JP2007200849A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

有機電界発光表示装置及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】第1基板及び第2基板をフリットで封止させて、酸素及び水分などの流入を遮断し、光漏れを効率よく防止できるようにした有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前面発光型有機電界発光表示装置において、複数の有機発光ダイオードが含まれた画素領域と、前記画素領域に駆動信号を供給するための走査駆動部が含まれた非画素領域を含む第1基板と、前記画素領域及び前記非画素領域の少なくとも一領域と重なるように前記第1基板の上部に配置された第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板との間に位置し、前記第1及び第2基板を接着させるフリットを含み、前記フリットは前記走査駆動部上の少なくとも一領域を含む前記非画素領域の少なくとも一部と重なるように形成される。
【選択図】図2

Description

本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、特に、第1基板及び第2基板をフリットで封止させて、酸素及び水分などの流入を遮断し、光漏れを効率よく防止できるようにした有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
有機電界発光表示装置は互いに対向する2つの電極間に有機発光層を位置させ、これら2つの電極に電圧を印加することによって、各電極から有機発光層に注入された正孔及び電子が結合して発生した励起分子が基底状態に戻りながら放出されるエネルギーを光に発光させるフラット表示装置の一種である。
このような有機電界発光表示装置は、発光効率や、輝度及び視野角が優れ、且つ、応答速度が速く、軽量化及び薄膜化を図れることから、次世代のディスプレイとして注目されている。
図1は、一般の有機電界発光表示装置の断面図である。
図1を参照すれば、一般の有機電界発光表示装置は、互いに対向されるように位置する第1基板10及び第2基板20を含んで構成され、第1及び第2基板10、20は封止材30により互いに接着されて、その内部が封止される。
第1基板10は少なくとも一つの有機発光ダイオード(図示せず)を含む複数の画素が備えられる画素領域11と、画素領域11を除いた非画素領域に備えられる走査駆動部12、12’などの駆動回路が形成された基板である。
第2基板20は第1基板10の画素領域11及び走査駆動部12、12’が形成された面に対向されるように接着される。このような第2基板20は、第1基板10の少なくとも一領域、特に、画素領域11を封止するように第1基板10に接着される。
封止材30は、エポキシ樹脂を含んで構成され、第1基板10及び第2基板20の縁に沿って塗布されて紫外線照射などにより溶融された後に硬化されることで、第1基板10及び第2基板20を接着させる。このような封止材30は、第1基板10及び第2基板20の間の封止された空間に位置する画素領域11などに酸素及び水分などが侵入するのを防止するためのものである。
ところが、封止材30が塗布されても、微細な隙間に酸素及び水分などが侵入するのを完全に遮断することはできない。これを防止するために、従来は吸収材(図示せず)などを第2基板20にコーティングして焼成させた後に用いた。しかしながら、吸収材が焼成される際に発生するアウトガスにより封止材30と基板10、20との間の接着力が低下して、むしろ画素領域11が酸素及び水分に露出し易くなるという問題点が発生した。
また、吸収材を備えることなく、ガラス基板にフリット(frit)を塗布して第1基板10の画素領域11を含む少なくとも一領域を封止する構造が、米国特許出願公開第2004−0207314号明細書に開示されている。それによれば、溶融されたフリットを硬化させて、2つの基板の間を完全に封止させるので、吸収材を用いる必要がなく、さらに効果的に画素領域11を保護することができる。
このようなフリットは、光を吸収して遮断する黒色を帯びるので、光漏れを防止するブラックマトリックス(Black Matrix;BM)としての役割を果たすこともできる。光漏れとは、非画素領域における外光による光の反射によりぼやけて見える現象をいい、光漏れが発生する場合は画質が低下するという問題がある。しかしながら、従来は封止される領域の最外郭の縁、すなわち、素子が形成されない部分にのみフリットが塗布されるので、光漏れを効率よく防止することはできなかった。そのため、従来は画素領域105と隣接する非画素領域で依然として光漏れ現象が多く発生するという問題点があった。
したがって、2つの基板の間に酸素及び水分などが流入するのを遮断するために、第1基板10及び第2基板20をフリットで封止させながら、光漏れも効率よく防止するようにする方案を模索する必要が発生した。
米国特許出願公開第2004−0207314号明細書
したがって、本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、第1基板及び第2基板をフリットで封止させて、酸素及び水分などの流入を遮断し、光漏れを効率よく防止できるようにした有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の第1側面は、前面発光型有機電界発光表示装置において、複数の有機発光ダイオードが含まれた画素領域と、前記画素領域に駆動信号を供給するための走査駆動部が含まれた非画素領域を含む第1基板と、前記画素領域及び前記非画素領域の少なくとも一領域と重なるように前記第1基板の上部に配置された第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板との間に位置し、前記第1及び第2基板を接着させるフリットを含み、前記フリットは前記走査駆動部上の少なくとも一領域を含む前記非画素領域の少なくとも一部と重なるように形成された有機電界発光表示装置を提供する。
