JP2007220168A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】読出しに対する寿命が長く、動作が高速な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体記憶装置は、不揮発性メモリ200と、不揮発性メモリ200が保持するデータの一部を保持する揮発性メモリ101とを備える半導体記憶装置であって、揮発性メモリ101が保持するデータに対応する不揮発性メモリ200のデータのアドレスを保持するj個の第1の保持部108と、j個の第1の保持部108に対応するj個の第2の保持部145とを備え、第2の保持部145は、対応する第1の保持部108が保持するアドレスが有効であるか否かを示す情報を保持する。
【選択図】図4
【解決手段】本発明に係る半導体記憶装置は、不揮発性メモリ200と、不揮発性メモリ200が保持するデータの一部を保持する揮発性メモリ101とを備える半導体記憶装置であって、揮発性メモリ101が保持するデータに対応する不揮発性メモリ200のデータのアドレスを保持するj個の第1の保持部108と、j個の第1の保持部108に対応するj個の第2の保持部145とを備え、第2の保持部145は、対応する第1の保持部108が保持するアドレスが有効であるか否かを示す情報を保持する。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体記憶装置に関し、特に、読出し回数に制限を持つ不揮発性メモリとキャッシュメモリとを有する半導体記憶装置に関する。
強誘電体メモリは、強誘電体膜の残留分極を利用してデータを記憶する(例えば、特許文献1および非特許文献1参照。)。強誘電体膜の残留分極の大きさは、データの読出しが繰り返されることにより次第に低下することが知られている。残留分極の大きさが減少しデータの読出しができなくなると、強誘電体メモリが寿命をむかえたこととなる。
従来、強誘電体メモリを利用した半導体記憶装置の寿命を延ばすために、強誘電体メモリ用のキャッシュメモリを増設する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。特許文献2記載の半導体記憶装置は、強誘電体メモリのデータの一部をキャッシュメモリに複製しておき、データの読出しをキャッシュメモリから行う。また、キャッシュメモリにデータが無い場合には、強誘電体メモリからデータの読出しを行う。これにより、特許文献2記載の半導体記憶装置は、強誘電体メモリへの読出し回数が減少するので、半導体記憶装置の寿命を延ばすことができる。
米国特許第4,873,664号
特開平6−215589号公報
消えないICメモリ −FRAMのすべて− 1998年6月22日 初版第2刷発行 株式会社工業調査会
しかしながら、特許文献2記載の半導体記憶装置は、初期化動作(電源投入時の動作等)において、キャッシュメモリに強誘電体メモリのデータを複製する。これにより、初期化動作に時間がかかる。すなわち、従来の強誘電体メモリ等の不揮発性メモリを備え、読み出しに対する寿命の延長した半導体記憶装置は、動作が遅いという問題がある。
そこで、本発明は、読出しに対する寿命が長く、動作が高速な半導体記憶装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体記憶装置は、不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリが保持するデータの一部を保持する揮発性メモリとを備える半導体記憶装置であって、前記揮発性メモリが保持するデータに対応する前記不揮発性メモリのデータのアドレスを保持するj個の第1の保持手段と、前記j個の第1の保持手段に対応するj個の第2の保持手段とを備え、前記第2の保持手段は、対応する前記第1の保持手段が保持するアドレスが有効であるか否かを示す情報を保持する。
これにより、本発明における半導体記憶装置は、不揮発性メモリのデータの一部を保持する揮発性メモリからデータを読み出すことで、不揮発性メモリに対する読出しの回数を減らす。よって、半導体記憶装置の寿命を延ばすことができる。また、本発明における半導体記憶装置は、第2の保持手段が保持する情報により、第1の保持手段が保持するアドレスが有効であるか否かを判定することができる。よって、第1の保持手段が保持するアドレスの初期化に際し、不揮発性メモリからデータを複製する必要がない。これにより、半導体記憶装置の初期化を高速に行うことができる。よって、本発明における半導体記憶装置は、読出しに対する寿命が長く、動作が高速である。
また、前記第2の保持手段は、初期化動作時に前記アドレスが無効であることを示す情報を保持し、対応する前記第1の保持手段にアドレスが書込まれた場合に、前記アドレスが有効であることを示す情報を保持してもよい。
これにより、本発明における半導体記憶装置は、初期化動作時には第1の保持手段が保持するアドレスを全て無効に設定し、アドレスが書き込まれた後にアドレスを有効と設定する。よって、初期化動作で、不揮発性メモリからデータを複製しなくても、誤って無効なデータを使用してしまうことがない。
また、前記半導体記憶装置は、さらに、前記第1の保持手段と対応し、対応する前記第1の保持手段の保持データと、外部より入力されたアドレス信号とが一致するか否かを比較するj個の第1の比較手段と、前記第2の保持手段および前記第1の比較手段と対応し、対応する前記第2の保持手段が保持する情報と、前記アドレスが有効であることを示す情報とが一致するか否かを比較するj個の第2の比較手段と、前記第1の比較手段と、前記第1の比較手段に対応する前記第2の比較手段との比較結果が共に一致の場合に、前記アドレスと、前記アドレス信号とが一致したと判定するj個の判定手段とを備えてもよい。
これにより、第2の保持手段に第1の保持手段が保持しているアドレスが有効であることを示す情報が保持されていない場合には、入力されたアドレス信号および第1の保持手段が保持するアドレスによらず、入力されたアドレス信号および第1の保持手段が保持するアドレスは不一致と判定される。
また、前記各第1の保持手段は1ビットのデータを保持するm個の第1の保持素子を備え、前記各第1の比較手段は1ビットのデータを比較するm個の第1の比較素子を備え、前記各第1の保持素子および前記各第1の比較素子は第1の保持比較素子を形成し、前記各第2の保持手段は1ビットのデータを保持し、前記各第2の比較手段は1ビットのデータを比較し、前記各第2の保持手段および前記各第2の比較素子は第2の保持比較素子を形成し、j×(m+1)個の前記第1の保持比較素子および前記第2の保持比較素子は、アレー状に配置されてもよい。
これにより、本発明における半導体記憶装置は、1ビットの保持機能と1ビットの比較機能を有する比較保持素子をアレー状に複数配置する。よって、半導体記憶装置のレイアウトを容易に形成することができる。また、半導体記憶装置のレイアウト面積を縮小することができる。
また、前記第1の保持比較素子および前記第2の保持比較素子は、同一の構成であってもよい。
これにより、半導体記憶装置のレイアウトを容易に形成することができる。
また、前記第1の比較手段が備えるm個の比較素子と、前記第1の比較手段に対応する前記第2の比較手段は、同一の配線に接続され、前記判定手段は、前記配線の信号レベルより、前記アドレスと、外部より入力されたアドレス信号とが一致したか否かを判定してもよい。
これにより、半導体記憶装置のレイアウト面積を縮小することができる。
また、前記第1の比較素子は、前記アドレスがゲートに接続され、前記配線がドレインに接続される第1のトランジスタと、前記アドレスの反転信号がゲートに接続され、前記配線がドレインに接続される第2のトランジスタと、前記アドレス信号の反転信号がゲートに接続され、前記第1のトランジスタのソースがドレインに接続され、VSSがソースに接続される第3のトランジスタと、前記アドレス信号がゲートに接続され、前記第2のトランジスタのソースがドレインに接続され、VSSがソースに接続される第4のトランジスタとを備えてもよい。
これにより、各第1の保持比較素子は、VSSに電荷を引き抜く回路のみで構成される。よって、半導体記憶装置のレイアウト面積を縮小することができる。
また、前記初期化動作は、電源投入時に行われてもよい。
これにより、本発明における半導体記憶装置は、電源投入時の動作を高速に行うことができる。
また、前記初期化動作は、前記不揮発性メモリ、前記揮発性メモリおよび前記第1の保持部のうち少なくとも一つにおけるリセット時に行われてもよい。
これにより、本発明における半導体記憶装置は、リセット時の動作を高速に行うことができる。
また、前記半導体記憶装置は、さらに、前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の少なくとも一つを選択する選択手段と、前記選択手段により選択された前記第1の保持手段の保持するアドレスおよび前記第2の保持手段の保持する情報を更新する更新手段と、外部より入力された信号により、前記選択手段による前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の選択を制御する制御手段とを備えてもよい。
これにより、外部より入力された信号により、任意の第1の保持比較手段および第2の保持比較手段を選択し、データの書換えまたは読出しを行うことができる。よって、半導体記憶装置の評価および検査における自由度が広がる。また、半導体記憶装置の評価および検査を容易に行うことができる。
また、前記制御手段は、前記選択手段による前記第1の保持手段と前記第2の保持手段とを個別に選択する制御を行ってもよい。
これにより、第1の保持手段と第2の保持手段のデータを個別に書換えることができる。よって、半導体記憶装置の評価および検査における自由度が広がる。また、半導体記憶装置の評価および検査を容易に行うことができる。
また、前記半導体記憶装置は、さらに、前記第1の保持手段の保持するアドレスおよび前記第2の保持手段の保持する情報を読出す読出し手段を備え、前記第1の保持手段および前記第2の保持手段は、前記更新手段による更新時に導通する第1のデータ経路と、前記読出し手段による読出し時に導通する第2のデータ経路とを備えてもよい。
