CN112563157A - 基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明防止以温度为起因的气体流量控制性的降低。本发明的基板处理装置具有：对基板进行处理的处理炉；向处理室供给对基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；控制向处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；对处理气体供给路或处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和将处理气体供给路、处理气体供给控制部、和加热器收纳的气柜。气柜具有：将气柜外的环境气体向气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将气柜内的环境气体向排气管道排出的排气口；冷却气柜内的环境气体并且测定或监视环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏到气柜内的处理气体的气体泄漏传感器。

Description

基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法。
背景技术
在半导体器件(集成电路)等的制造工序中，广泛使用对硅晶圆等基板进行薄膜的堆积、氧化、扩散、退火等热处理的基板处理装置。这种基板处理装置具有对处理室内供给处理气体的气体供给系统。为了防止泄漏气体对人曝露，气体供给系统收纳于被称为气柜(gas box)的包围结构(Enclosure)内。气柜与被管理为负压的排气管道连接，并换气。
常温下为液体的原料有时会由气化器加热以及气化而作为处理气体向处理室内供给。此时为了防止原料再次液化，能够加热配管。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007－242791号公报
专利文献2：日本特开2013－62271号公报
发明内容
在气柜内作为气体供给系统而能够收纳MFC(质量流量控制器)，MFC具有电路并控制处理气体的流量。在根据液体原料的使用等，应加热的配管的数量为大量，或将较大的被加热物配置于气柜内的情况下，有可能来不及进行热排气，气柜内的温度(MFC的环境温度)变得更高。在气柜内的温度维持得较高，而温度上下浮动的情况下，会发生因部件特性而导致气体流量控制性变差，处理后的基板的品质无法满足作为产品的品质。
本发明的目的为，提供防止基板处理装置中的气体流量控制性的降低的技术。
根据本发明的一个方式，提供一种技术，其具有：对基板进行处理的处理炉；向所述处理室供给对所述基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；控制向所述处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；对所述处理气体供给路或所述处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和将所述处理气体供给路、所述处理气体供给控制部、和所述加热器收纳的气柜，所述气柜具有：将所述气柜外的环境气体向所述气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将所述气柜内的环境气体向所述排气管道排出的排气口；冷却所述气柜内的环境气体并且测定或监视所述环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏到所述气柜内的处理气体的气体泄漏传感器。
发明效果
根据本发明，能够提供防止基板处理装置中的气体流量控制性的降低的技术。
附图说明
图1是实施方式的基板处理装置的透视图。
图2是将实施方式的基板处理装置截断的垂直剖视图。
图3是实施方式的气柜的垂直截面图。
图4是实施方式的主控制器的框图。
图5是与实施方式的气柜的温度控制关联的处理的流程图。
图6是实施方式的变形后的气柜壳体的垂直截面图。
附图标记说明
61热交换单元(温度控制设备)，62环境温度传感器，63散热翅片，64温度调整器，65吸气口，66排气口，67、69风扇，68壳体，73气柜壳体，75正面面板，81排气管道，81c气体传感器，82第1配管(第1处理气体供给路)，83第2配管(第2的处理气体供给路)，84吸入口，90处理气体供给流量控制部，92 MFC，93气阀，100处理装置，102晶圆，103处理炉。
