JP2007225594A - Ｒｆ・パルスバイアスティー - Google Patents

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Abstract

【課題】ＲＦ、ＤＣ及びパルス化測定を好適に行うことができるバイアスティーを提供すること。
【解決手段】ソース測定ユニット(ＳＭＵ)と共に用いられるＲＦ・パルスバイアスティー１０は、ＳＭＵソース端子３０と、ＳＭＵ測定端子２４と、出力端子２０と、ＳＭＵ測定端子２４と出力端子２０との間のＳＭＵ測定端子パルス／ＲＦ周波ブロック２２と、２つの端部ノードと中間ノード３２とを有し端部ノードがＳＭＵソース端子と出力端子との間に接続されているＳＭＵソース端子高周波ブロック２８と、ＲＦ入力端１８と、ＲＦ入力端１８と出力端子２０との間のパルス／ＤＣブロック１６と、パルス入力端１４と、パルス入力端１４と中間ノード３２との間のＤＣブロック１２とを含んでいる。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子構成部分の試験に関し、特に、ＤＣ、ＲＦ及びパルス系の構成部分の試験に関するものである。
幾つかの必要な測定において、採用されるＤＣ及び／又はＲＦ信号の連続的な適用に耐えることができない装置がある。他の場合には、最低でも、信号が連続的にかけられると、試験中のデバイス（ＤＵＴ）の発熱を生じ、その結果、測定誤差が生ずる。この制限を克服するために、平均印加電力が許容範囲であるように信号をパルス化することが知られている。
ＤＵＴの同じノードでＲＦとＤＣの測定を行なう典型的な従来技術の解決方法においては、ＲＦとＤＣの試験測定を回路の内外に適当に切り替えるスイッチが試験回路に含まれている。高精度の測定では、これは、誤差及び／又は校正の困難性を生ずる。このことは、パルス化測定の場合には、更にひどくなる。
高精度DC試験信号は、典型的には、ソース測定ユニット（ＳＭＵ）と共に適用され／測定される。ＳＭＵは、電流又は電圧を非常に正確にソースすることができる。
本発明によるソース測定ユニット(ＳＭＵ)と共に用いられるＲＦ・パルスバイアスティーは、ＳＭＵソース端子と、ＳＭＵ測定端子と、出力端子と、ＳＭＵ測定端子と出力端子との間のＳＭＵ測定端子パルス／ＲＦ周波ブロックと、２つの端部ノードと中間ノードとを有し端部ノードがＳＭＵソース端子と出力端子との間に接続されているＳＭＵソース端子高周波ブロックと、ＲＦ入力端と、このＲＦ入力端と出力端子との間のパルス／ＤＣブロックと、パルス入力端と、パルス入力端と中間ノードとの間のＤＣブロックとを含んでいる。
図１を参照すると、パルス制御器１と、ＳＭＵ２と、ＲＦ機器３とがデバイスをテストするために備えられている。パルス制御器１は、所望のパルス繰返し速度と他のパルス特性とに相応して、ＲＦ・パルスバイアスティーのパルス入力端にパルスを供給する。ＳＭＵ２は、バイアスティー１０のソース端子と測定端子とにそれぞれ接続されたソース端子と測定端子とを有する。ＲＦ機器３は、バイアスティー１０のＲＦ入力端に接続されたＲＦ出力端を有する。バイアスティー１０は、ＤＵＴ９０に接続された出力端を有する。
このバイアスティー１０は、ＳＭＵ２からのＤＣをＲＦ機器３とパルス制御器１とから遮断する。バイアスティー１０は、ＲＦ機器３からのＲＦをＳＭＵ２とパルス制御器１とから遮断する。また、バイアスティー１０は、パルス制御器１からのパルス列をＳＭＵ２及びＲＦ機器３から遮断する。一方、バイアスティー１０は、入力信号のいずれをもＤＵＴ９０に印加するのを許す。試験制御器１１は、パルス制御器１とＳＭＵ２とＲＦ機器３との動作を制御する。
図２を参照すると、バイアスティー１０は、パルス化信号が通過する間、ＤＣがＳＭＵ端子３０、２４から入るのを阻止するＤＣブロック１２をパルス入力端１４に有する。バイアスティー１０は、また、出力端２０にＲＦ信号が通過する間、ＤＣがＳＭＵ端子から入るのを阻止し、パルスがパルス入力端１４から入るのを阻止するパルス／ＤＣブロック１６をＲＦ入力端１８に有する。
ＲＦ入力端１８からのＲＦとパルス入力端１４からのパルス列周波数コンテンツとの両方をブロックするのに好適なパルス／ＲＦブロック２２がＳＭＵ測定端子２４と出力端子２０との間に接続されている。
ＲＦ入力端１８からのＲＦとパルス入力端１４からのパルス列周波数コンテンツとの両方をブロックする高周波ブロック２８がＳＭＵソース端子３０と出力端子２０との間に接続されている。更に、この高周波ブロック２８は、信号間の位相の同期を維持しつつパルス周波数がＳＭＵソース端子３０からブロックするＤＣブロック１２に接続された中間ノード３２を有する。純粋な効果は、所望の位置への信号の隔離だけではなく、重要な高調波抹消にもあり、性能を更に改善している。
図３を参照すると、バイアスティー１０の特定の例が示され、この例において、Ｃ１＝１０ｐＦ、Ｃ２＝１００ｎＦ、Ｃ３＝１０ｐＦ、Ｃ４＝１００ｎＦ、Ｃ５＝１００ｎＦ、Ｌ１＝６０ｎＨ、Ｌ２＝０．１ｍＨ、Ｌ３＝０．１ｍＨ、Ｌ４＝５μＨ、Ｒ１＝５０オームである。Ｒ１とＣ３の組み合わせは、パルス５０オームの終端を形成してパルス性能を改善し、また反射や、回路のＤＣ及びＲＦ部分へのパルスの漏れを回避している。この例は、同じ試験ピンを用いてパルスＩ−Ｖ及びＲＦ性能測定を行うのに適している。
この開示は、例示的であり、この開示に含まれている教示の公正な範囲から逸脱せずに細部を付加し、改変し或いは除去することによって種々の変更をなし得ることは明らかである。従って、本発明は、請求項が必然的に限定されるという範囲を除いて、本発明は、この開示の特定の詳細な事項に限定されるものではない。
試験回路における本発明によるＲＦ・パルスバイアスティーの一例のブロック図である。 本発明によるＲＦ・パルスバイアスティーのブロック図である。 本発明によるＲＦ・パルスバイアスティーの一例の系統図である。
符号の説明
１ パルス制御器
２ ＳＭＵ
３ ＲＦ機器
１０ バイアスティー
１１ 試験制御器
１４ パルス入力端
１６ パルス／Ｄｃブロック
１８ ＲＦ入力端
２０ 出力端
２２ パルス／ＲＦブロック
２４ 測定端子
２８ 高周波ブロック
３０ ソース端子
３２ 中間ノード