これにより、保持手段が保持するアドレスおよび情報を更新する場合と、読出す場合でことなるデータ経路を使用する。よって、読出し用のデータ経路には、保持手段が保持するアドレスおよび情報をドライブし出力する回路を設けることで、保持手段が保持するアドレスおよび情報が破壊されることを防止することができる。
また、前記半導体記憶装置は、さらに、前記アドレスと、外部より入力されたアドレス信号とが一致するか否かを比較する第1の比較手段を備え、前記不揮発性メモリは、前記不揮発性メモリが保持するデータを読出す読出し手段を備え、前記読出し手段による読出し動作は、第1のシーケンスと、前記第1のシーケンスの後に行われる第2のシーケンスを含み、前記第1のシーケンスは、前記第1の比較手段による比較動作と同時に開始し、前記第2のシーケンスは、前記比較動作の終了の後に、前記比較動作の結果が不一致の場合には行われ、前記比較動作の結果が一致の場合に行われなくともよい。
これにより、本発明における半導体記憶装置は、比較手段による比較動作と不揮発性メモリの読出し動作を並列に行う。よって、第1の比較手段による比較動作の終了後に第1のシーケンスを開始するのに比べ、読出し動作を高速に行うことができる。
また、前記不揮発性メモリは、さらに、前記不揮発性メモリにデータを書込む書込み手段を備え、前記書込み手段による書込み動作は、第1のシーケンスと、前記第1のシーケンスの後に行われる第2のシーケンスを含み、前記第1のシーケンスは、前記第1の比較手段による比較動作と同時に開始し、前記第2のシーケンスは、前記比較動作の終了を待たずに行われてもよい。
これにより、本発明における半導体記憶装置は、比較動作とは無関係に不揮発性メモリへの書込み動作を行う。よって、比較動作の終了後に書込み動作を開始するのに比べ、書込み動作を高速に行うことができる。
また、前記第1のシーケンスは、前記不揮発性メモリのワードライン選択動作であり、
前記第2のシーケンスは、前記不揮発性メモリのビットライン選択動作であってもよい。
前記第2のシーケンスは、前記不揮発性メモリのビットライン選択動作であってもよい。
これにより、不揮発性メモリの読出し動作において、比較動作が不一致の場合に、従来と比べ、ワードライン選択動作に要する時間分、高速に読出し動作を行うことができる。
また、前記半導体記憶装置は、さらに、前記不揮発性メモリの読出しデータを出力するトライステート出力を有する出力手段と、前記出力手段により出力されたデータを前記揮発性メモリに入力する入力手段とを備え、前記出力手段のHi−Z出力から前記読出しデータを出力するタイミングの制御と、前記入力手段の起動タイミングの制御とは、同一の信号に基づき行われてもよい。
これにより、出力手段の出力状態がHi−Zのタイミングで入力手段が起動されることを防止する。すなわち、入力手段の入力段に貫通電流が流れることを防止する。よって、半導体記憶装置の消費電流を軽減することができる。
なお、本発明は、このような半導体記憶装置として実現することができるだけでなく、半導体記憶装置に含まれる特徴的な手段をステップとする不揮発性メモリの読出し方法として実現したりすることもできる。
本発明は、読出しに対する寿命が長く、動作が高速な半導体記憶装置を提供することができる。
以下、本発明に係る半導体記憶装置の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
(実施の形態1)
本実施の形態における半導体記憶装置は、キャッシュメモリに保持されているデータが有効であるか否かを示す情報を保持する。これにより、初期化動作において、不揮発性メモリのデータをキャッシュメモリにコピーする必要がないので、初期化動作を高速に行うことができる。また、不揮発性メモリから読み出すデータがキャッシュメモリに格納されているか否かを判定する動作中に、不揮発性メモリへの読出し動作を並列に進めることで、読み出すデータがデータキャッシュ部に格納されていない場合に、従来と比べ、高速に読み出しを行うことができる。
本実施の形態における半導体記憶装置は、キャッシュメモリに保持されているデータが有効であるか否かを示す情報を保持する。これにより、初期化動作において、不揮発性メモリのデータをキャッシュメモリにコピーする必要がないので、初期化動作を高速に行うことができる。また、不揮発性メモリから読み出すデータがキャッシュメモリに格納されているか否かを判定する動作中に、不揮発性メモリへの読出し動作を並列に進めることで、読み出すデータがデータキャッシュ部に格納されていない場合に、従来と比べ、高速に読み出しを行うことができる。
まず、本実施の形態における半導体記憶装置の概略構成を説明する。
図1は、本実施の形態の半導体記憶装置の概略構成を示すブロック図である。
図1は、本実施の形態の半導体記憶装置の概略構成を示すブロック図である。
図1に示す半導体記憶装置は、データを不揮発に記憶するLSIであり、データキャッシュ部100と、不揮発性メモリ200とを備える。
データキャッシュ部100は、揮発性メモリ101と、アドレス変換部102と、入力比較選択部103と、ヒット/ミスヒット制御部104と、入出力部105とを備えるキャッシュメモリである。
揮発性メモリ101は、十分な回数のアクセスが可能なメモリであり、例えば、スタティック・ランダムアクセスメモリ(SRAM)等である。揮発性メモリ101は、不揮発性メモリ200が保持するデータの一部を保持する。
アドレス変換部102は、外部より入力されたアドレス信号である外部入力アドレス信号10をデータ参照信号11に変換し、入出力比較部103に出力する。外部入力アドレス信号10は、外部からアクセス要望される論理アドレス(LBA)である。
入力比較選択部103は、アドレス変換部102が出力するデータ参照信号11と保持しているアドレスとを比較し、メモリ選択信号13を揮発性メモリ101に出力する。入力比較選択部103は、データ参照部106と、デコード部107とを備える。
データ参照部106は、j個のデータ保持部108を備える。j個のデータ保持部108は、揮発性メモリ101が保持するデータに対応する不揮発性メモリ200のデータが保持されているアドレスを保持する。j個のデータ保持部108は、保持するアドレスと外部入力アドレス信号10が変換されたデータ参照信号11とが一致するか否かを比較する。データ参照部106は、一致したアドレスを保持するデータ保持部108の情報を判定信号12として出力する。
デコード部107は、データ参照部106から出力されるj本の判定信号12をデコードしてj本のメモリ選択信号13を出力する。
揮発性メモリ101はj個のメモリ選択信号13に対応したメモリ領域をもち、選択されたメモリ選択信号13に応じてアクセスされる。また、揮発性メモリ101のメモリ領域はj個のデータ保持部108の各組とデコード部107によって一意的に指定される。
ヒット/ミスヒット制御部104はj本の判定信号12に基づき、外部入力アドレス信号10とj個のデータ保持部108に保持されたデータとが一致したか否かを判定する。ヒット/ミスヒット制御部104は、判定した結果に応じて入力比較選択部103、揮発性メモリ101および不揮発性メモリ200を制御する。ヒット/ミスヒット制御部104から入力比較選択部103に送られるデータ保持部選択信号14は、ヒット/ミスヒット制御部104によって“不一致”と判定された場合に、新たに外部入力アドレス信号10を書込むデータ保持部108を選択する信号である。揮発性メモリ制御信号15は、ヒット/ミスヒット制御部104によって“不一致”と判定された場合に、揮発性メモリ101へ所望の動作を行わせる制御信号である。不揮発性メモリ制御信号16は、不揮発性メモリ200への制御信号である。
入出力部105は、データバス22を介し揮発性メモリ101と入出力データ線17とのデータ入出力を行う。
不揮発性メモリ200は、不揮発性メモリセル201と、メモリセル選択部202と、不揮性メモリ制御回路21とを備え、データを不揮発に記憶するメモリである。
不揮発性メモリセル201は、不揮発性特性を有する複数のメモリセルから構成され、指定されたアドレスにデータを格納する。
メモリセル選択部202は、外部入力アドレス信号10に対応する不揮発性メモリセル201のメモリセルを選択するメモリセル選択信号18を出力する。
不揮発性メモリ制御部203は、外部入力コマンド信号19と不揮発性メモリ制御信号16とから、メモリセル選択部202にメモリセル選択制御信号20を出力する。また、不揮発性メモリ制御部203は、入出力部105および入出力回路204のデータの入出力動作を制御する入出力イネーブル信号21を出力する。
入出力回路204は、揮発性メモリ200と入出力データ線17とのデータの入出力を行う。入出力回路204は、不揮発性メモリ200の読出しデータを出力するトライステート出力を有する。
次に、本実施の形態における半導体記憶装置の動作を説明する。
以下、不揮発性メモリが保持するデータを読出すリード動作において、データキャッシュ部100に外部入力アドレス信号10に対応するデータが保持されている場合であるリードヒットの動作について説明する。
以下、不揮発性メモリが保持するデータを読出すリード動作において、データキャッシュ部100に外部入力アドレス信号10に対応するデータが保持されている場合であるリードヒットの動作について説明する。
図2(1)は、本実施の形態における半導体記憶装置のリードヒット動作を示すタイミングチャートである。
図2(1)に示す、XCE30は、外部入力コマンド信号19に含まれるチップイネーブル信号であり、Lレベルが入力されることで、データキャッシュ部100と不揮発性メモリ200とが動作状態になる。
XWE31は、外部入力コマンド信号19に含まれる不揮発性メモリ200への読出し、または、書込み動作を指示する信号であり、Lレベルが書込み、Hレベルが読出しを指示する。
R−HIT32は、不揮発性メモリ制御信号16に含まれるリードヒット認識信号である。R−HIT32は、リード動作において、外部入力アドレス信号10と、データ保持部108が保持するデータとが一致した場合にHレベルとなる。R−MIS_HIT33は、不揮発性メモリ制御信号16に含まれるリードミスヒット認識信号である。R−MIS_HIT33は、リード動作において、外部入力アドレス信号10と、データ保持部108が保持するデータとが一致しなかった場合にHレベルとなる。
