JP2007237219A - 粉末成形金型及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも前記粉末を押圧する部位の金型表面を、粗面または放電加工による電極と金型基材との混合層と、前記粗面または前記混合層上に成形された0.3GPa以下の残留応力を有する非晶質炭素系硬質膜とから少なくとも構成する。これにより、高硬度で耐摩耗性があり、表面が平滑で摩擦係数が小さく、優れた離型性、耐薬品性・耐食性、摺動性という特性を有する上に耐衝撃性が向上した粉末成形金型が得られる。
【選択図】図2
Description
前記粗面加工により微小な凹凸面が無数に形成され前記粗面と前記非晶質炭素系硬質膜の密着面積が増加することによって非晶質炭素系硬質膜の高結合性、高密着性が実現され、非晶質炭素系硬質膜が金型表面より剥離することが防止できる。
また、本発明者等は、この粗面形成によって金型素材から混合層表面までの硬度分布を作製する非晶質炭素系硬質膜の硬度に傾斜的に近づけること、さらにプラズマイオン注入法を用いて最適なイオン種を注入することで基材と被膜の密着性が格段に良くなることを発見し、前記0.3GPa以下に抑制した残留応力を有する非晶質炭素系硬質膜と金型表面との間に極めて緩やかな硬度分布と応力分布勾配を意図的に形成することに成功した。
その結果、非晶質炭素系硬質膜が金型表面に強固に結合し剥離防止効果が助長され、総合的に前記粗面と前記非晶質炭素系硬質膜との強結合を実現した。そのため、非晶質炭素系硬質膜本来の特性である高硬度、耐摩耗性等を損なうことなく、高密着で剥離しにくく、耐衝撃性がある非晶質炭素系硬質膜を実現したものである。
プラズマイオン注入により注入したイオンにより、非晶質炭素系硬質膜の性質を変えることができる。注入するイオンにより、炭素だと非晶質炭素系硬質膜の高密着化、窒素だと非晶質炭素系硬質膜の内部応力の減少による高密着で剥離しにくく耐衝撃性の向上、シリコンだと非晶質炭素系硬質膜の低摩擦化、チタンだと非晶質炭素系硬質膜の応力緩和と厚膜化、フッ素だと非晶質炭素系硬質膜の耐食性向上・低摩擦化・非粘着性(離型性向上)が図れる。もちろん、注入したイオンは、非晶質炭素系硬質膜を透過して傾斜層に達しても良い。これらを添加しても、非晶質炭素系硬質膜本来の特性である高硬度、耐摩耗性等を損なうことがないのは云うまでもない。
非晶質炭素系硬質膜の残留応力を0.3GPa以下に調整するためには、炭化水素系ガスの選択とイオン注入と成膜時の負の高電圧パルス電圧の設定が必要である。前記炭化水素系ガスとして例えばアセチレンガスを用いると、高電圧パルスの設定電圧を高くするとイオン注入がなされるとともに膜堆積もなされ、かつ残留応力は低くなるため、前記残留応力を0.3GPa以下にするためには、高電圧パルスの設定電圧を10kV以上〜20kVの範囲にする必要がある。さらに炭化水素系ガスとして例えばトルエンガスを用いると、非晶質炭素系硬質膜の残留応力は負の高電圧パルスの設定電圧1〜7kVにて0.3GPa程度以下が実現できる。これら炭化水素系ガスの選択とパルス電圧の設定で、本発明者等は残留応力が低く耐衝撃性が向上した非晶質炭素系硬質膜の成膜を実現したものである。
更に、粉末成形金型に用いる基材としては、炭素鋼、合金工具鋼、高速度工具鋼又はステンレス鋼を用いることができる。前記粗面により、前記0.3GPa以下の残留応力を有する非晶質炭素系硬質膜と金型表面との間に極めて緩やかな応力勾配を形成させることができる。更に、粗面加工した金属材料では、本発明の非晶質炭素系硬質膜のビッカース硬さHVが800〜2000、粗面処理後の金属表面のビッカース硬さHVが1000程度、例えば高速度工具鋼のビッカース硬さHVが800程度であるので、前記非晶質炭素系硬質膜と前記金型表面との間に極めて緩やかな硬さ勾配を形成させることができる。緩やかな応力勾配及び緩やかな硬さ勾配により、前記非晶質炭素系硬質膜と前記金型表面とが強固に結合する。更に、本発明に係る製造方法では、前記複合プロセスにより、非晶質炭素系硬質膜の残留応力分布と硬度分布を自在に調整できるから、柔らかい金属基材に高密着且つ硬度分布を持たせた非晶質炭素系硬質膜を成膜することができる。
