JP2007234446A - 表示装置用真空容器 - Google Patents

Abstract

【課題】フリットガラスシールに比べて容易に高真空を確保でき、貫通電極付きの側面板よりもコストダウン及び薄型化が可能で、駆動電圧の低減までも図れるようにすること。
【解決手段】この表示装置用真空容器は、ガラス基板からなる第１のガラス基板１と、この第１のガラス基板１に対して対向配置された第２のガラス基板２と、第１及び第２のガラス基板１，２で挟まれた領域を真空に保つシール材３とを備える。第１のガラス基板１は、当該基板を貫通したシリコン製の複数の貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃを有し、当該基板外側に前記各貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃの配線パターン７が形成される。これにより、他の外部機器への平面実装が可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマディスプレイやフィールドエミッションディスプレイなどの放電型平面表示装置に用いることができる表示装置用真空容器に関する。

プラズマディスプレイやフィールドエミッションディスプレイなどの放電型平面表示装置では、放電に必要な高真空又は低圧の希ガスを封入するために、ガラス基板などの絶縁性基板を対向させ、所定の間隔を確保した上で外周縁部をシールして真空容器を構成している。真空容器を構成する一般的な方法としては、上ガラス基板と下ガラス基板との間に真空容器側壁を形成するフリットガラス（低融点ガラス）を枠状に配置し、当該フリットガラスを溶融することにより、上下ガラス基板間をシールする方法がある。

ところで、上記真空容器では、上ガラス基板の対向面に形成されたライン状の電極パターンと下ガラス基板の対向面に形成したライン状の電極パターンとを直交するように対向配置し、マトリクス状の画素を形成するのが一般的である。電極パターンの一端部は、真空容器内側から基板外部に引き出す必要がある。このため、上下面ガラスに形成した電極パターンと直交させてフリットガラスを配置する部分ができる。しかし、電極パターンとフリットガラスとを交差させた場合、電極パターンとガラス面との段差を、溶融したフリットガラスが十分に埋めることができず、空隙ができ易いといった問題があった。また、フリットガラスを焼成する際に、フリットガラスより出るガス等が真空容器内部に残り、高真空を維持することが困難であった。

上記フリットガラスシールによる不具合を解決するため、フリットガラスに代えて、貫通電極付きの側面板を上下の基板間に配置し、陽極接合により側面板とガラス基板とを接合して真空容器を形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法によれば、真空容器内部から外部に電極を、側壁板の貫通電極を介して真空容器外に取り出すことが可能となり、真空容器内部の真空を確保できることになる。
特開２００３−０５９４３５号公報

しかしながら、上記貫通電極付きの側面板を用いて真空容器を形成する場合、次のような問題がある。第一に、側面板は、陽極接合によりガラス基板と封着が可能なシリコン基板で形成しなければならないが、シリコン基板の厚み方向（ガラス基板と平行な方向）に貫通する貫通電極を形成するためには、非常に多くのプロセスが必要であり、コスト増になる問題がある。第二に、陽極接合では、４００度程度の温度をかけねばならず、ガラスとシリコンとの熱応力の差により、基板が変形する問題がある。第三に、側面板には貫通電極が存在するため、数百ミクロンの高さ（上下ガラス基板の間隔に相当）が必要であり、一方の基板に形成する放電素子と他方の基板に形成する発光層との距離が大きくなることから、駆動電圧が大きくなってしまい消費電力が大きくなると共に表示素子が厚くなるといった問題もある。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、フリットガラスシールに比べて容易に高真空を確保でき、貫通電極付きの側面板を用いる場合よりもコストダウンが可能であると共に基板の変形も抑制でき、しかも薄型化が可能で駆動電圧の低減による省電力化を図り得る表示装置用真空容器及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の表示装置用真空容器は、ガラス基板と、前記ガラス基板に対して対向配置された透光性基板と、前記ガラス基板と前記透光性基板との間に所定の空間が形成されるように前記ガラス基板と前記透光性基板との間を封止するシール材とを備え、前記ガラス基板は、当該ガラス基板を貫通したシリコンからなる少なくとも一つの貫通電極を有し、当該ガラス基板外側に前記貫通電極と電気的に接続された配線層を有することを特徴とする。