WL[n]34は、不揮発性メモリセル201の選択されたメモリセルにおけるメモリセル選択線(ワードライン)の状態を示す。CP[n]35は、不揮発性メモリセル201の選択されたメモリセルにおけるデータ線(ビットライン)の状態を示す。
不揮発性メモリリセット信号36は、メモリセル選択制御信号20に含まれる信号であり、Hレベルでメモリセル選択部202の不揮発性メモリセル201の選択動作をリセットする。
図2(1)に示すように、XCE30がLレベルになり、これを受けてデータキャッシュ部100と不揮発性メモリ200が動作を開始する。
不揮発性メモリ200は、外部入力アドレス信号(EXT−ADDR)10に対応する不揮発性メモリセル201のメモリセルの選択を開始する。メモリセルの選択動作は、例えば、メモリセル選択線(WL[n])34の起動まで行われる。すなわち、不揮発性メモリ200のメモリセル選択部202は、外部入力アドレス信号10に対応する、メモリセル選択線(WL[n])34を選択し、WL[n]34の信号レベルをHレベルにする。
不揮発性メモリ200におけるメモリセル選択線34の選択動作と並列にデータキャッシュ部100において以下に述べる比較動作が行われる。アドレス変換部102は、外部入力アドレス信号10を取込み、データ参照信号11に変換する。データ参照部106は、複数のデータ保持部108が保持するアドレスとデータ参照信号11のデータとの一致/不一致の比較を行う。データ参照部106は、比較結果を判定信号12として出力する。例えば、判定信号12はj個のデータ保持部108に対応するj本の信号であり、一致したデータ保持部108に対応する判定信号12がHレベルとなり、一致しないデータ保持部108に対応する判定信号12がLレベルとなる。また、複数のデータ保持部108は各々が異なるデータを保持しており、j本の判定信号12のうち一つ判定信号12がHレベルとなる。
ヒット/ミスヒット制御部104は、判定信号12から、ヒットまたはミスヒットを判定する。すなわち、ヒット/ミスヒット制御部104は、判定信号12から、入力された外部入力アドレス信号10と、複数のデータ保持部108が保持するアドレスとが一致(ヒット)したか、不一致(ミスヒット)であるかを判定する。入力された外部入力アドレス信号10と、複数のデータ保持部108が保持するアドレスとが一致した場合、リードヒット認識信号(R−HIT)32は、Hレベルとなる。
ヒット/ミスヒット制御部104は、リードヒット認識信号(R−HIT)32を含む不揮発性メモリ制御信号16を出力する。不揮発性メモリ制御部203は、不揮発性メモリ制御信号16より、メモリセル選択部202による不揮発性メモリセル201の選択を解除する不揮発性メモリリセット信号36を含むメモリセル選択制御信号20を出力する。メモリセルセル選択部19は、メモリセル選択制御信号20により、不揮発性メモリセル201の選択を解除する。すなわち、選択されているメモリセル選択線(WL[n])34を非選択状態にする。不揮発性メモリ200は、次サイクルの動作のためにスタンバイ状態となる。
デコード部107は、判定信号12をデコードし、メモリ選択信号13を出力する。メモリ選択信号13により、揮発性メモリ101内の対応するデータ領域が選択される。揮発性メモリ101は、対応するデータを、データバス22に出力する。入出力部105は、データバス22に出力されたデータを入出力データ線17を介し外部に読出しデータとして出力する。
以上のように、本実施の形態における半導体記憶装置は、リードヒット時には、XCE30により不揮発性メモリ200を起動し、メモリ選択線(WL[n])34の起動までの動作を行う。不揮発性メモリ200の動作と並列に、データキャッシュ部100は、外部入力アドレス信号10と、複数のデータ保持部108が保持しているアドレスとの一致または不一致を判定する。外部入力アドレス信号10と、複数のデータ保持部108が保持しているアドレスとが一致した場合は、揮発性メモリ101からデータを読み出し、入出力データ線17に出力する。また、不揮発性メモリ200の読出し動作をキャンセルする。
次に、リード動作において、データキャッシュ部100に外部入力アドレス信号10に対応するデータが保持されていない場合であるリードミスヒットの動作について説明する。
図2(2)は、本実施の形態における半導体記憶装置のリードミスヒット動作を示すタイミングチャートである。なお、図2(1)と同一の要素には同一の符号が付しており詳細な説明は省略する。
外部入力コマンド信号19(XCE)にLレベルが入力された後の、不揮発性メモリ200での、メモリセル選択線(WL[n])の起動動作と、データキャッシュ部100でのデータ参照部106による一致/不一致判定動作とは前述したリードヒット時における動作と同様であるので説明は省略する。
データ保持部108の保持するアドレスと、外部入力アドレス信号10との比較結果は、いずれも不一致の判定結果となり、ヒット/ミスヒット制御部104は、リードミスヒット認識信号(R−MIS_HIT)33にHレベルを出力する。ヒット/ミスヒット制御部104は、リードミスヒット認識信号33を含む不揮発性メモリ制御信号16を、不揮発性メモリ制御部203に出力する。
不揮発性メモリ制御部203は、不揮発性メモリ制御信号16によって、不揮発性メモリセル201からデータを読出すデータ線であるCP[n]35の起動が行う。不揮発性メモリ200は、入出力部204を介して、データを入出力データ線17に出力する。
また、データキャッシュ部100は、データ保持部108が保持するアドレス、および、データ保持部108に対応した揮発性メモリ101のデータ領域の保持データを更新する。すなわち、データ保持部選択信号14により選択されたデータ保持部108は、データ参照信号11のデータを取込み、保持するアドレスを更新する。入出力部105は、入出力部204により出力されたデータを、データバス22を介して、揮発性メモリ101に入力する。揮発性メモリ101は、データ更新したデータ保持部108に対応する領域が選択され、入出力部105により入力されたデータを書き込む。
ここで、入出力部204のHi−Z出力から不揮発性メモリ200の読出しデータを出力するタイミングの制御と、入出力105の起動タイミングの制御とは、同一の信号に基づき行われる。すなわち、入出力部204から入出力データ線17に出力されたデータを入出力部105で取り込むタイミング制御は、不揮発性メモリ200からデータを出力するタイミングを規定するデータ出力イネーブル信号21で行われる。図2(2)に示すように、データ出力イネーブル信号21により、入出力部204が起動され、入出力データ線17に不揮発性メモリ200の読出しデータが出力される。入出力204の起動とほぼ同時に入出力部105が起動され、入出力部105は、入出力データ線17のデータをデータバス22に出力する。これにより、入出力データ線17に不揮発性メモリ200からデータが出力される前のHi−Zの期間(中間電位状態)に、入出力部105を起動してしまい入出力部105の入力段に貫通電流が流れることを防止する。
以上のように、本実施の形態における半導体記憶装置は、リードミスヒット動作では、XCE30により不揮発性メモリ200を起動し、メモリ選択線(WL[n])34の起動までの動作を行う。不揮発性メモリ200の動作と並列に、データキャッシュ部100は、外部入力アドレス信号10と、複数のデータ保持部108が保持しているアドレスとの一致または不一致を判定する。外部入力アドレス信号10と、複数のデータ保持部108が保持しているアドレスとが不一致の場合は、不揮発性メモリ200のCP[n]を起動し、不揮発性メモリ200からデータを読み出し、出力データ線24に出力する。また、読み出したデータを揮発性メモリ101に書込み、対応するアドレスをデータ保持部108に書込む。
このように、本実施の形態における半導体記憶装置は、不揮発性メモリ200における読出し動作と、データキャッシュ部100における比較動作とを同時に開始する。不揮発性メモリ200における読出し動作は、メモリ選択線(WL[n])の選択動作まで行われ、その後に行われるデータ線(CP[n])の選択動作は、データキャッシュ部100における比較動作の終了後に、比較動作の結果が不一致の場合(リードミスヒット時)には行われ、比較動作の結果が一致の場合(リードヒット時)には行われない。これにより、リードミスヒット時には、不揮発性メモリ200の読出し動作が途中(メモリ選択線の選択動作)まで行われているので、従来の半導体記憶装置に比べ、リードミスヒット動作を高速に行うことができる。従来の半導体記憶装置では、ヒット/ミスヒットの判定が終わった後に、不揮発性メモリ200の読出し動作を開始する。すなわち、R−MIS_HIT33がHレベルになった後に、WL[n]34の選択動作が開始される。よって、本実施の形態における半導体記憶装置は、リードミスヒット動作において、WL[n]の選択動作に要する時間分である図2(2)に示す期間T1の分だけ従来よりも高速に動作することができる。
次に、不揮発性メモリ200にデータを書込むライト動作について説明する。
図3(1)は、本実施の形態のおける半導体記憶装置のライトヒット動作を示すタイミングチャートである。図3(2)は、本実施の形態における半導体記憶装置のライトミスヒット動作を示すタイミングチャートである。なお、図2と同様の要素には同一の符号が付しており詳細な説明は省略する。
図3(1)は、本実施の形態のおける半導体記憶装置のライトヒット動作を示すタイミングチャートである。図3(2)は、本実施の形態における半導体記憶装置のライトミスヒット動作を示すタイミングチャートである。なお、図2と同様の要素には同一の符号が付しており詳細な説明は省略する。
図3(1)および(2)に示す、W−HIT37は、不揮発性メモリ制御信号16に含まれるライトヒット認識信号である。W−HIT37は、ライト動作において、外部入力アドレス信号10と、データ保持部108が保持するアドレスとが一致した場合にHレベルとなる。W−MIS_HIT38は、不揮発性メモリ制御信号16に含まれるライトミスヒット認識信号である。W−MIS_HIT38は、ライト動作において、外部入力アドレス信号10と、データ保持部108が保持するアドレスとが一致しなかった場合にHレベルとなる。
