JP2007214594A - 減圧プラズマ処理装置及びその方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スループットを向上させることができ、フィルム汚染が効果的に防止でき、フィルムの管理が容易に行うことができる減圧プラズマ処理装置及びその方法を提供する。
【解決手段】フィルム基板２をプラズマ処理装置本体１０外からプラズマ処理装置本体内の基板搬送位置Ｂに搬入し、基板搬送位置に位置したフィルム基板をチャンバー８内に搬入し、チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させてフィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、プラズマ処理されたフィルム基板をチャンバーから取り出してプラズマ処理装置本体内の基板搬出位置Ｃに位置させてプラズマ処理装置本体外に搬出する。
【選択図】図２

Description

本発明は、被処理基板の表面を処理するプラズマを減圧雰囲気下で発生させるプラズマ処理装置に関するものである。

実装技術の分野において、電子機器の小型化・高機能化に伴い高密度な実装が要求されている。そのため、実装基板への素子の接続は微細化され、より信頼性の高い実装が必要とされている。信頼性を確保する方法の一つとしてプラズマによる表面改質方法がある。たとえば、このプラズマ処理によって、表面に付着した有機物汚染が除去され、ワイヤーボンディングのボンディング強度を向上したり、濡れ性が改善され、基板と封止樹脂との密着性を向上することができる。すなわち、酸素プラズマにより基板表面の活性化を起こし、カルボキシル基（ＣＯＯ）、カルボニル基（Ｃ＝Ｏ）などができて、接合強度の向上につながるといった表面活性化作用を生じさせる。また、アルゴンイオン又は酸素イオンによるスパッタリング作用により、表面洗浄作用を生じさせる。

特に、フィルムなどから構成されるフレキシブル回路基板において基板表面に塩素が残っていると、基板周囲の湿気と反応したり、回路を流れる電流などの影響で回路が腐食する可能性があるため、プラズマ処理によって、表面に付着した塩素が除去されるようにしている。

このようなプラズマ処理の従来の構成としては、フィルムを数枚ずつ人の手でチャンバー内に載置し、チャンバー蓋を閉じてから、真空粗引き、本引き、ガスバルブ開、高周波電力印加、高周波電力印加停止、大気圧復帰、チャンバー開の一連の動作を人が１つずつ行う。真空圧の確認は真空計によって行い、高周波電力印加時間はストップウォッチで計測する。

しかしながら、上記構造のものでは、必然的にバッチ処理になるために、スループットに限界がある。また、人の手によってフィルムを出し入れする為に、フィルムが汚染される可能性がある。さらに、洗浄と次工程の間にブランクが発生する為に、フィルムの管理が難しい。

従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、スループットを向上させることができ、フィルム汚染が効果的に防止でき、フィルムの管理が容易に行うことができる減圧プラズマ処理装置及びその方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。

本発明の第１態様によれば、プラズマ処理装置本体外の基板搬入準備位置と上記プラズマ処理装置本体内の基板搬入位置との間でフィルム基板を移動させる基板搬入スライダと、
上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位置と上記プラズマ処理装置本体外の基板搬出位置との間で上記フィルム基板を移動させる基板搬出スライダと、
上記プラズマ処理装置本体内に配置され、その内部を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理が上記内部にて行われるチャンバーと、
上記基板搬入位置に移動された上記フィルム基板を保持して、上記チャンバーの上記内部に移動させる、基板搬入用の第１搬送アーム装置と、
上記プラズマ処理された上記フィルム基板を保持して、上記チャンバーの上記内部から上記基板搬出準備位置に移動させる、基板搬出用の第２搬送アーム装置と、
を備えることを特徴とする減圧プラズマ処理装置を提供する。

本発明の第２態様によれば、上記チャンバーは、上記フィルム基板を静電吸着により吸着保持する基板電極を備え、
上記第１搬送アーム装置は、
上記フィルム基板を吸着保持する吸着保持部と、
上記フィルム基板を上記基板電極に静電吸着により吸着保持させた状態で、上記フィルム基板から上記吸着保持部をブローにより離脱させる離脱手段と、
を備える、第１態様に記載の減圧プラズマ処理装置を提供する。

本発明の第３態様によれば、フィルム基板をプラズマ処理装置本体外から上記プラズマ処理装置本体内の基板搬入位置に搬入し、
上記基板搬入位置に位置した上記フィルム基板を、基板搬入用の第１搬送アーム装置によりチャンバー内に搬入し、
上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、
上記プラズマ処理された上記フィルム基板を、基板搬出用の第２搬送アーム装置により上記チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位置に位置させ、
上記基板搬出準備位置に位置した上記フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしたことを特徴とする減圧プラズマ洗浄方法を提供する。

本発明の第４態様によれば、上記第１搬送アーム装置が上記フィルム基板を上記チャンバー内に搬入するとき、上記第１搬送アーム装置により上記フィルム基板を吸着保持した状態で上記チャンバー内の基板電極上に上記フィルム基板を移動し、上記基板電極に上記フィルム基板を静電吸着保持させるとともに、上記第１搬送アーム装置から上記フィルム基板にブローを行って上記フィルム基板から上記第１搬送アーム装置を離脱させ、
その後、上記プラズマ処理を行うようにした、第３態様に記載の減圧プラズマ洗浄方法を提供する。

本発明によれば、フィルム基板をプラズマ処理装置本体外からプラズマ処理装置本体内の基板搬入位置に搬入し、上記基板搬入位置に位置した上記フィルム基板をチャンバー内に搬入し、上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、上記プラズマ処理されたフィルム基板を上記チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位置に位置させ、上記基板搬出準備位置に位置した上記フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしている。従って、フィルム基板毎に、搬入、プラズマ処理、搬出動作をそれぞれ独立して自動的に行うことができ、フィルム基板の減圧プラズマ洗浄処理を全自動化することによって人の介在を無くし、フィルム基板の実装工程におけるインライン化が可能となる。

また、減圧プラズマ洗浄処理を全自動化することができて、スループットを向上させることができ、フィルム基板の汚染が効果的に防止でき、フィルム基板の管理が容易に行うことができる。

