冷気器１５を有
し、循環するクリーンガスの温度の上昇を抑制する。
冷却効果を向上させ、又クリーンユニットの寿命の延長
を図るものである。 【構成】反応炉１から引出されたボート５を収納するボ
ート収納室１０、該ボート収納室を少なくとも循環路の
一部に含むクリーンガス循環系を有する半導体製造装置
に於いて、前記クリーンガス循環系が冷気器１５を有
し、循環するクリーンガスの温度の上昇を抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はクリーンガス循環系を有
する半導体製造装置に関するものである。
する半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２於いて、半導体製造装置の概略を説
明する。
明する。
【０００３】反応炉１は半導体製造機の上部位置に設け
られ、反応管２は該反応炉１の内部に収納されている。
該反応炉１の下部に気密なボート収納室１０が形成さ
れ、該ボート収納室１０にはボートエレベータ３が設け
られており、該ボートエレベータ３はウェーハ４が装填
されたボート５を反応管２内部に装入、引出しする。
られ、反応管２は該反応炉１の内部に収納されている。
該反応炉１の下部に気密なボート収納室１０が形成さ
れ、該ボート収納室１０にはボートエレベータ３が設け
られており、該ボートエレベータ３はウェーハ４が装填
されたボート５を反応管２内部に装入、引出しする。
【０００４】ウェーハ４はウェーハカセット６に装填さ
れた状態で半導体製造機と外部との間の搬送が行われ、
ウェーハカセット６はウェーハカセット授受部７で中継
され、その後内部のカセットストッカ８に収納される。
れた状態で半導体製造機と外部との間の搬送が行われ、
ウェーハカセット６はウェーハカセット授受部７で中継
され、その後内部のカセットストッカ８に収納される。
【０００５】前記ボートエレベータ３と前記カセットス
トッカ８との間にはウェーハ移載機９が設けられ、又前
記ボート収納室１０と前記ウェーハ移載機９が収納され
ている空間とは連通している。
トッカ８との間にはウェーハ移載機９が設けられ、又前
記ボート収納室１０と前記ウェーハ移載機９が収納され
ている空間とは連通している。
【０００６】ウェーハ４の移載は、前記ボートエレベー
タ３により気密状態のボート収納室１０にボート５が引
出されて行われる。前記ウェーハ移載機９によりカセッ
トストッカ８に収納されたウェーハカセット６のウェー
ハ４を保持し、該保持したウェーハ４を前記ボート５に
移載する。
タ３により気密状態のボート収納室１０にボート５が引
出されて行われる。前記ウェーハ移載機９によりカセッ
トストッカ８に収納されたウェーハカセット６のウェー
ハ４を保持し、該保持したウェーハ４を前記ボート５に
移載する。
【０００７】上記した様に、ボートエレベータ３はボー
ト５を反応管２内に装入し、ウェーハ４が加熱され、更
に反応管２内に反応ガスが導入されることでウェーハ４
に薄膜の生成が行われ、ウェーハ４の成膜が完了すると
前記ボートエレベータ３がボート５を反応管２より気密
状態のボート収納室１０に引出す。引出した直後はウェ
ーハ４、ボート５は高温であるので所定の温度迄冷却さ
れた後、前記ウェーハ移載機９によるウェーハ４の移載
が行われる。
ト５を反応管２内に装入し、ウェーハ４が加熱され、更
に反応管２内に反応ガスが導入されることでウェーハ４
に薄膜の生成が行われ、ウェーハ４の成膜が完了すると
前記ボートエレベータ３がボート５を反応管２より気密
状態のボート収納室１０に引出す。引出した直後はウェ
ーハ４、ボート５は高温であるので所定の温度迄冷却さ
れた後、前記ウェーハ移載機９によるウェーハ４の移載
が行われる。
【０００８】又、ボート５がボート収納室１０に引出さ
れ、冷却される間ウェーハ４の自然酸化を防止する為、
図３に示す様に前記ボート収納室１０は窒素ガス雰囲気
にされる。
れ、冷却される間ウェーハ４の自然酸化を防止する為、
図３に示す様に前記ボート収納室１０は窒素ガス雰囲気
にされる。
【０００９】前記ボート収納室１０には窒素ガス流入管
１２が設けられ、該窒素ガス流入管１２は図示しない窒
素ガス源に接続されている。該窒素ガス流入管１２の下
方に送風ファンを具備したクリーンユニット１３が設け
られ、該クリーンユニット１３は前記ボート５が降下し
た状態で該ボート５に対向する様になっている。又前記
ボート収納室１０の下端には、循環ダクト１４が設けら
れている。
１２が設けられ、該窒素ガス流入管１２は図示しない窒
素ガス源に接続されている。該窒素ガス流入管１２の下
方に送風ファンを具備したクリーンユニット１３が設け
られ、該クリーンユニット１３は前記ボート５が降下し
た状態で該ボート５に対向する様になっている。又前記
ボート収納室１０の下端には、循環ダクト１４が設けら
れている。
【００１０】前記窒素ガス流入管１２より流入した窒素
ガスは、前記クリーンユニット１３に吸引され、前記ボ
ート５に向かって吹出される。更に、前記ボートエレベ
ータ３に沿って降下し、前記循環ダクト１４を通ってク
リーンユニット１３の吸引側に循環するという流れを形
成する。而して、前記ボート収納室１０に引出されたボ
ート５及び該ボート５に装填されたウェーハ４は、窒素
ガス雰囲気に収納されると共に前記窒素ガス流れで冷却
される。
ガスは、前記クリーンユニット１３に吸引され、前記ボ
ート５に向かって吹出される。更に、前記ボートエレベ
ータ３に沿って降下し、前記循環ダクト１４を通ってク
リーンユニット１３の吸引側に循環するという流れを形
成する。而して、前記ボート収納室１０に引出されたボ
ート５及び該ボート５に装填されたウェーハ４は、窒素
ガス雰囲気に収納されると共に前記窒素ガス流れで冷却
される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に、引出さ
れた直後のウェーハ４、ボート５は高温であるので、ウ