INTWE39は、不揮発性メモリ200の内部制御信号であり、ライト動作であるか否かの情報を示すライト認識信号である。INTWE39は、ライト動作時にHレベルとなる。
XCE30にLレベルが入力され、これを受けてデータキャッシュ部100と不揮発性メモリ200が動作を開始する。
ライト動作では、前述したリード動作のように外部入力アドレス信号10と、データ保持部108が保持しているアドレスとの一致/不一致の比較結果によって動作が変更されることは無い。ライト動作が認識された(INTWE39がHレベルになった)時点で、不揮発性メモリ制御信号16によって動作が制御されない動作シーケンスとなる。すなわち、不揮発性メモリ制御信号16(W−HIT37およびW−MIS_HIT38)にかかわらずメモリセル選択信号18が起動され、不揮発性メモリ200のライト動作が進められる。
データキャッシュ部100は、外部入力アドレス信号10と、データ保持部108が保持するアドレスとを比較する。データキャッシュ部100は、比較結果が一致した場合には、一致したアドレスを保持するデータ保持部108に対応した揮発性メモリ101のデータ領域の保持データの更新を行う。データキャッシュ部100は、外部入力アドレス信号10と、データ保持部108が保持しているアドレスとの比較結果が不一致であった場合には、データ保持部108が保持するアドレス、および、データ保持部108に対応した揮発性メモリ101のデータ領域の保持データを共に更新する。
更新されるデータ保持部108の動作は、リード動作の不一致時と同様である。選択信号14で選択されたデータ保持部108は、データ参照信号11のデータを取込み、保持するアドレスを更新する。データキャッシュ部100は、アドレスを更新したデータ保持部108に対応した揮発性メモリ101内のデータ領域を選択し、入出力データ線17に外部から入力される書込みデータを入出力部105およびデータバス22を介して取込み、揮発性メモリ101のデータの更新を行う。
このように、本実施の形態における半導体記憶装置は、ライト動作において、ヒット/ミスヒット判定とは無関係に揮発性メモリ101への書込み動作を行う。すなわち、データキャッシュ部100における比較動作と同時に不揮発性メモリ200への書込み動作を開始し、比較動作の終了を待たずに書込み動作は行われる。これにより、ヒット/ミスヒット動作終了後に、揮発性メモリ101への書込み動作を開始するのに比べ、図3(1)および(2)に示す期間T2だけ高速に書き込み動作を行うことができる。
以上より、本実施の形態における半導体記憶装置は、リード動作でデータキャッシュ部100に所望のアドレスに対応するデータが無い場合(ミスヒット時)、ライト動作ではヒット/ミスヒット動作にかかわらず、データキャッシュ部100と不揮発性メモリ200を並列に動作させることで、動作を高速に行うことができる。
また、リード動作のミスヒット時に揮発性メモリ101の入出力部105の起動タイミングを不揮発性メモリ200のデータ出力タイミングと合わせることで、入出力データ線17のHi−Z期間で、揮発性メモリ101の入出力部105が起動することによる貫通電流を防ぐことができ、低消費電力化が図れる。
以下、データキャッシュ部100の詳細な構成および動作を説明する。
まず、データキャッシュ部100の詳細な構成を説明する。
まず、データキャッシュ部100の詳細な構成を説明する。
図4は、図1に示す半導体記憶装置におけるデータキャッシュ部100の構成を詳細に示す図である。なお、図1と同様の要素には同一の符号が付しており詳細な説明は省略する。
アドレス変換部10は、mビットの外部入力アドレス信号10を相補の信号に変換し、データ参照信号11に出力する。アドレス変換部10は、データ参照信号11によりm組のデータ参照線(CD1/XCD1〜CDm/XCDm)を制御する。例えば、外部入力アドレス信号10の最上位ビットのデータが‘1’の場合は、CD1をHレベルし、XCD1をLレベルにする。外部入力アドレス信号10の最上位ビットのデータが‘0’の場合は、CD1をLレベルにし、XCD1をHレベルにする。
ヒット/ミスヒット制御部104は、ミスヒット時にデータ参照信号11のアドレスを書き込むデータ保持部108を選択するjビットのデータ保持部選択信号14をj本のデータ保持選択線CW1〜CWjに出力する。また、ヒット/ミスヒット制御部104は、アドレス変換部102が外部入力アドレス信号10を取り込むタイミングを規定するアドレス制御信号41を出力する。
データ参照部106は、j個のデータ保持部108−1〜108−jと、データ参照線処理部141と、j個の一致判定部143とを備える。なお、j個のデータ保持部108−1〜108−jを特に区別しない場合はデータ保持部108と表す。
各データ保持部108は、m個のデータ保持比較素子140と、1個のデータ保持比較素子145とを備える。m個のデータ保持比較素子140は、mビットのアドレスを保持する。データ保持比較素子145は、m個のデータ保持比較素子に対応し、m個のデータ保持比較素子が保持するアドレスが有効であるか否かを示す情報を保持する。データ参照線CD1/XCD1からデータ参照線CDm/XCDmのm組のデータ参照線に対応したm個のデータ保持比較素子140と、データ参照線DCD/XDCDに対応したデータ保持比較素子145とが、共通のデータ保持部選択線CW1〜CWjで選択される。
データ参照線処理部141は、データ参照線CD1/XCD1〜CDm/XCDmのプリチャージ等の処理を行う。
一致判定部143は、判定タイミング信号42のタイミングで、一致判定ノードF1〜Fjの信号レベルより、データ保持部108が保持するアドレスと、外部入力アドレス信号10とが一致したか否かを判定し、判定結果である判定信号12を出力する。各一致判定部143は、一致判定ノードF1〜Fjのいずれか一つに接続される。
デコード部107は、判定信号12より、各データ保持部108と対応した揮発性メモリ101のデータ領域を選択するj本のメモリ選択信号13−1〜13−jを発生する。なお、メモリ選択信号13−1〜13−jを特に区別しない場合にはメモリ選択信号13と表す。
データ保持比較素子140およびデータ保持比較素子145は、1ビットのデータ保持、および、保持しているデータとデータ参照線に入力されたデータとの比較を行う素子である。図4に示すようにj×(m+1)個のデータ保持比較素子140およびデータ保持比較素子145は、アレー状に配置される。
図5は、データ保持比較素子140の構成を示す図である。なお、データ保持比較素子145も図5に示すデータ保持比較素子140と同一の構成である。
図5に示すように、データ保持比較素子140は、1ビットのデータ保持するデータ保持部150と、1ビットのデータの比較を行う比較部160とから形成される。なお、図5において、CWは、データ保持部選択線CW1〜CWjの中でデータ保持比較素子140に対応するデータ保持部選択線を示す。Fは、一致判定ノードF1〜Fjの中でデータ保持比較素子140に対応する一致判定ノードを示す。CD/XCDは、データ参照線CD1/XCD1〜CDm/XCDmおよびDCD/XDCDの中でデータ保持比較素子140に対応するデータ参照線を示す。Aはデータ保持比較素子140に保持されているデータであり、XAはデータ保持比較素子140に保持されているデータの反転信号である。例えば、データ‘1’が保持されている場合には、AはHレベルであり、XAはLレベルである。データ‘0’が保持されている場合にはAはLレベルであり、XAはHレベルである。
保持部150は、ラッチ部151と、トランジスタ152および153とを備える。ラッチ部151は、1ビットのデータを保持するラッチ回路である。トランジスタ152および153は、例えば、n型MOSFETである。データ保持比較素子140への書き込みの場合、データ保持部選択線CWがHレベルになり、トランジスタ152および153がオンし、ラッチ部151は、データ参照線CD/XCDのデータを取り込む。
比較部160は、トランジスタ161〜164を備える。例えば、トランジスタ161〜164は、n型MOSFETである。
トランジスタ161は、ラッチ部151が保持するアドレスAがゲートに接続され、一致判定ノードFがドレインに接続される。トランジスタ162は、ラッチ部151が保持するアドレスの反転信号XAがゲートに接続され、一致判定ノードFがドレインに接続される。トランジスタ163は、外部入力アドレス信号10の反転信号が印加されるデータ参照線XCDがゲートに接続され、トランジスタ161のソースがドレインに接続され、VSSがソースに接続される。トランジスタ164は、外部入力アドレス信号10が印加されるデータ参照線CDがゲートに接続され、トランジスタ162のソースがドレインに接続され、VSSがソースに接続される。
比較動作において、一致判定ノードFは、VDDにプリチャージされる。保持部150が保持するデータA/XAと、データ参照線CD/XCDに入力されたデータとが一致した場合、トランジスタ161および163の一方がオンし、他方がオフする。同様にトランジスタ162および164の一方がオンし、他方がオフする。よって、データが一致した場合には、一致判定ノードFはプリチャージされたレベルがキープされる。保持部150が保持するデータA/XAと、データ参照線CD/XCDに入力されたデータとが不一致の場合、トランジスタ161と163との組、または、トランジスタ162と164の組の一方の組は共にオンし、他方の組は共にオフする。よって、一致判定ノードFはVSS(GND)に接続され、Lレベルとなる。例えば、データ1が保持されている場合(AがHレベルおよびXAがLレベルの場合)、データ参照線にデータ1(CDにHレベルおよびXCDにLレベル)が入力されると、AがHレベルなのでトランジスタ161はオンし、XCDがLレベルなのでトランジスタ163はオフである。よって、トランジスタ161および163の経路において一致判定ノードFはVSSに接続されない。また、XAがLレベルなのでトランジスタ162はオフであり、CDがHレベルなのでトランジスタ164はオンである。よって、トランジスタ162および164の経路において一致判定ノードFはVSSに接続されない。よって、データが一致の場合は、一致判定ノードFはHレベルとなる。また、データ1が保持され(AがHレベルおよびXAがLレベル)、データ参照線にデータ0(CDにLレベルおよびXCDにHレベル)が入力されると、AがHレベルなのでトランジスタ161はオンし、XCDがHレベルなのでトランジスタ163はオンする。よって、トランジスタ161および163の経路において、一致判定ノードFはVSSに接続される。すなわち、データが不一致の場合、一致判定ノードFはLレベルになる。