好ましく、前記フリットは、ガラス材料と、レーザまたは赤外線を吸収するための吸収材と、熱膨張係数を減少させるためのフィラーとを含む。前記フリットのうち素子が形成されない第1及び第2基板の縁と対応するフリットは、前記走査駆動部と重なるフリットよりも厚く形成され、前記第1及び第2基板の縁と対応する部分のフリットにより前記第1及び第2基板が互いに接着される。前記第2基板は中央部の厚さが縁の厚みよりも小さいエッジ基板に設定される。前記第1及び第2基板の縁部分と対応するフリットの厚みは、前記走査駆動部と重なるフリットの厚みと同一に設定される。
本発明の第2側面は、有機発光ダイオードが備えられた画素領域及び走査駆動部が備えられた非画素領域が含まれた第1基板と、前記画素領域と、前記非画素領域の少なくとも一領域と重なるように前記第1基板上部に配置された第2基板を含んで構成される前面発光型有機電界発光表示装置の製造方法において、前記第1及び第2基板のいずれかの基板に前記走査駆動部上の少なくとも一領域を含む前記非画素領域と対応するようにフリットペーストを塗布し焼成してフリットを形成する段階と、前記第1基板と前記第2基板を貼り合わせる段階と、前記第1基板及び前記第2基板との間に形成されたフリットの少なくとも一領域にレーザまたは赤外線を照射して前記第1及び第2基板を接着させる段階とを含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
好ましく、前記フリットのうち前記走査駆動部と重なるフリットを除いたフリットにレーザまたは赤外線を照射する。前記レーザ及び赤外線の波長は、800nm〜1200nmに設定する。前記レーザまたは赤外線を照射されるフリットは、前記走査駆動部と重なるフリットよりも厚く形成する。前記レーザまたは赤外線を照射する段階において、前記走査駆動部と重なるように形成されたフリットと、前記画素領域を含む素子が形成された領域はマスキングされる。前記レーザまたは前記赤外線を吸収する吸収材を含むフリットペーストを塗布する。前記フリットは前記レーザまたは赤外線を吸収して溶融されることによって、前記第1及び第2基板に接着される。前記フリットペーストの焼成温度は、300℃〜500℃に設定される。前記フリットペーストは前記第2基板に塗布される。
前述したように、本発明による有機電界発光表示装置及びその製造方法によれば、フリットで第1及び第2基板を接着させることで、画素領域が含まれた内部空間に酸素及び水分などが流入するのを効率よく遮断できるという効果を奏する。また、黒色を帯びるフリットを画素領域と隣接する走査駆動部の上部にも形成してブラックマトリックスとして作用するようにすることで、非画素領域への光漏れをさらに効率よく防止し、画質を改善させることができる。
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できる好適な実施の形態が添付された図2乃至図6dを参照して、詳細に説明すれば、以下の通りである。
図2は、本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置を示す平面図である。そして、図3は図2に示した画素の要部断面図である。図2及び図3では、各画素内に少なくとも一つの薄膜トランジスタ及び有機発光ダイオードが備えられた能動型有機電界発光表示装置を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
図2及び図3を参照すれば、本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置は、第1基板100と、第1基板100の少なくとも一領域と重なるように第1基板100の上部に配置された第2基板200を含んで構成され、第1基板100及び第2基板200はこれら間の縁に塗布されたフリット300により互いに接着される。
第1基板100には複数の画素110が備えられた画素領域105と、画素110に駆動信号を供給するための走査駆動部120、120’及びデータ駆動部130と、走査駆動部120、120’及びデータ駆動部130に制御信号を供給するためのパッド部102が形成される。
画素領域105は行方向に配列された走査線(S1〜Sn)と、列方向に配列されたデータ線(D1〜Dm)と、走査線(S1〜Sn)及びデータ線(D1〜Dm)が交差する地点に位置する複数の画素110が形成された領域を意味する。それぞれの画素110は、走査線(S1〜Sn)に供給される走査信号及びデータ線(D1〜Dm)に供給されるデータ信号に対応して所定輝度の光を生成する。それにより、画素領域105では所定の映像が表示される。
ここで、各画素110は図3に示すように、自発光素子である有機発光ダイオード118と、有機発光ダイオード118に接続される少なくとも一つの薄膜トランジスタを含む。ただし、画素110の構造は能動型有機電界発光表示装置や手動型有機電界発光表示装置において、その構造が多様に変形実施され得る。
薄膜トランジスタは第1基板100上に形成されたバッファ層111と、バッファ層111上に形成されチャンネル領域112aとソース及びドレイン領域112bを含む半導体層112と、半導体層112上に形成されたゲート絶縁膜113と、ゲート絶縁膜113上に形成されたゲート電極114と、ゲート電極114上に形成された層間絶縁膜115と、層間絶縁膜115上に形成されソース及びドレイン領域112bと接続されるソース及びドレイン電極116とを含む。
