JP2007220967A - 配線構造とその製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、及びこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。
【解決手段】 （１）絶縁膜に形成した溝に銅層又は銅を含む合金層を形成する工程、及びバリアメタル層を形成する工程、
（２）前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程、（３）銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層を形成する工程、を有することを特徴とする配線構造の製造方法。前記製造方法を用いて作製した銅層又は銅を含む合金層を有する配線構造。前記配線構造を具備する半導体装置。
【選択図】 図４

Description

本発明は、配線構造とその製造方法及び半導体装置に関する。

半導体の多層配線は、現在、配線材料として従来のＡｌから代わってＣｕが使用されてきている。しかし、この配線材料のＣｕは、トランジスタ層、絶縁層に容易に拡散をする。このため、Ｃｕ配線の側面、底面は、通常、バリアーメタル層として、ＰＶＤ法で作製したＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ等を、Ｃｕ配線の上面はＣＶＤ法（化学蒸着法）で作製したＳｉＮ、ＳｉＣＮ等の絶縁膜を用いて拡散を防止している。

一方、半導体の高速化、低消費電力化等のために、配線間の容量低減のため、配線間で用いられる絶縁層（いわゆるＬｏｗ−ｋ層、絶縁層本体）の低誘電率化が進められ、その適用が進められている。しかし、このＬｏｗ−ｋ層に比べて、上記のＳｉＮ膜、ＳｉＣＮ膜の誘電率は相対的に高く、実効誘電率の低減のための効果は少なくなってきている。実効誘電率の低減のためには、多層配線で使用される絶縁層であるＬｏｗ−ｋ膜に加えて、Ｌｏｗ−ｋ層のハードマスク、Ｃｕのキャップ膜、エッチングストッパー膜等多層配線で使用される絶縁層の全ての低誘電率化を考える必要がある。

このような多層配線の絶縁層であるＣｕのキャップ膜の絶縁層としては、ＣＶＤ法による無機系のＳｉＮ膜が主に使用されており、ＳｉＮ膜にカーボン（Ｃ）を導入する事により低誘電率化も検討されている。しかし、このＳｉＮ膜の誘電率は７程度であり、例えば、特許文献１に開示されているようにカーボンを導入してＳｉＣＮ又はＳｉＣにまでしても誘電率は、３．５〜５程度までしか低減する事は出来ず、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率が２．０〜２．５の材料が開発され、その適用が試みられている事と比較すると、大きく乖離している。

また、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率が２．５以下の絶縁材料では、誘電率低減のため、その多くが空孔の導入手法を用いている。空孔の導入により誘電率は低減されるが、空孔導入及び空孔導入量増大により、主な問題点として、膜密度の低下、機械強度の低下、接着性の低下、薬液、ガス等の浸入が発生している。この事により、エッチング、アッシング耐性の低下によるインテグレーションマージンが狭くなることや、ＣＭＰ工程、ダイシング工程、パッケージ組み立て工程におけるストレスにより配線層での剥離や割れの問題が発生するため、誘電率が２．５以下の絶縁材料をデバイスの量産に用いる事は容易には出来ない。
銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する技術においても、実質的にエッチングを制御するためのストッパー膜は必要であり、上記のＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣ系の膜を用いる必要があり、誘電率の高い膜を使用せざるを得ないのが実情である。
これらのことから、Ｌｏｗ-ｋ層以外の絶縁膜として、Ｃｕ配線のキャップ膜に低誘電率でかつＣｕの拡散防止能を備えた材料、その配線構造、半導体装置の提案が必要となっている。

特開２００２−８３８６９号公報 特開２００３−１３３３１６号公報

本発明は、このような事情のもとで、Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、及びこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供することを目的としてなされたものである。