この構成によれば、ガラス基板にシリコンからなる貫通電極を設けて、当該ガラス基板の外側に貫通電極の配線層を形成したので、従来のように真空容器外へ取り出される電極ラインと交差させてフリットガラスシールする必要がなくなり、シリコンとガラスとの間の気密性を利用した真空保持が可能であると共に、貫通電極付きの側面板を用いないことによる薄型化が可能である。また、ガラス基板の基板外側に貫通電極の配線層が形成されるので、真空容器背面として活用することにより他の外部機器への平面実装が可能となる。

本発明の表示装置用真空容器においては、前記透光性基板がガラス基板であり、前記シール材がシリコンで構成されており、前記ガラス基板と前記シール材との間の界面においてＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有することが好ましい。この構成によれば、ガラス基板とシリコンとの界面においてＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有するので、ガラスとシリコンとが強固に接合されて、両者間の密着性が向上し、容器内の気密性が向上する。また、フリットガラスのように溶融時のガスが発生しないので、真空容器内にガスが残る不具合を解決できる。

本発明の表示装置は、上記表示装置用真空容器を備えた表示装置であって、前記貫通電極の頂面上に放電素子が搭載されており、前記透光性基板の前記ガラス基板と対向する主面上に電極を介して発光層が設けられており、前記貫通電極と前記発光層とが位置合わせされていることを特徴とする。

この構成によれば、貫通電極付きの側面板を用いないことによる薄型化が可能な、上記表示装置用真空容器を用いて表示装置を構成するので、薄型で且つ表面実装に適した表示装置を実現することができる。

本発明の表示装置においては、前記貫通電極の頂面が前記ガラス基板の主面よりも低くされていることを特徴とする。

この構成によれば、放電素子が設けられる各貫通電極の頂面をガラス基板の主面よりも低くしたので、ガラス基板と透光性基板とを最大限近づけても放電素子と発光層との衝突を回避でき、放電素子と発光層との間の距離を短くできる。放電素子と発光層との間の距離が短くなれば、その分だけさらなる薄型化が可能であると共に駆動電圧を下げることができ消費電力の削減を図ることができる。また、透光性基板を通してガラス基板の主面に形成された凹部に透光性基板の発光層を位置合わせすればよいので、位置合わせが容易である。

本発明の表示装置用真空容器の製造方法は、一対の主面を有し、当該一対の主面間を貫通するシリコンからなる少なくとも一つの貫通電極を有するガラス基板を準備する工程と、一対の主面を有し、一方の主面上に電極を有する透光性基板を準備する工程と、前記ガラス基板の一方の主面と前記透光性基板の前記一方の主面とを対向配置し、前記ガラス基板と前記透光性基板との間に所定の空間が形成されるように前記ガラス基板と前記透光性基板との間を封止する工程と、を具備することを特徴とする。

本発明の表示装置用真空容器の製造方法においては、前記ガラス基板の他方の主面上に配線層を形成する工程を具備することが好ましい。

本発明によれば、フリットガラスシールに比べて容易に高真空を確保でき、貫通電極付きの側面板を用いる場合よりもコストダウンが可能であると共に基板の変形も抑制でき、しかも薄型化が可能で駆動電圧の低減による省電力化を図ることができる。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態に係る表示装置用真空容器は、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイなどの放電型平面表示装置に適用することができる。