このような薄膜トランジスタ上には、ドレイン電極の少なくとも一領域を露出させるビアホール117aを有する平坦化膜117が形成される。
そして、平坦化膜117上には、ビアホール117aを介して薄膜トランジスタと接続される有機発光ダイオード118が形成される。有機発光ダイオード118は第1電極118a及び第2電極118cと、これら間に位置する有機発光層118bを含む。第1電極118aは平坦化膜117上に形成され、ビアホール117aを介して薄膜トランジスタのドレイン電極と接続される。このような第1電極118aは前面発光する画素110の場合、図示しない反射膜を含んで構成されることができる。第1電極118a上には第1電極118aの少なくとも一部を露出させる開口部を有する画素定義膜119が形成され、画素定義膜119の開口部に有機発光層118bが形成される。そして、有機発光層118b上には第2電極118cが形成される。この時、第2電極118c上には図示しない保護膜などがさらに形成されることもできる。このような有機発光ダイオード118は、薄膜トランジスタから供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
画素領域105を除いた残りの非画素領域には、走査駆動部120、120’及びデータ駆動部130と、パッド部102とが形成される。走査駆動部120、120’はパッド部102から供給される制御信号に対応して走査信号を生成し、これを走査線(S1〜Sn)に供給する。ここで、2つの走査駆動部120、120’が画素領域105の両側に形成され、それぞれ奇数番目の走査線(S1、S3、…、Sn-1)及び偶数番目の走査線(S2、S4、…、Sn)に走査信号を供給する。ただし、走査駆動部120、120’の構成はこれに限定されるものではなく、多様に設定されることができる。データ駆動部130はパッド部102から供給されるデータ及び制御信号に対応してデータ信号を生成し、これをデータ線(D1〜Dm)に供給する。パッド部102は外部から供給される制御信号を走査駆動部120、120’及びデータ駆動部130に供給する。
第2基板200は第1基板100の画素領域105及び走査駆動部120、120’が形成された面に対向されるように第1基板100の少なくとも一領域上に配置される。ここで、第1基板100に形成された画素110は有機発光ダイオード118の有機発光層118aなどを含むので、酸素及び水分が侵入した際に劣化し得る。そのため、第2基板200は画素領域105に酸素及び水分が侵入するのを防止するために、画素領域105を封止するように接着される。そして、図2においては、第2基板200が走査駆動部120、120’も含めて封止するように構成したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、第2基板200は画素領域105と、非画素領域の少なくとも一部と重なるように第1基板100の上部に配置された後、フリット300により第1基板100と接着される。ただし、本発明では前面発光有機電界発光表示装置の場合を仮定することにし、この場合、第2基板200は透明な材質で形成される。
フリット300は第2基板200の縁に塗布された後、第1基板100の非画素領域と重なるように位置し、画素領域105を封止する。ここで、フリット300は本来は添加剤が含まれたパウダー状のガラス原料を意味するが、ガラス技術分野では、通常、フリットが溶融されて形成されたガラスをも意味する場合があるので、本明細書では両者を意味するものとして使うことにする。このようなフリット300は、第1及び第2基板100、200の間を完全に封止して酸素及び水分などが流入するのを効率よく遮断する。また、フリット300は転移金属を含む材質であって、光が透過できない黒色を帯びるため、光漏れを防止するブラックマトリックス(Black Matrix、BM)としての役割を果たすこともできる。ただし、従来のようにフリット300を2つの基板が貼り合わされる部分の最外郭の縁にのみ形成する場合、光漏れが効率よく防止されないので、本発明ではフリット300を画素領域105と隣接する部分、例えば走査駆動部120、120’の上部にまで塗布する。すなわち、素子が形成されない封止領域の最外郭部にフリットを塗布して2つの基板を接着させるための封止材としてのみフリットを用いた従来とは異なり、画素領域105と隣接する走査駆動部120、120’上にもフリット300を塗布することで、フリット300が封止材だけでなく、ブラックマトリックスとしても用いられ、光漏れが効率よく遮断されるようにする。ここで、フリット300を塗布して封止する方法についての詳細な説明は、後述する。
図4は、図2に示した有機電界発光表示装置のA-A’線に沿う断面図である。
図4を参照すれば、第1基板100に形成された画素領域105は、第2基板200及びフリット300により完全に封止される。ここで、フリット300は黒色を帯びる材質であって、第1及び第2基板100、200の縁だけでなく、画素領域105と隣接する走査駆動部120、120’上にも位置し、非画素領域への光漏れを効率よく遮断する。ここで、素子が形成されない縁部分に形成されたフリット300は、走査駆動部120、120’上に位置するフリット300よりも厚く形成される。ただし、走査駆動部120、120’の上部を含む非画素領域の少なくとも一領域にフリット300が形成された本発明は、前面発光型の有機電界発光表示装置に適用することが好ましく、前面発光型有機電界発光表示装置は、画素領域105の前面に所定の映像を表示するので、画素領域105にはフリット300が位置しないようにする。
