JP2007212997A - 反射型液晶表示素子及び投射型表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板11とアクティブマトリクス基板12との間に液晶層13が挟持されている。液晶層13は誘電異方性が負のネマティック液晶からなる。基板11,12に平行な方向であって基板11,12に入射する偏光光の振動方向に対して±45°をなす方向を中心に±5°以内の角度範囲にある直線を基準線とし、かつ、αとβを|α|+|β|≦10を満たす0または正数としたとき、液晶層13における基板側11での液晶配向方向を前記基準線に対していずれか一方の回転方向へ(60±α)°の角度をなす方向に設定し、液晶層13における基板12側の液晶配向方向を前記基準線に対して前記回転方向とは逆の回転方向へ(60±β)°の角度をなす方向に設定する。
【選択図】図1
Description
また、図32に記載されている角度αは液晶分子の長軸を基板面へ投影させた方位と基板上の所定軸とがなす方位角であり、上下の各基板(入射側と画素側)の方位角の差がツイスト角に相当する。例えば、下記特許文献2では、プレチルト角θpが75〜88°で、ツイスト角φが図31(F)に示すように90°である液晶の配向方式が開示されている。但し、特許文献2では、プレチルト角の定義が基板に立てた垂線に対する角度として与えられているため2〜15°と記載されている。
一方、反射型液晶表示素子を製造するに際しては、如何にしても個別素子毎に液晶層の厚みやプレチルト角θpに誤差が生じ、補償すべき液晶表示素子としてのA成分(プレチルト角θpや液晶層の厚みによって生じる位相差)が個別素子毎に異なる。従って、理想的な位相補償板を用いることはほぼ不可能である。また、液晶の屈折率及び屈折率の異方性はそれぞれ波長分散性(例えば、波長が短い方が液晶の屈折率の異方性が大きくなる)を有しており、位相補償板は位相ずれの補償だけでなく、波長分散性も考慮した補償特性が要求され、必然的に位相補償板の材料の選択余地が小さくなるという問題があった。
また、本発明は、上述した反射型液晶表示素子を用いた投射型表示装置において、照明光の絞り方式の適正化と位相補償板の採用の内の少なくとも一方を実施して、さらに高いコントラストで画像を表示させることができる投射型表示装置を提供することを目的とする。
ここで、α=β=0であることが好ましい。
ここで、α=β=0であることが好ましい。
また、前記反射型液晶表示素子と前記偏光ビームスプリッタとの間に設けられた位相補償器(131,132,133)を有することが好ましい。
本発明に係る反射型液晶表示素子は、高いコントラストでの画像表示を可能にする。垂直配向型液晶(誘電異方性が負のネマティック液晶)を用いた場合には、ディスクリネーションの発生を防止するために液晶分子にプレチルト角θpを付与しておく必要があり、従来の反射型液晶表示素子ではそれによって位相のずれが発生して逆にコントラストの低下を招き、位相補償板によって位相のずれを補償しなければならなかったが、本発明によれば反射型液晶表示素子毎に異なるA成分を補償する必要がなく、A成分補償用の位相補償板を用いずに極めて高いコントラストを実現できる。また、そのことは、3色(R,G,B)に係る変調光を合成してカラー画像を得る投射型表示装置において、色相互間の表示特性の差をなくして(または低減させて)、投射画像の品質を高くすることができる。
また、開口絞りを用いることで、投射画像の明るさの低下を抑制しながら高いコントラストを得ることができ、所定特性の位相補償器を用いることにより、さらに高いコントラストを実現することができる。
<第1の実施形態>
まず、図1〜13を参照して、第1の実施形態を説明する。図1は本発明の反射型液晶表示素子を適用した投射型表示装置の内の単色処理部の光学系の概略構成を示す。
図1に示すように、この単色処理部は、反射型液晶表示素子1、ワイヤグリッド型偏光ビームスプリッタ(WG-PBS)2、及び、検光子である偏光板3を備える。WG-PBS2へ入射した照明光は、反射型液晶表示素子1への入射光となるP偏光と反射光となるS偏光に分離され、透過光であるP偏光が反射型液晶表示素子1へ垂直に入射される。反射型液晶表示素子1では入射したP偏光を画像信号に応じて変調し、その反射変調光はWG-PBS2へ戻る。WG-PBS2では変調されたS偏光のみを反射して、P偏光は透過させて照明光に逆行した戻り光とする。WG-PBS2で反射された変調S偏光は偏光板3を通じて色合成プリズム(図示せず)へ入射され、この色合成プリズムで他の2色に係る変調入射光と合成された後、投射レンズ(図示せず)によりスクリーンにカラー画像が投影表示される。
