JP2007201393A - 光起電力型紫外線センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】紫外線センサは、光起電力型のものであり、酸化亜鉛単結晶基板11と、その+c面上に形成されたショットキー電極12からなる紫外線受光部を備える。ショットキー電極12は、紫外線透過性を呈するような膜厚を有しており、例えば、Pt,Ru,Pd,Au,Ni,Ir,Os,Re,Rh,Te又はWからなる層を少なくとも一層備えたものを用いることができる。
【選択図】図1
Description
図1を参照すると、本発明の第1の実施の形態による光起電力型紫外線センサは、酸化亜鉛単結晶基板11を主たる構成要素として備えている。本実施の形態による酸化亜鉛単結晶基板11を得るためには、図2に示されるような酸化亜鉛単結晶ブロック1をc軸3に直交する面に沿って複数のウェハ2に切断し、そのウェハ2を純度の高い酸化亜鉛からなる容器中で酸素を含む雰囲気下において熱処理する。この熱処理により、基板表面に酸素の欠乏している部分があったとしてもその酸素欠乏部分に酸素を補充することができることから、品質の良い酸化亜鉛単結晶ウェハ2を得ることができる。このようにして熱処理を受けたウェハ2は本実施の形態による酸化亜鉛単結晶基板11を複数個含むものである。これらウェハ2に含まれる酸化亜鉛単結晶基板11は互いに切り離されることなく、後述するようにして各酸化亜鉛単結晶基板11上に本実施の形態による光起電力型紫外線センサが同時に形成され、その後、ウェハ2がダイシングされて、複数の光起電力型紫外線センサに分けられる。
Oxide)薄膜16及びオーミック電極17を更に備えている。
次いで、図12を参照して、本発明の第2の実施の形態による光起電力型紫外線センサについて説明する。本実施の形態による紫外線センサは、前述の第1の実施の形態による紫外線センサの変形例であり、これに関連して、図1及び図12においては同様の構成要素に対して同様の参照符号を付してある。
次いで、図20乃至図25を用いて、本発明の第3の実施の形態による光起電力型紫外線センサについて説明する。本実施の形態による紫外線センサは、前述の第1の実施の形態による紫外線センサの変形例であり、これに関連して、図1並びに図20乃至図25においては同様の構成要素に対して同様の参照符号を付してある。
次いで、図26乃至図31を用いて、本発明の第4の実施の形態による光起電力型紫外線センサについて説明する。本実施の形態による光起電力型紫外線センサは、第1乃至第3の実施の形態とは異なり、紫外線検知にショットキー接合ではなくpn接合を利用するタイプである。しかしながら、例えば、図1並びに図26乃至図31から理解されるように、両者の間には同種の構成要素があることから、それらについては同様の参照符号を付してある。
次いで、図32乃至図37を用いて、本発明の第5の実施の形態による光起電力型紫外線センサについて説明する。本実施の形態による紫外線センサは、前述の第3の実施の形態による紫外線センサの変形例であり、これに関連して、図20乃至図25並びに図32乃至図37においては同様の構成要素に対して同様の参照符号を付してある。
2 ウェハ
3 c軸
4 a面
5 −c面
6 +c面
11 酸化亜鉛単結晶基板
12 ショットキー電極
13 パッシベーション膜
14 電極
15 反射防止膜
16 AZO膜
17 オーミック電極
18 付加的な薄膜
19 p型薄膜
21 付加的な薄膜
54 オーミック電極
Claims (23)
- +c面を有する酸化亜鉛単結晶と;該酸化亜鉛単結晶の+c面上に形成された紫外線受光部であって紫外線を受けると単独で又は前記酸化亜鉛単結晶と協働して電圧を発生する紫外線受光部;を備える光起電力型紫外線センサ。
- 請求項1記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記紫外線受光部は、前記酸化亜鉛単結晶の前記+c面上に直接形成されたショットキー電極を備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項1記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記紫外線受光部は、前記酸化亜鉛単結晶の前記+c面上に直接形成された付加的な薄膜と、該付加的な薄膜上に形成されたショットキー電極を備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項3記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記付加的な薄膜は、酸化亜鉛ベースの薄膜を備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項4記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記酸化亜鉛ベースの薄膜は、Ca,Mg,S,Al,Cd,Se,Ga,N,Cu,P若しくはTe又はそれらの組み合わせを添加された層を少なくとも一層備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項3記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記付加的な薄膜は、窒化物薄膜を備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項6記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記窒化物薄膜は、Ga,Al,Zn若しくはIn又はそれらの組み合わせの窒化物層を少なくとも一層備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項2乃至請求項7のいずれかに記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記ショットキー電極は紫外線透過性を有する、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項2乃至請求項8のいずれかに記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記ショットキー電極は、Pt,Ru,Pd,Au,Ni,Ir,Os,Re,Rh,Te又はWからなる層を少なくとも一層備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項1記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記酸化亜鉛単結晶は、n型であり、前記紫外線受光部は、前記酸化亜鉛単結晶の前記+c面上に直に形成され、前記酸化亜鉛単結晶とpn接合を構成するp型薄膜を備えている、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項10記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記p型薄膜は、酸化亜鉛薄膜である、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項10記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記p型薄膜は、酸化亜鉛ベースの薄膜である、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項12記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記酸化亜鉛ベースの薄膜は、Ca,Mg,S,Al,Cd,Se,Ga,N,Cu,P若しくはTe又はそれらの組み合わせを添加された層を少なくとも一層備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項10記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記p型薄膜は、窒化物薄膜を備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項14記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記窒化物薄膜は、Ga,Al,Zn若しくはIn又はそれらの組み合わせの窒化物層を少なくとも一層備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項1乃至請求項15のいずれかに記載の光起電力型紫外線センサにおいて、少なくとも一つのオーミック電極を更に備えており、該オーミック電極は、Al,Cr,Zn,Ti,Ru