ここで、フリット300は、ガラス材料と、レーザを吸収するための吸収材と、熱膨張係数を減少させるためのフィラーとを含んで構成され、フリットペースト状態で第2基板200に塗布された後に硬化されて、第1及び第2基板100、200の間でレーザまたは赤外線により溶融された後、再び硬化されながら第1基板100と第2基板200を接着させる。この時、レーザまたは赤外線が走査駆動部120、120’上に位置するフリット300にも照射される場合、走査駆動部120、120’の内部回路が損傷し得る。したがって、レーザまたは赤外線は素子が形成されない部分に塗布されたフリット300にのみ照射されるようにする。すなわち、素子が形成されない縁に位置するフリット300は、レーザまたは赤外線を吸収して溶融された後、再び硬化されながら第1及び第2基板100、200を接着して封止し、走査駆動部120、120’上に塗布されたフリット300は走査駆動部120、120’と接着されないため、接着材としては作用せず、画素領域105の外郭、すなわち、非画素領域への光漏れを防止するブラックマトリックスとしての役割を果たす。ここで、第1及び第2基板100、200を接着する縁部分のフリット300は、走査駆動部120、120’と重なるフリット300よりも厚く形成される。
一方、図4においては、第2基板200をフラット型のベア基板に示したが、第2基板200は図5に示すように、中央部の厚みが縁部分の厚みよりも薄くエッチングされたエッジ基板に設定されることができる。この場合、第1及び第2基板100、200を接着する縁部分のフリット300と、走査駆動部120、120’と重なる部分のフリット300とは同じ厚みに形成されることができる。
以下では、図6a乃至図6dを参照して、図4に示した有機電界発光表示装置の製造工程を詳細に説明する。便宜上、図6a乃至図6dでは、個別の有機電界発光表示装置を製造する製造工程を示すが、実際は複数の表示装置セルが元板単位に製作されることができる。
図6a乃至図6dを参照すれば、まず、第2基板200の縁にフリット300を塗布する。フリット300は、後述する第1基板100の画素領域105と重ならないように非画素領域の少なくとも一領域に塗布される。この時、フリット300は第1基板100に形成された走査駆動部120、120’上にも位置することができるように第1基板100の縁及び走査駆動部120、120’に対応する形状に塗布される。すなわち、フリット300の縁部分は走査駆動部120、120’と重なる部分よりも厚く塗布される。このようなフリット300は、フリットペースト状態で第2基板200に塗布された後に焼成されてペーストに含まれた水分や有機バインダが除去されてから硬化される。ここで、フリットペーストはガラス粉末に酸化物粉末及び有機物を添加してゲル状にしたものであって、フリット300を焼成する温度は、300℃〜500℃の範囲にすることが好ましい。そして、フリット300の厚みは、10μm〜20μmが好ましいが、これはフリット300の厚みが20μm以上である場合はレーザシーリング時に多くのエネルギーを必要とし、そのためには、レーザのパワーを上げるか、スキャンスピードを下げなければならないが、それにより熱損傷が発生することができ、10μm以下の厚みではフリット300の塗布状態の不良が頻繁に起こり得るためである。(図6a)
その後、画素領域105及び走査駆動部120、120’などが形成された第1基板100を備え、画素領域105が封止されるように第1基板100及び第2基板200を貼り合わせる。この時、フリット300は互いに対向される第1及び第2基板100、200の間の縁と走査駆動部120、120’上に位置し、画素領域105とは重ならないように位置される。(図6b)
次いで、素子が形成されない部分、すなわち、第1及び第2基板100、200の縁に位置するフリット300にレーザまたは赤外線を照射する。すると、レーザまたは赤外線を照射された部分のフリット300は、レーザまたは赤外線を吸収して溶融される。この時、照射されるレーザまたは赤外線の波長は、800nm〜1200nm(より好ましくは、810nm)が、ビームサイズは直径1.0nm〜3.0nmが、出力電力は25W〜45Wになることが好ましく、レーザまたは赤外線が照射されない残りの部分はマスキングされることが好ましい。すなわち、画素領域105と隣接した部分、特に、走査駆動部120、120’と重なるように形成されたフリット300及び画素領域105と、走査駆動部120、120’と画素領域105の間に位置する配線(図示せず)にはレーザまたは赤外線が照射されないようにマスキングされるが、これは配線及び素子がレーザまたは赤外線により変形するのを防止するためである。マスクの材料は、銅、アルミニウムの2重膜を用いることができる。(図6c)
その後、レーザまたは赤外線により溶融されたフリット300は、また硬化されながら第1基板100と第2基板200を接着させる。(図6d)
一方、前述した製造工程では、フリット300を第2基板200に塗布して第1及び第2基板200を接着させたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、フリット300は画素領域105などが形成された第1基板100にまず塗布されることもでき、第1及び第2基板100、200のいずれにも塗布されて第1及び第2基板100、200を接着させることもできる。また、第2基板200が図5に示したように、エッジ基板に設定される場合、フリット300は第1基板100の縁及び走査駆動部120、120’上に対応されるように第2基板200に同じ厚みに塗布されることができる。
前述した有機電界発光表示装置及びその製造方法において、フリット300で第1及び第2基板100、200を接着させることで、画素領域105が含まれた内部空間に酸素及び水分などが流入するのを効率よく遮断できる。また、黒色を帯びるフリット300を画素領域105と隣接する走査駆動部120、120’の上部にも形成してブラックマトリックスとして作用するようにすることで、非画素領域への光漏れをさらに効率よく防止し、画質を改善させることができる。そして、走査駆動部120、120’などの素子が形成された部分には、レーザまたは赤外線が照射されないようにし、素子が形成されないフリット300の縁部分にのみレーザまたは赤外線を照射することで、素子の変形も防止できる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