照明光の波長λ=550nm、液晶分子のプレチルト角θp=82°、セル厚d=3.5μmとして設定し、ツイスト角φをパラメータとして0°,30°,60°,90°,100°,110°,120°,130°,150°に選択したそれぞれの条件で、透明基板11とアクティブマトリクス基板12の全反射電極との間に印加する電圧を0〜5[V]の範囲で変化させ、その場合におけるWG−PBS2での反射光(S偏光)の光量を測定した。その結果は、図3に示されるような印加電圧−出力(光量)特性(但し、出力(光量)は対数目盛)となり、φ=120°で最大のコントラストが得られる。
また、φ=110°では104:1以上のコントラスト比が得られており、φ=130°では印加電圧0[V]で105:1より少し低い程度のコントラスト比が得られ、また印加電圧1[V]付近で出力(光量)が極小となって、106:1以上の高いコントラスト比が得られている。なお、ツイスト角φ=130°のように、コントラスト比がある印加電圧で極小値をもつような場合には、その極小値を与える電圧を黒レベルの電圧として設定すればよいことになる。
照明光の波長λ=550nm、液晶分子のプレチルト角θp=82°として設定し、セル厚dをパラメータとして2.6〜4.0μmの範囲で0.2μmずつ変化させて選択したそれぞれの条件で、ツイスト角φを100〜150°の範囲で変化させて印加電圧0[V]での黒の明るさと印加電圧5[V]での白の明るさとを測定し、それらの比を求めた。この実験によれば、図5に示すように、セル厚dが変化しても黒レベルは常にツイスト角φ=120°で最小になり、またφ=110〜130°の範囲では比較的良好な黒レベルになった。
液晶分子のプレチルト角θp=82°、セル厚d=3.5μmとして設定し、照明光のR色,G色,B色のそれぞれの光(各中心波長は620nm,550nm,450nm)についてツイスト角φ=90〜150°まで変化させて黒レベル(Light Leakage)を測定した。この実験によれば、図6に示すように、照明光の波長の如何によらずツイスト角φが120°で最小になり、またφ=110〜130°の範囲では比較的低いレベルに収まっている。
照明光の波長λ=550nm、セル厚d=3.5μmとして設定し、液晶分子のプレチルト角θpを75〜86°の範囲で変化させ、そのプレチルト角θp毎にツイスト角φを100〜150°の範囲で変化させて印加電圧0[V]での黒の明るさを測定した。この実験においても、図7に示すように、ツイスト角φが120°で明るさは最小になり、またφ=110〜130°の範囲では比較的低いレベルに収まっている。しかし、電圧を印加して得られる最大の出力光量は、図8に示すように、プレチルト角θpが小さくなっても、ツイスト角φが大きくなっても減少することが明らかになった。従って、明るさの観点からは、プレチルト角θpは75°以上、ツイスト角φは150°以下としておく必要がある。
照明光の波長λ=550nm、液晶分子のプレチルト角θp=82°、セル厚d=2μmとして設定し、ツイスト角φをパラメータとして0°,30°,60°,90°,100°,110°,120°,130°,150°に選択したそれぞれの条件で、透明基板11とアクティブマトリクス基板12の全反射電極との間に印加する電圧を0〜5[V]の範囲で変化させ、その場合におけるWG-PBS2での反射光(S偏光)の光量を測定した。その結果は、実験1と同様の印加電圧−出力(光量)特性となり、φ=120°で最大のコントラストが得られる。また、φ=110°では104:1以上のコントラスト比が得られ、φ=130°では印加電圧0[V]で105:1より少し低い程度のコントラスト比が得られ、また印加電圧1[V]付近で出力(光量)が極小となって、106:1以上の高いコントラスト比が得られる。なお、ツイスト角φ=130°のように、コントラスト比がある印加電圧で極小値をもつような場合には、その極小値を与える電圧を黒レベルの電圧として設定すればよいことになる。