図１は本発明の実施の形態に係る表示装置用真空容器の構成を示す部分断面図である。放電型平面表示装置において背面側に位置する第１のガラス基板１と正面側に位置する第２のガラス基板２とが近接して対向配置されている。第１のガラス基板１と第２のガラス基板２との間は、画素形成領域の外周を囲むように配設されたシール材３にて気密に接合されている。シール材３としてフリットガラスを用いることができる。本実施の形態においては、第１及び第２のガラス基板１，２同士を接合するので、フリットガラスを用いても熱応力の差による基板変形といった不具合は発生しない。また、シール材３としてシリコンを使用することもできる。シール材３にシリコンを使用した場合はガスが発生しないので真空容器内にガスが残る不具合を防止でき高真空を実現できる。

第１のガラス基板１は、画素に相当するドットマトリクスを形成する各位置に、シリコンで構成された複数の貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃがそれぞれ設けられている。貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃは、第１のガラス基板１に形成された貫通口の内部に完全に気密性が確保された状態で形成されている。貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃの真空容器内側の一端面（頂面）には、放電素子６ａ，６ｂ，６ｃが設けられている。この表示装置用真空容器をプラズマディスプレイに適用する場合、放電素子６ａ，６ｂ，６ｃは、駆動電圧を印加するとプラズマ（二次電子）を放出する放電素子が用いられる。また、フィールドエミッションディスプレイに適用する場合、放電素子６ａ，６ｂ，６ｃは、駆動電圧を印加するとアーク放電する放電素子が用いられる。貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃの反対側の他端面は、第１のガラス基板１を貫通して基板外部に露出されている。貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃの他端面が露出された第１のガラス基板１の外表面に配線７が形成されている。配線７は、マトリクス状に配列された貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃを縦方向に連結している。配線７が形成された第１のガラス基板１の外表面にて表示装置背面が形成されている。したがって、表示装置背面はガラス基板の表面に薄い配線７を形成した平坦な形状となるので、他の基板上に平面実装が容易である。

ここで、貫通口の深さは、第１のガラス基板１の厚さと略同じである。一方、貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃ及び放電素子６ａ，６ｂ，６ｃを併せた厚さが、第１のガラス基板１の厚さよりも薄くなるように設定している。これにより、第２のガラス基板２と対面する第１のガラス基板１の一方の面には、貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃ及び放電素子６ａ，６ｂ，６ｃの各形成位置に凹部としての窪み５ａ，５ｂ，５ｃが形成される。本実施の形態においては、窪み５ａ，５ｂ，５ｃは上端開口の略直方体形状をしているが、発光層９ａ，９ｂ，９ｃのサイズよりも大きな開口を有する凹部であれば形状は限定されない。

第２のガラス基板２は、第１のガラス基板１と対向する一方の面に、透明電極８による配線が形成されており、第１のガラス基板１にマトリクス状に配列された放電素子６ａ，６ｂ，６ｃに相対する位置に発光層９ａ，９ｂ，９ｃが位置合わせされて形成されている。第２のガラス基板２には、発光層９ａ，９ｂ，９ｃが形成された領域の外側に貫通導体１１が設けられている。貫通導体１１の一端面は透明電極８に接続されており、他端面は第２のガラス基板２の外表面に露出されている。貫通導体１１の材料としては、シリコンを用いることができる。シリコンからなる貫通導体１１を用いることにより十分な気密性を確保することができ、真空保持を確実なものとできる。本実施の形態においては、第２のガラス基板２の第１の主面と対向する第２の主面から光が出射されるようにしている。

シール材３、貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃ、及び／又は貫通導体１１がシリコンで構成されている場合には、第１のガラス基板１と貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃとの間の界面、第２のガラス基板２と貫通導体１１との間の界面、並びにシール材３と第１及び／又は第２のガラス基板１，２との間の界面は、高い密着性を有することが好ましい。これらの界面において高い密着性を発揮させるためには、陽極接合処理を施すことが好ましい。