一般の有機電界発光表示装置の断面図である。 本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置を示す平面図である。 図2に示した画素の要部断面図である。 図2に示した有機電界発光表示装置のA-A’線に沿う断面図である。 図2に示した有機電界発光表示装置のA-A’線に沿う断面図である。 図4に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。 図4に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。 図4に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。 図4に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。
符号の説明
10、100 第1基板
11、105 画素領域
12、12'、120、120' 走査駆動部
20、200 第2基板
30 封止材
300 フリット

Claims (15)

  1. 前面発光型有機電界発光表示装置において、
    複数の有機発光ダイオードが含まれた画素領域と、前記画素領域に駆動信号を供給するための走査駆動部が含まれた非画素領域を含む第1基板と、
    前記画素領域及び前記非画素領域の少なくとも一領域と重なるように前記第1基板の上部に配置された第2基板と、
    前記第1基板及び前記第2基板との間に位置し、前記第1及び第2基板を接着させるフリットを含み、
    前記フリットは前記走査駆動部上の少なくとも一領域を含む前記非画素領域の少なくとも一部と重なるように形成されたことを特徴とする有機電界発光表示装置。
  2. 前記走査駆動部は、自身の上部に形成されたフリットと接着されないことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
  3. 前記フリットは、ガラス材料と、レーザまたは赤外線を吸収するための吸収材と、熱膨張係数を減少させるためのフィラーとを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
  4. 前記フリットのうち素子が形成されない第1及び第2基板の縁と対応する部位は、前記走査駆動部と重なる部位よりも厚く形成され、前記第1及び第2基板の縁と対応する部位により前記第1及び第2基板が互いに接着されたことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
  5. 前記第2基板は、中央部の厚みが縁の厚みよりも小さいエッジ基板に設定されたことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
  6. 前記第1及び第2基板の縁部分と対応するフリットの厚みは、前記走査駆動部と重なるフリットの厚みと同一に設定されたことを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光表示装置。
  7. 有機発光ダイオードが備えられた画素領域及び走査駆動部が備えられた非画素領域が含まれた第1基板と、前記画素領域及び前記非画素領域の少なくとも一領域と重なるように前記第1基板上部に配置された第2基板とを含んで構成される前面発光型有機電界発光表示装置の製造方法において、
    前記第1及び第2基板のいずれかの基板に前記走査駆動部上の少なくとも一領域を含む前記非画素領域と対応するようにフリットペーストを塗布し焼成してフリットを形成する段階と、
    前記第1基板と前記第2基板を貼り合わせる段階と、
    前記第1基板及び前記第2基板との間に形成されたフリットの少なくとも一領域にレーザまたは赤外線を照射して前記第1及び第2基板を接着させる段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
  8. 前記フリットのうち前記走査駆動部と重なる部位を除いた部位にレーザまたは赤外線を照射することを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  9. 前記レーザ及び赤外線の波長は、800nm〜1200nmに設定することを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  10. 前記フリットは、前記レーザまたは赤外線を照射される部位を、前記走査駆動部と重なる部位よりも厚く形成することを特徴とする請求項8に記載に有機電界発光表示装置の製造方法。
  11. 前記レーザまたは赤外線を照射する段階において、前記走査駆動部と重なるように形成されたフリットと、前記画素領域を含む素子が形成された領域はマスキングされることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  12. 前記レーザまたは前記赤外線を吸収する吸収材を含むフリットペーストを塗布することを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  13. 前記フリットは前記レーザまたは赤外線を吸収して溶融されることによって、前記第1及び第2基板に接着されることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  14. 前記フリットペーストの焼成温度は、300℃〜500℃に設定されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