照明光の波長λ=550nm、液晶分子のプレチルト角θp=82°として設定し、セル厚dをパラメータとして1.4〜2.6μmの範囲で0.2μmずつ変化させて選択したそれぞれの条件で、ツイスト角φを100〜150°の範囲で変化させて印加電圧0[V]での黒の明るさと印加電圧5[V]での白の明るさとを測定し、それらの比を求めた。この実験によれば、図10及び図11に示すように、セル厚dが変化しても黒レベルは常にツイスト角φ=120°で最小になり、また、このツイスト角φ=110〜130°の範囲では比較的良好な黒レベルになった。
液晶分子のプレチルト角θp=82°、セル厚d=2μmとして設定し、照明光のR色,G色,B色のそれぞれの光(各中心波長は620nm,550nm,450nm)についてツイスト角φ=90〜150°まで変化させて黒レベル(Light Leakage)を測定した。この実験によれば、実験3と同様に、照明光の波長の如何によらずツイスト角φが120°で最小になり、またφ=110〜130°の範囲では比較的低いレベルに収まっている。
照明光の波長λ=550nm、セル厚d=2μmとして設定し、液晶分子のプレチルト角θpを75〜88°の範囲で変化させ、そのプレチルト角θp毎にツイスト角φを100〜150°の範囲で変化させて印加電圧0[V]での黒の明るさを測定した。この実験においても、実験4と同様に、ツイスト角φが120°で明るさは最小になり、またφ=110〜130°の範囲では比較的低いレベルに収まっている。しかし、電圧を印加して得られる最大の出力光量は、実験4と同様に、プレチルト角θpが小さくなっても、ツイスト角φが大きくなっても減少することが明らかになった。従って、明るさの観点からは、プレチルト角θpは75°以上、ツイスト角φは150°以下としておく必要がある。
以上の実験結果に基づくと、誘電率異方性が負のネマティック液晶の複屈折率Δn、セル厚dを変化させても黒レベルはツイスト角:φ=120°で最小になり、φ=110から130°の範囲で良好な黒レベルが得られる。高コントラストで良質な画質を得るためにはプレチルト角θp=75°〜85°が望ましい。これはセル厚d=3.5μmの場合である。セル厚d=2.6μm以下に設定することにより、ディスクリネーションによる影響が大幅に軽減され、さらに良質な画質が得られる。表2〜表5に示すように、良質な画質が得られるプレチルト角θpの範囲もセル厚d=2.6μmでは75°〜87°、セル厚d=2μmでは75°〜88°まで広げることができる。表2〜表5における○,△,×,−の意味は表1と同じである。
従って、セル厚dは3.5μm以下が適用範囲であるが、2.6μm以下に設定することがより望ましい。セル厚dが3.5μm以下であれば、プレチルト角θpは75°〜85°の範囲が望ましく、セル厚dが2.6μm以下であればプレチルト角θpは75°〜87°の範囲が望ましく、セル厚dが2μm以下であればプレチルト角θpは75°〜88°の範囲が望ましい。
なお、この基準線とのなす角度を設定するパラメータα,βについては、|α|+|β|≦10に設定することが好ましい。
図14〜19、及び、必要に応じて既出の図を参照して、本発明に係る第2の実施形態を説明する。この第2の実施形態は、照明光を絞る開口絞りの使用に関する。
図4に示したように、コーンアングルが10°以下の入射偏光光を用いると、コントラストが著しく高くなる傾向が認められる。従って、そのコーンアングルが10°以下の入射偏光光を用いることが望ましい。例えば、コーンアングルを9°とした場合にはF値を3.2にする開口絞りに相当し、コーンアングルを8°とした場合にはF値を3.6にする開口絞りに相当する。実際に開口絞りを設けて照明光を絞ると、コントラストが向上する効果が得られた。
図15は投射型表示装置の構成を示す平面図である。また、図16に、図15に示した投射型表示装置における光源101からスクリーン140(図16のみに図示)までの光学系経路を模式的に示す。図16において、色分解光学系やワイヤグリッド偏光ビームスプリッタなどの偏光系、色合成光学系、及び光路折曲げの光学系などは省略している。
