JP2007204306A - 単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ルツボ3を収容する第一のチャンバ2と、第一のチャンバ2上に連結して設けられ、原料シリコンLが装填された供給容器をセットするための第二のチャンバ12と、第二のチャンバ12内から第一のチャンバ2に移送されて第一のチャンバ2内に保持され、原料シリコンLをルツボ3内に供給する第一の供給容器13と、第二のチャンバ12内から第一のチャンバ2内に移送されて第一の供給容器13内に装着され、原料シリコンLをルツボ3内に供給する第二の供給容器とを備える。
【選択図】図2
Description
尚、このCZ法を用いたシリコン単結晶の製造方法については、例えば特許文献1に記載されている。
しかしながら、この場合、ルツボ中にシリコン融液が残ったまま融液が冷却され凝固すると、凝固時の膨張によりルツボが破断する虞があった。
その具体的方法として、例えば、図18(a)に示すように、底蓋に透明石英を用いた中吊り式のホッパー60に、小さい塊状の原料シリコンLを装填し、図18(b)に示すように底蓋61を降下させて原料シリコンLをルツボ62内に追加投入する方法があげられる。
しかしながら、図18に示すようなホッパー60を用いた場合、一回の充填量では必要量に満たず、複数回に亘り連続して充填作業を行う必要があった。即ち、図18に示す装置にあっては、ホッパー60の入れ替え作業が必要となり、その度に炉内ガス置換等の作業が必要となり、効率的な充填作業が望めなかった。
尚、前記供給容器は、底蓋を開くことにより原料シリコンを下方に放出するホッパーであって、前記第二の供給容器の胴径は、前記第一の供給容器の胴径よりも小さく形成されていることが望ましい。
このようなゲート手段を設けることにより、第一のチャンバと第二のチャンバとを遮断することができ、第一のチャンバ内を所定の雰囲気に維持したまま、第二のチャンバに第二の供給容器をセットすることができ、直ぐに第二の供給容器を第一のチャンバ内に移送することができる。即ち、第一のチャンバ内の雰囲気を所定の雰囲気とする作業を省くことができ、作業時間を短縮することができる。
図1に示す単結晶引上装置1は、メインチャンバ2aの上にサブチャンバ2bを重ねて形成された炉体(第一のチャンバ)2と、炉体2内に設けられた石英ガラスルツボ3と、石英ガラスルツボ3に装填された半導体原料(原料シリコン)を溶融して融液Mとするヒータ4とを有している。
また、サブチャンバ2bの上端付近には、炉体2内を密閉すると共に引上げられた単結晶の落下防止手段としても機能する開閉自在なゲート7と、ゲート7を開閉駆動させるゲート駆動部7aとがゲート手段として設けられている。
先ず、演算制御装置11bの指令によりヒータ制御部4aを作動させてヒータ4を加熱し、石英ガラスルツボ3の原料シリコンが溶融され、融液Mとなされる。
そして、育成された単結晶Cが引上チャンバ5の位置まで引上げられると、演算制御装置11bの指令によりゲート駆動部7aが駆動しゲート7が閉じられ、単結晶Cがルツボ3内に落下しないようになされる。
また、原料シリコン充填工程の開始時においては、図2に示すようにリチャージ用チャンバ12の内部に、小さな塊状(または粒状)の原料シリコンLが装填された石英管容器であるベースホッパー(第一の供給容器)13がセットされる。このベースホッパー13は、上下端が開口した円筒状のホッパー本体14と、その下端の開口を塞ぐ円錐形状の底蓋15とからなる。
一方、ワイヤ16の上端には円板状の上端ストッパ18が接続されて設けられる。ワイヤ16は、図2に示すようにワイヤ導管14aの上端から下端に亘り挿通され、ワイヤ導管14aの上端から突出したワイヤ16に対し上端ストッパ18が取り付けられている。
即ち、底蓋15を下方で支持しない場合、底蓋15の自重により下方へ荷重が働き、図5に示すように、上端ストッパ18がワイヤ導管14aの上端に係止して底蓋15がワイヤ16によってぶら下がる状態となる。このとき、ホッパー本体14下端と底蓋15との間には間隙が形成されて蓋が開いた状態となり、その間隙から塊状の原料シリコンLが下方に放出されるように構成されている。
一方、上端ストッパ29を上方に引上げると、図6(b)に示すようにワイヤ28が上方に移動し底蓋27がホッパー本体26の下端の支持部材26bに密着して、蓋が閉じた状態となるように構成されている。
尚、前記突起部26cを除くホッパー本体26の胴径(外径)は、ベースホッパー13の胴径(内径)よりも小さく形成され、ワイヤ導管26aの胴径(内径)は、ベースホッパー13のワイヤ導管14aの胴径(外径)及び上端ストッパ18の直径よりも大きく形成されている。