ここで、陽極接合処理とは、所定の温度（例えば４００℃以下）で所定の電圧（例えば３００Ｖ〜１ｋＶ）を印加することにより、シリコンとガラスとの間に大きな静電引力が発生して、界面で共有結合を起こさせる処理をいう。この界面での共有結合は、シリコンのＳｉ原子とガラスに含まれるＳｉ原子との間のＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合である。したがって、このＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合により、シリコンとガラスとが強固に接合して、両者間の界面で非常に高い密着性を発揮する。このような陽極接合を効率良く行うために、ガラス基板のガラス材料としては、ナトリウムなどのアルカリ金属を含むガラス材料（例えばパイレックス（登録商標）ガラス）であることが好ましい。

このように、第１のガラス基板１にシリコンからなる貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃを設けて、第１のガラス基板１の外側に各貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃの配線パターン７を形成したので、従来のように真空容器外へ取り出される電極ラインと交差させてフリットガラスシールする必要がなくなり、シリコンとガラスとの間の気密性を利用した真空保持が可能であると共に、貫通電極付きの側面板を用いないことによる薄型化が可能である。また、第１のガラス基板１の基板外側に各貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃの配線パターン７が形成されるので、真空容器背面として活用することにより他の外部機器への平面実装が可能となる。

次に、本実施の形態の表示装置用真空容器の製造方法について説明する。図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る表示装置用真空容器のうち貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃ及び放電素子６ａ，６ｂ，６ｃが設けられた第１のガラス基板１に関する製造方法を説明するための断面図である。

まず、不純物をドーピングして低抵抗化したシリコン基板２１を準備する。不純物としては、ｎ型不純物でも良く、ｐ型不純物でも良い。抵抗率としては、例えば０．０１Ω・ｃｍ程度とする。そして、図３（ａ）に示すように、このシリコン基板２１の一方の主面をエッチングして、突出部３１を形成する。この場合、シリコン基板２１上にレジスト膜を形成し、突出部３１形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてシリコンをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。このようにしてシリコン基板２１の一方の主面に突出部３１を形成する。

次いで、突出部３１を形成したシリコン基板２１上にガラス基板２２を置く。さらに、真空下で、このシリコン基板２１及びガラス基板２２を加熱し、シリコン基板２１をガラス基板２２に押圧して突出部３１をガラス基板２２の主面２２ｂに押し込んで、図３（ｂ）に示すように、シリコン基板２１とガラス基板２２とを接合する。このときの温度は、シリコンの融点以下であって、ガラスが変形可能である温度（例えば、ガラスの軟化点温度以下）が好ましい。例えば加熱温度は約８００℃である。

さらに、シリコン基板２１の突出部３１とガラス基板２２との界面での密着性をより高めるために、陽極接合処理をすることが好ましい。この場合、シリコン基板２１及びガラス基板２２にそれぞれ電極をつけて、約４００℃以下の加熱下で約３００Ｖ〜１ｋＶの電圧を印加することにより行う。これにより両者の界面での密着性がより高くなり、後に第２のガラス基板２と共に真空容器を構成した際の真空を確実にすることができる。

次いで、図３（ｃ）に示すように、ガラス基板２２の主面２２ａ及び主面２２ｂを研磨処理して、シリコン基板２１をガラス基板２２の両主面２２ａ，２２ｂで露出させる。次いで、図３（ｄ）に示すように、シリコン基板２１の一方の主面（ここでは主面２１ａ）をエッチングして、凹部２３を形成する。なお、凹部２３の深さは、突出部３１（シリコン基板２１）の端面に搭載する放電素子のサイズなどを考慮して適宜決定する。

次いで、図３（ｄ）に示すように、シリコン基板２１の主面２１ａ上に形成された凹部１３に放電素子２５を形成する。この場合、シリコン基板２１の主面２１ａ上に放電素子材料を被着し、その上にレジスト膜を形成し、放電素子形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてシリコンをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。このようにして凹部２３内に放電素子２５を形成する。図３（ｅ）に示す放電素子２５が、図１に示す放電素子６ａ，６ｂ，６ｃに相当し、放電素子２５の形成されている凹部２３が、図１に示す窪み５ａ，５ｂ，５ｃに相当する。

