JP2007226246A - 発光ダイオード基板とその製造方法、及びそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の発光ダイオード基板は、基板上に蒸着した半導体層を含む複数の駆動用薄膜トランジスタと、複数の駆動用薄膜トランジスタ上にそれぞれ実装され、異なる波長の光を発生する複数の発光ダイオードと、複数の発光ダイオードのそれぞれと基板との間に形成され、複数の発光ダイオードのそれぞれの発光強度を感知する複数の薄膜センサと、基板上に蒸着した半導体層を含む複数の薄膜トランジスタで構成され、複数の薄膜センサに接続されて駆動用薄膜トランジスタを制御する輝度調整回路と、を備える。
【選択図】図1
Description
以下、本発明による発光ダイオード基板とその製造方法、及びそれを用いた液晶表示装置を実施するための最良の形態の具体例を、図1〜図4を参照して詳細に説明する。
4 バッファ膜
6 第1絶縁膜
8 第2絶縁膜
10 有機絶縁膜
12、14、16、18 半導体層
20 RのLED
22 第1薄膜センサ
24 第2薄膜センサ
26 第3薄膜センサ
30 GのLED
32、36、42、46 ドレイン電極
34、38、44、48 ソース電極
40 BのLED
51、53、55 透過孔
52、54、56、58 ゲート電極
60、64、68 陽極(アノード)
62 グランド電極
63、65、67 陰極(カソード)
72、74、76 ボンディングワイヤ
110 トップシャーシ
120 液晶パネル
121 上板
122 下板
125 駆動部
126 回路フィルム
127 駆動チップ
128 プリント基板
130 光学シート
131 拡散シート
132 プリズムシート
133 保護シート
140 直下型光源
144、154 LED
150 エッジ型光源
156 導光板
160 反射シート
170 ボトムシャーシ
180、280 バックライトユニット
Claims (26)
- 基板上に蒸着した半導体層を含む複数の駆動用薄膜トランジスタと、
前記複数の駆動用薄膜トランジスタ上にそれぞれ実装され、異なる波長の光を発生する複数の発光ダイオードと、
前記複数の発光ダイオードのそれぞれと前記基板との間に形成され、前記複数の発光ダイオードのそれぞれの発光強度を感知する複数の薄膜センサと、
前記基板上に蒸着した半導体層を含む複数の薄膜トランジスタで構成され、前記複数の薄膜センサに接続されて前記駆動用薄膜トランジスタを制御する輝度調整回路と、を備えることを特徴とする発光ダイオード基板。 - 前記複数の駆動用薄膜トランジスタ及び前記輝度調整回路の薄膜トランジスタのそれぞれは、
半導体層と、
前記半導体層と絶縁膜を介して重なったゲート電極と、
前記半導体層の両端に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード基板。 - 前記複数の駆動用薄膜トランジスタのそれぞれにおいて、
前記ゲート電極が前記輝度調整回路に接続され、前記ソース電極が前記発光ダイオードの一電極に接続され、前記ドレイン電極が外部からの駆動電圧を供給する駆動電圧供給ラインに接続されることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード基板。 - 前記半導体層と前記複数の薄膜センサは、
ポリシリコン、ポリシリコン−ゲルマニウム、アモルファスシリコン、アモルファスシリコン−ゲルマニウム薄膜のいずれか1つの薄膜で形成されることを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード基板。 - 前記複数の薄膜センサのそれぞれは、
前記発光ダイオードの一電極を貫通する貫通孔の下に位置し、その薄膜センサの両端にp型及びn型不純物がそれぞれ注入されて形成された陽極と陰極とを有するフォトダイオード状に形成されることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオード基板。 - 前記複数の薄膜センサのそれぞれは、
前記陽極又は前記陰極のいずれか一電極がフローティングされ、他の電極が電流制限用抵抗を介して前記各発光ダイオードの他の電極が接続されたグランド電極に接続されることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード基板。 - 前記発光ダイオードの他の電極と前記グランド電極とは、ボンディングワイヤを介して接続されることを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオード基板。
- 前記複数の発光ダイオードが実装された前記基板を覆う有機絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオード基板。
- 前記複数の駆動用薄膜トランジスタのそれぞれにおいて、前記半導体層、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極は、前記薄膜センサの周辺部を囲む多角形又は円形の帯状に形成されることを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオード基板。
- 前記複数の発光ダイオードは赤、緑、青色光をそれぞれ発生する第1〜第3発光ダイオードで構成され、前記複数の駆動用薄膜トランジスタは前記第1〜第3発光ダイオードのそれぞれを駆動する第1〜第3駆動用薄膜トランジスタで構成され、前記複数の薄膜センサは前記第1〜第3発光ダイオードのそれぞれの発光強度を感知する第1〜第3薄膜センサで構成されることを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオード基板。
- 前記輝度調整回路は、
外部からの輝度調整信号によって前記第3駆動用薄膜トランジスタを制御する第1増幅器と、
前記第3薄膜センサからの青色発光感知信号と前記第2薄膜センサからの緑色発光感知信号とを比較して前記第2駆動用薄膜トランジスタを制御する第1比較器と、
前記第3薄膜センサからの青色発光感知信号と前記第1薄膜センサからの赤色発光感知信号とを比較して前記第1駆動用薄膜トランジスタを制御する第2比較器と、を含むことを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード基板。 - 前記輝度調整回路は、
前記第1〜第3薄膜センサからの各発光強度感知信号を増幅して出力する第2〜第4増幅器をさらに含み、これらのうち少なくとも1つの増幅器は外部からの相対輝度調整信号によって制御されることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオード基板。 - 基板上に半導体層を含む複数の駆動用薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記複数の駆動用薄膜トランジスタのそれぞれに異なる波長の光を発生する複数の発光ダイオードを実装する段階と、