ェーハ４、ボート５を通過する窒素ガスが熱せられる。
熱せられた窒素ガスは前記ボートエレベータ３に沿って
降下し、更に前記循環ダクト１４を通って高温状態のま
ま前記クリーンユニット１３に戻ってくる。この為、前
記クリーンユニット１３から流出する循環窒素ガスの温
度が上昇し、ウェーハ４の冷却効果が低下し、又高温の
ガスがクリーンユニット１３を流通することでクリーン
ユニット１３の寿命が短くなるという問題があった。
れた直後のウェーハ４、ボート５は高温であるので、ウ
ェーハ４、ボート５を通過する窒素ガスが熱せられる。
熱せられた窒素ガスは前記ボートエレベータ３に沿って
降下し、更に前記循環ダクト１４を通って高温状態のま
ま前記クリーンユニット１３に戻ってくる。この為、前
記クリーンユニット１３から流出する循環窒素ガスの温
度が上昇し、ウェーハ４の冷却効果が低下し、又高温の
ガスがクリーンユニット１３を流通することでクリーン
ユニット１３の寿命が短くなるという問題があった。
【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの冷
却効果を向上させ、又クリーンユニットの寿命の延長を
図るものである。
却効果を向上させ、又クリーンユニットの寿命の延長を
図るものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応炉から引
出されたボートを収納するボート収納室、該ボート収納
室を少なくとも循環路の一部に含むクリーンガス循環系
を有する半導体製造装置に於いて、前記クリーンガス循
環系が冷気器を具備することを特徴とするものである。
出されたボートを収納するボート収納室、該ボート収納
室を少なくとも循環路の一部に含むクリーンガス循環系
を有する半導体製造装置に於いて、前記クリーンガス循
環系が冷気器を具備することを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】クリーンガスは冷却器により冷却され、ボート
が引出された際の炉口部の雰囲気温度の上昇を防止し、
ボートに保持されたウェーハの冷却時間を短縮し、又循
環するクリーンガスの温度上昇を抑制することでクリー
ンユニットの寿命を延長する。
が引出された際の炉口部の雰囲気温度の上昇を防止し、
ボートに保持されたウェーハの冷却時間を短縮し、又循
環するクリーンガスの温度上昇を抑制することでクリー
ンユニットの寿命を延長する。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１６】図１に於いて、図３中で示したものと同一
のものには同符号を付してある。
のものには同符号を付してある。
【００１７】前記ボート収納室１０にはボートエレベー
タ３が設けられ、該ボートエレベータ３のエレベータア
ーム１６に前記ボート５が乗載され、前記ボートエレベ
ータ３によって前記ボート５が前記反応管２内に装入、
或は反応管２から引出される様になっている。前記ボー
ト収納室１０に連通する様に窒素ガス流入管１２が設け
られ、該窒素ガス流入管１２は図示しない窒素ガス源に
接続されている。該窒素ガス流入管１２の下方に送風フ
ァンを具備したクリーンユニット１３が設けられ、該ク
リーンユニット１３は前記ボート５が降下した状態で該
ボート５に対向する。又前記ボート収納室１０の下端に
は、循環ダクト１４が設けられ、該循環ダクト１４の下
流端に冷却器１５が設けられる。
タ３が設けられ、該ボートエレベータ３のエレベータア
ーム１６に前記ボート５が乗載され、前記ボートエレベ
ータ３によって前記ボート５が前記反応管２内に装入、
或は反応管２から引出される様になっている。前記ボー
ト収納室１０に連通する様に窒素ガス流入管１２が設け
られ、該窒素ガス流入管１２は図示しない窒素ガス源に
接続されている。該窒素ガス流入管１２の下方に送風フ
ァンを具備したクリーンユニット１３が設けられ、該ク
リーンユニット１３は前記ボート５が降下した状態で該
ボート５に対向する。又前記ボート収納室１０の下端に
は、循環ダクト１４が設けられ、該循環ダクト１４の下
流端に冷却器１５が設けられる。
【００１８】前記窒素ガス流入管１２より流入した窒素
ガスは、前記クリーンユニット１３に吸引され、前記ボ
ート５に向かって吹出される。吹出された窒素ガスは更
に、前記ボートエレベータ３に沿って降下し、前記循環
ダクト１４、前記冷却器１５を通ってクリーンユニット
１３の吸引側に循環するという流れを形成する。
ガスは、前記クリーンユニット１３に吸引され、前記ボ
ート５に向かって吹出される。吹出された窒素ガスは更
に、前記ボートエレベータ３に沿って降下し、前記循環
ダクト１４、前記冷却器１５を通ってクリーンユニット
１３の吸引側に循環するという流れを形成する。
【００１９】窒素ガス流れは、前記ボート５、ウェーハ
４を流通する過程で加熱され昇温するが、前記冷却器１
５を通過する過程で冷却され、前記クリーンユニット１
３には冷却された窒素ガスが吸引される。而して、前記
ボート収納室１０に引出されたボート５及び該ボート５
に装填されたウェーハ４は、窒素ガス雰囲気に収納され
ると共に常に低温の窒素ガス流れで冷却される。
４を流通する過程で加熱され昇温するが、前記冷却器１
５を通過する過程で冷却され、前記クリーンユニット１
３には冷却された窒素ガスが吸引される。而して、前記
ボート収納室１０に引出されたボート５及び該ボート５
に装填されたウェーハ４は、窒素ガス雰囲気に収納され
ると共に常に低温の窒素ガス流れで冷却される。
【００２０】尚、前記冷却器は水冷式、空冷式等種々の
ものが採用でき、又冷却器は循環ダクト１４の下流端で
なくとも循環する窒素ガスを冷却できるところであれば
よく、又前記循環ダクト１４の壁面を冷却し、該循環ダ
クト１４に冷却器の機能を持たせてもよい。更に、循環
するガスは窒素ガスの代わりに他の不活性ガス、或は清
浄な空気であってもよく、更に又前記実施例は縦型炉を
有する半導体製造装置について説明したが横型炉を有す