具体实施方式
接下来，参照附图来说明本发明的优选实施方式。
在用于实施本发明的方式中，作为一例，基板处理装置作为实施半导体器件(集成电路)的制造方法中的处理工序的半导体制造装置而构成。此外，在以下的说明中，作为基板处理装置而设想进行CVD(Chemical Vapor Deposition)的批处理装置。图1表示为适用于本发明的处理装置的立体透视图。另外，图2是图1所示的处理装置的侧透视图。
如图1以及2所示，本发明的处理装置100构成为，由处理炉103来处理由能够将多个晶圆102收容的FOUP等晶舟110(也称为基板收容器、晶圆载具)搬入的晶圆102。晶舟搬入搬出口(基板收容器搬入搬出口)112以使壳体111的内外连通的方式开设于处理装置100的壳体111的正面壁111a，由前开闭闸(搬入搬出口开闭机构)113而开闭。装载端口(基板收容器交接台)114构成为，设置于晶舟搬入搬出口112的正面前方侧，并使晶舟110载置并对位。晶舟110由工序内搬送装置(未图示)搬入至装载端口114上，或从装载端口114上搬出。
旋转式晶舟架(基板收容器载置架)105构成为，设置于壳体111内的前后方向上的大致中央部中的上部，并保管多个晶舟110。旋转式晶舟架105具有：垂直地竖立设置并能够在水平面内旋转地构成的支柱116；和在上中下层的各位置中以放射状支承于支柱116的多片搁板(基板收容器载置台)117，多片搁板117在其上保持晶舟110。在本例中，虽然能够保持15个晶舟，但仅图示了其一部分。
晶舟搬送装置(基板收容器搬送装置)118设置于壳体111内的装载端口114与旋转式晶舟架105之间，由能够在保持晶舟110的状态下升降的晶舟升降机(基板收容器升降机构)118a、和作为搬送机构的晶舟搬送机构(基板收容器搬送机构)118b构成。晶舟搬送装置118通过晶舟升降机118a和晶舟搬送机构118b的连续工作，而能够在装载端口114、旋转式晶舟架105、晶舟开启器(基板收容器盖体开闭机构)121之间搬送晶舟110。
子壳体119构筑于壳体111内的前后方向上的大致中央部中的下部，划分出装填室(也称为装载区域、移载室)124。在子壳体119的正面壁119a，沿垂直方向排列为上下二层地开设有一对用于将晶圆102相对于子壳体119内搬入搬出的晶圆搬入搬出口(基板搬入搬出口)120，在晶圆搬入搬出口120各自设置有晶舟开启器121。晶舟开启器121具有：载置晶舟110的载置台122；和将晶舟110的盖(盖体)装卸的盖装卸机构(盖体装卸机构)123。晶舟开启器121构成为，通过将载置于载置台122的晶舟110的盖由盖装卸机构123装卸，而将晶舟110的晶圆取放口开闭。
装填室124构成为，与晶舟搬送装置118和旋转式晶舟架105的设置空间流体隔绝，或者通过保持为比设置空间高的压力(正压)而仅单向地实现流体连通。晶圆移载机构(基板移载机构)125设置于装填室124的前侧区域，由能够使晶圆102在水平方向上旋转或直线运动的晶圆移载装置(基板移载装置)125a、用于使晶圆移载装置125a升降的晶圆移载装置升降机(基板移载装置升降机构)125b、和部件125c构成。晶圆移载装置升降机125b沿着上下方向设置于子壳体119内的右侧面。晶圆移载装置125a的夹钳部件(基板保持体)125c通过晶圆移载装置升降机125b以及晶圆移载装置125a的工作，而使晶圆102载置或将其夹住，将晶圆102相对于晶舟(基板保持件)127进行装填(装入)以及拆下(取出)。
在移载室124的后侧构成有供晶舟127待机的待机区域126。处理炉103以将炉口设在下方的方式设于待机区域126的上方。处理炉103的炉口由炉口开闭闸(炉口开闭机构)147开闭。
晶舟升降机(基板保持件升降机构)115设置于子壳体119内的待机区域126的右侧面，使晶舟127升降。臂128与晶舟升降机115的升降台连结，将作为炉口的盖的密封盖129保持为水平。密封盖129构成为，垂直地支承晶舟127，能够将处理炉103的炉口的下端部气密地封闭。晶舟127具有多根柱(保持部件)，使多片(例如，50片～125片左右)晶圆102在将其中心对齐沿垂直方向排列的状态下各自保持为水平。
