JP2007200890A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素領域Iと非画素領域IIからなる基板300と封止基板420とを含み、画素領域は薄膜トランジスタと、そのソース、ドレイン電極360a、360bに接続される第1電極380と、その上に位置する画素定義膜390と、その上に位置し第1電極と接続される有機膜層400と、その上に位置し有機膜層と接続される第2電極410とを含み、非画素領域は第1メタル配線340bと、その上に位置する層間絶縁膜350と、第1メタル配線の直上に位置する層間絶縁膜の直上に位置する第2メタル配線360c及び第3メタル配線360dと、第1メタル配線から離れた層間絶縁膜上に位置し前記基板と前記封止基板を封止するガラスフリット430とを含む。
【選択図】図5
Description
110 半導体層、
120 ゲート絶縁膜、
130a ゲート電極、
130b スキャンドライバ信号ライン、
140 層間絶縁膜、
150 ソース電極、ドレイン電極、
150a 第2電極電源供給ライン、
150b 共通電源供給ライン、
160 平坦化膜、
170 反射膜、
180 画素定義膜、
190 有機膜層、
200 第2電極、
210 封止基板、
220 ガラスフリット、
300 基板、
310 バッファ層、
320 半導体層、
330 ゲート絶縁膜、
340a ゲート電極、
340b 第1メタル配線、
350 層間絶縁膜、
351、352 コンタクトホール、
360a、360b ソース電極、ドレイン電極、
360c 第2メタル配線、
360d 第3メタル配線、
370 平坦化膜、
371a、371b、371c ビアホール、
375 反射膜、
380 第1電極、
390 画素定義膜、
395a 開口部、
400 有機膜層、
410 第2電極、
420 封止基板、
430 ガラスフリット、
1000、1001 有機電界発光表示装置、
1002 基板、
1004 アノード、
1006 カソード、
1010 有機膜層、
1012 駆動回路、
1014 平坦化膜、
1016 データライン、
1018 スキャンライン、
1021 OLED画素アレイ、
1071 シール材。
Claims (15)
- 画素領域及び前記画素領域以外の領域である非画素領域を備える基板と、
前記基板を封止する封止基板と、を含み、
前記画素領域は、
半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極に電気的に接続される第1電極と、
前記第1電極上に位置し、開口部を有する画素定義膜と、
前記画素定義膜上に位置し、前記開口部を通して前記第1電極と電気的に接続され、発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層上に位置し、前記有機膜層と電気的に接続される第2電極と、を含み、
前記非画素領域は、
第1メタル配線と、
前記第1メタル配線上に位置する前記層間絶縁膜と、
前記第1メタル配線の直上に位置する前記層間絶縁膜の直上に位置する第2メタル配線及び第3メタル配線と、
前記第1メタル配線から離れた前記層間絶縁膜上に位置し、前記基板と前記封止基板を封止するガラスフリットと、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記ガラスフリットは、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)、酸化リチウム(Li2O)、酸化ナトリウム(Na2O)、酸化カリウム(K2O)、酸化ホウ素(B2O3)、酸化バナジウム(V2O5)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化テルル(TeO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、二酸化シリコン(SiO2)、酸化鉛(PbO)、酸化スズ(SnO)、酸化リン(P2O5)、酸化ルテニウム(Ru2O)、酸化ロジウム(Rh2O)、酸化フェライト(Fe2O3)、酸化銅(CuO)、酸化チタニウム(TiO2)、酸化タングステン(WO3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化アンチモン(Sb2O3)、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸ガラス、及びホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された1つの物質またはこれらの物質の組み合せからなる請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記ガラスフリットは、前記基板の外周に位置することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1メタル配線は、ゲート電極と同じ物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1メタル配線は、共通電源供給ラインであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2メタル配線は、ソース電極およびドレイン電極と同じ物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2メタル配線は、第2電極電源供給ラインであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第3メタル配線は、ソース電極およびドレイン電極と同じ物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第3メタル配線は、スキャンドライバ信号を伝達する配線であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1メタル配線と前記第2メタル配線は、互いに重畳されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 画素領域及び非画素領域を含む基板を用意する段階と、
前記基板全面にバッファ層を形成する段階と、
前記画素領域上に半導体層を形成する段階と、
前記基板全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記画素領域上の前記半導体層の直上に前記ゲート絶縁膜を介在してゲート電極を形成し、前記非画素領域上に第1メタル配線を形成する段階と、
前記基板全面に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記画素領域上にソース電極およびドレイン電極を形成し、前記非画素領域上に第2メタル配線及び第3メタル配線を形成する段階と、
前記基板全面に平坦化膜を形成した後、前記非画素領域の前記第1メタル配線より前記基板の外周側の前記平坦化膜をエッチングにより除去する段階と、
前記画素領域上に第1電極を形成する段階と、
前記基板全面に画素定義膜を形成した後、前記非画素領域の前記平坦化膜がエッチングにより除去された部分の前記画素定義膜をエッチングにより除去する段階と、
前記第1電極及び前記画素定義膜上に、発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
前記基板全面に第2電極を形成し、前記非画素領域の前記画素定義膜がエッチングにより除去された部分の前記第2電極をエッチングにより除去する段階と、
前記基板または封止基板のどちらか一方の一部であって前記平坦化膜がエッチングにより除去された位置または前記位置に対応する位置にガラスフリットを形成する段階と、
前記基板と前記封止基板とを対面させて接合し、前記ガラスフリットにレーザーを照射して封止する段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第1メタル配線は、前記ゲート電極を形成すると同時に形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第2及び第3メタル配線は、前記ソース電極およびドレイン電極を形成すると同時に形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記基板を封止する段階は、前記ガラスフリットが前記層間絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ガラスフリットは、ディスペンシング法またはスクリーン印刷法で形成することを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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