Claims (5)

  1. ソース測定ユニット(ＳＭＵ)と共に用いられるＲＦ・パルスバイアスティーにおいて、ＳＭＵソース端子と、ＳＭＵ測定端子と、出力端子と、前記ＳＭＵ測定端子と前記出力端子との間のＳＭＵ測定端子パルス／ＲＦ周波ブロックと、２つの端部ノードと中間ノードとを有し前記端部ノードが前記ＳＭＵソース端子と前記出力端子との間に接続されているＳＭＵソース端子高周波ブロックと、ＲＦ入力端と、前記ＲＦ入力端と前記出力端子との間のパルス／ＤＣブロックと、パルス入力端と、前記パルス入力端と前記中間接続点との間のＤＣブロックとを含むＲＦ・パルスバイアスティー。
  2. 請求項１に記載のバイアスティーであって、前記ＤＣブロックは、直列キャパシタンスを含むバイアスティー。
  3. 請求項１に記載のバイアスティーであって、前記パアルス／ＤＣブロックは、直列キャパシタンスを含むバイアスティー。
  4. 請求項１に記載のバイアスティーであって、前記ＳＭＵ測定端子パルス／ＲＦブロックは、直列キャパシタンスを含むバイアスティー。
  5. 請求項４に記載のバイアスティーであって、前記ＳＭＵ測定端子パルス／ＲＦブロックは、インダクターキャパシタネットワークを含むバイアスティー。
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