JP2007201297A - 露光用光源装置の製作方法 - Google Patents

Abstract

【課題】装置構成の複雑化を招くことなく、半導体レーザ素子の出力制御を的確に行えるようにする。
【解決手段】半導体レーザ素子３１と、その半導体レーザ素子３１の出射光を分岐させるビームスプリッタ３３と、そのビームスプリッタ３３にて分岐された光の強度を検出する光センサＰＤとを備えた露光用光源装置の製作方法において、半導体レーザ素子３１の自然発光領域における偏光比である第１偏向比とレーザ発振領域における偏光比である第２偏向比とに基づいて、ＡＰＣをかけている状態で、半導体レーザ素子３１の偏光比が前記第１偏光比と前記第２偏光比との間で変動したときの光強度の変動を設定許容範囲内に収めるための、前記第１偏光比及び前記第２偏光比とビームスプリッタ３３の各偏光方向での透過率又は反射率との条件を算出し、その条件に適合するビームスプリッタ３３を使用する。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の出射光を光出力検出用の光ビームと露光対象物への照射用の光ビームとに分岐させるビームスプリッタと、そのビームスプリッタにて分岐された光の強度を検出する光センサとを備えて、前記半導体レーザ素子の出射光強度を半導体レーザ素子の自然発光領域とレーザ発振領域とに亘る状態で変化させる露光用光源装置の製作方法に関する。

かかる露光用光源装置は、半導体レーザ素子の出射光により生成した光ビームを例えば写真感光材料等の露光対象物に照射する装置である。
光源となる半導体レーザ素子は、図４に示すような光出力−駆動電流特性を有しており、図４中でＩｔｈとして示すしきい値電流を超えるとレーザ発振を開始し、駆動電流がＩｔｈより小さい領域ではレーザ発振に至らず、ＬＥＤと同様の動作状態となる。
駆動電流がＩｔｈよりも小さく、半導体レーザ素子の光出力がＩｔｈに対応する光出力であるＰｔｈよりも小さい動作領域は自然発光領域（あるいは、自然放出光領域）と呼ばれ、駆動電流がＩｔｈよりも大きく、半導体レーザ素子の光出力がＰｔｈよりも大きい動作領域はレーザ発振領域と呼ばれる。
このような特性を有する半導体レーザ素子を使用する露光用光源装置では、レーザ発振領域のみで半導体レーザ素子を駆動すると、最高光出力の最低光出力に対する比が十分には大きくはなく、適正な階調表現が困難になることから、自然発光領域でも半導体レーザ素子を発光駆動するようにして、適正な階調表現を可能とすることが考えられている。

このように半導体レーザ素子の出射光強度を変調する場合の一般的な制御手法として、半導体レーザ素子の出射光をビームスプリッタにて２つのビームに分岐して、一方を露光対象物へ照射するための光ビームとし、他方を半導体レーザ素子の光出力をモニタするための光ビームとして使用する場合が多い。
ところが、上記のビームスプリッタは、入射する光ビームを２つに分割する光強度の割合が直交する２方向の偏光方向によって異なるという性質を有するため、半導体レーザ素子を自然発光領域とレーザ発振領域との双方に亘って強度変調する場合に、半導体レーザ素子の光強度の管理上の問題が生ずる。
すなわち、半導体レーザ素子は、レーザ発振領域においては、出射するレーザ発振光は基本的に直線偏光であり、その直線偏光のレーザ光にわずかに自然発光による特定の方向への偏光性を有しない光の成分が含まれる関係となる。
従って、レーザ発振領域における半導体レーザ素子の偏光比、すなわち、レーザ発振光の主たる偏光方向（一般に、半導体レーザ素子の活性層と平行となる方向）での光強度成分とそれに垂直な方向での光強度成分との比は、両者の割合にかなり大きな開きが生じる。
これに対して、自然発光領域においては、基本的にレーザ発振光の成分は存在しないので、偏光比は両者の割合にそれほど大きな開きはないものとなる。