る半導体製造装置にも実施可能である等種々の変更が可
能である。
ものが採用でき、又冷却器は循環ダクト１４の下流端で
なくとも循環する窒素ガスを冷却できるところであれば
よく、又前記循環ダクト１４の壁面を冷却し、該循環ダ
クト１４に冷却器の機能を持たせてもよい。更に、循環
するガスは窒素ガスの代わりに他の不活性ガス、或は清
浄な空気であってもよく、更に又前記実施例は縦型炉を
有する半導体製造装置について説明したが横型炉を有す
る半導体製造装置にも実施可能である等種々の変更が可
能である。
【００２１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、装置内
を循環するクリーンガスの温度を下げることができ、炉
口下部の温度上昇を防止できると共にウェーハの冷却時
間を短縮でき、更にクリーンユニットの寿命の延長を図
ることができる等の優れた効果を発揮できる。
を循環するクリーンガスの温度を下げることができ、炉
口下部の温度上昇を防止できると共にウェーハの冷却時
間を短縮でき、更にクリーンユニットの寿命の延長を図
ることができる等の優れた効果を発揮できる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略立面図である。
【図２】半導体製造装置の概略を示す斜視図である。
【図３】従来例を示す概略立面図である。
５ ボート １０ ボート収納室 １３ クリーンユニット １４ 循環ダクト １５ 冷却器
Claims (2)
- 【請求項１】 反応炉から引出されたボートを収納する
ボート収納室、該ボート収納室を少なくとも循環路の一
部に含むクリーンガス循環系を有する半導体製造装置に
於いて、前記クリーンガス循環系が冷気器を具備するこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 クリーンガスが不活性ガスである請求項
１の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310493A JPH06349749A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310493A JPH06349749A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349749A true JPH06349749A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15767252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16310493A Pending JPH06349749A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349749A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7059849B2 (en) | 2000-08-23 | 2006-06-13 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and a method for cooling a loading chamber |
| JP2007027379A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| CN111463118A (zh) * | 2015-01-21 | 2020-07-28 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法 |
-
1993
- 1993-06-07 JP JP16310493A patent/JPH06349749A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7059849B2 (en) | 2000-08-23 | 2006-06-13 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and a method for cooling a loading chamber |
| US7210924B2 (en) | 2000-08-23 | 2007-05-01 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and a method for cooling a loading chamber |
| US7819658B2 (en) | 2000-08-23 | 2010-10-26 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method therefore |
| US8147241B2 (en) | 2000-08-23 | 2012-04-03 | Tokyo Electron Limited | Method of object transfer for a heat treatment system |
| JP2007027379A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| CN111463118A (zh) * | 2015-01-21 | 2020-07-28 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法 |
| CN111463118B (zh) * | 2015-01-21 | 2024-04-30 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法 |
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