,Pd,Pt,Ni,In,Au,Cu又はWからなる層を少なくとも一層備え、且つ、前記酸化亜鉛単結晶における前記+c面の反対側の面である−c面上に形成されている、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項1乃至請求項16のいずれかに記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記紫外線受光部における受光領域を覆うようにして構成された反射防止膜を更に備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項17記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記反射防止膜の厚みは、1〜200nmである、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項17又は請求項18記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記反射防止膜は、紫外線透過性を有する、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項17乃至請求項19のいずれかに記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記反射防止膜は、Al2O3,SiO2,SiNO,SiN,ZnS又はZnOからなる層を少なくとも一層備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項1乃至請求項20のいずれかに記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記酸化亜鉛単結晶の周辺部及び前記紫外線受光部の周辺部の少なくとも一方を覆うようにして構成されたパッシベーション膜を更に備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項21記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記パッシベーション膜は、Al2O3,SiO2,SiNO,SiN,AlN,SIALON,ZnS又はZnOからなる層を少なくとも一層備える、光起電力型紫外線センサ。
- 請求項1乃至請求項22のいずれかに記載の光起電力型紫外線センサにおいて、前記酸化亜鉛単結晶は、酸化亜鉛からなる容器中で酸素を含む雰囲気下において熱処理されたものである、光起電力型紫外線センサ。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009200150A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Stanley Electric Co Ltd | ZnO系半導体素子とその製造方法及び光半導体素子 |
JP2010034245A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Citizen Holdings Co Ltd | フォトダイオードの駆動方法及び光検出装置 |
JP2010050432A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-03-04 | Rohm Co Ltd | 紫外検出装置 |
JP2010087482A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-04-15 | Murata Mfg Co Ltd | 紫外線センサおよびその製造方法 |
JP2012204504A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体紫外線受光素子及びその製造方法 |
JP2012204505A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体紫外線受光素子及びその製造方法 |
JP2012222275A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Rohm Co Ltd | ZnO系半導体素子 |
JP2012531057A (ja) * | 2009-06-22 | 2012-12-06 | ウニベルジテート・ライプツィヒ | 透明な整流性の金属−金属酸化物−半導体接触構造およびその製造方法および使用 |
US9627568B2 (en) | 2013-05-17 | 2017-04-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Photovoltaic element |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10182290A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-07 | Sekisui Plastics Co Ltd | 紫外線検出素子とそれを用いた紫外線検出方法 |
JP2006278487A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Iwate Univ | 紫外線センサ素子及びその製造方法 |
-
2006
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10182290A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-07 | Sekisui Plastics Co Ltd | 紫外線検出素子とそれを用いた紫外線検出方法 |
JP2006278487A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Iwate Univ | 紫外線センサ素子及びその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009200150A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Stanley Electric Co Ltd | ZnO系半導体素子とその製造方法及び光半導体素子 |
JP2010050432A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-03-04 | Rohm Co Ltd | 紫外検出装置 |
JP2010034245A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Citizen Holdings Co Ltd | フォトダイオードの駆動方法及び光検出装置 |
JP2010087482A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-04-15 | Murata Mfg Co Ltd | 紫外線センサおよびその製造方法 |
JP2012531057A (ja) * | 2009-06-22 | 2012-12-06 | ウニベルジテート・ライプツィヒ | 透明な整流性の金属−金属酸化物−半導体接触構造およびその製造方法および使用 |
US8445904B2 (en) | 2009-06-22 | 2013-05-21 | Universität Leipzig | Transparent rectifying metal/metal oxide/semiconductor contact structure and method for the production thereof and use |
JP2012204504A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体紫外線受光素子及びその製造方法 |
JP2012204505A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体紫外線受光素子及びその製造方法 |
JP2012222275A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Rohm Co Ltd | ZnO系半導体素子 |
US9627568B2 (en) | 2013-05-17 | 2017-04-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Photovoltaic element |
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