在移载室124内的左侧面部，设置有将作为清洁化后的环境气体或非活性气体的清洁空气133向移载室124供给的清洁单元134。清洁单元134具有供给风扇以及防尘过滤器。在移载室124内，设置有作为使晶圆的圆周方向的位置对准的基板对准装置的凹槽对准装置(未图示)。从清洁单元134吹出的清洁空气133构成为，在向凹槽对准装置以及晶圆移载装置125a、处于待机部126的晶舟127流通之后，由沿着晶圆移载装置升降机125b和晶舟升降机115而设的吸气口(未图示)吸入，向壳体111的外部排出，或被循环至作为清洁单元134的吸入侧的一次侧(供给侧)，并再次由清洁单元134向移载室124内吹出。
气柜140a、140b具有沿上下以及前后长的长方体状，以使其一侧面与壳体111的侧面连续为一条直线的方式设于壳体111的背面，并将气体供给系统收纳。另外，在其他的侧面设有进行开闭的维护门80，以能够维护气体供给系统。以下，将设有维护门80的面设为气柜140a、140b自身的正面。前面面板75包含维护门80，构成气柜140a、140b的正面。上侧的气柜140a收纳气体原料和运载气体的气体单元、和终端阀(final valve)等，下侧的气柜140a收纳液体原料的罐和气化器、以及这些的流量控制部等。气柜140b对于气柜140a成为处理气体源。
以下，说明气柜140a的内部构成来代表气柜140a、140b。如图3所示，气柜140a具有作为将整个侧面覆盖的外壳的气柜壳体73，在气柜壳体73的上表面74设有与排气管道81连接并将内部的环境气体(空气)排出的排气口81a。另外，在前面面板75的下方设有用于将气柜壳体73外的环境气体(例如空气)向气柜壳体73内吸入的吸入口84。排气管道81由不锈钢制的柔性管等连结，使排气气体排出至在基板处理装置以外的清洁室设置的处理系统排气路。在排气管道81的中途，设有用于调整排气流量的手动的阻尼阀81b、和检测泄漏气体的气体传感器81c。
在气柜140a设有：作为第1处理气体供给路的第1配管82，该第1处理气体供给路经由处理气体供给流量控制部90向处理炉103内的处理室供给对晶圆102进行处理的处理气体；作为第2配管的第2配管83，该第2配管向处理气体供给量控制部90供给处理气体；和作为连接于第1配管82与第2配管83之间的气体单元的处理气体供给流量控制部90。在本例中，朝向处理室201延伸的第1配管82从气柜壳体73的内部通过上表面而向外部引出。从处理气体源延伸来的第2配管83从气柜壳体73的外部通过底面77引入至内部。在第1配管82、第2配管83、处理气体供给量控制部90的基础上，作为包括罐和气化器等的总称而将它们称为气体供给系统。
通常，在处理装置100中，在对晶圆进行热处理时使用多种化学物质。化学物质分类为可燃性、支燃性、毒性、腐蚀性等，针对各个物质规定了允许曝露浓度。将化学物质向热处理炉搬送的第1配管8和第2配管83由于通常使用不锈钢，使用接头等来连接，所以具有向外部泄漏的可能性。因此通常会将配管收纳至气柜(包围结构)，在气柜内排气而防止当化学物质泄漏时向作业员暴露。阻尼阀81b进行调整，以将气柜内下降至能够防止因化学物质泄漏而暴露的压力。由排气管道81进行的换气不仅由化学物质进行，也由热排气进行。
在气柜140a内具有基盘91，该基盘91沿着与气柜壳体73的前面面板75相对的后板76的内壁设置，支承第1配管82和第2配管83、处理气体供给量控制部90的各组件。另外，在气柜140a内还设有配管加热器99和热交换单元61。
处理气体供给量控制部90在下游端与第1配管82连接，在上游端与第2配管83连接，控制向第1配管82流入的处理气体b的供给流量或供给压力。在简单的例子中，处理气体供给量控制部90构成为，从上游朝向下游串联连接有流量控制器(MFC)92、气阀93、以及过滤器94。通常，包括这种流量控制器流量控制器的构成会针对气体种类的数量、喷嘴的数量或者它们组合的数量而设置多个。MFC92各自具有将流路包括在内的金属制块体部、和对流路的传导性进行控制以及驱动的电气控制部。
配管加热器99对气体供给系统内的气化后的液体原料能够通过的部分(加热对象)的第1配管82、第2配管83、MFC92、气阀93、以及过滤器94进行加热。配管加热器99优选为能够将对象均匀地加热，使用能够沿着流路安装的条式加热器(Ribbon heater)和带式加热器(Tape heater)等电加热器。而且，隔热材料(未图示)以将这些加热器覆盖的方式卷绕。配管加热器99能够升温至180℃左右，对象的温度根据与蒸气压的关系而控制为，成为能够防止再次液化的温度，例如为30℃～100℃。温度设定为液体原料流通的主路径比支线高，在主路径中，越靠下游设定得越高。MFC92、气阀93中，将流路包括在内的金属制块体部是加热的对象，从没有由隔热材料覆盖的电气控制部释放较多的热量。因此，配管加热器99针对设定温度或者加热量不同的每个对象而分割设置，并与温度控制用的温度传感器(未图示)一起设置。在气柜140b的情况下，原料罐、气化器等也会使气柜内温度上升。将这些和配管加热器99总称为发热体。