一致判定ノードFには、データ保持部108が備えるm個のデータ保持比較素子140および1個のデータ保持比較素子145が接続される。m個のデータ保持比較素子140および1個のデータ保持比較素子145の中で1つでも不一致であれば、一致判定ノードFはLレベルとなる。また、m個のデータ保持比較素子140および1個のデータ保持比較素子145の全てが一致の場合のみ、一致判定ノードFはHレベルをキープする。よって、一致判定部143は、m個のデータ保持比較素子140と、対応するデータ保持比較素子145との比較結果が共に一致した場合に、データ保持部108が保持するアドレスと、外部入力アドレス信号10とが一致したと判定する。
以上のように、本実施の形態における半導体記憶装置は、保持部150と比較部160とを備えた複数のデータ保持比較素子140および145をアレー状に配置した構成である。また、各データ保持比較素子140および145の比較部160は、一致判定ノードFの電荷を引き抜く回路のみを有し、各データ保持部108のm個のデータ保持比較素子140およびデータ保持比較素子145は、同一の一致判定ノードFに接続される。このような構成にすることで、本実施の形態における半導体記憶装置は、データキャッシュ部100のレイアウト面積を縮小できる。また、同一のレイアウトのデータ保持比較素子140および145を複数個配置するので、データキャッシュ部100の容量の変更等を行う場合にも容易にレイアウトを形成することができる。
次に、比較動作におけるデータキャッシュ部100の詳細な動作を説明する。
図6(1)は、本実施の形態における半導体記憶装置の比較動作が一致した場合のタイミングチャートである。なお、図6(1)において、外部入力アドレス信号10およびデータ参照部106が保持するアドレスは16ビットである。また、説明の簡略化のため、揮発性メモリ101および不揮発性メモリ200の各アドレスに保持されるデータは1ビットとしている。
図6(1)は、本実施の形態における半導体記憶装置の比較動作が一致した場合のタイミングチャートである。なお、図6(1)において、外部入力アドレス信号10およびデータ参照部106が保持するアドレスは16ビットである。また、説明の簡略化のため、揮発性メモリ101および不揮発性メモリ200の各アドレスに保持されるデータは1ビットとしている。
図6(1)に示すA1/XA1は、データ参照部108−1に保持される16ビットのアドレスであり、A2/XA2は、データ参照部108−2に保持される16ビットのアドレスである。
DA1/XDA1は、データ保持部108−1に対応する揮発性メモリ101の領域に保持されるデータである。DA2/XDA2は、データ保持部108−2に対応する揮発性メモリ101の領域に保持されるデータである。
ヒット/ミスヒット制御部104は、XCE30の立下りにより、アドレス制御信号41を生成する。アドレス変換部102は、アドレス制御信号41のタイミングで、外部入力アドレス信号10を取り込み、データ参照信号11を出力する。図6(1)に示すように、例えば、外部アドレス信号10は16ビットであり、アドレス変換部102は、データ‘FFFF’を取り込む。アドレス変換部102は、データ‘FFFF’に対応する信号をデータ参照線CD1/XCD1〜CD16/XCD16に出力する。すなわち、データ参照線CD1〜CD16にはHレベルが出力され、データ参照線XCD1〜XCD16にはLレベルが出力される。
データ参照線CD1/XCD1〜CD16/XCD16はスタンバイ時には共にVSSにプリチャージされており、アドレス制御信号41のタイミングでプリチャージを止める。
一致判定ノードF1〜F16は、スタンバイ時にはVDDにプリチャージされる。
データ参照線CD1/XCD1〜CD16/XCD16が外部入力アドレス信号に対応する信号レベルになると、各データ保持比較素子140は、保持しているアドレスとの比較を行う。データ参照部108−1では、保持しているアドレスA1/XA1と外部入力アドレス信号10が共に‘FFFF’であり一致するので、一致判定ノードF1は、VDDをキープする。また、データ参照部108−2〜108−jの保持するアドレスと、外部入力アドレス信号10とは一致しないので、一致判定ノードF2〜FjはLレベルになる。
一致判定部143は、判定タイミング信号42のタイミングで一致判定ノードF1〜Fjに基づきデータ保持部108の一致/不一致の判定を行う。すなわち、一致判定ノードF1〜FjがHレベルの場合は一致と判定し、一致判定ノードF1〜FjがLレベルの場合は不一致と判定する。一致判定部143は一致/不一致の判定結果を判定信号12として出力する。
デコード部107は、判定信号12に基づきメモリ選択信号13を出力する。データ保持部108−1の保持するアドレスと外部入力アドレス信号10とが一致したので、データ参照部108−1に対応するメモリ選択信号13−1にHレベルが出力される。また、メモリ選択信号13−2〜13−jにLレベルが出力される。
メモリ選択信号13により、揮発性メモリ101の対応する領域が選択される。すなわち、メモリ選択信号13−1に対応した揮発性メモリ101の領域が選択され、データDA1/XDA1が読み出される。
図6(2)は、本実施の形態における半導体記憶装置の比較動作が不一致の場合のタイミングチャートである。なお、図示していないが、データ参照部108−3〜108−jが保持するデータA3/XA3〜Aj/XAjはいずれも‘FFF0/000F’ではないとする。
ヒット/ミスヒット制御部104は、XCE30の立下りにより、アドレス制御信号41を生成する。アドレス変換部102は、アドレス制御信号41のタイミングで、外部入力アドレス信号10を取り込み、データ参照信号11を出力する。アドレス変換部102は、データ‘FFF0’に対応する信号をデータ参照線CD1/XCD1〜CD16/XCD16に出力する。例えば、データ参照線CD1〜CD12およびXCD13〜XCD16にはHレベルが出力され、データ参照線CD13〜CD16およびXCD1〜XCD12にはLレベルが出力される。
データ参照線CD1/XCD1〜CD16/XCD16が外部入力アドレス信号に対応する信号レベルになると、各データ保持比較素子140は、保持しているデータとの比較を行う。データ保持部108−1〜108−jに保持されているアドレスと、外部入力アドレス信号とは一致しないので、一致判定ノードF1〜FjがLレベルとなる。一致判定部143は、一致判定ノードF1〜Fjに基づき不一致の判定結果を判定信号12として出力する。
ヒット/ミスヒット制御部104は、判定信号12に基づき、不一致の場合には、内部アドレスから生成されたデータ保持部選択線CW1〜CWjの一つをHレベルにする。例えば、図6(2)に示すようにCW2がHレベルになる。データ保持部108−2の16個のデータ保持比較素子140にデータ参照線CD1/XCD1〜CD16/XCD16のデータが書き込まれる。すなわち、データ保持部108−2が格納するデータA2/XA2に‘FFF0/000F’が保持される。
データ保持部108−2が格納するアドレスA2/XA2に‘FFF0/000F’が保持されると、データ保持部108−2に対応するメモリ選択信号13−2がHレベルになり、対応する揮発性メモリ101のデータ領域が選択される。対応する揮発性メモリ101のデータ領域は、不揮発性メモリ200より読み出されたデータに更新される。例えば、不揮発性メモリ200から読み出されたデータが‘1’の場合、DA2/XDA2は、‘1/0’に更新される。
次に、本実施の形態における半導体記憶装置の初期化動作を説明する。
データ保持比較素子140が保持するアドレスが不定の場合、そのままアクセスを行うと誤動作を起こしてしまう。例えば、電源投入時等には、データ保持比較素子140が保持するアドレスが不定となる。そこで、データ保持比較素子140に正しいデータに設定するための初期化動作が必要である。
データ保持比較素子140が保持するアドレスが不定の場合、そのままアクセスを行うと誤動作を起こしてしまう。例えば、電源投入時等には、データ保持比較素子140が保持するアドレスが不定となる。そこで、データ保持比較素子140に正しいデータに設定するための初期化動作が必要である。
本実施の形態における半導体記憶装置は、データキャッシュ部100に保持されているデータが有効であるか否かを示す情報をデータ保持比較素子145に保持する。データキャッシュ部100は、初期化動作において、データ保持部比較素子145に、データキャッシュ部100が保持するデータが無効であることを示す情報を書込む。また、データキャッシュ部の保持するデータが更新された後に、データ保持部145に、保持するデータが有効であることを示す情報を書込む。これにより、初期化動作において、不揮発性メモリ200のデータをデータキャッシュ部100に複製する必要がないので、初期化動作を高速に行うことができる。
図7は、本実施の形態における半導体記憶装置の初期化動作を示すタイミングチャートである。図7(1)は、データ保持比較素子145の初期化動作を示すタイミングチャートである。
図7に示すAD1/XAD1は、データ保持部108−1のデータ保持比較素子145が保持するデータである。
電源投入時の信号である電源投入信号43によって、データ参照線処理部146は、それまで共にVSSにプリチャージされていたデータ参照線DCD/XDCDにVDD/VSS(‘1/0’)を印加する。また、データ保持部選択線CW1〜CWjがHレベルになる。これによりj個のデータ保持比較素子145にデータ‘1/0’が保持される。
アドレス制御信号41および判定タイミング信号42は起動されず(VSSのまま)、データ参照線CD1/XCD1〜CD16/XCD16はVSSプリチャージを維持され、一致/不一致判定機能は停止しておく。
以上より、j個のデータ保持比較素子145の保持するデータAD1/XAD1〜ADj/XADjに‘1/0’が保持され、初期化動作は終了する。
図7(2)は、初期化動作後の比較動作を示すタイミングチャートである。