  15. 前記フリットペーストは、前記第2基板に塗布されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009110864A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2009129556A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
US8884849B2 (en) 2010-07-23 2014-11-11 Panasonic Corporation Display panel and production method thereof
US10854696B2 (en) 2016-02-16 2020-12-01 Tianma Microelectronics Co., Ltd. Display device including first wiring and second wiring having different melting points

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100703458B1 (ko) * 2006-04-20 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제작 방법
US20090044496A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Botelho John W Method and apparatus for sealing a glass package
US8063562B2 (en) * 2007-11-19 2011-11-22 Seiko Epson Corporation Light-emitting device and electronic apparatus
US20100095705A1 (en) 2008-10-20 2010-04-22 Burkhalter Robert S Method for forming a dry glass-based frit
US20110163663A1 (en) * 2010-01-07 2011-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device and Method of Making the Same
KR101117735B1 (ko) * 2010-01-22 2012-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR101753771B1 (ko) * 2010-08-20 2017-07-05 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR101722026B1 (ko) * 2010-10-22 2017-04-12 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 패널, 평판 표시 패널용 원장기판, 및 평판 표시 패널 제조 방법
KR20120079319A (ko) * 2011-01-04 2012-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치
TWI485846B (zh) * 2011-11-16 2015-05-21 Au Optronics Corp 具可撓性基板之顯示裝置及其製造方法
WO2014035954A2 (en) 2012-08-30 2014-03-06 Corning Incorporated Antimony-free glass, antimony-free frit and a glass package that is hermetically sealed with the frit
KR20140061095A (ko) * 2012-11-13 2014-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN103855105B (zh) * 2012-12-06 2017-04-26 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体及其制作方法
KR102035252B1 (ko) * 2013-09-03 2019-11-11 삼성디스플레이 주식회사 밀봉재를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102206268B1 (ko) * 2013-12-18 2021-01-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
TWI574442B (zh) 2014-04-10 2017-03-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
US9594287B2 (en) * 2014-08-24 2017-03-14 Royole Corporation Substrate-less flexible display and method of manufacturing the same
KR102405124B1 (ko) * 2014-12-09 2022-06-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN104466034A (zh) 2014-12-15 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种激光烧结设备及烧结方法