本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、Ｃｕ層の耐拡散性を有し、かつ誘電率の低い有機膜として、例えばポリベンゾオキサゾール樹脂などの樹脂膜を用い、併せて、Ｃｕ配線上をＣｏ又はＮｉ又はＷを含む合金層でキャップすることにより、その目的に適合し得ることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、（１）絶縁膜に形成した溝に銅層又は銅を含む合金層を形成する工程、及びバリアメタル層を形成する工程、
（２）前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程、
（３）銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層を形成する工程、
を有することを特徴とする配線構造の製造方法である。
本発明の配線構造の製造方法は、前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程において、前記キャップ層はＣｏ又はＮｉとＷを含む合金により形成されるものであることが好ましい。
また、前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程において、前記キャップ層は１〜３０ｎｍの厚みを有するものであることがより好ましい。
また、前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程において、前記キャップ層はＣｏ又はＮｉ又はＷを含む金属の無電解メッキにより形成されるものであることが好ましい。
前記銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層は、窒素原子を含む有機系絶縁材料で構成されるものであることが好ましく、ポリベンゾオキサゾールで構成されるものであることがより好ましい。さらに好ましくは、前記銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層は、加熱又は活性放射線照射により反応し得る官能基を有するポリベンゾオキサゾール前駆体より形成されるものである。
また、本発明は、前記製造方法を用いて作製した銅層又は銅を含む合金層を有する配線構造である。
さらに、本発明は、前記配線構造を具備する半導体装置である。

本発明によれば、Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造を提供できる。
また、本発明は、前記多層配線構造を具備することにより、電気特性に優れる半導体装置を提供できる。

本発明は、（１）絶縁膜に形成した溝に銅層又は銅を含む合金層を形成する工程、及びバリアメタル層を形成する工程、（２）前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程、（３）銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料を形成する工程、を有することを特徴とする配線構造の製造方法であり、トランジスタ等の電子デバイスに絶縁層を作製した後に、配線層を形成するプロセス（いわゆるバックエンドプロセス）によるものである。

本発明の配線構造としては、銅層又は銅を含む合金層を有するものであり、例えば、半導体装置上に形成されたＬｏｗ−ｋ層を有し、前記Ｌｏｗ−ｋ層にはこれを貫通して埋め込まれた配線層を備え、さらには、配線層とＬｏｗ−ｋ層の間にはバリアメタル層を有し、配線層上面にはキャップ層を有し、Ｌｏｗ−ｋ層の半導体と反対面及びキャップ層上には配線層を構成する金属の拡散防止層を有するものである（図４、図５）。

本発明の配線構造の製造方法について、図面を用いて説明するが、これらに限定されない。
（１）Ｌｏｗ−ｋ層及びＬｏｗ−ｋハードマスク層に配線層を形成する工程について説明する。
まず、シリコンウエハーにトランジスタ等のデバイスが作製された基板を用意し、その上にＬｏｗ−ｋ層及びＬｏｗ−ｋハードマスク層を形成し、前記Ｌｏｗ−ｋ層及びＬｏｗ−ｋハードマスク層に配線層を形成するためのフォトレジスト層を形成する（図１）。
さらに具体的には、Ｍ１配線を形成するため、Ｌｏｗ−ｋ層（２）をＣＶＤ法又はスピンコート法等で製膜をする。

次いで、一般的には、Ｌｏｗ−ｋ層上にＬｏｗ−ｋハードマスク層（３）を積層した後に、フォトレジスト層（４）を用いてドライエッチングにより配線溝を加工し、前記配線溝の内面に、ＰＶＤ法によりＴａ、Ｔｉ、ＴａＮ、ＴｉＮ及びＷＮ等で構成されるバリアメタル層（５）、ＰＶＤ法により銅のシード層（６）、さらには、電解メッキ法により銅層（７）を形成する（図２）。

これらのバリアメタル層及び銅のシード層は、ＣＶＤ法により製膜することも可能である。
前記バリアメタル層は、必要により２種以上の金属層を積層して用いることができる。
前記銅層は、電解メッキ法による銅層の製膜方法に替えて、ＣＶＤ法により銅層を作製する方法であってもよい。銅層の材質としては、銅以外に、銅を含む合金であってもよい。

その後、ＣＭＰ法により配線部以外の銅層及びバリアメタル層を２段階以上のステップで研磨除去し、平坦化をすることで配線層（Ｆｉｇ．3）を作製することができる（図３）。
配線層の微細化に対応するため、配線抵抗上昇を防ぐためのバリアメタル層の薄膜化がなされるが、薄膜の形成においては、ＡＬＤ法等により形成することも可能である。また、低誘電率に対応するため、Ｌｏｗ−ｋ膜に空孔を導入した材料を用いる場合、配線溝を加工後に、ポアシーリング等に代表される表面処理をすることもできる。