電源投入動作後のアクセス時では、データ参照線処理部146は、データ参照線DCD/XDCDに、初期化動作時とは逆データであるVSS/VDD(‘0/1’)を印加する。データ保持比較素子145は、保持するデータと、データ保持部108のデータが有効であることを示す情報を示すデータ(‘0/1’)とが一致するか否かを比較する。初期化動作により、j個のデータ保持比較素子145が保持するデータは‘1/0’であるので、データ保持比較素子145の保持するデータと、データ参照線DCD/XDCDのデータは不一致となる。これにより、一致判定ノードF1〜FjはLレベルとなり、一致判定部143は、不一致の判定結果を出力する。すなわち、初期化動作後には、外部入力アドレス信号10および各データ保持部108の保持するデータによらず、不一致の判定がなされる。
電源投入動作後のアクセス時では、データ参照線処理部146は、データ参照線DCD/XDCDに、初期化動作時とは逆データであるVSS/VDD(‘0/1’)を印加する。データ保持比較素子145は、保持するデータと、データ保持部108のデータが有効であることを示す情報を示すデータ(‘0/1’)とが一致するか否かを比較する。初期化動作により、j個のデータ保持比較素子145が保持するデータは‘1/0’であるので、データ保持比較素子145の保持するデータと、データ参照線DCD/XDCDのデータは不一致となる。これにより、一致判定ノードF1〜FjはLレベルとなり、一致判定部143は、不一致の判定結果を出力する。すなわち、初期化動作後には、外部入力アドレス信号10および各データ保持部108の保持するデータによらず、不一致の判定がなされる。
不一致の判定がなされた後は、上述した不一致と同様の動作が行われ、データ保持部選択線CW1で選択されたデータ保持部108−1の保持データA1/XA1と、データ保持部108−1に対応したメモリ選択信号13−1で選択される揮発性メモリ101のデータ領域が更新される。すなわち、図7(2)に示すように、データ保持部108−1が保持するデータA1/XA1が‘FFF0/000F’に更新される。また、不揮発性メモリ200の対応するアドレスに保持されていたデータが‘1’の場合には、データ保持部108−1に対応する揮発性メモリ101のデータ領域のデータDA1/XDA1が‘1/0’に更新される。
データ保持部108の保持するデータA1/XA1の更新と同時に、データ保持部108−1に対応するデータ保持比較素子145の保持するデータAD1/XAD1は、データ参照線DCD/XDCDに印加されているデータ‘0/1’に更新される。
これにより、更新されたデータ保持部108−1のデータ保持比較素子145は、データ参照線DCD/XDCDに対して「一致」したデータを保持する。よって、以降、データ保持比較素子145の保持データに律速した「不一致」判定をおこなわれない。すなわち、データ保持比較素子140の比較結果が一致判定部143の判定結果に反映されるようになる。以降は、全データ保持部108が初期化されるまでは同様の動作が行われる。
このように、データ保持部108が保持するアドレスおよび対応する揮発性メモリ101の領域に保持されるデータが更新されるまで(有効なデータが書込まれるまで)は、データ保持比較素子145が保持するデータによって、データ保持部108が保持するアドレスを無効とし、データ保持部108にアドレスが書込まれた後は、データ保持部108が保持するアドレスを有効とする。
以上より、本実施の形態における半導体記憶装置は、データ保持部108が有するデータ保持比較素子145に、データ保持部108が保持するデータが有効であるか否かを示す情報を保持する。データ保持比較素子145は、初期化動作時に、データ保持部108が保持するアドレスが無効であることを示す情報を保持する。これにより、初期化動作後のリード動作における外部入力アドレス信号10と、データ保持部108が保持するアドレスとの比較動作は、不一致と判定されるので、誤って無効なデータを使用してしまうことはない。また、データ保持部108にアドレスが書込まれた場合に、対応するデータ保持比較素子145は、データ保持部108が保持するアドレスが有効であることを示す情報を保持する。以後、アドレスが更新されたデータ保持部108は、通常に動作する。
これにより、本実施の形態における半導体記憶装置は、初期化動作として、データ保持比較素子145にデータ保持部108が保持するデータが無効であることを示す情報を書き込む動作のみを行う。よって、従来の半導体記憶装置における初期化動作である不揮発性メモリ200のデータを揮発性メモリ100に複製する動作に比べ、高速に初期化動作を行うことができる。
また、本発明における半導体記憶装置は、不揮発性メモリ200のデータの一部を保持する揮発性メモリ101からデータを読み出すことで、不揮発性メモリ200に対する読出しの回数を減らす。よって、半導体記憶装置の寿命を延ばすことができる。
また、本実施の形態における半導体記憶装置は、保持部150と比較部160とを備えた複数のデータ保持比較素子140および145をアレー状に配置した構成である。また、各データ保持比較素子140および145の比較部160は、一致判定ノードFの電荷を引き抜く回路のみを有し、各データ保持部108のm個のデータ保持比較素子140およびデータ保持比較素子145は、同一の一致判定ノードFに接続される。このような構成にすることで、本実施の形態における半導体記憶装置は、データキャッシュ部100のレイアウト面積を縮小できる。また、同一のレイアウトのデータ保持比較素子140および145を複数個配置するので、データキャッシュ部100の容量の変更等を行う場合にも容易にレイアウトを形成することができる。
また、本実施の形態における半導体記憶装置は、リード動作でデータキャッシュ部100に所望のアドレスに対応するデータが無い場合(ミスヒット時)、ライト動作ではヒット/ミスヒット動作にかかわらず、データキャッシュ部100と不揮発性メモリ200を並列に動作させることで、動作を高速に行うことができる。
また、リード動作のミスヒット時に揮発性メモリ101の入出力部105の起動タイミングを不揮発性メモリ200のデータ出力タイミングと合わせることで、入出力データ線17がHi−Z期間で、揮発性メモリ101の入出力部105が起動することによる貫通電流を防ぐことができ、低消費電力化が図れる。
以上、本発明の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。
例えば、上記説明では、外部入力アドレス信号10およびデータ保持部108が保持するデータは16ビットとしているが、これに限らない。
また、上記説明では、不揮発性メモリ200から読み出すデータおよび揮発性メモリ101に保持するデータは1ビットのデータであるがこれに限らない。例えば、バイト単位、ワード単位で不揮発性メモリ200および揮発性メモリ101にデータを保持してもよい。
また、上記説明では、不一致の場合に、データ保持部108−2のアドレスを更新しているが他のデータ保持部のアドレスが更新されてもよい。
また、上記説明では、データ保持比較素子145の初期化において、CW1〜CWjが選択され全データ保持比較素子145に同時にデータを設定しているが、これに限らない。例えば、各データ保持比較素子145に対し時分割で設定してもよいし、複数のデータ保持比較素子145ごとに時分割で設定してもよい。
また、上記説明では、判定データ保持比較素子145の初期化動作を電源投入時に行っているが、これに限らない。例えば、システム等で電源を落とさずにメモリのリセットを行うこともあり、このようなリセット動作において初期化動作が行われてもよい。例えば、不揮発性メモリ200、揮発性メモリ101およびデータ参照部106のうち少なくとも一つにおけるリセット時に初期動作を行ってよい。
(実施の形態2)
実施の形態2における半導体記憶装置は、テスト回路を設けることで、データ保持部108が保持するアドレスを任意に変更することができる。
実施の形態2における半導体記憶装置は、テスト回路を設けることで、データ保持部108が保持するアドレスを任意に変更することができる。
図8は、実施の形態2における半導体記憶装置のデータキャッシュ部100の構成を示す図である。なお、図4と同様の要素には同一の符号を付しており詳細な説明は省略する。
図8に示す半導体記憶装置は、ヒット/ミスヒット制御部104にアドレス切替部180と、入出力部181とを備える点が、実施の形態1における半導体記憶装置と異なる。
アドレス切替部180は、外部入力アドレス信号10と、テストモードであることを示す外部より入力されたテストモード信号81から、ヒット/ミスヒット制御部104におけるデータ保持部108の選択を制御する。すなわち、アドレス切替部180は、データ保持部選択信号14の生成を制御する。
入出力部181は、アドレス切替部180が出力するテスト入出力制御信号82により、入出力データ線17とデータ参照線処理部141とのデータの入出力を行う。
本実施の形態における半導体記憶装置は、アドレス切替部180で外部入力アドレス信号10とテストモード信号81とから任意のデータ保持部選択線CW1〜CWjをHレベルにすることで、任意のデータ保持部108を選択することができる。また、外部から入力された信号を入出力データ線17および入出力部181を介し取り込み、対応する信号をデータ参照線CD1/XCD1〜CD16/XCD16およびDCD/XDCDに出力することで、データ保持比較素子140および145が保持するデータを任意に変更することができる。また、入出力部181およびデータ入出力線17を介し、データ保持比較素子140および145が保持するデータを外部に出力すること(テスト時のリード動作)ができる。
これにより、本実施の形態における半導体装置は、検査および評価の自由度を向上することができる。
なお、上記説明では、アドレス切替部180をヒット/ミスヒット制御回路に設けたが、データ保持比較素子140とデータ保持比較素子145との間に設けてもよい。
図9は、アドレス切替部180をデータ保持比較素子140とデータ保持比較素子145との間に設けた半導体記憶装置のデータキャッシュ部100の構成を示す図である。図9に示すようにアドレス切替部180をデータ保持比較素子140とデータ保持比較素子145との間に設けることで、データ保持比較素子140とデータ保持比較素子145とを個別に選択する制御を行うことができる。すなわち、アドレス切替部180は、データ保持比較素子140およびデータ保持比較素子145の少なくとも一つを選択する制御を行う。