此外，当对处理炉103内的处理室等进行干式清洁时，在将流路的主路径包括在内的第1配管82和第2配管83内，没有流动被气化的原料，而流动有清洁气体。此时，为了防止配管的过度蚀刻和腐蚀，配管加热器99的温度被临时设定得低，或者使加热自身停止。此外，在将温度降低之前，将配管从液体原料隔绝后，使氮气等清扫气体以充分的时间在配管内流通，将配管内干燥，并使其换气。
在前面面板75的下侧，通过多个狭缝而形成有吸入口84。整流翅片87在吸入口84的内侧与前面面板75平行地设置，将吸入口84与处理气体供给流量控制部90的上游端之间的空间分隔。该空间朝向下方开口，该整流翅片87使从吸入口84吸入的空气a的流动的朝向转换为向下朝向。空气a从整流翅片87与底面77之间的间隙88通过，由此一边充分地清扫底部一边在气柜140a的内部向上方流动。整流翅片87还防止从吸入口84通过的流动(尤其是流速)因后述的风扇69的工作而紊乱。
作为温度控制设备的热交换单元61安装于前面面板75的内面侧，将气柜140a的环境温度降低。热交换单元61具有环境温度传感器62、散热翅片63、温度调整器64、吸气口65和排气口66、作为第1风扇(冷却介质风扇)的风扇67。环境温度传感器62对气柜140a内的空气的温度进行测定，优选为热容量小且应答性好的热电偶。环境温度传感器62为了对气柜140a内的空气的代表性温度进行测定，而在气柜140a内以从尤其为高温的物体适度离开的方式设于例如气柜140a的中心附近。或者也能够为，重点关注温度变动最会影响膜质的那一个MFC92的电气控制部的温度的稳定化，使温度传感器62与该电气控制部热耦合地设置。
散热翅片63构成为，将气柜140a内外流体隔绝，同时进行热交换。散热翅片63为金属制，具有多个折叠或折回，扩大气柜140a内外各自的与空气的接触面积。即，散热翅片63的内气侧(第1面)在气柜140a内露出。
风扇67通过在散热翅片63的外气侧(第2面侧)制造空气的流动而调整热交换的效率。吸气口65和排气口66是设于前面面板75或散热翅片63的壳体上的开口，使气柜140a外的空气向散热翅片63内流通。以不使气柜140a内外连通的方式在前面面板75与散热翅片63之间设有垫圈(未图示)等。
温度调整器64以使环境温度传感器62探测到的温度接近规定温度的方式控制风扇67的转速。风扇67被控制为，气柜内的环境温度越高则转速越大，另一方面，若为室温程度则停止旋转。此外，风扇67不限于安装于排气口66，也可以在吸气口65安装风扇67。该控制不限于反馈控制，也可以为，例如利用气柜内的发热体的设定温度与环境温度的关系，对风扇转速进行前馈控制。或者也可以为，参照保持发热体的设定温度与风扇转速之间的关系的表格来决定风扇转速。温度调整器64可以独立地设于热交换单元61或气柜140a之外。
图6表示变形例的气柜壳体的内部构成。在该图中，省略了处理气体供给量控制部90等的一部分的构成。热交换单元61明显地具有壳体68，其中形成有由散热翅片63划分的两个腔室。外侧的腔室以使外气从吸气口65、风扇67、排气口66通过的方式构成。另外，在内侧的腔室中构成为，通过设于吸气口68a的作为第2风扇(循环风扇)的风扇69而使内气从设于壳体68的吸气口68a、吹出口68b通过而流通。此时，壳体68以使由风扇69形成的流动在散热翅片63中充分通过的方式诱导空气。壳体68还考虑了气体泄漏时向作业员暴露的防止，将外气侧与气柜侧完全隔绝。
在此，气体配管的加热是以防止气体因从变冷的配管中通过而再次液化为目的，因环境温度变得过低而导致加热器的温度控制性恶化，或因一部分过分变冷而发生再次液化的风险。因此，在想要将气柜内的温度保持为固定的情况下，温度调整器64任意地控制风扇67和风扇69的转速，能够将气柜内的温度保持为室温以上的某种固定的温度。
此外，因风扇69而在气柜140a内循环的空气优选为，从吹出口68b吹出后，到达加热对象的处理气体供给量控制部90等之前在气柜140a内充分扩散。由此防止因从吹出口68b吹出的低温空气而导致配管等局部冷却。例如，吹出口68b设于不面对处理气体供给量控制部90的位置。