このように、レーザ発振領域と自然発光領域とで偏光比が異なるという条件下で半導体レーザ素子を強度変調すると、ビームスプリッタによって分割された２つの光ビームの強度比が半導体レーザ素子の出射光強度によって変化してしまうことになる。
これは、ビームスプリッタによる光ビームの分割比率が一定であるとして、いわゆるＡＰＣにより半導体レーザ素子の光出力の制御を行っていると、実際の光出力よりも過大に検出したり、あるいは、過小に検出してしまうことを意味している。
このような事態に対処するために、例えば、下記特許文献１では、光出力の設定信号自体に上記のような特性を考慮して予め補正を加えるためのデータテーブルを作製しておくことや、回路部品の特性を利用して補正すること等が考えられている。
特開平４−３５５９８６号公報

しかしながら、上記従来構成では、ビームスプリッタの特性の補正のために装置構成が複雑化してしまう不都合がある。
本発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、装置構成の複雑化を招くことなく、半導体レーザ素子の出力制御を的確に行えるようにする点にある。

本出願の第１の発明は、半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の出射光を光出力検出用の光ビームと露光対象物への照射用の光ビームとに分岐させるビームスプリッタと、そのビームスプリッタにて分岐された光の強度を検出する光センサとを備えて、前記半導体レーザ素子の出射光強度を半導体レーザ素子の自然発光領域とレーザ発振領域とに亘る状態で変化させる露光用光源装置の製作方法において、前記半導体レーザ素子の前記自然発光領域における偏光比である第１偏向比と前記レーザ発振領域における偏光比である第２偏向比とに基づいて、前記半導体レーザ素子を光出力が一定になるように駆動電流を制御している状態で、前記半導体レーザ素子の偏光比が前記第１偏光比と前記第２偏光比との間で変動したときの前記露光対象物への照射用の光ビームの光強度の変動を設定許容範囲内に収めるための、前記第１偏光比及び前記第２偏光比と前記ビームスプリッタの各偏光方向での透過率又は反射率との条件を算出し、その条件に適合する前記ビームスプリッタを使用する。

すなわち、前記半導体レーザ素子を光出力が一定になるように駆動電流を制御している状態で、換言すると、光出力が一定になるようにいわゆるＡＰＣをかけているという条件下で、使用する半導体レーザ素子の自然発光領域における偏光比とレーザ発振領域における偏光比とから、半導体レーザ素子の偏光比が両偏光比の間で変化したときの光出力の変動が許容範囲に収まるようにするビームスプリッタの各偏光方向での反射率又は透過率との条件を求めて、その条件に適合する特性を有するビームスプリッタを使用して、露光用光源装置を組み立てる。

又、本出願の第２の発明は、上記第１の発明の構成に加えて、前記露光対象物へ照射する最低光強度を設定し、前記第１偏向比と前記第２偏向比とに基づいて、前記半導体レーザ素子を光出力が一定になるように駆動電流を制御している状態で、前記半導体レーザ素子の偏光比が前記第１偏光比と前記第２偏光比との間で変動したときの前記露光対象物への照射用の光ビームの光強度の変動を、前記最低光強度以上の光強度の領域において設定許容範囲内に収めるための、前記第１偏光比及び前記第２偏光比と前記ビームスプリッタの各偏光方向での透過率又は反射率との条件を算出し、その条件に適合する前記ビームスプリッタを使用する。

すなわち、半導体レーザ素子の自然発光領域の極めて低光出力の領域まで、露光対象物へ照射する光ビームの光強度のばらつきを設定許容範囲内に収めようとすると、ビームスプリッタの特性に対して要求される条件がかなり厳しいものとなり、それの選択範囲を極端に狭めてしまうことになる。
そこで、露光対象物の露光に必要な最低光強度以上の範囲で、露光対象物へ照射する光ビームの光強度のばらつきが設定許容範囲内に収まれば良いとして、条件を緩和することで、使用できるビームスプリッタの選択の幅を拡げることができる。

