JP2007189195A5

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Publication number: JP2007189195A5
Application number: JP2006293641A
Authority: JP
Filing date: 2006-10-30
Publication date: 2007-10-11
Anticipated expiration: 2026-10-30

Description

正孔注入層１４ａとしては、通常知られているホール注入性の材料を用いることができるが、さらに、キノイド骨格を含むＴＣＮＱ系や、キノン系、ＤＣＮＱＩ系、ポリシアノ系、ポリニトロ系、フルオレン系等の電子受容性の材料を含んでもよい。

このような発光層１４ｃは、ドーパントとして、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素、トリフェニルアミン誘導体等の有機物質を含む混合有機薄膜であっても良い。この場合、発光層１４ｃは共蒸着で形成される。特に、ホール輸送性の三級アミンを分子構造中に有する材料は、分子間相互作用が小さく、濃度消光しにくい特徴を有するものであれば、高濃度のドーピングが可能になり、最適なドーパントの１つとして機能する。

以上のようにして正孔注入層１４ａ〜電子注入層１４ｅまでの有機層１４を形成した後、陰極１５の第１層として、ＬｉＦを真空蒸着法により約０．３ｎｍ（蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で形成し、次いで、第２層としてＭｇＡｇを真空蒸着法により１０ｎｍの膜厚で形成し、２層構造の陰極１５を設けた。

＜比較例１＞
比較例１においては、実施例1の電子注入層１４ｅに換えて、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３：８-hydroxyquinoline aluminum）からなる電子輸送層を２０ｎｍの膜厚で設けた表示素子を作製した。

＜比較例２＞
比較例２においては、実施例１の電子注入層１４ｅを２０ｎｍの膜厚に変更した表示素子を作製した。

図２のグラフから、比較例１，３に対して、本発明構成を適用した実施例１〜５においては、（１）駆動電圧を１／２程度にまで削減できていることがわかる。これにより、本発明構成を適用することで、表示素子の駆動電圧を低減できることが確認された。また、電子注入層１４ｅの膜厚２０ｎｍである比較例２では、駆動電圧が比較例１，３並みに大きかった。このことから、電子注入層１４ｅの膜厚が２０ｎｍを下回って薄膜化され、好ましくは１０ｎｍ以下に設定されることによって、駆動電圧の低減の効果が大きくなることが確認された。尚、表１に示したように、本発明構成を適用した実施例６〜１０の表示素子においても、実施例１〜５と同程度に駆動電圧を削減できることが確認された。

次に、正孔輸送層１４ｂとして、α−ＮＰＤ［N,N'-Bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine］を１８ｎｍ（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で形成した。尚、α−ＮＰＤは、ホール輸送性の材料である。