また、チャンバーでの基板電極に対するフィルム基板の保持を静電吸着により行うようにすれば、フィルム基板の形状が異なっても基板電極を交換する必要はなく、フィルム基板の品種切り替え時の基板電極の交換ロスを削減することができる。また、チャンバー内にフィルム基板保持ジグも不要とすることができる。

以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

本発明の第１の実施形態にかかるプラズマ処理装置は、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、フィルム基板２などの回路基板をチャンバー８内の基板電極８ｂ上に自動的に搬入し、チャンバー８内を排気しかつ所定の反応ガスをチャンバー８内に導入して所定の減圧状態を維持した上で、高周波電源８ｃから高周波電力を印加してチャンバー８内に酸素プラズマを発生させ、発生した酸素プラズマにより、基板電極８ｂ上に保持した基板２の表面をプラズマ処理して、基板２の表面の有機物の炭素原子と酸素を結合させて二酸化炭素の気相として基板２の表面から有機物を自動的に除去して、ＩＣチップや部品などを接合するための基板電極などの接合部の表面を活性化させて接合力を強化できるようにするものである。

具体的には、プラズマ処理装置は、図２及び図１１〜図１３に示すように、一対のフィルム基板２，２を保持してプラズマ処理装置本体１０外からプラズマ処理装置本体１０内に搬入する基板搬入スライダ１と、基板搬入スライダ１から一対のフィルム基板２，２を吸着保持しかつ移動する一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂと、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂが固定されて支持されかつ一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂを基板搬送方向（図２の左方向、図１５参照）Ｆ沿いに移動させる移動装置４と、一対のフィルム基板２，２のプラズマ処理を行う第１チャンバー８Ａと一対のフィルム基板２，２のプラズマ処理を行う第２チャンバー８Ｂとを有するプラズマ処理チャンバー８と、一対のフィルム基板２，２を保持してプラズマ処理装置本体１０内からプラズマ処理装置本体１０外に搬出する基板搬出スライダ９とを備えている。

上記基板搬入スライダ１は、プラズマ処理装置本体１０外の基板搬入準備位置Ａと、プラズマ処理装置本体１０内の基板搬入位置Ｂとの間で、一対のフィルム基板２，２を吸着保持しつつ、モータ又はエアシリンダなどの駆動装置の駆動により移動する。

上記移動装置４は、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂが移動体４ａ上に固定されて支持され、移動体４ａは、サーボモータ４ｃなどの駆動装置によりガイド部材４ｂに沿って基板搬送方向Ｆ沿いに往復移動可能となっている。

一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのそれぞれは、移動体４ａに固定されたモータなどのアーム部駆動装置６ａと、モータなどの駆動装置６ａの駆動により軸方向（基板搬送方向Ｆと直交する方向）に移動するアーム部６と、アーム部６の先端に配置されかつ吸着部昇降装置７ａにより上下動可能に一対の吸着部７，７とを備えて、吸着部昇降装置７ａの駆動により一対の吸着部７，７を下端位置まで下降させて、図示しない吸引装置の駆動により、一対のフィルム基板２，２を同時的に一対の吸着部７，７で吸着保持可能としている。また、移動体４ａの近傍側の基板搬入スライダ１又は基板搬出スライダ９と各チャンバー８との間でアーム部駆動装置６ａの駆動により一対の吸着部７，７が移動可能として両装置間で一対のフィルム基板２，２を同時的に受け渡し可能としている。

一方の（図２では右側のすなわち基板搬入側に近い側の）搬送アーム装置３Ａはチャンバー８Ａ，８Ｂにフィルム基板２，２を搬入する搬送アーム装置である。他方の（図２では左側のすなわち基板搬出側に近い側の）搬送アーム装置３Ｂは、チャンバー８Ａ，８Ｂからフィルム基板２，２を搬出する搬送アーム装置である。従って、それぞれの搬送アーム装置は、プラズマ処理前のフィルム基板２，２又はプラズマ処理後のフィルム基板２，２を常に吸着することになり、プラズマ処理前と後の両方の状態のフィルム基板２，２を同じ搬送アーム装置で吸着しないため、吸着による汚染を無くすことができる。

上記基板搬出スライダ９は、プラズマ処理装置本体１０外の基板搬出準備位置Ｃと、プラズマ処理装置本体１０内の基板搬出位置Ｄとの間で、一対のフィルム基板２，２を吸着保持しつつ、モータ又はエアシリンダなどの駆動装置の駆動により移動する。なお、一対のフィルム基板２，２の保持の方法は、吸着に限らず、他の手段、例えば、係止部材などで保持できるようにしてもよい。

第１チャンバー８Ａは、一対のフィルム基板２，２が一対の第１搬送アーム装置３Ａにより搬入して蓋８ａを閉じたのち、排気され減圧されてＡｒと酸素ガスなどの反応ガスが導入されたのち、高周波電力が印加されて第１チャンバー８Ａ内にプラズマを発生させて、一対のフィルム基板２，２の各表面がプラズマ処理される。その後、大気圧に戻したのち、蓋８ａを開けて、一対のフィルム基板２，２が第２搬送アーム装置３Ｂにより搬出する。

第２チャンバー８Ｂは、一対のフィルム基板２，２が一対の第１搬送アーム装置３Ａにより搬入して蓋８ａを閉じたのち、減圧されて反応ガスが導入されたのち、高周波が印加されてプラズマを発生させて、一対のフィルム基板２，２の各表面がプラズマ処理される。その後、大気圧に戻したのち蓋８ａを開けて、一対のフィルム基板２，２が第２搬送アーム装置３Ｂにより搬出する。

第１チャンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂとは、それぞれ独立してプラズマ処理を行うことができる。よって、例えば、一方のチャンバーでプラズマ処理を行っているときに、他方のチャンバーでプラズマ処理が終了したフィルム基板２を搬出し、次にプラズマ処理を行うフィルム基板２を搬入させることができる。なお、蓋８ａは蓋開閉用エアシリンダ３０の駆動によりそれぞれ開閉される。