另外，在控制风扇69的转速的情况下，假设空气的温度即使是固定的，来自处理气体供给量控制部90的散热量也会因转速的变动而变动，具有温度变化的可能性。尤其，配管加热器99和没有由隔热材料覆盖的MFC92的电气控制部等温度会变动。因此，只要没有变更配管加热器99的设定温度，就将转速设为固定，或能够将转速的变化率限制为非常小的值。例如，在通过数字PID(Proportional-Integral-Differential；比例微分积分)控制器而安装温度调整器64的情况下，进行如将向风扇69的输出(操作量)的变化率限制为比向风扇64的输出的变化率小那样的设定。温度调整器64与控制处理装置整体的主控制器131能够通信地连接，能够设定目标温度等。
虽然省略了气柜140b的详细说明，但与气柜140a同样地构成。此外，气柜140b的排气口81a也可以设于气柜140b的侧面。设于气柜140b的原料罐或者气化器大多以大电力加热，释放的热量也变多。因此若没有恰当的冷却，则会间接加热在上方相邻的气柜140a。
在此参照图4来说明作为控制部的主控制器131的构成。主控制器131构成为，具有CPU(Central Processing Unit)131a、RAM(Random Access Memory)131b、储存装置131c、I/O端口131d的计算机。RAM131b、储存装置131c、I/O端口131d以经由内部总线能够与CPU131a进行数据交换的方式构成。在控制器131上，连接有例如构成为触摸面板等的输入输出装置132、和用于从外部记录介质加载后述的控制程序等的介质读取器133。
储存装置131c例如由闪存、HDD(Hard Disk Drive)等构成。在储存装置131c内以能够读取的方式存储有控制基板处理装置的工作的控制程序、和后述的记载了半导体器件的制造方法的顺序和条件等的工艺配方(process recipe)等。工艺配方使后述的半导体器件的制造方法中的各工序(各步骤)被控制器131执行，以能够获得规定结果的方式组合，并作为程序而发挥作用。以下，将该工艺配方、控制程序等仅总称为程序。本说明书中使用程序这一词语的情况是仅包括工艺配方单体的情况、仅包括控制程序单体的情况、或包括工艺配方以及控制程序的组合的情况。RAM131b构成为，临时保持由CPU131a读取的程序和数据等的存储区域(工作区域)。
I/O端口131d构成为，通过电气信号而能够操作上述的MFC92、气阀93、配管加热器99、装载端口114、旋转式晶舟架105、晶舟搬送装置118、晶舟开启器131、晶圆移载机125、晶舟升降机115、炉口开闭闸147等。
CPU131a构成为，从储存装置131c读取控制程序并将其执行，并且根据来自输入输出装置132的操作命令的输入等而从储存装置131c读取配方等。CPU131a构成为，以依照读取的配方内容的方式控制MFC92、气阀93、配管加热器99等处理装置100的各部分。
图5表示基于温度调整器64以及主控制器131执行的气柜140a、140b的温度控制的流程的一例。该处理在发热体通电的期间内反复持续。也就是说，在气柜140a内因通电而成为超过目标温度的高温之前，通过由主控制器131设定目标温度而开始。
在步骤S10中，温度调整器64作为控制量来获取环境温度传感器62的探测温度。
在步骤S11中，温度调整器64决定转速。例如读取上次保存的内部状态，基于该内部状态、和探测温度与目标温度之间的差量来更新内部状态。并且，基于新的内部状态来计算作为操作量的转速。在此，内部状态是指，例如向微分器的输入信号和积分器的输出信号。用于风扇67控制的PID参数设定为，时间常数比风扇69的PID参数小。
在步骤S12中，温度调整器64对风扇67设定转速。例如向风扇67施加与转速对应的电压。由此风扇67以决定的转速旋转。此时，从吸入口84取入至气柜140a内的外部环境气体由热交换单元61的散热翅片63冷却，并从排气口81a向排气管道81排出。
在步骤S14中，温度调整器64当判断为控制量或操作量处于异常状态时，报告主控制器131和错误信号。或者，温度调整器64也可以仅将现在的控制量和操作量向主控制器131传递，由主控制器131进行异常的判断。异常状态是指，控制量比目标温度大了规定以上的情况、或操作量在规定时间以上以最大值饱和的情况。另外，在能够探测风扇的实时转速的情况下，也可以将风扇的停止(故障)判断为异常。
在步骤S15中，在步骤S14中探测到异常的情况下，主控制器131执行对应的规定的联锁工作。具体地，对气阀93或者更上游的阀进行操作而停止与设定为特别高的温度的配管或者发热量大的发热体相关的气体的供给，并且适当地使清扫气体在第1配管82、第2配管83内流通，另外，停止或减弱向配管加热器99等发热体的供电。当晶圆的处理配方正在进行时，中断配方并发出警报，等待由操作员执行的确认。此外，在异常轻微的情况下，也可以在发出警报的同时继续执行配方。在此期间，异常温度的推移、或异常所持续的时间的累积作为日志而记录。