上記第１の発明によれば、半導体レーザ素子の偏光比が両偏光比の間で変化したときの光出力の変動が設定許容範囲に収まるようにするビームスプリッタの各偏光方向での反射率又は透過率との条件を求めて、その条件に適合する特性を有するビームスプリッタを使用すれば、所望の性能を有する露光用光源装置を製作することができるので、装置構成の複雑化を招くことなく、半導体レーザ素子の出力制御を的確に行えるものとなった。
又、上記第２の発明によれば、使用できるビームスプリッタの選択の幅を拡げることができるので、より一層装置コストの低減を図ることができる。

以下、本発明の露光用光源装置の製作方法を適用して作製した露光用光源装置を写真プリントシステムにおける露光用の光源として備えた場合の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本実施の形態で例示する写真プリントシステムＤＰは、いわゆるデジタルミニラボ機として知られているものであり、図２のブロック構成図に示すように、各種の画像データ入力機器を備えて写真プリントを作製するための画像データを取込む画像入力装置ＩＲと、画像入力装置ＩＲにて入力された画像データに基づいて写真感光材料ＰＳの１例である印画紙２に露光処理する露光・現像装置ＥＰとから構成されている。

〔画像入力装置ＩＲの概略構成〕
画像入力装置ＩＲには、図２に概略的に示すように、写真フィルムの駒画像を読み取ってデジタル画像データとして出力するフィルムスキャナ３と、メモリカードリーダ，光磁気ディスクドライブ及びＣＤ−Ｒドライブ等の画像データ入力機器を備えた外部入出力装置４と、パーソナルコンピュータにて構成されてフィルムスキャナ３や外部入出力装置４の制御のほか写真プリントシステムＤＰ全体の管理を実行する主制御装置５とが備えられ、更に、主制御装置５には、仕上がりプリント画像をシミュレートしたシミュレート画像や各種の制御用の情報を表示するモニタ５ａと、露光条件の手動設定等や制御情報の入力操作をするための操作卓５ｂとが接続されている。

〔露光・現像装置ＥＰの全体構成〕
露光・現像装置ＥＰは、筐体内部に、印画紙２の乳剤面に画像を露光形成する画像露光装置ＥＸと、画像露光装置ＥＸにて露光された印画紙２を現像処理する現像処理装置ＰＰと、印画紙マガジン６から引き出された印画紙２を多数の搬送ローラ９等にて現像処理装置ＰＰへ搬送する印画紙搬送系ＰＴとが設けられている。
図示を省略するが、露光・現像装置ＥＰの筐体外部には、現像処理装置ＰＰにて現像処理及び乾燥処理された印画紙２をオーダ毎に分類するためのソータが備えられ、現像処理装置ＰＰの印画紙排出口から排出された印画紙２をこのソータへ搬送するコンベア１０が筐体上面に備えられている。
更に、印画紙搬送系ＰＴの搬送経路の途中には、印画紙マガジン６から引き出された長尺の印画紙２を設定プリントサイズに切断するカッタ１１と、印画紙２の搬送列を複数の搬送列に振り分けるための振り分け装置１２とが備えられている。

〔画像露光装置ＥＸの構成〕
画像露光装置ＥＸは、印画紙２に画像を露光形成する露光ユニット１３と、露光ユニット１３を制御する露光制御装置１４とを主要部として構成されている。
〔露光ユニット１３の構成〕
露光ユニット１３は、強度変調された光ビームを印画紙２上で走査して、印画紙２上に画像を露光形成するいわゆるレーザビーム走査露光式を採用しており、その概略構成を図１のブロック構成図に示す。
露光ユニット１３には、赤色用光源装置２１と、緑色用光源装置２２と、青色用光源装置２３と、緑色用光源装置２２及び青色用光源装置２３から出射した光ビームを強度変調するための音響光学変調素子２４（以下、「ＡＯＭ素子２４」と略記する）と、光ビームの光路を屈曲させるミラー２５と、球面レンズ２６と、シリンドリカルレンズ２７と、図示を省略するモータにて回転駆動されるポリゴンミラー２８と、ｆ−θ特性と面倒れ補正機能とを有するレンズ群２９とが備えられている。