第１チャンバー８Ａ及び第２チャンバー８Ｂは同一構成であり、そのチャンバー８を図３に示す。図３において、８ａは上下方向にスライドして開閉するチャンバー８の蓋、８ｅはチャンバー８の側壁内面に配置された石英のカバー、８ｇは基板静電吸着用のＤＣ電極と高周波電力が印加される基板電極８ｂ本体とを絶縁する絶縁材、８ｈは基板電極８ｂを冷却する冷却水流路、８ｉは冷却水流路に冷却水を供給する冷却水用配管、８ｋは基板電極８ｂとチャンバー８とを絶縁するためのアルミナなどから構成されるインシュレータ、８ｍはＳＵＳ３０４などから構成されるチャンバー８の側壁、８ｎはＳＵＳ３０４などから構成されるチャンバー８のベース、８ｐは基板静電吸着用のＤＣ電源８ｔに接続された基板静電吸着用のＤＣ電極、８ｑは基板電極８ｂの冷却水流路を形成するためのＳＵＳ３０４などから構成される水冷ジャケット、８ｒは高周波電源８ｃに接続された高周波印加電極である。なお、チャンバー８の側壁８ｍ、ベース８ｎ、蓋８ａはアースされている。従って、フィルム基板２は、各チャンバー８内の基板電極８ｂ上に載置されると、基板静電吸着用のＤＣ電源８ｔからＤＣ電圧が基板静電吸着用のＤＣ電極８ｐに印加されて、フィルム基板２が静電吸着作用により基板電極８ｂ上に吸着保持される。プラズマ処理中、フィルム基板２はこのように静電吸着された状態で保持され、プラズマ処理終了後、取り出すときには、基板静電吸着用のＤＣ電極８ｐへのＤＣ電圧の印加を停止又は逆方向に電圧を作用させて、フィルム基板２が基板電極８ｂ上から取出しやすくする。

これを図４〜図７に基いて詳細に説明する。

図４及び図５に示すように、吸着部７から基板電極８ｂにフィルム基板２を受け渡すとき、フィルム基板２を吸着保持した吸着部７を吸着部昇降装置７ａにより下端位置まで下降させて、フィルム基板２を基板電極８ｂの直上に位置させる。この状態で、静電吸着用のＤＣ電圧を基板電極８ｂに印加開始し、所定の電圧値に安定したのち、吸着部７によるフィルム基板２の吸着保持を解除するとともにブローを行い、吸着部７から確実にフィルム基板２を分離すると同時に、静電吸着力により、フィルム基板２を基板電極８ｂに静電吸着する。このようにすることにより、フィルム基板２に無理な力が作用することなく、円滑に、吸着部７から基板電極８ｂにフィルム基板２を受け渡すことができる。

一方、逆に、図６及び図７に示すように、基板電極８ｂから吸着部７にフィルム基板２を受け渡すとき、吸着部７を吸着部昇降装置７ａにより下端位置まで下降させて、吸着部７を基板電極８ｂに静電吸着されたフィルム基板２の直上に位置させる。この状態で、静電吸着用のＤＣ電圧の印加を停止し始めると同時に、吸着部７によるフィルム基板２の吸着保持を開始して、吸着部７によりフィルム基板２を吸着保持する。なお、基板電極８ｂには、静電吸着用のＤＣ電圧の逆電圧を印加して、フィルム基板２が基板電極８ｂから確実に分離されるようにしている。このようにすることにより、フィルム基板２に無理な力が作用することなく、円滑に、基板電極８ｂから吸着部７にフィルム基板２を受け渡すことができる。

次に、各チャンバー８Ａ，８Ｂに関する配管系及び排気ガス供給などのプラズマ処理動作について図８及び図９及び図２９を参照しながら説明する。

図８及び図９及び図２９において、Ｒｐは両チャンバー８Ａ，８Ｂ用の排気ポンプ、Ｍｖは排気ポンプＲｐによる排気動作における制御弁、Ｃｖは上記排気動作における流量調整弁であり、粗引き後に所定の減圧状態を維持するように制御弁Ｍｖと流量調整弁Ｃｖとで圧力調整を行うようにしている。ＳＲｖ及びＲｖはそれぞれ上記排気動作に対するスローラフ（粗引き）動作制御バルブ及びラフ（粗引き）動作制御バルブ、Ｓｖ１は上記排気動作に対する第１チャンバー用オンオフ弁、Ｓｖ２は上記排気動作に対する第２チャンバー用オンオフ弁、Ｇは各チャンバー内の圧力を計測する真空計である。また、ＳＨｖは開閉弁として機能しかつ第１チャンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂとを連通管６０で直結して減圧状態から大気圧状態への復帰を促進する直結弁（ショート弁）、Ｐｖ１及びＰｖ２は第１チャンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂとへ切り換えで窒素ガスを供給可能とする窒素ガス用の切換弁である。また、ＳＧｖ１及びＳＧｖ２は第１チャンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂとへ切り換えでＡｒガス又は酸素ガスなどを供給可能とする切換弁、Ｇｖ１，Ｇｖ２，Ｇｖ３はそれぞれＡｒガス用、酸素ガス用、予備用のオンオフ弁、ＭＦＣはＡｒガス用、酸素ガス用、予備用の流量調整弁である。図９において、ＲＦは高周波電源、ＳＥＴ Ｌ１は第２チャンバー８Ｂの大気圧セットポイント、ＳＥＴ Ｌ２は第２チャンバー８Ｂのスロー排気圧セットポイント、ＰＬは第２チャンバー８Ｂの圧力である。また、ＳＥＴ Ｒ１は第１チャンバー８Ａの大気圧セットポイント、ＳＥＴ Ｒ２は第１チャンバー８Ａのスロー排気圧セットポイント、ＰＲは第１チャンバー８Ａの圧力である。また、Ｐ１は粗引き終了を意味するメインバルブのオン圧力（Ｐａ）、Ｐ２はバックグランド圧力（Ｐａ）、Ｐ３はプラズマ処理圧力（Ｐａ）である。また、Ｔ１はプラズマ処理時間（ｓ）、Ｔ２はガス排気時間（ｓ）、Ｔ３は余分にパージして蓋８ａを開けやすくするためのパージ安定時間（ｓ）、Ｔ４は両チャンバー８Ａ，８Ｂを連通するショート時間（ｓ）を示す。