（２） 次いで、上記で得た銅層又は銅を含む合金層で構成される配線層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層（８）を形成する工程について、説明する。
キャップ層の形成方法としては、例えば、低圧ＣＶＤ法によるＷの製膜方法、無電解メッキ法によるＣｏＷＰやＮｉＷＰ等の選択形成方法が挙げられる。前記選択形成方法いついては、例えば、ＣｏＷＰ等の合金を無電解メッキで形成する方法が米国特許第５６９５８１０号明細書に開示されている。無電解メッキで作製する場合、Ｃｕを触媒にして製膜する場合やＣｕ表面のＣｕをパラジウム等に置換してパラジウム等を核にして製膜を行うことができる。また、Ｃｕ配線上の選択性向上やＣｕの酸化層除去のため、例えばシュウ酸等による洗浄等、種々の前処理、後処理を用いることが好ましい。このＣｕ配線上のキャップ層は１〜３０ｎｍの範囲で用いるのが好ましい。１ｎｍより薄いとキャップ層にピンホール等が生じると被覆が十分でなくなる場合があり、３０ｎｍより厚く形成すると、形成時間が長くなることに加えて、配線間の間隔が短くなり、絶縁性が低下することがある。なお、これらの合金表面をシリサイド化して用いることも可能である。
上記キャップ層（８）の形成位置としては、銅層（７）と有機系絶縁材料層（９）との接触がないよう形成されることが好ましく、例えば、上記工程で平坦化した少なくとも銅層（７）とシード層（６）の露出面上面に、キャップ層（８）を形成して（Ｆｉｇ．４）、銅層（７）と有機系絶縁材料層（９）との接触がないようにしても良いし、上記工程で配線層を平坦化後に、さらに銅層（７）の一部を削除して凹状に加工して、該凹部にキャップ層（８）を形成して（Ｆｉｇ．５）、銅層（７）と有機系絶縁材料層（９）との接触がないようにしても良い。

（３） 次いで、Ｌｏｗ−ｋハードマスク層及びキャップ層上を、銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層を形成する工程について、説明する。
前記有機系絶縁材料層は、低誘電率の有機系絶縁材料であり、かつ銅拡散防止能を有するもので構成されるものであり、その形成方法としては、真空化で有機系絶縁材料を構成するモノマー等の原料を気化させて、例えばプラズマ重合して作製する方法、有機系絶縁材料を構成するモノマー、オリゴマー、ポリマーを溶剤に溶解し、スピンコート等により製膜し、加熱処理することにより樹脂膜として得る方法などを挙げることができる。前記樹脂膜とする際に、加熱による方法以外にも活性放射線を照射することができ、両者を併用すると、より好ましい。前記活性放射線としては、マイクロ波、可視光、ＵＶ光及びＸ線などの活性エネルギー光線ならびに電子線などが挙げられる。

前記有機系絶縁材料としては、銅拡散防止能を有するものであれば、特に制限されないが、窒素原子を含むものが好ましく、例えば、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンズイミダゾールが挙げられる。これらの樹脂は、その前駆体を用いて製膜し、加熱や活性放射線照射等のエネルギーにより環化反応により作製する方法、環化反応したものを製膜し、加熱等をして作製する方法により、絶縁材料層を形成することも可能である。
この中でも、特にポリベンゾオキサゾール樹脂が好ましく、なかでも、ポリベンゾオキサゾール前駆体に、前記環化反応における加熱や活性放射線などにより反応し得る官能基を有するポリベンゾオキサゾール前駆体を溶剤に溶解し、スピンコートで製膜して、加熱又は活性放射線照射により樹脂膜として作製するのが好ましい。
前記ポリベンゾオキサゾールの構造は限定されないが、加熱や活性放射線などにより反応し得る官能基としては、例えば、エチニル基及びフェニルエチニル基などのアセチレン結合を有する官能基、ビフェニレン基、シアナト基、マレイミド基、ナジイミド基、ビニル基、シクロペンタジエニル基等が挙げられる。これらの中でもアセチレン結合を有する官能基が好ましい。