以上の工程により、貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃ及び放電素子６ａ，６ｂ，６ｃが設けられた第１のガラス基板１を得ることができる。その後、ガラス基板２２の主面２２ｂに配線パターン７となる導体パターンを形成する。この結果、図１に示す構造の第１のガラス基板１が準備される。

次に、貫通導体１１が設けられた第２のガラス基板２の製造方法について説明する。
貫通導体がガラス基板に埋め込まれるまでの工程は、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示す工程と同様である。すなわち、不純物をドーピングして低抵抗化したシリコン基板２１の一方の主面をエッチングして、突出部３１を形成する。突出部３１は第１のガラス基板１に設けた放電素子６ａ，６ｂ，６ｃの形成領域から外れた基板端部に設けることになる。

次いで、突出部３１を形成したシリコン基板２１上にガラス基板２２を置く。さらに、真空下で、このシリコン基板２１及びガラス基板２２を加熱し、シリコン基板２１をガラス基板２２に押圧して突出部３１をガラス基板２２の主面２２ｂに押し込んで、図３（ｂ）に示すように、シリコン基板２１とガラス基板２２とを接合する。シリコン基板２１の突出部３１とガラス基板２２との界面での密着性をより高めるために、陽極接合処理をすることが好ましい。

次いで、図３（ｃ）に示すように、ガラス基板２２の主面２２ａ及び主面２２ｂを研磨処理して、突出部３１をガラス基板２２の両主面２２ａ，２２ｂで露出させる。突出部３１が図１に示す貫通導体１１となる。

次いで、ガラス基板２２の主面２２ａに透明電極８を形成する。透明電極８の一部は突出部３１の一端面と接合する位置まで延出させているが、ガラス基板２２の主面２２ａの外縁部には透明電極８を形成せずに第１のガラス基板１と接合するための接合領域（ガラス面）を露出させておくものとする。

次いで、ガラス基板２２の主面２２ａ上に発光材料を被着し、その上にレジスト膜を形成し、発光層形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてシリコンをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。これにより、図１に示す構造の第２のガラス基板２が準備される。各発光層形成領域はガラス基板２２に形成された凹部２３の開口径よりも小さなサイズに設定される。また、発光層材料によっては印刷にて形成することもできる。

次に、真空雰囲気中において、第１のガラス基板１に形成された窪み５ａ，５ｂ，５ｃと第２のガラス基板２の発光層９ａ，９ｂ，９ｃとを対向させて両基板を近接配置する。基板間であって基板外縁部の接合領域（ガラス面）に沿ってシール材３としてのフリットガラスが介在した状態で、加熱してフリットガラスを溶融させる。

以上のような、第１のガラス基板１を準備する工程、第２のガラス基板２を準備する工程、さらに第１のガラス基板１と第２のガラス基板２とを両ガラス基板１，２間に所定の空間が形成されるように両ガラス基板１，２間を封止するシールする工程を経て、図１に示す表示装置用真空容器が作製される。

本実施の形態では、真空容器内の貫通電極４ａ，４ｂ，４ｃを介して基板背面に形成された配線パターン７に導通するのでカソード電極のための電極ラインを基板側面から取り出す必要がない。また、真空容器内の発光層９ａ，９ｂ，９ｃに接続された透明電極８は貫通導体１１を介して外部に取り出されるのでアノード電極のための電極ラインを基板側面から取り出す必要がない。したがって、従来の真空容器のように電極ラインの段差をフリットガラスで埋める必要がなく、シール材３として使用するフリットガラスの量を削減でき、フリットガラスを加熱溶融した際に発生するガスを大幅に減少することができる。また、第１のガラス基板１と第２のガラス基板２の平面状のガラス面をフリットガラスシールするので、高い気密性を実現して真空保持を確実なものとすることができる。