混合層を形成した粉末成形金型の基材としては、炭素鋼、合金工具鋼、高速度工具鋼又はステンレス鋼を用いることができる。前記金型中の金属と前記混合層は金属同士が強固に結合に加え、前記混合層中の炭素やタングステンと前記非晶質炭素系硬質膜を構成する炭素との強固な化学結合により前記混合層と前記非晶質炭素系硬質膜とが強固に結合し、その結果前記非晶質炭素系硬質膜は前記金型と極めて強固な結合をする。
このように混合層を形成した粉末成形金型では、前記非晶質炭素系硬質膜の前記金属材料への高結合性、高密着性が実現され、非晶質炭素系硬質膜本来の特性である高硬度、耐摩耗性等を損なうことなく、前記非晶質炭素系硬質膜が前記金型表面より剥離することが防止でき、耐衝撃性が向上する。
非晶質炭素系硬質膜に、炭素、窒素、シリコン、チタン及びフッ素をイオン注入する効果は前述した通りである。非晶質炭素系硬質膜の成膜と各種のイオン注入を同時に行うことができるので、極めて効率的に意図的に機能設計された非晶質炭素系硬質膜を成膜することができるので、大量生産に最適である。
図1は、本発明に係る粉末成形金型が複数配設された錠剤製造装置の概略構成図である。この実施例では、残留応力が0.3GPa以下に制御された非晶質炭素系硬質膜が被覆された粉末成形金型により、医薬品やサプリメント等の錠剤を製造する製造装置を示す。前記粉末成形金型は、上杵2、下杵4及び臼状部6から構成され、以下にこの粉末成形金型が複数配設された錠剤製造装置の製造工程を説明する。原料8がホッパ10からフィードシュー12に入れられ、矢印方向に、フィードシュー12及び臼状部6が回転卓20により、下杵4が第1圧力調整軌道14に従い夫々移動する間に、原料8は所定量が臼状部6及び下杵4に残るように調整される。回転卓20に従い臼状部6が移動する間に、下杵4が第2圧力調整軌道16に従い移動、上下することにより、所定量の原料8が臼状部6及び下杵4に残るように微調整され、さらに原料8が上杵2、臼状部6、下杵4で形状、圧力を調整される。下杵4が予圧下ロール22により、上杵2が予圧上ロール26により夫々原料8を予圧した後、下杵4が本圧下ロール24により、上杵2が本圧上ロール28により夫々原料8を加圧成形する。出来上がった錠剤30は、第3圧力調整軌道18に従い下杵4が動くことにより臼状部6から押し出され、スクレーパ32で所定の場所に集められる。
図6は本発明に係る非晶質炭素系硬質膜の成膜装置の構成概略図である。この成膜装置は、本発明者等が開発したものであり、詳細は前述の特許文献3に記載されている。本発明者等は、鋭意研究の結果、この成膜装置の設定を調整して非晶質炭素系硬質膜の残留応力が0.3GPa以下に制御する方法を開発するに到った。前記成膜装置には、基材34を収容するチェンバー36と、基材34の所定部だけに非晶質炭素系硬質膜を成膜するためのカバー35と、チェンバー36の下壁36aに接続されたガス供給用パイプ38と、ガス供給用パイプ38の先端寄り部分に取り付けられたガス導入用バルブ40が設けられている。更に、前記チェンバー36の側壁36bには、排気用パイプ42が接続され、この排気用パイプ42の先端寄り部分に排気用バルブ44に取り付けられ、この排気用パイプ42の基端側にはチェンバー36内を真空にするための真空装置60が接続されている。前記ガス供給用パイプ38の基端側にはガス供給槽62が接続されており、ガス供給槽62内には非晶質炭素系硬質膜成膜に必要な種々のガスが個別に貯蔵されている。また、ガス供給槽62からのガス供給はマスフローコントロール(図示せず)で行う。
なお、前記非晶質炭素系硬質膜を成膜するのは粉末を押圧する部位だけでよいが、成膜プロセスによっては他の部位にも前記非晶質炭素系硬質膜を成膜しても良い。