従って、第１チャンバー８Ａで排気動作を行うときには上記第１チャンバー用オンオフ弁Ｓｖ１を開けておく。第２チャンバー８Ｂで排気動作を行うときには上記第２チャンバー用オンオフ弁Ｓｖ２を開けておく。この実施形態では、いずれか一方のオンオフ弁Ｓｖを開け、同時に２つのオンオフ弁Ｓｖは開けないが、これに限られるものではない。そして、排気ポンプＲｐが駆動されて排気動作を開始するとき、図９及び図２８に示すように、最初はスローラフ（粗引き）動作を行わせるようにスローラフ（粗引き）動作制御バルブＳＲｖを開け、排気動作すべき第１又は第２チャンバー８Ａ又は８Ｂの真空計Ｇの圧力がＳＥＴ Ｒ２又はＳＥＴ Ｌ２になると、ラフ（粗引き）動作制御バルブＲｖを開く。このようにすることにより、排気ポンプＲｐであるロータリーポンプへの急激な空気の流入を防ぎ、オイルの飛散やポンプの損傷を防ぐといった効果がある。
そして、第１又は第２チャンバー８Ａ又は８Ｂの真空計Ｇにより第１又は第２チャンバー８Ａ又は８Ｂの圧力ＰＲ又はＰＬがメインバルブオン圧力Ｐ１になると、その後、制御弁Ｍｖと流量調整弁Ｃｖとにより減圧状態を制御して、第１又は第２チャンバー８Ａ又は８Ｂの圧力ＰＲ又はＰＬがバックグランド圧力Ｐ２となったのち、Ａｒガス用の流量調整弁ＭＦＣとＡｒガス用オンオフ弁Ｇｖ１、酸素ガス用の流量調整弁ＭＦＣと酸素ガス用オンオフ弁Ｇｖ２、予備用の流量調整弁ＭＦＣと予備用のオンオフ弁Ｇｖ３を適宜動作させて、所望のガスを所定の減圧状態となったチャンバー８へ供給可能した上で、切換弁ＳＧｖ１又はＳＧｖ２を切り換えて、Ａｒガス又は酸素ガスなどを上記所定の減圧状態となったチャンバー８へ供給する。

このＡｒガス又は酸素ガスなどの供給後、ガス導入動作が安定化したのち、高周波電力を基板電極８ｂに印加してプラズマをチャンバー８内に発生させてフィルム基板２，２の電極などの接合部のプラズマ処理を行う。所定のプラズマ処理時間Ｔ１だけプラズマ処理を行ったのち、Ａｒガス又は酸素ガスなどの供給を停止してガス排気時間Ｔ２の間、排気する。その後、窒素ガス用の切換弁Ｐｖ１又はＰｖ２を切り換えて、窒素ガスを所定の減圧状態となったチャンバー８へ供給して窒素パージを行う。このとき、窒素パージ開始時に、第１チャンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂとを連通する連通管６０の直結弁ＳＨｖを開けて、プラズマ処理を行っていたチャンバー８Ａ又は８Ｂと、蓋８ａを閉じてプラズマ処理用の排気動作を開始した直後のチャンバー８Ｂ又は８Ａとを連通させることにより、プラズマ処理を行っていたチャンバー８Ａ又は８Ｂの減圧状態を迅速に同気圧状態に戻すことができる（なお、蓋８ａを開けてのフィルム基板２，２のチャンバー８への搬入環境は窒素雰囲気であるため、プラズマ処理を行っていたチャンバー８Ａ又は８Ｂでの窒素パージ動作に何ら支障は生じない。）。
上記したプラズマ処理装置は、基板搬入スライダ１、搬送アーム装置３Ａ，Ｂ、移動装置４、第１チャンバー８Ａ、第２チャンバー８Ｂ、各高周波電源８ｃ、各基板静電吸着用のＤＣ電源、基板搬出スライダ９などがコントローラ２０に接続されて、コントローラ２０によりそれぞれの動作が制御されている。

また、部品実装基板の製造ライン内での上記プラズマ処理装置の配置の一例を図１４に示す。図１４において、４１は多数のフィルム基板２，…，２が収納され一枚ずつ基板搬送方向Ｆ沿いに送り出すローダ、４０はフィルム基板２を２枚毎に上記プラズマ処理する上記プラズマ処理装置、４２は上記プラズマ処理された各フィルム基板２にＡＣＦ（異方性導電フィルム）を介してＩＣチップを実装するＩＣボンダ、４３は各フィルム基板２の所定個所に接着剤を塗布する接着剤塗布装置、４４は各フィルム基板２の接着剤が塗布された上記所定個所などに部品を実装する部品実装装置、４５はフィルム基板２同士を接着して製品化するＦＰＣボンダ、４６は送られてきた製品を検査する検査装置、４７は基板搬送方向Ｆ沿いに一個ずつ送られてきた製品を収納するアンローダである。

上記プラズマ処理装置の作用について図２、図１５〜図２２、図２３を参照しながら詳細に説明する。

図１５に示すように、基板搬入スライダ１に一対のフィルム基板２，２すなわち２−１，２−２が載置されているとする。一対のフィルム基板２−１，２−２を載置した基板搬入スライダ１が基板搬入準備位置Ａから基板搬入位置Ｂに移動して停止する（丸１参照）。

次に、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿いに移動（丸２参照）して、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのうちの第１搬送アーム装置３Ａの一対の吸着部７，７が基板搬入位置Ｂに位置した基板搬入スライダ１上の一対のフィルム基板２−１，２−２に向けて下降し、同時的に吸着保持したのち、上昇する（丸３参照）。

次いで、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿いに次の動作位置まで移動するとともに（丸４参照）、プラズマ処理が終了した第２チャンバー８Ｂの蓋８ａが開かれる（丸５参照）。なお、第２チャンバー８Ｂ内でプラズマ処理された一対のフィルム基板２，２が既にある場合には、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのうちの第２搬送アーム装置３Ｂの一対の吸着部７，７により、プラズマ処理された一対のフィルム基板２，２が吸着保持されて第２チャンバー８Ｂから取り出される（丸６参照）。この動作の前に、基板搬出スライダ９は基板搬出位置Ｄから基板搬出準備位置Ｃに戻っている（丸７参照）。また、基板搬入スライダ１は、基板搬入位置Ｂから基板搬入準備位置Ａに戻って、次の新しいフィルム基板２−３，２−４を載置したのち、基板搬入位置Ｂに戻る（丸８参照及び図１７参照）。