本発明において、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、これらの前駆体を、スピンコート等により製膜するための有機溶媒としては、用いる溶質の構造により、それぞれ異なるが、例えば、炭酸プロピレン、ジアセトンアルコール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコール１−モノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、ベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を挙げることができる。これらは１種又は２種以上を混合して用いることができる。

本発明で用いる絶縁膜用材料には、必要に応じて、各種添加剤として、界面活性剤、シラン系に代表されるカップリング剤、酸素ラジカルやイオウラジカルを加熱により発生するラジカル開始剤等を添加することも可能である。

このように、Ｆｉｇ．１〜３のように図示した方法により、Ｃｕ配線上に、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属でキャップ（８）を作製し、その上部に、銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料（９）を形成し、多層配線構造（Ｆｉｇ．４）を作製し半導体装置として用いることができる。

以下、実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって何んら限定されるものではない。
なお、実施例及び比較例で作製した膜を、下記の方法により、比誘電率、Ｃｕ拡散性を測定した。
（１）比誘電率
低抵抗（０．０１Ωｃｍ以下）のＰ型Ｓｉ基板上に製膜した膜を、ＳＳＭ４９５（ＳＳＭ社製）Ｈｇプローブにより測定をした。
（２）Ｃｕ拡散性
低抵抗（０．０１Ωｃｍ以下）のＰ型Ｓｉ基板上に製膜した膜上に、Ｃｕを、メタルマスクを用いて、直径１ｍｍのパッドを真空蒸着により作製し、温度２００℃で任意の電界を印加して、１Ｅ−２の大電流が流れるまでの時間を測定することにより得た。

製造例１
窒素ガスフロー下で、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン３６．６ｇ（０．１ｍｏｌ）を、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解し、ピリジン１７．４ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加した後、−１５℃に冷却し、イソフタル酸ジクロリド１９．３ｇ（０．０９５ｍｏｌ）を、少しずつ添加した。滴下終了後、−１５℃で、１時間撹拌後、室温まで戻し、室温で５時間撹拌した。その後、反応液を、蒸留水４リットルに、小さな液滴で滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体を得た。得られたポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体の数平均分子量（Ｍｎ）を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いて、ポリスチレン換算で求めたところ、１９，０００であった。
このポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体１０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５０ｇに溶解し、５０ｎｍのフィルターでろ過して、コーティング用の塗布液を得た。

製造例２
製造例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン３６．６ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに、３，３’，４，４’−テトラアミノビフェニル）を用いた以外は、全て製造例１と同様にして、ポリベンズイミダゾール樹脂前駆体を得た。この樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いて、ポリスチレン換算で求めたところ、１６，０００であった。このポリベンズイミダゾール前駆体樹脂を用いて、製造例１と同様にして塗布膜を調製した。

製造例３
製造例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン３６．６ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに、９，９−ビス（３−アミノー４−ヒドロキシフェニル）フルオレン３８．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を、イソフタル酸ジクロリド１９．３ｇ（０．０９５ｍｏｌ）の代わりに５−フェニルエチニルイソフタル酸２８．８ｇ（０．０９５ｍｏｌ）用いた以外は、全て製造例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体を得た。この樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いて、ポリスチレン換算で求めたところ、１８，０００であった。このポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂を用いて、製造例１と同様にして塗布膜を調製した。

（実施例１）
シリコン基板上に、ＣｕをＰＶＤ法により作製し、その基板を、１０％しゅう酸で洗浄し、次いで、ＰｄＣｌ₂の溶液中に４０℃、３分間浸漬する事により、Ｃｕ上にＰｄ触媒を置換する。引き続いて、５％塩化ニッケル、１０％シュウ酸アンモニウム、２％タングステン酸アンモニウム、５％次亜燐酸アンモニウムの液中に、８０℃で浸漬し、ＮｉＷＰの製膜を行った。
このようにして、Ｓｉウエハー上にＣｕ層、Ｃｕ上にＮｉＷＰ層を製膜した。
次いで、製造例１で得た塗布液を、上記ＮｉＷＰ層が形成された基板上に、スピンコーターを用いて、５００ｒｐｍ／５秒、１２００ｒｐｍ３０秒回転塗布し、１００℃ホットプレート上で１分、２００℃ホットプレート上で３０秒乾燥し、窒素を３０Ｌ／分フローの電気炉中で、４００℃／１時間加熱して塗布膜を得た。