即ち、原料シリコン充填作業に要する作業時間を従来よりも大幅に短縮することができ、作業効率を格段に向上することができる。
また、比較例として、同じサイズの石英管ホッパーを2つ使用し、一回目の充填量を50kg、二回目の充填量を40kgとして充填工程を行い、一回目の充填作業開始時から二回目の充填作業開始時までの所要時間を測定した。
実験結果を表1に示す。
以上の実施例の実験結果から、本発明の単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法を用いることにより、原料シリコン充填工程における作業時間を短縮し、作業効率を大幅に向上することができることを確認した。
2 炉体(第一のチャンバ)
2a メインチャンバ
2b サブチャンバ
3 石英ガラスルツボ(ルツボ)
4 ヒータ
5 引上げチャンバ
6 引上げ機構
7 ゲート(ゲート手段)
7a ゲート駆動部(ゲート手段)
11 コンピュータ
11a 記憶装置
11b 演算記憶装置
12 リチャージ用チャンバ(第二のチャンバ)
13 ベースホッパー(第一の供給容器)
25 インナーホッパー(第二の供給容器)
C 単結晶
L 原料シリコン
M シリコン融液
P 種結晶
P1 ネック部
Claims (5)
- チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置において、
前記ルツボを収容する第一のチャンバと、
前記第一のチャンバ上に連結して設けられ、原料シリコンが装填された供給容器をセットするための第二のチャンバと、
前記第二のチャンバ内から前記第一のチャンバに移送されて該第一のチャンバ内に保持され、原料シリコンを前記ルツボ内に供給する第一の供給容器と、
前記第二のチャンバ内から前記第一のチャンバ内に移送されて前記第一の供給容器内に装着され、原料シリコンを前記ルツボ内に供給する第二の供給容器とを備えることを特徴とする単結晶引上装置。 - 前記供給容器は、底蓋を開くことにより原料シリコンを下方に放出するホッパーであって、前記第二の供給容器の胴径は、前記第一の供給容器の胴径よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項1に記載された単結晶引上装置。
- 開閉動作により前記第一のチャンバと第二のチャンバとを連結または遮断し、閉じた状態で相互のチャンバ内雰囲気を完全に遮断するゲート手段を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された単結晶引上装置。
- 前記請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の単結晶引上装置において、チョクラルスキー法によって前記ルツボから単結晶を引上げ後、前記ルツボに原料シリコンを充填する原料シリコン充填方法であって、
前記第二のチャンバから、前記第一の供給容器を前記第一のチャンバ内に移送し保持するステップと、
前記第二の供給容器を前記第二のチャンバ内にセットすると共に、前記第一の供給容器から原料シリコンを前記ルツボ内に供給するステップと、
前記第二の供給容器を、前記第二のチャンバ内から前記第一のチャンバ内に移送し、第一のチャンバ内において保持された前記第一の供給容器内に装着するステップと、
前記第二の供給容器から原料シリコンを前記ルツボ内に供給するステップとを実行することを特徴とする原料シリコン充填方法。 - 前記第二のチャンバから前記第一の供給容器を前記第一のチャンバ内に移送し保持するステップの後、第一のチャンバと第二のチャンバとの間を、ゲートを閉じて遮断するステップを実行し、
前記第二の供給容器を前記第二のチャンバ内にセットするステップにおいて、第二の供給容器を第二のチャンバ内に搬入するステップと、第二のチャンバ内の雰囲気を第一のチャンバ内と同様の雰囲気に置換するステップとを実行し、
前記第二の供給容器を、前記第二のチャンバ内から第一のチャンバ内に移送する前に、前記ゲートを開き、第一のチャンバと第二のチャンバとを連結するステップを実行することを特徴とする請求項4に記載された原料シリコン充填方法。
Priority Applications (1)
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Country | Link |
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