その後、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿いに移動したのち（丸９参照）、第１搬送アーム装置３Ａが基板搬入スライダ１の上方から、蓋８ａが開かれた第２チャンバー８Ｂ内に臨む上方位置まで移動して、第１搬送アーム装置３Ａの一対の吸着部７，７が第２チャンバー８Ｂの上方位置から下降して、図１６に示すように第２チャンバー８Ｂ内の基板電極８ｂに一対のフィルム基板２−１，２−２を載置したのち、上昇し、初期位置まで戻る（（１０）参照）。第２チャンバー８Ｂでは、一対のフィルム基板２−１，２−２が基板電極８ｂに載置されたのち、蓋８ａを閉じて（（１１）参照）第２チャンバー８Ｂ内を排気して１０^５Ｐａから１Ｐａに減圧にするとともに、所定の反応ガスを１Ｐａから１０Ｐａになるまで流入させて、１０Ｐａの所定の圧力状態を維持して高周波電力が印加されてプラズマが発生させられてプラズマ処理が行われる。プラズマ処理後、窒素ガスが流入されて、２０Ｐａから１０^５Ｐａとなり、第２チャンバー８Ｂの蓋８ａが開かれる（丸５参照）。

一方、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿いにさらに移動したのち（（１２）参照）、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのうちの第２搬送アーム装置３Ｂの一対の吸着部７，７に吸着保持していたプラズマ処理済みの一対のフィルム基板２，２を、基板搬入位置Ｂに位置した基板搬入スライダ１上に載置する（（１３）参照）。その後、基板搬出スライダ９は、その上に一対のフィルム基板２，２が載置されたのち、基板搬出準備位置Ｃから基板搬出位置Ｄに移動する（（１４）参照）。

次いで、移動装置４により基板搬送方向Ｆとは反対方向沿いに移動したのち（（１５）参照）、図１７に示すように、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのうちの第１搬送アーム装置３Ａの一対の吸着部７，７が基板搬入位置Ｂに位置した基板搬入スライダ１上の一対のフィルム基板２−２，２−３に向けて下降し、同時的に吸着保持したのち、上昇する（（１６）参照）。

次いで、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿いに次の動作位置まで移動するとともに（（１７）参照）、プラズマ処理が終了した第１チャンバー８Ａの蓋８ａが開かれる（（１８）参照）。なお、第１チャンバー８Ａ内でプラズマ処理された一対のフィルム基板２，２が既にある場合には、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのうちの第２搬送アーム装置３Ｂの一対の吸着部７，７により、プラズマ処理された一対のフィルム基板２，２が吸着保持されて第１チャンバー８Ａから取り出される（（１９）参照）。この動作の前に、基板搬出スライダ９は基板搬出位置Ｄから基板搬出準備位置Ｃに戻っている（（１４）参照）。また、基板搬入スライダ１は、基板搬入位置Ｂから基板搬入準備位置Ａに戻って、次の新しいフィルム基板２，２を載置したのち、基板搬入位置Ｂに戻る（（１）参照）。

その後、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿いに移動したのち（（２０）参照）、第１搬送アーム装置３Ａが基板搬入スライダ１の上方から、蓋８ａが開かれた第１チャンバー８Ａ内に臨む上方位置まで移動して、第１搬送アーム装置３Ａの一対の吸着部７，７が第１チャンバー８Ａの上方位置から下降して、図１８に示すように第１チャンバー８Ａ内の基板電極８ｂに一対のフィルム基板２−３，２−４を載置したのち、上昇し、初期位置まで戻る（（２１）参照）。第１チャンバー８Ａでは、一対のフィルム基板２−３，２−４が基板電極８ｂに載置されたのち、蓋８ａを閉じて（（２２）参照）第１チャンバー８Ａ内を排気して１０^５Ｐａから１Ｐａに減圧にするとともに、所定の反応ガスを１Ｐａから１０Ｐａになるまで流入させて、１０Ｐａの所定の圧力状態を維持して高周波電力が印加されてプラズマが発生させられてプラズマ処理が行われる。プラズマ処理後、窒素ガスが流入されて、２０Ｐａから１０^５Ｐａとなり、第１チャンバー８Ａの蓋８ａが開かれる（（１８）参照）。

一方、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿いにさらに移動したのち（（２３）参照）、図１８に示すように、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのうちの第２搬送アーム装置３Ｂの一対の吸着部７，７に吸着保持していたプラズマ処理済みの一対のフィルム基板２−１，２−２を、基板搬出準備位置Ｃに位置した基板搬出スライダ９上に載置する（（２５）参照）。その後、基板搬出スライダ９は、その上に一対のフィルム基板２，２が載置されたのち、基板搬出準備位置Ｃから基板搬出位置Ｄに移動する（丸７参照）。その後、図２３に示すように、上記動作を繰り返す。

なお、上記プラズマ処理装置とこれに隣接配置されるＩＣボンダ４２との関係について主として説明する。

次いで、図１９に示すように、基板搬出位置Ｄに位置した基板搬出スライダ９の一対のフィルム基板２−１，２−２のうちの一方のフィルム基板２−１を取り出して、下流側に隣接する部品実装装置例えばＩＣボンダ４２の基板供給取出し位置Ｉに搬入させる。

次いで、図２０に示すように、ＩＣボンダ４２の基板保持装置４２ａを９０度間欠的に回転させて、基板供給取出し位置Ｉに供給されたフィルム基板２−１をＡＣＦ貼り付け位置ＩＩに位置させてＡＣＦ（異方性導電フィルム）をフィルム基板２−１に貼り付け開始する。このとき同時に、基板搬出位置Ｄに位置した基板搬出スライダ９の一対のフィルム基板２−１，２−２のうちの残りのフィルム基板２−２を取り出して、下流側に隣接するＩＣボンダ４２の基板供給取出し位置Ｉに搬入させる。この動作の間、第１チャンバー８Ａでの一対のフィルム基板２−３，２−４のプラズマ処理が終了し、第２搬送アーム装置３Ｂの一対の吸着部７，７により、一対のフィルム基板２−１，２−２を、第１チャンバー８Ａから取り出して基板搬出準備位置Ｃに位置した基板搬出スライダ９上に載置する。