〔赤色用光源装置２１の構成〕
赤色用光源装置２１は、図３に概略的に示すように、光源として赤色レーザ光を出射する半導体レーザ素子３１と、半導体レーザ素子３１の出射光を集光する集光レンズ３２と、半導体レーザ素子３１の出射光を光出力検出用の光ビームと露光対象物である印画紙２への照射用の光ビームとに分岐させるビームスプリッタ３３と、ビームスプリッタ３３にて分岐された赤色レーザ光の強度を検出するための光センサＰＤであるフォトダイオード３４とが備えられている。

〔露光制御装置１４の構成〕
露光制御装置１４には、図１に概略的に示すように、上記構成の露光ユニット１３を制御するために、画像入力装置ＩＲから入力される赤色，緑色及び青色夫々の露光用画像データを露光ユニット１３の露光特性を考慮した画像データに補正するルックアップテーブル４１と、ルックアップテーブル４１にて補正された画像データを赤色，緑色及び青色の各色毎に記憶する画像データメモリ４２と、赤色，緑色及び青色の各色毎に備えられて画像データメモリ４２の出力データをＤ／Ａ変換するＤ／Ａコンバータ４３と、緑色及び青色についてＤ／Ａコンバータ４３からの入力信号に応じて変調されたＡＯＭ素子２４の駆動信号を生成するＡＯＭ制御回路４４と、赤色についてＤ／Ａコンバータ４３から入力される画像信号に応じて赤色用光源装置２１の半導体レーザ素子３１の駆動電流を変調するＬＤ駆動回路４５とが備えられている。

ＬＤ駆動回路４５には、図３に概略的に示すように、半導体レーザ素子３１のモードホップ雑音を抑制するための高周波重畳回路５１と、フォトダイオード３４の出力電流を電圧信号に変換する電流／電圧変換回路５２と、半導体レーザ素子３１の出射光強度が入力画像信号に応じて変化するように半導体レーザ素子３１の駆動電流を制御するオペアンプ５３とが備えられる他、図示を省略するが、オペアンプ５３の出力によって半導体レーザ素子３１の通電電流を調整するトランジスタ等が備えられている。
オペアンプ５３の入力には、Ｄ／Ａコンバータ４３からの画像信号と電流／電圧変換回路５２からの信号とが入力され、オペアンプ５３は、電流／電圧変換回路５２から入力される信号がＤ／Ａコンバータ４３から入力される画像信号に一致するように半導体レーザ素子３１の駆動電流を制御する。すなわち、いわゆるＡＰＣをかけて半導体レーザ素子３１の出射光量を制御している。
これによって、画像データに基づいて生成されたＤ／Ａコンバータ４３から送られてくるアナログ画像信号によって半導体レーザ素子３１を直接変調している。

Ｄ／Ａコンバータ４３から送られてくるアナログ画像信号は、上述のように、半導体レーザ素子３１の出射光強度を設定する信号であるが、その設定範囲は、図４に示す半導体レーザ素子３１の特性の自然発光領域とレーザ発振領域とに亘る状態で変化させて、光強度のダイナミックレンジを大きくとっている。
尚、高周波重畳回路５１の出力信号は、フォトダイオード３４及び電流／電圧変換回路５２により構成されるフィードバックループの応答周波数帯域よりも十分に高い周波数であるので、高周波重畳回路５１はオペアンプ５３による半導体レーザ素子３１の出力制御には影響しない。