そのため、従来のDLC膜に比べて、剥離しにくく耐摩耗性などが向上した非晶質炭素系硬質膜が量産できることや、使用目的により改善させる性質が決まるが、これに応じて注入するイオンの種類も決まるのは、前述の通りである。
なお、本案件は前記非晶質炭素系硬質膜を成膜するのは粉末を押圧する部位につき主張しているが、金型の摺動面である胴体側面周囲、カム摺動面である金型頂部などの部位にも前記非晶質炭素系硬質膜を成膜しても良い。
各試験金型の材料は、夫々炭素鋼(JIS S50C)、合金工具鋼(JIS SKD11)、及び高速度工具鋼(JIS SKH51)である。比較のために、従来から金型材として標準的に使用されている硬質クロムメッキを施した合金工具鋼(JIS SKD11)及び超硬合金でも打錠試験を行った。
ショットブラストによる粗面加工を施すことによって、ビッカース硬さHVを1000程度にすることができ、皮膜する非晶質炭素系硬質膜の硬度に相当する値となる。
また、ショットブラストによる粗面加工処理後における各試験片表面近傍のX線残留応力測定の結果、各試験片表面近傍に存在する残留応力は、約0.2GPaから約1GPaまで増大することがわかり、処理表面近傍に大きな残留応力を付与する。このため、プラズマイオン注入・成膜法におけるイオン注入層および基材と皮膜する非晶質炭素系硬質膜の界面下地処理層の応力値と近似させることができ、前記粗面加工により、0.3GPa以下の残留応力を有する非晶質炭素系硬質膜と前記金型表面との間に極めて緩やかな応力勾配を形成させることができる。
ショットブラストによる粗面加工処理後、前記成膜装置を用いて、前記各材質の試験金型88、90の表面に約2μmの膜厚の非晶質炭素系硬質膜を成膜した。
[ステップ1]
真空装置60によりチェンバー36内を真空状態とした後、該チェンバー36内にガス供給槽62よりアルゴンと水素との混合ガスを導入する。その後、パルス幅100μsの高周波パルスを前記棒状試験片88、90に印加した後、その印加中や印加終了後から50μsまでの間に、パルス幅10μsの負の高電圧パルスを10kvの電圧で前記棒状試験片88、90に一回印加することを約2000回/秒繰り返し、そして、この操作を約30分間行うことにより、各試験金型の表面調整を行った。
次に、ガス供給槽62よりチェンバー36内にメタンガスをキャリアガスとしてテトライソプロポキシチタンを、補助ガスとして水素、窒素を適量導入した。その後、パルス幅30μsの高周波パルスを前記各試験金型88、90に印加した後、その印加直後から40μsまでの間に、パルス幅10μsの負の高電圧パルスを15kvの電圧で前記試験金型88、90に一回印加することを約1000回/秒繰り返し、この操作を約30分間行った。
更に、前記ステップ2の1における負の高電圧パルス電圧を、パルス幅30μsの高周波パルスを各試験片に印加した後、その印加終了から100μsの後において、パルス幅10μsの負の高電圧パルスを10kvの電圧で各試験金型に一回印加することを約2000回/秒繰り返し、そして、この操作を約10〜50分間行う。
次に、ガス供給槽62よりチェンバー36内にヘキサメチルジシロキサンと水素との混合ガスを導入した。その後、パルス幅30μsの高周波パルスを各試験金型に印加した後、その印加終了直後から40μsまでの間に、パルス幅3μsの負の高電圧パルスを20kvの電圧で前記各試験金型に一回印加することを約1000回/秒繰り返し、そして、この操作を約10〜30分間おこなう。
次に、ガス供給槽62よりチェンバー36内にヘキサメチルジシロキサンとメタン及びアセチレンの混合ガスを導入した。その後、パルス幅30μsの高周波パルスを各試験金型に印加した後、その印加直後から40μsまでの間に、パルス幅10μsの負の高電圧パルスを5kvの電圧で各試験金型に一回印加することを約2000回/秒繰り返し、そして、この操作を約10〜50分間行う。以上の工程(ステップ)により、炭素と結合する上で好ましい表面状態が各試験片に形成される。