次いで、図２１に示すように、ＩＣボンダ４２の基板保持装置４２ａを９０度間欠的にさらに回転させて、ＡＣＦ貼り付け位置ＩＩに位置されたフィルム基板２−１を検査位置ＩＩＩに位置させて検査を開始すると同時に、基板供給取出し位置Ｉに供給されたフィルム基板２−２をＡＣＦ貼り付け位置ＩＩに位置させてＡＣＦをフィルム基板２−２に貼り付け開始する。このとき同時に、基板搬出位置Ｄに位置した基板搬出スライダ９の一対のフィルム基板２−３，２−４のうちの一方のフィルム基板２−３を取り出して、下流側に隣接するＩＣボンダ４２の基板供給取出し位置Ｉに搬入させる。

次いで、図２２に示すように、ＩＣボンダ４２の基板保持装置４２ａを９０度間欠的にさらに回転させて、検査位置ＩＩＩに位置されたフィルム基板２−１をＩＣ装着位置ＩＶに位置させてＩＣチップをＡＣＦを介してフィルム基板２−１に装着し、ＡＣＦ貼り付け位置ＩＩに位置されたフィルム基板２−２を検査位置ＩＩＩに位置させて検査を開始すると同時に、基板供給取出し位置Ｉに供給されたフィルム基板２−３をＡＣＦ貼り付け位置ＩＩに位置させてＡＣＦをフィルム基板２−３に貼り付け開始する。このとき同時に、基板搬出位置Ｄに位置した基板搬出スライダ９の一対のフィルム基板２−３，２−４のうちの残りのフィルム基板２−４を取り出して、下流側に隣接するＩＣボンダ４２の基板供給取出し位置Ｉに搬入させる。なお、この後、ＩＣボンダ４２の基板保持装置４２ａを９０度間欠的にさらに回転させられて、ＩＣチップがＡＣＦを介して装着されたフィルム基板２−１が基板供給取出し位置Ｉに位置すると、フィルム基板２−１が基板保持装置４２ａから取り出されて次の工程に搬送される一方、次にＩＣチップを装着すべきフィルム基板２が基板供給取出し位置Ｉに搬入される。

以降、上記した動作が繰り返されて、フィルム基板２，…，２のプラズマ処理、及び、プラズマ処理後のＡＣＦを介してのＩＣチップ実装処理が自動的に連続して行われる。

一例として、プラズマ処理条件を以下に記載する。

プラズマ処理変更条件としては、酸素ガス流量は０〜２０ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量は０〜２０ｓｃｃｍ、高周波電力は０〜３００Ｗ、真空度は１０〜１００Ｐａ、ガス導入系は図示したように３系統（一例として、Ａｒガスは５０ｓｃｃｍ、酸素ガスは５０ｓｃｃｍ、予備ガスは５０ｓｃｃｍ、）とする。直結用の連通管６０は１系統とする。

真空排気系は、排気ポンプＲｐの一例としてロータリーポンプを使用し、図８のＣｖである手動コンダクタンスバルブ（自動排気制御バルブＡＰＣでもよい。）を使用する。

到達真空度の一例としては、９Ｐａ以下とする。

基板電極用の冷却水の流量は１５リットル／ｍｉｎ、圧力は１１２７．８〜２９４．２ｋＰａ（１１．５〜３ｋｇｆ／ｃｍ^２）（背圧無きこと）、水温は１５〜３０℃（結露しないように室温以上が良い。）とする。

供給配管系としては、以下の通りである。圧縮空気の流量は１０リットル／ｍｉｎ、圧力は４９０．３ｋＰａ（５ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上。パージ用窒素ガスの流量は１０リットル／ｍｉｎ、圧力は１９．６ｋＰａ（２ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上。Ａｒガスの流量は５０ｃｃ／ｍｉｎ、圧力は１４７．１ｋＰａ（１．５ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上。酸素ガスの流量は５０ｃｃ／ｍｉｎ、圧力は１４７．１ｋＰａ（１．５ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上。予備ガスの流量は５０ｃｃ／ｍｉｎ、圧力は１４７．１ｋＰａ（１．５ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上。窒素ガスはパージ用に１種類のみ使用する。圧縮空気は、移載アームやチャンバ蓋の上下などに使用するシリンダ用である。パージは窒素ガスのみであり、プロセスガスはＡｒ、Ｏ_２、予備の３つである。

上記実施形態によれば、２対のフィルム基板２，…，２をプラズマ処理装置本体１０外からプラズマ処理装置本体内の基板搬送位置Ｂに搬入し、上記基板搬送位置に位置した上記一対のフィルム基板２，２ずつをチャンバー８Ａ，８Ｂ内にそれぞれ独立して搬入し、上記チャンバー８Ａ，８Ｂ内をそれぞれ排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記一対のフィルム基板２，２から有機物を除去するプラズマ処理を行い、上記プラズマ処理された一対のフィルム基板２，２を上記チャンバー８Ａ，８Ｂからそれぞれ独立して取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出位置Ｃに位置させ、上記基板搬出位置Ｃに位置した上記一対のフィルム基板２，２を上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしている。従って、一対のフィルム基板２，２毎に、搬入、プラズマ処理、搬出動作をそれぞれ独立して自動的に行うことができ、フィルム基板２，…，２の減圧プラズマ洗浄処理を全自動化することによって人の介在を無くし、フィルム基板２，…，２の実装工程におけるインライン化が可能となる。

また、減圧プラズマ洗浄処理を全自動化することができて、スループットを向上させることができ、フィルム基板２，…，２の汚染が効果的に防止でき、フィルム基板２，…，２の管理が容易に行うことができる。

また、一対のフィルム基板２，２を同時に搬送し、かつ、２枚同時にプラズマ処理することができる。言いかえれば、ダブルチャンバーすなわち第１チャンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂとによる２つのチャンバー８の並列かつ独立したプラズマ処理が行える結果として、高スループットを達成することができる。

また、窒素パージ開始時に、第１チャンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂとを連通する連通管６０の直結弁ＳＨｖを開けて、プラズマ処理を行っていたチャンバー８Ａ又は８Ｂと、蓋８ａを閉じてプラズマ処理用の排気動作を開始した直後のチャンバー８Ｂ又は８Ａとを連通させるようにしている。このため、プラズマ処理を行っていたチャンバー８Ａ又は８Ｂの減圧状態を迅速にかつ効率良く同じ圧力状態にすることができる。