〔赤色用光源装置２１の製作方法〕
本発明を適用して製作する露光用光源装置ＥＬである赤色用光源装置２１は、半導体レーザ素子３１，集光レンズ３２，ビームスプリッタ３３及びフォトダイオード３４を、図示を省略する筐体に組み込み、その筐体による機械的な位置精度で光学系を組み上げることになる。
この際に問題となるのは、ビームスプリッタ３３としてどのような特性の部品を選択するかである。
ビームスプリッタ３３の機能は、半導体レーザ素子３１から出射されて集光レンズ３２を通過したレーザ光を、透過させて露光対象物である写真感光材料ＰＳ（印画紙２）へ照射する光ビームと、フォトダイオード３４側に反射させて光出力を検出する光ビームとに分岐させる機能であるが、この２つの光ビームに分割する割合（光強度の割合）は、常に一定というわけではない。
すなわち、直交する２つの偏光方向で透過率及び反射率が異なるという性質を有している。

半導体レーザ素子３１は、図４に示すレーザ発振領域では、一般に活性層に平行な方向での偏光成分が支配的であり、それに加えて、相対的に非常に小さい強度レベルで特定の方向の偏光性を有しない成分を有する。
これに対して、図４に示す自然発光領域では、「Ｉｔｈ」に近づくと活性層に平行な方向での偏光成分が徐々に大きくなってくるが、全体としては、偏光方向は不特定であり各方向において均等である。
このように、自然発光領域とレーザ発振領域とで偏光比が大きく異なるため、換言すると、２つの偏光方向での光強度の割合が大きく異なるため、これに伴って、ビームスプリッタ３３での透過率及び反射率も、半導体レーザ素子３１の偏光比に応じて変化してしまう。

このような問題を回避するには、入射光の偏光状態に拘わらず透過率及び反射率が一定となる無偏光ビームスプリッタを使用することも考えられるが、無偏光ビームスプリッタは高価であり、装置コスト低減の観点からは好ましい選択肢ではない。
本発明では、使用する半導体レーザ素子３１の偏光比と、半導体レーザ素子３１の光出力変動の許容範囲とを鑑みて、使用できるビームスプリッタ３３の選択の幅を極力拡げるようにしている。
このため、半導体レーザ素子３１の偏光比とビームスプリッタ３３の透過率との関係を示す式を求める。

便宜上、半導体レーザ素子３１の活性層に平行な方向（接合方向）の偏光をＰ偏光とし、それに垂直な方向の偏光をＳ偏光と呼んで説明する。
ここで、半導体レーザ素子３１の偏光比について、自然発光領域での偏光比（第１偏光比）をｘ：１（Ｐ偏光：Ｓ偏光）、レーザ発振領域での偏光比（第２偏光比）をｙ：１（Ｐ偏光：Ｓ偏光）とし、ビームスプリッタ３３のＰ偏光の透過率をａ（０≦ａ≦１）、Ｓ偏光の透過率をｂ（０≦ｂ≦１）とする。
又、自然発光領域での半導体レーザ素子３１の全出射光量（全ての偏光成分の総和の光量）をＸ、レーザ発振領域での全出射光量をＹとする。尚、以下の各数式において、乗算の演算符号を便宜上「＊」として表記する。
このとき、レーザ発振領域でのビームスプリッタ３３の透過光量「Ｔ_ＬＤ」は、Ｔ_ＬＤ ＝ Ｙ＊｛ｙ／（ｙ＋１）｝＊ａ＋Ｙ＊｛１／（ｙ＋１）｝＊ｂ、自然発光領域でのビームスプリッタ３３の透過光量「Ｔ_ＬＥＤ」は、Ｔ_ＬＥＤ ＝ Ｘ＊｛ｘ／（ｘ＋１）｝＊ａ＋Ｘ＊｛１／（ｘ＋１）｝＊ｂとなる。
レーザ発振領域側を基準として考えて、もし、Ｔ_ＬＥＤ ＝ Ｘ＊｛ｙ／（ｙ＋１）｝＊ａ＋Ｘ＊｛１／（ｙ＋１）｝＊ｂ ……（１）式、であれば、自然発光領域とレーザ発振領域とで、出力（ビームスプリッタ３３の透過出力）の変動はないことになる。