前記ステップ3の2とオーバーラップして、非晶質炭素系硬質膜の残留応力を0.3GPa以下に調整するために、ガス供給槽62よりチェンバー36内に非晶質炭素系硬質膜の主原料となる炭化水素系ガスとして、トルエン、メタン及びアセチレンの混合ガス、および補助ガスとして窒素、シリコン、フッ素原子を含む有機ガスを適量を時系列に制御しながら導入し、パルス幅30μsの高周波パルスを各試験片に印加した後、その印加終了直後から100μs後において、パルス幅10μsの高電圧パルスを15kvの電圧で各試験片に一回印加することを約4000回/秒繰り返し、そして、この操作を約30分間行う。
その後、負の高電圧パルスの印加電圧を15kvの電圧から、10〜3kvの範囲に暫減して、前記ステップ4の1と同様の操作を約60〜1800分間行い、所望の膜厚に調整する。
前記残留応力を0.3GPa以下にするためには、負の高電圧パルスの設定電圧を3〜10kVにする必要がある。炭化水素系ガスおよび補助ガスの選択とパルス電圧の設定でイオン注入量と成膜の比率を最適に制御することで、本発明者等は残留応力が低く耐衝撃性が向上した、本発明に係る非晶質炭素系硬質膜の成膜を実現したものである。
このようにして、この非晶質炭素系硬質膜表面域からショットブラストによる粗面加工が施された混合層および金型基材までに亘って極めて緩やかな応力勾配と硬さ勾配が形成される。更に、前記非晶質炭素系硬質膜を成膜後に、各試験片の表面のピンホールを封口するために、四フッ化エチレン樹脂を前記非晶質炭素系硬質膜に薄く均一に塗布した後加熱乾燥する。
金属表面に粗面加工を施した場合の各試験金型と形状、材料とも同じ各試験金型を用いて、打錠比較試験を行った。炭素鋼(JIS S50C)、合金工具鋼(JIS SKD11)、及び高速度工具鋼(JIS SKH51)で夫々作製した前記各試験金型88、90の表面にタングステンカーバイド電極を用いて油中で微細放電加工処理をした。X線回折及びX線残留応力測定の結果、前記各試験片表面にはタングステンカーバイドと前記試験金型の表層を相互溶解混合後に共晶析出させた混合層が形成され、前記混合層には約0.8GPaの残留応力が存在した。更に、この混合層が被覆された金型に前記成膜装置を用いて、前述のステップ1からステップ4に従い、混合層形成後の各試験金型88、90の表面に約2μmの膜厚の非晶質炭素系硬質膜を成膜した。
また、X線残留応力測定により前記棒状試験片88、90の表面近傍に存在する残留応力を解析した結果、前記非晶質炭素系硬質膜の残留応力は、0.1GPa程度であった。
前述のように、混合層の残留応力は約0.8GPaであり、非晶質炭素系硬質膜と同じオーダーの残留応力に調整され、残留応力の急激な変化が抑制されている。前記非晶質炭素系硬質膜膜を成膜後に、前記棒状試験片88、90の表面のピンホールを封口するために、四フッ化エチレン樹脂を前記非晶質炭素系硬質膜に塗布後加熱乾燥した。
2a 上杵先端部
4 下杵
4a 下杵先端部
6 臼状部
6a 臼状部内面
8 原料
10 ホッパ
12 フィードシュー
14 第1圧力調整軌道
16 第2圧力調整軌道
18 第3圧力調整軌道
20 回転卓
22 予圧下ロール
24 本圧下ロール
26 予圧上ロール
28 本圧上ロール
30 錠剤
32 スクレーパ
34 基材
35 カバー
36 チェンバー
36a チェンバー下壁
36b チェンバー側壁
38 ガス供給用パイプ
40 ガス導入用バルブ
42 排気用パイプ
44 排気用バルブ
46 チェンバー上壁
48 導体
50 フィードスルー
52 重畳装置
54 プラズマ発生用電源
56 高電圧パルス発生用電源
58 CPU
60 真空装置
62 ガス供給槽
70 電極
72 金型基材
74 混合層
88 試験金型
88a 非晶質炭素系硬質膜
90 試験金型
90a 非晶質炭素系硬質膜
92 開孔円板
94 試験粉末
96 基材
98 傾斜層