実施例２
シリコン基板上に、ＣｕをＰＶＤ法により作製し、その基板を、１０％しゅう酸で洗浄し、次いで、ＰｄＣｌ2の溶液中に４０℃、３分間浸漬する事により、Ｃｕ上にＰｄ触媒を置換する。引き続いて、５％塩化コバルト、１０％シュウ酸アンモニウム、２％タングステン酸アンモニウム、５％次亜燐酸アンモニウムの液中に、８０℃で浸漬し、ＣｏＷＰの製膜を行った。
このようにして、Ｓｉウエハー上にＣｕ層、Ｃｕ上にＣｏＷＰ層を製膜した。
上記ＣｏＷＰ層が形成された基板上に、製造例１で得た塗布液を用いて、実施例１と同様にして塗布膜を得た。

実施例３
製造例２で得た塗布液を用いて、実施例１で用いたＮｉＷＰ層が形成された基板上に、実施例１と同様の方法により、塗布膜を得た。

実施例４
製造例４で得た塗布液を用いて、実施例２で用いたＣｏＷＰ層が形成された基板上に、実施例１と同様の方法により、塗布膜を得た。

比較例１
シリコン基板上に、ＣＶＤ法により、トリメチルシラン、ＮＨ_３、Ｈｅガスを用いて膜厚１００ｎｍになるようにＳｉＣＮ膜の製膜を行った。

比較例２
実施例１で用いたＮｉＷＰ層が形成された基板上に、比較例１と同様の方法により、ＳｉＣＮ膜を得た。

本発明の実施形態による配線構造の製造方法の例を示す断面図である。 本発明の実施形態による配線構造の製造方法の例を示す断面図である（図１の続き）。 本発明の実施形態による配線構造の製造方法の例を示す断面図である（図１の続き）。 本発明の配線構造の一例を示す断面図である。 本発明の配線構造の一例を示す断面図である。

符号の説明

１ ＳｉＮ
２ Ｌｏｗ−ｋ層
３ Ｌｏｗ−ｋハードマスク層
４ フォトレジスト層
５ バリアメタル層
６ シード層
７ 銅層
８ キャップ層
９ 有機系絶縁材料層

Claims (9)

1. （１）絶縁膜に形成した溝に、銅層又は銅を含む合金層を形成する工程、及びバリアメタル層を形成する工程、
   （２）前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程、
   （３）銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層を形成する工程、
   を有することを特徴とする配線構造の製造方法。
2. 前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程において、前記キャップ層はＣｏ又はＮｉ又はＷを含む合金より形成されるものである請求項１記載の配線構造の製造方法。
3. 前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程において、前記キャップ層は１〜３０ｎｍの厚みを有するものである請求項１又は２に記載の配線構造の製造方法。
4. 前記銅層又は銅を含む合金層の表面を、Ｃｏ又はＮｉ又はＷを含む金属層で構成されるキャップ層を形成する工程において、前記キャップ層はＣｏ又はＮｉ又はＷを含む金属の無電解メッキにより形成されるものである請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線構造の製造方法。
5. 前記銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層は、窒素原子を含む有機系絶縁材料で構成されるものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線構造の製造方法。
6. 前記銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層は、ポリベンゾオキサゾールで構成されるものである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線構造の製造方法。
7. 前記銅拡散防止能を有する有機系絶縁材料層は、加熱又は活性放射線照射により反応し得る官能基を有するポリベンゾオキサゾール前駆体より形成されるものである、請求項１〜６いずれか１項に記載の配線構造の製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法を用いて作製した銅層又は銅を含む合金層を有する配線構造。
9. 請求項８に記載の配線構造を具備する半導体装置。

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