JP2007234802A - 薄膜電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10の第1の主面10a側に電極層31,32を有する薄膜電子素子40を形成する薄膜電子素子形成工程と、第2の主面10b側に前記薄膜電子素子40と対応するアライメントマーク70を形成するアライメントマーク形成工程と、基板10及び電極層31,32を貫通する貫通孔52、53を第2の主面10b側からの穿孔により形成する貫通孔形成工程等を備え、貫通孔形成工程よりも前に、第2の主面10bを研磨する研磨工程を備える、薄膜電子部品100の製造方法。
【選択図】図4
Description
・レーザ機種:ESI社製UV LASER μ VIA DRILL model5320
・光源:UV−YAG
・加工方式:スパイラル法(開口の中心から最外周まで螺旋状にレーザを照射する)
・レーザ出力:2.8W
・ショット数:100ショット
Claims (4)
- 電極層を有する薄膜電子素子を第1及び第2の主面を有する基板の当該第1の主面側に形成する薄膜電子素子形成工程と、
前記第2の主面側に前記薄膜電子素子と対応するアライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、
前記基板及び前記電極層を貫通する貫通孔を前記第2の主面側からの穿孔により形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔の内面に導電性材料を付着させて導通スルーホールを形成する導通スルーホール形成工程と、を備え、
前記貫通孔形成工程よりも前に、前記第2の主面を研磨する研磨工程を備える、薄膜電子部品の製造方法。 - 前記電極層には開口が形成されており、当該開口と連通する位置に前記貫通孔を形成する、請求項1記載の薄膜電子部品の製造方法。
- 前記基板がセラミック基板である、請求項1又は2記載の薄膜電子部品の製造方法。
- 前記研磨工程において、前記第2の主面をRzが500nm以下となるまで研磨する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の薄膜電子部品の製造方法。
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2006
- 2006-02-28 JP JP2006053597A patent/JP4760447B2/ja active Active
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