100 非晶質炭素系硬質膜
Claims (14)
- 粉末を金型により押圧して所定形状に成形する粉末成形金型において、少なくとも前記粉末を押圧する部位の金型表面層が、この金型表面に形成される粗面と、この粗面上に成膜された0.3GPa以下の低い残留応力を有する非晶質炭素系硬質膜から少なくとも構成されることを特徴とする粉末成形金型。
- 粉末を金型により押圧して所定形状に成形する粉末成形金型において、少なくとも前記粉末を押圧する部位の金型表面層が、タングステンカーバイド(WC)と前記成形金型を形成する金属元素及び/又は金属合金物の表層を相互溶解混合後に共晶析出させた混合層と、この混合層上に成膜された0.3GPa以下の低い残留応力を有する非晶質炭素系硬質膜から少なくとも構成されることを特徴とする粉末成形金型。
- 前記混合層は、少なくとも前記成形金型の表層にW及びCが熱拡散された傾斜構造を有する傾斜層であり、この傾斜層に粗面が形成される請求項2に記載の粉末成形金型。
- 前記成形金型を形成する金属基材は、炭素鋼、合金工具鋼、高速度工具鋼又はステンレス鋼である鉄系基材であり、前記傾斜層がWC−Fe3C傾斜層である請求項3に記載の粉末成形金型。
- 前記傾斜層及び/又は非晶質炭素系硬質膜に炭素、窒素、シリコン、チタン及びフッ素から選ばれた少なくとも2種以上をプラズマイオン注入により添加した請求項1〜4のいずれかに記載の粉末成形金型。
- 前記非晶質炭素系硬質膜のビッカース硬さHVが800〜2000である請求項1〜5のいずれかに記載の粉末成形金型。
- 前記非晶質炭素系硬質膜の膜厚が1μm以上20μm以下である請求項1〜6のいずれかに記載の粉末成形金型。
- 前記非晶質炭素系硬質膜に存在するピンホールを封口処理した、請求項1〜7のいずれかに記載の粉末成形金型。
- 粉末を金型により押圧して所定形状に成形する粉末成形金型の製造方法において、少なくとも前記粉末を押圧する部位の金型表面をショットブラスト法により粗面に加工し、少なくとも1以上の炭化水素系ガスと有機金属系ガスを用いて、プラズマイオン注入法による、イオン注入プロセスと成膜プロセスとを組み合わせた複合プロセスによって、0.3GPa以下の低い残留応力を有する非晶質炭素系硬質膜を前記粗面に成膜したことを特徴とする粉末成形金型の製造方法。
- 粉末を金型により押圧して所定形状に成形する粉末成形金型の製造方法において、前記金型表面にタングステンカーバイド(WC)を主成分とする電極を近接させ、この電極と前記金型表面間に電圧を印加して前記金型の金属基材と電極基材を相互溶解させる放電加工により熱拡散と相互溶解した混合層が形成され、この加工により少なくとも前記粉末を押圧する部位の金型表面に前記混合層を傾斜的に形成し、少なくとも1以上の炭化水素系ガスと有機金属系ガスを用いて、プラズマイオン注入法による、イオン注入プロセスと成膜プロセスとを組み合わせた複合プロセスによって、0.3GPa以下の低い残留応力を有する非晶質炭素系硬質膜を前記混合層上に成膜したことを特徴とする粉末成形金型の製造方法。
- 前記イオン注入と成膜用ガスは、炭素系ガス、窒素ガス、シリコン含有有機金属ガス、チタン含有有機金属ガス及びフッ素元素含有ガスから選択される2種以上のガスであり、前記非晶質炭素系硬質膜が成膜されると同時に2種以上のイオンが注入されて膜内に混在する請求項9又は10に記載の粉末成形金型の製造方法。
- 前記非晶質炭素系硬質膜のビッカース硬さHVが800〜2000である請求項9〜11のいずれかに記載の粉末成形金型の製造方法。
- 前記非晶質炭素系硬質膜の膜厚が1μm以上20μm以下である請求項9〜12のいずれかに記載の粉末成形金型の製造方法。
- 前記非晶質炭素系硬質膜に存在するピンホールをフッ素系樹脂で封口処理した、請求項9〜13のいずれかに記載の粉末成形金型の製造方法。
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