在步骤S16中，主控制器131判断气体传感器81c是否探测到泄漏气体(发出气体泄漏警报)，在探测到泄漏气体的情况下，执行对应的规定的联锁工作。具体地，在与步骤S15同样的阀操作的基础上，使风扇67停止。这是由于存在如下隐患：因风扇67的工作而扩大的气柜140a内的压力偏差会导致发生来自气柜壳体73的未预期的泄漏，或基于风扇67的搅拌来破坏由如从吸气口84向排气口81a那样的流动所维持的扩散界限，因朝向吸气口84的气体扩散而导致发生泄漏。通过使风扇67停止，能够使针对气体泄漏的安全性最大化。
根据本实施方式，通过设置在维持气柜140a的气密性的同时能够将内部冷却的热交换单元61，即使在加热的配管的数量为大量的情况和在气柜内配置有较大的被加热物的情况下，也能够将气柜内的空气保持为规定以下的温度，能够维持基板处理的生产性，成为电气部件等难以破损的装置。电气部件不限于用于MFC的能动部件，也包括配线线缆等。
若相反地来讲，通过本实施方式，能够一边将气柜内的空气保持为规定以下的温度，一边提高能够将配管等加热的上限温度。若用其他说法，能够扩大被加热物(配管等)与不是被加热物的部件(电气部件等)之间的温度差。电气部件除了当温度上升时会短寿命化之外，还会释放不希望的气体(有机气体和磷等金属)，会降低晶圆的处理品质。
另外，根据本实施方式，不会使向排气管道81的排气增加，就能够将气柜内保持为规定以下的温度。对于处理气体系统的排气，会耗费用于除害的成本，向其流动大量空气也会导致运用成本的增加。另外，有时为了将紧急时排出的爆炸性气体稀释至其爆炸的下界限以下的浓度，会在排气管道81中流动大量的非活性气体，若为了在此时不超出排气能力而准备充足的排气能力，则设备成本会增加。
另外，根据本实施方式，通过将热交换单元61安装于正面面板的维护门80，不会使气柜大型化，能够使热交换单元61具备充足的冷却能力。热交换单元61由于是空冷式，所以仅需要由电气线缆实现的连接，容易安装于可动的维护门80，也易于进行风扇67的交换。
在上述的实施方式的说明中，处理气体供给量控制部90构成为，MFC92等组件通过独立配管而相互连接，但也可以作为集成化气体系统而实现。在该情况下，基于配管加热器的加热以基块为单位来进行。基块在其上搭载有部件，将部件间直接连接或者经由配管连接，由此形成流路。另外，能够在相邻的MFC间设置供空气流通的间隙，防止电路部的过热。

Claims (17)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
包括对基板进行处理的处理室的处理炉；
向所述处理室供给对所述基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；
控制向所述处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；
对所述处理气体供给路或所述处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和
将所述处理气体供给路、所述处理气体供给控制部、和所述加热器收纳的气柜，
所述气柜具有：将所述气柜外的环境气体向所述气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将所述气柜内的环境气体向所述排气管道排出的排气口；冷却所述气柜内的环境气体并且测定或监视所述环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏到所述气柜内的处理气体的气体泄漏传感器。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备具有能够对从所述气柜内向所述气柜外的低温源输送的热能的量进行控制的热交换器。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述热交换器设于所述气柜的内部，将所述气柜外的空气作为所述低温源来使用，与设于所述气柜的上通气口以及下通气口连通，并构成为，与相对于设有气体控制单元的空间而被截断的外部空气流路接触，并且也与所述空间接触，在所述外部空气流路设有冷却介质风扇。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理气体供给控制部具有多个质量流量控制器，