これにより、本実施の形態における半導体記憶装置は、アドレス切替部180により選択されたデータ保持比較素子140の保持するアドレスおよびデータ保持比較素子145の保持する情報を個別に更新する。すなわち、データ保持比較素子140およびデータ保持比較素子145のうち一方のみのデータを変更することができる。よって、データ保持比較素子145の保持するデータ保持比較素子140が保持するアドレスが有効であるか否かを示す情報を容易に変更できるので、検査および評価の効率を向上できる。
また、データ保持比較素子145を個別に制御することができるので、任意のデータ保持部108を不使用状態にすることができる。例えば、出荷検査において、不良があるデータ保持部108を不使用状態にすることができる。この場合、出荷検査の不良ビット(不良のあるデータ保持部108)の情報を不揮発性メモリ(不揮発性メモリ200の一部等)またはメタルフューズ等に記憶し、電源投入時に不良ビットの情報を読出し、不良のあるデータ保持部108のデータ比較素子145のデータ保持部選択線CW1〜CWjの信号を制御することで、不良のあるデータ保持部108を不使用にする。例えば、アドレス切替部180が行う制御は、不良のあるデータ保持部108のデータ保持比較素子145に対しては、初期化動作のみを行い、データ保持部108が保持するデータが更新された場合は、データ保持比較素子145のデータ保持部選択線CW1〜CWjを選択しないことで、データ保持比較素子145のデータを更新しない。これにより、不良あるデータ保持部145は、常に対応するデータ保持部108が保持するアドレスは無効であることを示す情報を保持するので、対応するデータ保持部108のアドレスは無効となる。
また、アドレス切替部180を備えたヒット/ミスヒット制御部104を、データ保持比較素子140とデータ保持比較素子145の間に配置してもよい。
図10は、アドレス切替部180を備えたヒット/ミスヒット制御部104を、データ保持比較素子140とデータ保持比較素子145の間に設けた半導体記憶装置におけるデータキャッシュ部100の構成を示す図である。
図10に示すように、アドレス切替部180を備えたヒット/ミスヒット制御部104を、データ保持比較素子140とデータ保持比較素子145の間に設けることで、図9に示す半導体記憶装置と同様の効果に加え、機能集中によりブロック間の配線を削減することができる。よって、半導体記憶装置のレイアウト面積の拡大を抑制することができる。
(実施の形態3)
実施の形態に2における半導体記憶装置は、テスト時のデータ保持比較素子140および145の保持するデータのリード動作において、ラッチ部151のドライブ能力が十分でないとデータ参照線CD/XCDの寄生容量により、ラッチ部151が保持するラッチデータが破壊される可能がある。これに対し、実施の形態3における半導体記憶装置のデータ保持比較素子は、読出し用のデータ経路を書込み用のデータ経路とは別に備えることで、テスト時のリード動作において、保持データが破壊されることを防止する。
実施の形態に2における半導体記憶装置は、テスト時のデータ保持比較素子140および145の保持するデータのリード動作において、ラッチ部151のドライブ能力が十分でないとデータ参照線CD/XCDの寄生容量により、ラッチ部151が保持するラッチデータが破壊される可能がある。これに対し、実施の形態3における半導体記憶装置のデータ保持比較素子は、読出し用のデータ経路を書込み用のデータ経路とは別に備えることで、テスト時のリード動作において、保持データが破壊されることを防止する。
図11は、実施の形態3におけるデータ保持比較素子の構成を示す図である。図11に示すデータ保持比較素子340は、図5に示すデータ保持比較素子140の構成要素に加え、読出しデータ出力部341を備える。なお、図5と同様の要素には同一の符号が付しており、詳細な説明は省略する。
読出しデータ出力部341は、トランジスタ342〜347を備える。例えば、トランジスタ342〜347は、n型MOSFETである。
トランジスタ342は、ゲートがラッチ部151の保持データAに接続され、ドレインがVDDに接続され、ソースがトランジスタ343のドレインに接続される。トランジスタ343は、ゲートがラッチ部151の反転保持データXAに接続され、ドレインがトランジスタ342のソースに接続され、ソースがVSSに接続される。上記構成により、トランジスタ342および343は、ラッチ部151が保持するデータをドライブし、出力する。
トランジスタ344は、トランジスタ342および343とデータ参照線CDとの間に形成されるパストランジスタである。トランジスタ344のゲートには、リード選択線CRが接続される。テスト時のリード動作において、選択されたデータ保持比較素子340のリード選択線CRがHレベルとなる。
トランジスタ345は、ゲートがラッチ部151の反転保持データXAに接続され、ドレインがVDDに接続され、ソースがトランジスタ346のドレインに接続される。トランジスタ346は、ゲートがラッチ部151の保持データAに接続され、ドレインがトランジスタ345のソースに接続され、ソースがVSSに接続される。上記構成により、トランジスタ345および346は、ラッチ部151が保持するデータの反転信号をドライブし、出力する。
トランジスタ347は、トランジスタ345および346とデータ参照線XCDとの間に形成されるパストランジスタである。
図12は、図11に示すデータ保持比較素子340の動作を示すタイミングチャートである。図12(1)は、データ保持比較素子340の比較動作時の動作を示すタイミングチャートである。図12(1)に示すように、比較動作時には、リード選択線CRは、Lレベルであり、トランジスタ344および347はオフしている。比較動作時の他の部分の動作は、図5に示すデータ保持比較素子140と同様である。
図12(2)は、データ保持比較素子340のテスト時のリード動作を示すタイミングチャートである。図12(2)に示すように、テスト時のリード動作では、選択されたデータ保持比較素子340のリード選択線CRがHレベルとなる。これにより、トランジスタ344および347がオンとなり、ラッチ部151が保持するデータがデータ参照線CD/XCDに出力される。すなわち、ラッチ部151の保持データAがデータ参照線CDに出力され、ラッチ部151の反転保持データXAがデータ参照線XCDに出力される。
図12(3)は、データ保持比較素子340のデータ書込み動作(ライト動作またはミスヒット時等)を示すタイミングチャートである。図12(3)に示すように、データ書込み動作時には、リード選択線CRはLレベルであり、トランジスタ344および347はオフしている。また、選択されたデータ保持比較素子340のデータ保持部選択線CWはHレベルになり、トランジスタ152および153はオンする。なお、データ書込み時の他の部分の動作は、図5に示すデータ保持比較素子140と同様である。
以上のように、本実施の形態におけるデータ保持比較素子340は、図12(3)に示すデータ書込み動作においては、パストランジスタ152および153を介し、データ参照線CD/XCDの信号レベルに応じ、ラッチ部151の保持データを更新する。また、図12(2)に示すテスト時のリード動作においては、パストランジスタ344および347を介し、ラッチ部151の保持データをデータ参照線CD/XCDに出力する。すなわち、データ保持比較素子340は、保持データの更新時に導通する書込み経路と、保持データの読出し時に導通する読出し経路とを備える。
以上より、本実施の形態におけるデータ保持比較素子340は、ラッチ部151が保持するデータをトランジスタ342、343、345および346で構成される回路でドライブしデータ参照線CD/XCDに出力する。これにより、テスト時のリード動作において、ラッチ部151にデータ参照線CDまたはXCDの寄生容量が影響することはないので、ラッチ部151の保持データが破壊されることを防止できる。
なお、上記説明では、図11に示す構成の読出しデータ出力部341を用いているが、ラッチ部151が保持するデータをドライブし出力する回路であれば、回路構成はこれに限らない。例えば、上記説明では、読出しデータ出力部341は,n型MOSFETで構成されているが、CMOSで構成してもよい。
本発明は、半導体記憶装置に適用でき、特に読出し回数に制限を持つ不揮発性メモリとキャッシュメモリを有する半導体記憶装置等に適用できる。
10 外部入力アドレス信号
11 データ参照信号
12 判定信号
13、13−1〜13−j メモリ選択信号
14 データ保持部選択信号
15 揮発性メモリ制御信号
16 不揮発性メモリ制御信号
17 入出力データ線
18 メモリセル選択信号
19 外部入力コマンド信号
20 メモリセル選択制御信号
21 データ出力イネーブル信号
22 データバス
30 チップイネーブル信号(XCE)
31 ライトイネーブル信号(XWE)
32 リードヒット認識信号(R−HIT)
33 リードミスヒット認識信号(R−MIS_HIT)
34 メモリセル選択線(WL[n])
35 データ線(CP[n])
36 不揮発性メモリリセット信号
37 ライトヒット認識信号(W−HIT)
38 ライトミスヒット認識信号(W−MIS_HIT)
39 ライト認識信号(INTWE)
41 アドレス制御信号
42 判定タイミング信号
43 電源投入信号
81 テストモード信号
82 テスト入出力制御信号
100 データキャッシュ部
101 揮発性メモリ
102 アドレス変換部
103 入力比較選択部
104 ヒット/ミスヒット制御部
105、181、204 入出力部
106 データ参照部
107 デコード部
108、108−1〜108〜j データ保持部
140、145 データ保持比較素子
141、146 データ参照線処理部
143 一致判定部
150 保持部
151 ラッチ部
152、153、161〜164、342〜347 トランジスタ
160 比較部
180 アドレス切替部
200 不揮発性メモリ
201 不揮発性メモリセル
202 メモリセル選択部
203 不揮発性メモリ制御部