このフライアイインテグレータ102は、1対の平板状の透明基材のそれぞれに小径の凸レンズがマトリクス状に形成して構成される。このフライアイインテグレータ102では光源像が多数形成されるので、これら光源像を重ね合わせることにより、この照明光の照度分布が均一化される。
なお、各色光用のワイヤグリッド偏光ビームスプリッタ107,112,115とクロスダイクロイックプリズム117の間には、各ワイヤグリッド偏光ビームスプリッタ107,112,115により反射された各色の画像光から不要な偏光成分を除去するために、各色光用のアナライザ123,124,125を設置してもよい。アナライザ123,124,125を設けることによって画像のコントラストが向上する。このアナライザとしては偏光板を用いるが、ワイヤグリッド偏光板であってもよい。
この投射レンズ118の光路には、上述した開口絞り121に加えて、開口絞り122が追加的に設けられている。具体的には、複数枚のレンズの間に開口絞り122が配置されている。これらの開口絞り121,122は、例えば、カメラのシャッタのように、複数枚の板とギヤ及びモータとを組み合わせて構成される。なお、図15及び図16には、開口絞り121,122を同時に設けた構成を示しているが、これらの開口絞り121,122は選択的にいずれか一方を使用してもよい。
図15,図16に示す開口絞り121では、その照明光の角度毎の強度分布は、光源101側から見て2枚目のフライアイインテグレータ102上にできる光源像の強度分布として捉えることができる。この開口絞り121は、その照明光を受ける矩形状の開口面を有し、フライアイインテグレータ102の近傍に配置されている。
なお、開口絞りを照明光学系の中に設ける構成においては、不要な光線を色分解光学系から先に侵入させないようにすることができるので、反射型液晶表示素子108,113,116や他の光学部品の温度上昇を抑えることができる。
また、照明光学系にはフライアイインテグレータの代わりにライトパイプ型のインテグレータを用いることも可能である。この場合も、開口絞りの光路への挿入位置は、光源像の近傍とすることが好ましい。
従って、第2の実施形態によれば、前述した第1の実施形態の反射型液晶表示素子1(108,113,116)を投射型表示装置に適用するに際し、上述のような開口絞り121,122を採用することにより、明るさをあまり低下させずにコントラストを高めることができる。
図23〜29を参照して、第3の実施形態に係る、反射型液晶表示素子を用いた投射型表示装置を説明する。この第3の実施形態は、入射する偏光光の位相補償に関する。
第1の実施形態で説明した反射型液晶表示素子1を用いた投射型表示装置(図1参照)においては、液晶層13に対する入射偏光光の入射角が0°になっていることが理想的である。しかしながら、一般に、反射型液晶表示素子1へ照明光を入射させる照明装置は、高い光利用効率を得るためにインテグレータ光学系が採用されており、入射偏光光にコーンアングルが生じる。そして、コーンアングルが大きくなると液晶層13での複屈折による位相差が大きくなって表示画像のコントラストを悪化させる。
これらの位相補償板131〜133は、それぞれ、位相補償板131〜133の面に対して垂直な膜厚方向の屈折率を面内方向の屈折率以下に設定した、いわゆるCプレートと呼ばれる位相補償板として形成されている。Cプレートは、面内の互いに直交する主屈折率をnx,ny、厚さ方向の主屈折率をnzとしたとき、nx=ny≧nzという条件を満たす位相補償板であると定義される。なお、ここではnx=nyとしているが、多少のばらつき(誤差)を有するものであり、nxとnyとが実質的に同じ値であるということである。nxとnyとは、液晶の複屈折率Δnとセル厚dとの積であるリタデーションΔn・dが0.5nm以下が望ましい。
前述のように、図5には、液晶層13のセル厚dとダークステートにおける光出力の関係について示した。さらに、セル厚dを薄くすることによって、図9に示したディスクリネーションや液晶の応答速度特性なども改善されることが分かっている。但し、セル厚dを薄くしすぎると、液晶を駆動するための電圧が非常に高くなり、ドライブ回路などを構成しにくくなる。そのため、反射型液晶表示素子1の駆動電圧や液晶層13の液晶の応答速度が適正な範囲になるように、液晶材料の複屈折率Δn及びセル厚dを最適化する必要がある。