所述加热器将所述多个质量流量控制器中的气化后的液体原料所通过的质量流量控制器加热至能够防止再次液化的温度。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热器对气化后的液体原料所通过的所述质量流量控制器的将流路包括在内的金属制块体部进行加热。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，金属制块体部由隔热材料覆盖。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备具有：散热翅片，其具有与所述气柜内的环境气体接触的第1面以及与所述气柜外的环境气体接触的第2面；对所述第1面形成环境气体的气流的第1风扇；测定气柜内的温度的温度传感器；和温度调整器，其根据所述温度传感器测定的温度来控制对第2面形成环境气体的气流的所述第1风扇的转速。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度传感器测定气柜内的空气的代表性温度。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理气体供给控制部具有多个质量流量控制器，
所述温度传感器与所述多个质量流量控制器中的一个质量流量控制器的电气控制部热耦合。
10.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备还具有对所述空间形成环境气体的气流的循环风扇。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，当所述气体泄漏传感器探测到泄漏时使所述循环风扇停止。
12.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备还具有对所述第2面形成环境气体的气流的第2风扇，所述第2风扇的转速是由所述加热器的设定温度决定的固定值。
13.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度控制设备还具有对所述第2面形成环境气体的气流的第2风扇，
所述温度调整器控制所述第2风扇的转速。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度调整器与向第1风扇的操作量的变化率相比更加限制向第2风扇的操作量的变化率。
15.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述热交换器设于所述气柜的开闭门。
16.一种气柜，其装备于基板处理装置，所述气柜的特征在于，具有：
壳体，其收纳向所述处理室供给对所述基板进行处理的处理气体的处理气体供给路、以及控制向所述处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部、和对所述处理气体供给路或所述处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；
吸入口，其将所述气柜外的环境气体吸入至所述气柜内；
排气口，其与排气管道连接，并将所述气柜内的环境气体向所述排气管道排出；
温度控制设备，其冷却所述气柜内的环境气体，并且测定或监视所述环境气体的温度；和
气体泄漏传感器，其探测泄漏到所述气柜内的处理气体。
17.一种半导体器件的制造方法，具有向处理室供给处理气体而对基板进行处理的工序，所述半导体器件的制造方法的特征在于，在对所述基板进行处理的工序中，具有：
取得气柜的内部环境气体的温度的工序，该气柜收纳向所述处理室供给对所述基板进行处理的处理气体的处理气体供给路、以及控制向所述处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部、和对所述处理气体供给路或所述处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；
基于取得的所述温度来决定对所述气柜的内部环境气体进行冷却的温度控制设备的风扇的转速的工序；和
由温度控制设备冷却通过吸入口从所述气柜外取入至所述气柜内的所述内部环境气体并将其从排气口向排气管道排出的工序。
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