341 読出しデータ出力部
CD/XCD、CD1/XCD1〜CDm/XCDm データ参照線
CW、CW1〜CWj データ保持部選択線
CR リード選択線
F、F1〜Fj 一致判定ノード
A/XA、A1/XA1〜Aj/XAj、AD/XAD データ保持比較素子の保持データ
DA1/XDA1、DA2/XDA2 揮発性メモリの保持データ
11 データ参照信号
12 判定信号
13、13−1〜13−j メモリ選択信号
14 データ保持部選択信号
15 揮発性メモリ制御信号
16 不揮発性メモリ制御信号
17 入出力データ線
18 メモリセル選択信号
19 外部入力コマンド信号
20 メモリセル選択制御信号
21 データ出力イネーブル信号
22 データバス
30 チップイネーブル信号(XCE)
31 ライトイネーブル信号(XWE)
32 リードヒット認識信号(R−HIT)
33 リードミスヒット認識信号(R−MIS_HIT)
34 メモリセル選択線(WL[n])
35 データ線(CP[n])
36 不揮発性メモリリセット信号
37 ライトヒット認識信号(W−HIT)
38 ライトミスヒット認識信号(W−MIS_HIT)
39 ライト認識信号(INTWE)
41 アドレス制御信号
42 判定タイミング信号
43 電源投入信号
81 テストモード信号
82 テスト入出力制御信号
100 データキャッシュ部
101 揮発性メモリ
102 アドレス変換部
103 入力比較選択部
104 ヒット/ミスヒット制御部
105、181、204 入出力部
106 データ参照部
107 デコード部
108、108−1〜108〜j データ保持部
140、145 データ保持比較素子
141、146 データ参照線処理部
143 一致判定部
150 保持部
151 ラッチ部
152、153、161〜164、342〜347 トランジスタ
160 比較部
180 アドレス切替部
200 不揮発性メモリ
201 不揮発性メモリセル
202 メモリセル選択部
203 不揮発性メモリ制御部
341 読出しデータ出力部
CD/XCD、CD1/XCD1〜CDm/XCDm データ参照線
CW、CW1〜CWj データ保持部選択線
CR リード選択線
F、F1〜Fj 一致判定ノード
A/XA、A1/XA1〜Aj/XAj、AD/XAD データ保持比較素子の保持データ
DA1/XDA1、DA2/XDA2 揮発性メモリの保持データ
Claims (17)
- 不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリが保持するデータの一部を保持する揮発性メモリとを備える半導体記憶装置であって、
前記揮発性メモリが保持するデータに対応する前記不揮発性メモリのデータのアドレスを保持するj個の第1の保持手段と、
前記j個の第1の保持手段に対応するj個の第2の保持手段とを備え、
前記第2の保持手段は、対応する前記第1の保持手段が保持するアドレスが有効であるか否かを示す情報を保持する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第2の保持手段は、
初期化動作時に前記アドレスが無効であることを示す情報を保持し、
対応する前記第1の保持手段にアドレスが書込まれた場合に、前記アドレスが有効であることを示す情報を保持する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記第1の保持手段と対応し、対応する前記第1の保持手段の保持データと、外部より入力されたアドレス信号とが一致するか否かを比較するj個の第1の比較手段と、
前記第2の保持手段および前記第1の比較手段と対応し、対応する前記第2の保持手段が保持する情報と、前記アドレスが有効であることを示す情報とが一致するか否かを比較するj個の第2の比較手段と、
前記第1の比較手段と、前記第1の比較手段に対応する前記第2の比較手段との比較結果が共に一致の場合に、前記アドレスと、前記アドレス信号とが一致したと判定するj個の判定手段とを備える
ことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記各第1の保持手段は1ビットのデータを保持するm個の第1の保持素子を備え、
前記各第1の比較手段は1ビットのデータを比較するm個の第1の比較素子を備え、
前記各第1の保持素子および前記各第1の比較素子は第1の保持比較素子を形成し、
前記各第2の保持手段は1ビットのデータを保持し、
前記各第2の比較手段は1ビットのデータを比較し、
前記各第2の保持手段および前記各第2の比較素子は第2の保持比較素子を形成し、
j×(m+1)個の前記第1の保持比較素子および前記第2の保持比較素子は、アレー状に配置される
ことを特徴とする請求項3記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の保持比較素子および前記第2の保持比較素子は、同一の構成である
ことを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の比較手段が備えるm個の比較素子と、前記第1の比較手段に対応する前記第2の比較手段は、同一の配線に接続され、
前記判定手段は、前記配線の信号レベルより、前記アドレスと、外部より入力されたアドレス信号とが一致したか否かを判定する
ことを特徴とする請求項5記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の比較素子は、
前記アドレスがゲートに接続され、前記配線がドレインに接続される第1のトランジスタと、
前記アドレスの反転信号がゲートに接続され、前記配線がドレインに接続される第2のトランジスタと、
前記アドレス信号の反転信号がゲートに接続され、前記第1のトランジスタのソースがドレインに接続され、VSSがソースに接続される第3のトランジスタと、
前記アドレス信号がゲートに接続され、前記第2のトランジスタのソースがドレインに接続され、VSSがソースに接続される第4のトランジスタとを備える
ことを特徴とする請求項6記載の半導体記憶装置。 - 前記初期化動作は、電源投入時に行われる
ことを特徴とする請求項2〜7記載のうちいずれか一つの半導体記憶装置。 - 前記初期化動作は、前記不揮発性メモリ、前記揮発性メモリおよび前記第1の保持部のうち少なくとも一つにおけるリセット時に行われる
ことを特徴とする請求項2〜8記載のうちいずれか一つの半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の少なくとも一つを選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された前記第1の保持手段の保持するアドレスおよび前記第2の保持手段の保持する情報を更新する更新手段と、
外部より入力された信号により、前記選択手段による前記第1の保持手段および前記第2の保持手段の選択を制御する制御手段とを備える
ことを特徴とする請求項1〜9記載のうちいずれか一つの半導体記憶装置。 - 前記制御手段は、前記選択手段による前記第1の保持手段と前記第2の保持手段とを個別に選択する制御を行う
ことを特徴とする請求項10記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記第1の保持手段の保持するアドレスおよび前記第2の保持手段の保持する情報を読出す読出し手段を備え、
前記第1の保持手段および前記第2の保持手段は、
前記更新手段による更新時に導通する第1のデータ経路と、
前記読出し手段による読出し時に導通する第2のデータ経路とを備える
ことを特徴とする請求項10または11記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記アドレスと、外部より入力されたアドレス信号とが一致するか否かを比較する第1の比較手段を備え、
前記不揮発性メモリは、
前記不揮発性メモリが保持するデータを読出す読出し手段を備え、
前記読出し手段による読出し動作は、第1のシーケンスと、前記第1のシーケンスの後に行われる第2のシーケンスを含み、
前記第1のシーケンスは、前記第1の比較手段による比較動作と同時に開始し、
前記第2のシーケンスは、前記比較動作の終了の後に、前記比較動作の結果が不一致の場合には行われ、前記比較動作の結果が一致の場合に行われない
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性メモリは、さらに、
前記不揮発性メモリにデータを書込む書込み手段を備え、
前記書込み手段による書込み動作は、第1のシーケンスと、前記第1のシーケンスの後に行われる第2のシーケンスを含み、
前記第1のシーケンスは、前記第1の比較手段による比較動作と同時に開始し、
前記第2のシーケンスは、前記比較動作の終了を待たずに行われる
ことを特徴とする請求項13記載の半導体記憶装置。 - 前記第1のシーケンスは、前記不揮発性メモリのワードライン選択動作であり、
前記第2のシーケンスは、前記不揮発性メモリのビットライン選択動作である
ことを特徴とする請求項13または14記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記不揮発性メモリの読出しデータを出力するトライステート出力を有する出力手段と、
前記出力手段により出力されたデータを前記揮発性メモリに入力する入力手段とを備え、
前記出力手段のHi−Z出力から前記読出しデータを出力するタイミングの制御と、前記入力手段の起動タイミングの制御とは、同一の信号に基づき行われる
ことを特徴とする請求項13、14または15記載の半導体記憶装置。 - 不揮発性メモリと、不揮発性メモリに保持されているデータの一部のデータおよび対応するアドレスを保持する揮発性メモリとを備えた半導体記憶装置の読出し方法であって、
外部より入力されたアドレス信号と前記アドレスとが一致するか否かを比較する比較ステップと、
前記比較ステップと同時に開始される第1の読出しステップと、
前記比較ステップにおける比較結果が不一致の場合に行われ、前記比較結果が一致の場合には行われない第2の読出しステップとを含む
ことを特徴とする半導体記憶装置の読出し方法。
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