前記複数の発光ダイオードのそれぞれと前記基板との間に前記複数の発光ダイオードのそれぞれの発光強度を感知する複数の薄膜センサを形成する段階と、
前記基板上に蒸着した半導体層を含む複数の薄膜トランジスタで構成され、前記複数の薄膜センサ及び前記駆動用薄膜トランジスタに接続された輝度調整回路を形成する段階と、を有することを特徴とする発光ダイオード基板の製造方法。 - 前記複数の駆動用薄膜トランジスタ及び前記輝度調整回路の薄膜トランジスタのそれぞれは、
半導体層と、
前記半導体層と絶縁膜を介して重なったゲート電極と、
前記半導体層の両端に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を含むことを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオード基板の製造方法。 - 前記複数の駆動用薄膜トランジスタのそれぞれにおいて、前記ゲート電極が前記輝度調整回路に接続され、前記ソース電極が前記発光ダイオードの一電極に接続され、前記ドレイン電極が外部からの駆動電圧を供給する駆動電圧供給ラインに接続されるように形成され、
前記発光ダイオードの他の電極が、ボンディングワイヤを介してグランド電極に接続されることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード基板の製造方法。 - 前記半導体層と前記複数の薄膜センサは、ポリシリコン、ポリシリコン−ゲルマニウム、アモルファスシリコン、アモルファスシリコン−ゲルマニウム薄膜のいずれか1つの半導体薄膜で形成されることを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
- 前記複数の薄膜センサのそれぞれの両端には、p型及びn型不純物がそれぞれ注入されて陽極及び陰極が形成され、
前記陽極又は陰極のいずれか一電極はフローティングされ、他の電極は電流制限用抵抗を介して前記グランド電極に接続されることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオード基板の製造方法。 - 前記複数の発光ダイオードが実装された前記基板上に有機絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
- 前記複数の駆動用薄膜トランジスタのそれぞれにおいて、前記半導体層、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極は、前記薄膜センサの周辺部を囲む多角形又は円形の帯状に形成されることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
- 基板上に形成された複数の駆動用薄膜トランジスタ、前記複数の駆動用薄膜トランジスタ上にそれぞれ実装されて異なる波長の光を発生する複数の発光ダイオード、前記複数の発光ダイオードのそれぞれと前記基板との間に形成されて前記複数の発光ダイオードのそれぞれの発光強度を感知する複数の薄膜センサ、及び前記基板上に形成された複数の薄膜トランジスタで構成されて前記複数の薄膜センサ及び前記駆動用薄膜トランジスタに接続された輝度調整回路を含む光源と、
前記光源から発生した光を利用して画像を表示する液晶パネルと、を含むことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記複数の駆動用薄膜トランジスタ及び前記輝度調整回路の薄膜トランジスタのそれぞれは、半導体層、前記半導体層と絶縁膜を介して重なったゲート電極、前記半導体層の両端に接続されたソース電極及びドレイン電極を含み、
前記複数の駆動用薄膜トランジスタのそれぞれにおいて、前記ゲート電極が前記輝度調整回路に接続され、前記ソース電極が前記発光ダイオードの一電極に接続され、前記ドレイン電極が外部からの駆動電圧を供給する駆動電圧供給ラインに接続されることを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置。 - 前記半導体層と前記複数の薄膜センサは、ポリシリコン、ポリシリコン−ゲルマニウム、アモルファスシリコン、アモルファスシリコン−ゲルマニウム薄膜のいずれか1つの薄膜で形成され、
前記複数の薄膜センサのそれぞれは、前記発光ダイオードの一電極を貫通する貫通孔の下に位置し、その薄膜センサの両端にp型及びn型不純物がそれぞれ注入されて形成された陽極と陰極とを有するフォトダイオード状に形成されることを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置。 - 前記複数の薄膜センサのそれぞれにおいて、前記陽極又は陰極のいずれか一電極はフローティングされ、他の電極は電流制限用抵抗を介して前記各発光ダイオードの他の電極が接続されたグランド電極にボンディングワイヤを介して接続されることを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置。
- 前記光源は、複数の発光ダイオードが実装された前記基板を覆う有機絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置。
- 前記複数の発光ダイオードは赤、緑、青色光をそれぞれ発生する第1〜第3発光ダイオードで構成され、前記複数の駆動用薄膜トランジスタは前記第1〜第3発光ダイオードのそれぞれを駆動する第1〜第3駆動用薄膜トランジスタで構成され、前記複数の薄膜センサは前記第1〜第3発光ダイオードのそれぞれの発光強度を感知する第1〜第3薄膜センサで構成されることを特徴とする請求項24に記載の液晶表示装置。
- 前記輝度調整回路は、
輝度調整信号によって前記第3駆動用薄膜トランジスタを制御する第1増幅器と、
前記第3薄膜センサからの青色発光感知信号と前記第2薄膜センサからの緑色発光感知信号とを比較して前記第2駆動用薄膜トランジスタを制御する第1比較器と、
前記第3薄膜センサからの青色発光感知信号と前記第1薄膜センサからの赤色発光感知信号とを比較して前記第1駆動用薄膜トランジスタを制御する第2比較器と、
前記第1〜第3薄膜センサからの各発光強度感知信号を増幅して出力する第2〜第4増幅器と、をさらに含み、
前記第2〜第4増幅器の少なくとも1つは外部からの相対輝度調整信号によって制御されることを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置。
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