また、本実施の形態によれば、第１のガラス基板１に形成された窪み５ａ，５ｂ，５ｃに対して第２のガラス基板２の発光層９ａ，９ｂ，９ｃを位置合わせするので、両基板が当接するまで接近させても放電素子６ａ，６ｂ，６ｃと発光層９ａ，９ｂ，９ｃとが衝突することがなく、位置合わせが容易であると共に薄型化が可能である。放電素子６ａ，６ｂ，６ｃと発光層９ａ，９ｂ，９ｃとの間の距離を短くできることから、駆動電圧を下げたとしても従来同様の発光効率を実現でき、消費電力を抑制することができる。

また、第１のガラス基板１と第２のガラス基板２との互いの対向面を、フリットガラスシールを実現し得る範囲で最大限近接させることにより、窪み５ａ，５ｂ，５ｃと第２のガラス基板２の対向面とで密閉状態に近い空間が画素毎に形成されることとなり、ある画素の放電素子から放出されたアーク又はプラズマが隣接画素の発光層に迷い込むことを抑止できる。

本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態１，２で説明した数値や材質については特に制限はない。また、上記実施の形態１，２で説明したプロセスについてはこれに限定されず、工程間の適宜順序を変えて実施しても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。

本発明は、プラズマディスプレイやフィールドエミッションディスプレイなどの放電型平面表示装置における真空容器に適用可能である。

本発明の一実施の形態に係る表示装置用真空容器の部分断面図である。 図１に示す表示装置用真空容器における第１のガラス基板の部分斜視図である。 （ａ）〜（ｅ）は、図１に示す表示装置用真空容器における第１のガラス基板の製造方法を説明するための図である。

符号の説明

１ 第１のガラス基板
２ 第２のガラス基板
３ シール材
４ａ，４ｂ，４ｃ 貫通電極（カソード電極）
５ａ，５ｂ，５ｃ 窪み（凹部）
６ａ，６ｂ，６ｃ 放電素子
７ 配線
８ 透明電極
９ａ，９ｂ，９ｃ 発光層
１１ 貫通導体
２１ シリコン基板
２２ ガラス基板
３１ 突起部

Claims (6)

1. ガラス基板と、前記ガラス基板に対して対向配置された透光性基板と、前記ガラス基板と前記透光性基板との間に所定の空間が形成されるように前記ガラス基板と前記透光性基板との間を封止するシール材とを備え、前記ガラス基板は、当該ガラス基板を貫通したシリコンからなる少なくとも一つの貫通電極を有し、当該ガラス基板外側に前記貫通電極と電気的に接続された配線層を有することを特徴とする表示装置用真空容器。
2. 前記透光性基板がガラス基板であり、前記シール材がシリコンで構成されており、前記ガラス基板と前記シール材との間の界面においてＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合を有することを特徴とする請求項１記載の表示装置用真空容器。
3. 請求項１又は請求項２記載の表示装置用真空容器を備えた表示装置であって、
   前記貫通電極の頂面上に放電素子が搭載されており、前記透光性基板の前記ガラス基板と対向する主面上に電極を介して発光層が設けられており、前記貫通電極と前記発光層とが位置合わせされていることを特徴とする表示装置。
4. 前記貫通電極の頂面が前記ガラス基板の主面よりも低くされていることを特徴とする請求項３記載の表示装置。
5. 一対の主面を有し、当該一対の主面間を貫通するシリコンからなる少なくとも一つの貫通電極を有するガラス基板を準備する工程と、一対の主面を有し、一方の主面上に電極を有する透光性基板を準備する工程と、前記ガラス基板の一方の主面と前記透光性基板の前記一方の主面とを対向配置し、前記ガラス基板と前記透光性基板との間に所定の空間が形成されるように前記ガラス基板と前記透光性基板との間を封止する工程と、を具備することを特徴とする表示装置用真空容器の製造方法。
6. 前記ガラス基板の他方の主面上に配線層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５記載の表示装置用真空容器の製造方法。

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