セル厚dの液晶層13を光が通る際に生じる液晶層13のリタデーションをΔn・dで表し、図26,図27,図28の各曲線の最小値を採る位相補償板の位相差(リターダンス)をRthで表した時、液晶層13のΔn・dと位相補償板の位相差Rthとの関係は図29のようになる。
以上のように、液晶の複屈折率Δnとセル厚dによってリタデーションΔn・dが変化するので、これに最適な位相補償板を用いることによって、画像のコントラストをさらに向上させることができる。
図30を参照して、第4の実施形態に係る、反射型液晶表示素子を用いた投射型表示装置を説明する。この第4の実施形態は、偏光ビームスプリッタの別の例に関する。
前述した各種の実施形態に係る投射型表示装置は、偏光ビームスプリッタ(PBS)としてワイヤグリッド型偏光ビームスプリッタを採用し、これと本発明に係る反射型液晶表示素子とをそれぞれ合わせて用いることで、従来に比べて非常に高いコントラスト比を実現している。
図30に示す投射型表示装置において、光源101から色分解光学系にかけては、第2の実施形態の構成と同様である。これに加え、マクニール型偏光ビームスプリッタ151〜153に対してはS偏光で入射するようにプリポラライザ126,127の偏光面を設定する。マクニール型偏光ビームスプリッタ151〜153は2個のプリズムを貼り合せて構成されている。入射照明光のS偏光を反射し、反射した照明光は反射型液晶表示素子108,113,115にそれぞれ向かう。位相補償板として1/4波長板141〜143を用いている。
なお、マクニール型偏光ビームスプリッタを、カーテシアン(Cartesian)型偏光ビームスプリッタとすることもできる。
2,107,112,115 ワイヤグリッド型偏光ビームスプリッタ
3 偏光板(検光子)
11 透明基板
12 アクティブマトリクス基板
13 液晶層
16,131〜133 位相補償器(位相補償板)
121,122 開口絞り
141〜143 1/4波長板(位相補償板)
151〜153 マクニール型偏光ビームスプリッタ
Claims (15)
- 透明電極が形成され、偏光光が入射される第1の基板と、
前記第1の基板と隙間を介して平行に対向配置され、画素毎の反射電極と駆動回路をマトリクス状に配置した構造を有し、前記第1の基板を介して入射された前記偏光光を反射して前記第1の基板より射出させる第2の基板と、
前記第1及び第2の基板間に挟持され、前記第1の基板を介して入射された前記偏光光を変調する誘電異方性が負のネマティック液晶からなる液晶層とを備え、
前記第1及び第2の基板それぞれに平行な方向であって前記第1及び第2の基板それぞれに入射する偏光光の振動方向に対して±45°をなす方向を中心に±5°以内の角度範囲にある直線を基準線とし、かつ、αとβを|α|+|β|≦10を満たす0または正数としたとき、前記液晶層における前記第1の基板側での液晶配向方向を前記基準線に対していずれか一方の回転方向へ(60±α)°の角度をなす方向に設定すると共に、前記液晶層における前記第2の基板側の液晶配向方向を前記基準線に対して前記回転方向とは逆の回転方向へ(60±β)°の角度をなす方向に設定した構成を有することを特徴とする反射型液晶表示素子。 - α=β=0であることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示素子。
- 前記第1及び第2の基板の対向方向における前記液晶層の厚さは3.5μm以下で、かつ前記液晶の分子の前記第1及び第2の基板の面からの角度として与えられるときのプレチルト角は75°〜85°であることを特徴とする請求項1または2に記載の反射型液晶表示素子。
- 前記第1及び第2の基板の対向方向における前記液晶層の厚さは2.6μm以下で、かつ前記液晶の分子の前記第1及び第2の基板の面からの角度として与えられるときのプレチルト角は75°〜87°であることを特徴とする請求項1または2に記載の反射型液晶表示素子。
- 前記第1及び第2の基板の対向方向における前記液晶層の厚さは2μm以下で、かつ前記液晶の分子の前記第1及び第2の基板の面からの角度として与えられるときのプレチルト角は75°〜88°であることを特徴とする請求項1または2に記載の反射型液晶表示素子。
- 光を放射する光源と、
前記光源から放射された光が入射される照明光学系と、