次ぎに、ビームスプリッタ３３での反射光を考えると、レーザ発振領域でのビームスプリッタ３３の反射光量「Ｒ_ＬＤ」は、Ｒ_ＬＤ ＝ Ｙ＊｛ｙ／（ｙ＋１）｝＊（１−ａ）＋Ｙ＊｛１／（ｙ＋１）｝＊（１−ｂ）、自然発光領域でのビームスプリッタ３３の反射光量「Ｒ_ＬＥＤ」は、Ｒ_ＬＥＤ ＝ Ｘ＊｛ｘ／（ｘ＋１）｝＊（１−ａ）＋Ｘ＊｛１／（ｘ＋１）｝＊（１−ｂ）となる。
半導体レーザ素子３１に光出力が一定になるように駆動電流を制御するＡＰＣをかけている状態では、実際の検出光量が制御目標の光量値の１／ｎであれば、その時点の出射光量をｎ倍するという関係になるが、ここでもレーザ発振側を基準として考えると、その制御目標は、
Ｒ_ＬＥＤ ＝ Ｘ＊｛ｙ／（ｙ＋１）｝＊（１−ａ）＋Ｘ＊｛１／（ｙ＋１）｝＊（１−ｂ）
となる。
従って、以下の数１で示す関係となる。

又、この数１から、上記「ｎ」は、数２で示す関係となる。

以上から、許容する光出力の変動範囲の最小値を「Ｃｍｉｎ」（制御目標値に対する比率で表したもの）、最大値を「Ｃｍａｘ」をとして，以下に示す数３の関係を満たす「ａ」及び「ｂ」であれば、偏光比が「ｘ：１」及び「ｙ：１」と変化しても、出力変動が上記の許容範囲内に収まることになる。

上記数３において、最上段（最左辺）及び最下段（最右辺）の中括弧「｛｝」内の式は、上記（１）式のレーザ発振領域側を基準にして考えたビームスプリッタ３３の透過光量の制御目標値であり、中段（中辺）はレーザ発振領域側を基準して制御したときの自然発光領域でのビームスプリッタ３３の透過光量であり、換言すると、偏光比がｙ：１（第２偏光比）からｘ：１（第１偏光比）へ変化したときのＡＰＣの結果による印画紙２への照射用の光ビームの光強度である。
例えば、出力変動を±１％内に収めたいときは、Ｃｍｉｎ ＝ ０．９９、Ｃｍａｘ ＝ １．０１とする。
上記数３をさらに整理して「Ｘ」を消去すると、以下に示す数４となる。

従って、最終的には、上記数４の関係を満たす「ａ」及び「ｂ」であれば、偏光比が「ｘ：１」及び「ｙ：１」と変化しても、出力変動が上記の許容範囲内に収まることになる。
この数４で、「ｘ」は半導体レーザ素子３１の使用出力範囲内での最小値（一般には「１」）とし、「ｙ」は半導体レーザ素子３１の使用出力範囲内での最大値とすれば良いが、このうち「ｘ」については、赤色用光源装置２１における半導体レーザ素子３１の使用実状に応じて緩和することができる。
すなわち、半導体レーザ素子３１を駆動する画像信号はアナログ信号であるが、その画像信号はＤ／Ａコンバータ４３に入力されるデジタル階調値によって生成されたものであるため、図４中において「Ｄｍｉｎ」として示すデジタル階調値の最低濃度値に相当する光出力（最低光強度）が存在する。

この「Ｄｍｉｎ」は、通常、印画紙２が発色するかしないかのぎりぎりの光出力に設定される。
従って、この「Ｄｍｉｎ」よりも低出力側で上記のような光出力の変動を考慮する必要はないので、この「Ｄｍｉｎ」における「ｘ」を、上記数４における「ｘ」として用いることができる。
このとき、上記数４の関係を満たす「ａ」及び「ｂ」であれば、偏光比が「ｘ：１」及び「ｙ：１」と変化しても、前記最低光強度以上の光強度の領域において、出力変動が上記の許容範囲内に収まることになる。
半導体レーザ素子３１の駆動条件によって異なるが、「Ｄｍｉｎ」における「ｘ」は数十程度の値となり、ビームスプリッタ３３の選択の幅を相当程度に拡げることができる。