KR102303244B1 (ko) 2015-04-15 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN104795433B (zh) * 2015-05-08 2016-07-13 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR102491874B1 (ko) 2015-11-26 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 장치
KR102490625B1 (ko) * 2015-11-27 2023-01-25 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR102568631B1 (ko) * 2016-04-15 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105739154B (zh) * 2016-04-29 2019-09-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板以及电子设备
CN109155117A (zh) * 2016-05-24 2019-01-04 索尼公司 显示装置、显示模块、制造显示装置的方法、以及制造显示模块的方法
KR20170135585A (ko) 2016-05-31 2017-12-08 엘지디스플레이 주식회사 뱅크 절연막을 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN107046104A (zh) * 2017-01-10 2017-08-15 广东欧珀移动通信有限公司 Oled封装结构及其制备方法
KR102621591B1 (ko) * 2018-09-11 2024-01-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN110767684B (zh) * 2018-10-31 2022-09-13 云谷(固安)科技有限公司 显示屏及显示终端
CN110707229A (zh) 2019-09-03 2020-01-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置
CN112133734B (zh) * 2020-09-29 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
CN114551757A (zh) * 2022-02-10 2022-05-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004139767A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Hitachi Displays Ltd 表示装置
WO2004095597A2 (en) * 2003-04-16 2004-11-04 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7091605B2 (en) 2001-09-21 2006-08-15 Eastman Kodak Company Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
US6555025B1 (en) * 2000-01-31 2003-04-29 Candescent Technologies Corporation Tuned sealing material for sealing of a flat panel display
EP1343206B1 (en) 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
TWI263339B (en) 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
JP4299021B2 (ja) * 2003-02-19 2009-07-22 ヤマト電子株式会社 封着加工材及び封着加工用ペースト

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004139767A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Hitachi Displays Ltd 表示装置
WO2004095597A2 (en) * 2003-04-16 2004-11-04 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009110864A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2009129556A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
US8884849B2 (en) 2010-07-23 2014-11-11 Panasonic Corporation Display panel and production method thereof
US10854696B2 (en) 2016-02-16 2020-12-01 Tianma Microelectronics Co., Ltd. Display device including first wiring and second wiring having different melting points

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