前記照明光学系によって照明される光を偏光して偏光光として生成すると共に、変調光と非変調光とを分離する偏光ビームスプリッタと、
前記偏光光を画像信号に応じて変調して前記偏光ビームスプリッタへと戻す反射型液晶表示素子と、
前記偏光ビームスプリッタにより分離された変調光を表示面に投射する投射レンズを含む投射光学系とを備え、
前記反射型液晶表示素子は、
透明電極が形成され、前記偏光ビームスプリッタにより偏光された偏光光が入射される第1の基板と、
前記第1の基板と隙間を介して平行に対向配置され、画素毎の反射電極と駆動回路をマトリクス状に配置した構造を有し、前記第1の基板を介して入射された前記偏光光を反射して前記第1の基板を介して前記偏光ビームスプリッタへと射出させる第2の基板と、
前記第1及び第2の基板間に挟持され、前記第1の基板を介して入射された前記偏光光を変調する誘電異方性が負のネマティック液晶からなる液晶層とを備え、
前記第1及び第2の基板それぞれに平行な方向であって前記第1及び第2の基板それぞれに入射する偏光光の振動方向に対して±45°をなす方向を中心に±5°以内の角度範囲にある直線を基準線とし、かつ、αとβを|α|+|β|≦10を満たす0または正数としたとき、前記液晶層における前記第1の基板側での液晶配向方向を前記基準線に対していずれか一方の回転方向へ(60±α)°の角度をなす方向に設定すると共に、前記液晶層における前記第2の基板側の液晶配向方向を前記基準線に対して前記回転方向とは逆の回転方向へ(60±β)°の角度をなす方向に設定した構成を有することを特徴とする投射型表示装置。 - α=β=0であることを特徴とする請求項6記載の投射型表示装置。
- 前記照明光学系の中または前記投射光学系の中の少なくとも一方に設けられ、前記照明光学系または前記投射光学系から発せられる光を通過させる開口の対角方向を狭くする開口絞りを有することを特徴とする請求項6または7に記載の投射型表示装置。
- 前記反射型液晶表示素子と前記偏光ビームスプリッタとの間に設けられた位相補償器を有することを特徴とする請求項6ないし8のいずれか1項に記載の投射型表示装置。
- 前記位相補償器は、前記反射型液晶表示素子の複屈折率Δnと前記液晶層の厚みdの積であるリタデーションΔn・dが150nm〜500nmであり、面内の互いに直交する主屈折率をnx,ny、厚さ方向の主屈折率をnzとしたとき、nx=ny≧nzという条件を満たすと共に、位相差を100nm〜650nmに設定した位相補償板であることを特徴とする請求項9記載の投射型表示装置。
- 前記位相補償器は、前記反射型液晶表示素子の複屈折率Δnと前記液晶層の厚みdの積であるリタデーションΔn・dが300nm〜400nmであり、面内の互いに直交する主屈折率をnx,ny、厚さ方向の主屈折率をnzとしたとき、nx=ny≧nzという条件を満たすと共に、位相差を300nm〜500nmに設定した位相補償板であることを特徴とする請求項9記載の投射型表示装置。
- 前記第1及び第2の基板の対向方向における前記液晶層の厚さは3.5μm以下で、かつ前記液晶の分子の前記第1及び第2の基板の面からの角度として与えられるときのプレチルト角は75°〜85°であることを特徴とする請求項6ないし11のいずれか1項に記載の反射型液晶表示素子。
- 前記第1及び第2の基板の対向方向における前記液晶層の厚さは2.6μm以下で、かつ前記液晶の分子の前記第1及び第2の基板の面からの角度として与えられるときのプレチルト角は75°〜87°であることを特徴とする請求項6ないし11のいずれか1項に記載の反射型液晶表示素子。
- 前記第1及び第2の基板の対向方向における前記液晶層の厚さは2μm以下で、かつ前記液晶の分子の前記第1及び第2の基板の面からの角度として与えられるときのプレチルト角は75°〜88°であることを特徴とする請求項6ないし11のいずれか1項に記載の反射型液晶表示素子。
- 前記偏光ビームスプリッタは、ワイヤグリッド型偏光ビームスプリッタとマクニール型偏光ビームスプリッタとカーテシアン型偏光ビームスプリッタとのいずれかであることを特徴とする請求項6ないし14のいずれか1項に記載の投射型表示装置。
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