また、各チャンバー８の容積を、プラズマ処理すべきフィルム基板２の最大寸法を基準に設計して最適化することにより、各チャンバー８の容積を最小化し、排気時間を最短にすることができる。

また、各チャンバー８での基板電極８ｂに対するフィルム基板２の保持を静電吸着により行うようにしているため、フィルム基板２の形状が異なっても基板電極８ｂを交換する必要はなく、フィルム基板２の品種切り替え時の基板電極８ｂの交換ロスを削減することができる。また、チャンバー内にフィルム基板保持ジグも不要とすることができる。また、駆動部をワーク面より下部に配置するとともに、ワーク上面やチャンバー内に摺動部が存在しないため、ダストの発生を防止することができる。また、設定したフィルム基板枚数ごとに、チャンバー内にフィルム基板を入れずにプラズマをたてて、チャンバー内や電極に付着した汚染物質を飛ばすことにより、チャンバー内の自動クリーニングを行うことができる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。

例えば、図２４に示すように、ＩＣボンダ４２の基板保持装置４２ａに保持されてＡＣＦ貼り付け位置ＩＩに位置させられたフィルム基板２にＡＣＦを貼り付けたのち、検査位置ＩＩＩで検査装置４２ｃで検査したとき、コントローラ４２ｂによりＡＣＦの貼り付け異常が検出されたときには、その旨の信号がコントローラ４２ｂからプラズマ処理装置のコントローラ２０に入力されて、フィルム基板２に対するプラズマ処理が不充分であると仮定して、プラズマ処理のための高周波電力を大きくするか、又は、プラズマ処理時間を長くすることができる。また、検査位置ＩＩＩで検査装置４２ｃで検査したとき、コントローラ４２ｂによりフィルム接合部の断線などの異常を認識したときには、その旨の信号がコントローラ４２ｂからプラズマ処理装置のコントローラ２０に入力されて、フィルム基板２に対するプラズマ処理が過度であると仮定して、プラズマ処理のための高周波電力を小さくするか、又は、プラズマ処理時間を短くすることができる。

また、各チャンバー８内でフィルム基板２を基板電極８ｂに保持するとき、静電吸着するものに限らず、他の手段、例えば、係止部材などで保持できるようにしてもよい。具体的には、図２５及び図２６に示すように、フィルム基板２の移動を規正する絶縁性の規正ピン２２，…，２２をフィルム基板２の周囲に立設して、フィルム基板２の移動を規正することにより、フィルム基板２を基板電極８ｂに保持するようにしてもよい。この場合、フィルム基板２の形状が異なれば、フィルム基板２の形状に対応して絶縁性の規正ピン２２，…，２２が配置されたものに交換するようにしてもよい。

また、図２７に示すように、フィルム基板２がチャンバー８内に位置しており、上記プラズマ処理装置に隣接する次工程の装置がトラブルなどで停止している場合、チャンバー８内を減圧にしたままフィルム基板２を真空保管し、次工程の装置のトラブルなどが解消されたのち、減圧状態を大気圧状態に戻してチャンバー８内からフィルム基板２を取り出すようにしてもよい。

また、図２８に示すように、フィルム基板２が基板搬出スライダ９又は基板搬入スライダ１に位置しており、上記プラズマ処理装置に隣接する次工程の装置がトラブルなどで停止している場合、基板搬出スライダ９又は基板搬入スライダ１に位置しているフィルム基板２をチャンバー８内に入れて、減圧状態として、真空保管できるようにする。必要に応じて、短時間のプラズマ処理を行うようにしてもよい。そして、次工程の装置のトラブルなどが解消されたのち、減圧状態を大気圧状態に戻してチャンバー８内からフィルム基板２を取り出すようにしてもよい。

また、搬送アーム装置３Ａ，３Ｂの吸着部７，７は、必要に応じて、フィルム基板２の形状などに応じて交換したり、位置を変更したりするようにしてもよい。

また、プラズマ処理条件中、フィルム基板２の品種が異なる毎に変わるパラメータ（例えば、高周波電力値、プラズマ処理時間Ｔ１、ガス排気時間Ｔ２、搬送パラメータ、ガス流量、ガス種など）を、例えば、コントローラ２０に接続されるメモリにフィルム基板２の品種情報と関連させて記憶させて一括管理するようにすれば、フィルム基板２の品種が決まれば、プラズマ処理条件の上記パラメータを自動的に設定してコントローラ２０により制御させることができる。よって、フィルム基板２の品種が異なる毎に、作業員の手でパラメータの変更入力を行う必要がなくなる。なお、メインバルブのオン圧力Ｐ１、バックグランド圧力Ｐ２、パージ安定時間Ｔ３はプラズマ処理装置固有のマシンデータとして、上記メモリに記憶させておく。

また、フィルム基板の例として、四角形、Ｌ型、Ｃ型、Ｉ型などの種々の形状の場合があり、各形状のフィルム基板においては、スルーホールと接合面を避けた場所を吸着するのが好ましい。例えば、図３０（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すように、Ｌ型フィルム基板、Ｃ型フィルム基板、Ｉ型フィルム基板では、それぞれ、スルーホールと接合面を避けて一定距離離れた黒丸の２箇所を吸着するのが好ましい。

なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。

（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施形態にかかる減圧プラズマ処理装置の概略説明図及び上記減圧プラズマ処理装置による減圧プラズマ処理の原理を説明するための説明図である。 上記プラズマ処理装置の概略模式図である。 上記プラズマ処理装置の基板電極の断面図である。 上記プラズマ処理装置の吸着部から基板電極にフィルム基板を受け渡すときの各装置の動作を示すタイミングチャートである。 図４の上記プラズマ処理装置の吸着部から基板電極にフィルム基板を受け渡すときの各装置の動作を示す説明図である。 上記プラズマ処理装置の基板電極から吸着部にフィルム基板を受け渡すときの各装置の動作を示すタイミングチャートである。 図６の上記プラズマ処理装置の基板電極から吸着部にフィルム基板を受け渡すときの各装置の動作を示す説明図である。 上記プラズマ処理装置の配管系の図である。 上記プラズマ処理装置の配管系の各装置の動作や弁の開閉動作を示すタイミングチャートである。 上記プラズマ処理装置の詳細な正面図である。 上記プラズマ処理装置の詳細な平面図である。 上記プラズマ処理装置の詳細な右側面図である。 上記プラズマ処理装置の詳細な背面図である。 部品実装基板の製造ライン内での上記プラズマ処理装置の配置の一例を示す斜視図である。 上記プラズマ処理装置の一連の動作を示す説明図である。 図１５に続く上記プラズマ処理装置の一連の動作を示す説明図である。 図１６に続く上記プラズマ処理装置の一連の動作を示す説明図である。 図１７に続く上記プラズマ処理装置の一連の動作を示す説明図である。 図１８に続く上記プラズマ処理装置の一連の動作を示す説明図である。 図１９に続く上記プラズマ処理装置の一連の動作を示す説明図である。 図２０に続く上記プラズマ処理装置の一連の動作を示す説明図である。 図２１に続く上記プラズマ処理装置の一連の動作を示す説明図である。 上記プラズマ処理装置の一連の動作のタイミングチャートである。 本発明の上記実施形態の変形例において、ＩＣボンダの検査でＡＣＦの貼り付け異常が検出されたときのプラズマ処理装置のコントローラの動作を説明する説明図である。 本発明の上記実施形態の一変形例であって、各チャンバー内でのフィルム基板の基板電極に対する保持機構を示す平面図である。 図２５の上記変形例での保持機構によりフィルム基板が保持された状態での一部断面側面図である。 本発明の上記実施形態の別の変形例であって、フィルム基板がチャンバー内に位置しており、上記プラズマ処理装置に隣接する次工程の装置がトラブルなどで停止している場合のチャンバー内のフィルム基板の取扱いを説明する説明図である。 本発明の上記実施形態のさらに別の変形例であって、フィルム基板がスライダに位置しており、上記プラズマ処理装置に隣接する次工程の装置がトラブルなどで停止している場合のスライダ上のフィルム基板の取扱いを説明する説明図である。 本発明の上記実施形態のプラズマ処理でのプロセスフローを示す図である。 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、それぞれ、本発明の上記実施形態のプラズマ処理で処理可能なＬ型フィルム基板、Ｃ型フィルム基板、Ｉ型フィルム基板の概略図である。

符号の説明

１…基板搬入スライダ、２…フィルム基板、３Ａ，３Ｂ…搬送アーム装置、４…移動装置、４ａ…移動体、４ｂ…ガイド部材、４ｃ…サーボモータ、６…アーム部、６ａ…アーム部駆動装置、７…吸着部、７ａ…吸着部昇降装置、８…プラズマ処理チャンバー、８Ａ…第１チャンバー、８Ｂ…第２チャンバー、８ａ…蓋、８ｂ…基板電極、８ｃ…高周波電源、８ｅ…カバー、８ｇ…絶縁材、８ｈ…冷却水流路、８ｉ…冷却水用配管、８ｋ…インシュレータ、８ｍ…チャンバーの側壁、８ｎ…チャンバーのベース、８ｐ…静電吸着用のＤＣ電極、８ｑ…水冷ジャケット、８ｒ…高周波印加電極、８ｔ…基板静電吸着用のＤＣ電源、９…基板搬出スライダ、１０…プラズマ処理装置本体、２０…コントローラ、４０…プラズマ処理装置、４１…ローダ、４２…ＩＣボンダ、４２ａ…基板保持装置、４３…接着剤塗布装置、４４…部品実装装置、４５…ＦＰＣボンダ、４６…検査装置、４７…アンローダ、６０…連通管、ＳＨｖ…直結弁、Ａ…基板搬入準備位置、Ｂ…基板搬入位置、Ｃ…基板搬出準備位置、Ｄ…基板搬出位置。

Claims (4)

1. プラズマ処理装置本体外の基板搬入準備位置と上記プラズマ処理装置本体内の基板搬入位置との間でフィルム基板を移動させる基板搬入スライダと、
   上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位置と上記プラズマ処理装置本体外の基板搬出位置との間で上記フィルム基板を移動させる基板搬出スライダと、
   上記プラズマ処理装置本体内に配置され、その内部を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理が上記内部にて行われるチャンバーと、
   上記基板搬入位置に移動された上記フィルム基板を保持して、上記チャンバーの上記内部に移動させる、基板搬入用の第１搬送アーム装置と、
   上記プラズマ処理された上記フィルム基板を保持して、上記チャンバーの上記内部から上記基板搬出準備位置に移動させる、基板搬出用の第２搬送アーム装置と、
   を備えることを特徴とする減圧プラズマ処理装置。
2. 上記チャンバーは、上記フィルム基板を静電吸着により吸着保持する基板電極を備え、
   上記第１搬送アーム装置は、
   上記フィルム基板を吸着保持する吸着保持部と、
   上記フィルム基板を上記基板電極に静電吸着により吸着保持させた状態で、上記フィルム基板から上記吸着保持部をブローにより離脱させる離脱手段と、
   を備える、請求項１に記載の減圧プラズマ処理装置。
3. フィルム基板をプラズマ処理装置本体外から上記プラズマ処理装置本体内の基板搬入位置に搬入し、
   上記基板搬入位置に位置した上記フィルム基板を、基板搬入用の第１搬送アーム装置によりチャンバー内に搬入し、
   上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、
   上記プラズマ処理された上記フィルム基板を、基板搬出用の第２搬送アーム装置により上記チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位置に位置させ、
   上記基板搬出準備位置に位置した上記フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしたことを特徴とする減圧プラズマ洗浄方法。
4. 上記第１搬送アーム装置が上記フィルム基板を上記チャンバー内に搬入するとき、上記第１搬送アーム装置により上記フィルム基板を吸着保持した状態で上記チャンバー内の基板電極上に上記フィルム基板を移動し、上記基板電極に上記フィルム基板を静電吸着保持させるとともに、上記第１搬送アーム装置から上記フィルム基板にブローを行って上記フィルム基板から上記第１搬送アーム装置を離脱させ、
   その後、上記プラズマ処理を行うようにした、請求項３に記載の減圧プラズマ洗浄方法。

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