〔写真プリントの作製動作の概要〕
次ぎに、上記構成の写真プリントシステムＤＰにおける写真プリントの作製動作を概略的に説明する。
オペレータが、フィルムスキャナ３あるいは外部入出力装置４からプリント対象の画像データを入力すると、適宜に画像処理等が施され、画像処理後の露光用画像データがルックアップテーブル４１へ送信される。
画像入力装置ＩＲから入力された赤色，緑色及び青色の露光用画像データに基づいて、ＡＯＭ素子２４及びＬＤ駆動回路４５にて強度変調された赤色，緑色及び青色の光ビームは、各光学部品を通過してポリゴンミラー２８の反射面に照射され、回転駆動されているポリゴンミラー２８の反射面で反射された光ビームは、レンズ群２９によって印画紙２上に集光される。光ビームの走査方向（主走査方向）は印画紙２の搬送方向（副走査方向）と直交しており、光ビームの走査と印画紙２の搬送移動によって、印画紙２上にプリントする写真画像が潜像として露光形成される。これが現像処理装置ＰＰで現像処理されて写真プリントとして仕上がる。

〔別実施形態〕
以下、本発明の別実施形態を列記する。
（１）上記実施の形態では、本発明を赤色用光源装置２１の製作において適用する場合を例示しているが、緑色用光源装置２２あるいは青色用光源装置２３を、夫々、緑色半導体レーザ素子あるいは青色半導体レーザ素子を使用して構成する場合には、これらの光源装置２２，２３についても本発明を適用できる。
（２）上記実施の形態では、本発明を適用して製作した露光用光源装置ＥＬを写真プリントシステムＤＰにおける露光用の光源として使用する場合を例示しているが、各種の感光体に画像を露光する装置に本発明を適用できる。

本発明の実施の形態にかかる画像露光装置の概略構成図 本発明の実施の形態にかかる写真プリントシステムの概略構成図 本発明の実施の形態にかかる露光用光源装置等の概略構成図 半導体レーザ素子の駆動電流−光出力特性を例示する図

符号の説明

３１ 半導体レーザ素子
３３ ビームスプリッタ
ＰＤ 光センサ

Claims (2)

1. 半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の出射光を光出力検出用の光ビームと露光対象物への照射用の光ビームとに分岐させるビームスプリッタと、そのビームスプリッタにて分岐された光の強度を検出する光センサとを備えて、前記半導体レーザ素子の出射光強度を半導体レーザ素子の自然発光領域とレーザ発振領域とに亘る状態で変化させる露光用光源装置の製作方法であって、
   前記半導体レーザ素子の前記自然発光領域における偏光比である第１偏向比と前記レーザ発振領域における偏光比である第２偏向比とに基づいて、前記半導体レーザ素子を光出力が一定になるように駆動電流を制御している状態で、前記半導体レーザ素子の偏光比が前記第１偏光比と前記第２偏光比との間で変動したときの前記露光対象物への照射用の光ビームの光強度の変動を設定許容範囲内に収めるための、前記第１偏光比及び前記第２偏光比と前記ビームスプリッタの各偏光方向での透過率又は反射率との条件を算出し、その条件に適合する前記ビームスプリッタを使用する露光用光源装置の製作方法。
2. 前記露光対象物へ照射する最低光強度を設定し、
   前記第１偏向比と前記第２偏向比とに基づいて、前記半導体レーザ素子を光出力が一定になるように駆動電流を制御している状態で、前記半導体レーザ素子の偏光比が前記第１偏光比と前記第２偏光比との間で変動したときの前記露光対象物への照射用の光ビームの光強度の変動を、前記最低光強度以上の光強度の領域において設定許容範囲内に収めるための、前記第１偏光比及び前記第２偏光比と前記ビームスプリッタの各偏光方向での透過率又は反射率との条件を算出し、その条件に適合する前記ビームスプリッタを使用する請求項１記載の露光用光源装置の製作方法。

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