JP2007184400A

JP2007184400A - 光伝送モジュールおよび半導体装置

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Publication number: JP2007184400A
Application number: JP2006001307A
Authority: JP
Inventors: Fumihide Maeda; 文秀前田; Osamu Yamada; 收山田; Satoshi Motohiro; 智本廣; Takayuki Hayashi; 隆之林; Mitsuhisa Akashi; 光央明石; 光広 ▲高▼野; Mitsuhiro Takano; Yasushi Nakagawa; 裕史中川
Original assignee: Opnext Japan Inc
Current assignee: Opnext Japan Inc
Priority date: 2006-01-06
Filing date: 2006-01-06
Publication date: 2007-07-19
Anticipated expiration: 2026-01-06
Also published as: JP4852310B2

Abstract

【課題】同軸付きセラミックＢＧＡはんだボールＩＣを実装した光伝送モジュールの温度サイクル信頼性の向上を計る。
【解決手段】アンダーフィル６の流動防止枠５の設置と寸法の適正化により、アンダーフィルのフィレットを概ね懸垂線状のプロファイルを有するように適正化し、さらにアンダーフィルのヤング率を５Ｇｐａ以下で熱膨張係数を２０ｐｐｍ／℃〜３５ｐｐｍ／℃に選定する。また、はんだボール実装面の全周に０．５ｍｍ以上の面取りまたは０.２ｍｍ以上のＲ面取りを設ける。
【選択図】図３

Description

本発明は、光信号を電気信号に変換するもしくは電気信号を光信号に変換する光伝送モジュールおよび半導体装置に関する。

光伝送モジュールには、通信量の増大に伴い、光伝送速度の高速化の要求が高い。この理由は、既施設済みの光ファイバをそのまま利用して伝送量を増大させることにより、新たな光ファイバの敷設という高額な投資を抑えることができる点にある。現状、主流の光伝送速度は２．５Ｇｂ／ｓから１０Ｇｂ／ｓに移ってきている。次の世代として４０Ｇｂ／ｓの伝送のニーズが高まっている。

図１を参照して、伝送速度１０Ｇｂｉｔ／ｓの光伝送モジュールの構成を説明する。ここで、図１は伝送速度１０Ｇｂｉｔ／ｓの光伝送モジュールのブロック図である。図１において、光の受信側では、光ファイバ１４から送られた光を、光電気変換モジュール（ホトダイオードモジュール：ＰＤＭ）１８で電気信号に切り替え、さらにデマルチプレクサー（ＤＭＵＸ）ＩＣ２２により、１６本のパラレル信号に置き換えられ電気信号として処理されている。

逆に、光の送信側では、１６本のパラレル電気信号がマルチプレクサー（ＭＵＸ）ＩＣ２０により１信号に集約され、電気光変換モジュール（レーザーダイオードモジュール：ＬＤＭ）２１により光信号として光ファイバに送信される。
１０Ｇｂ／ｓの光伝送モジュールでは、３００ピンＭＳＡに示されるように、電気信号部分は６２２ＭＨｚＸ１６本により構成されている。光伝送モジュール５０の電気信号はコネクタ２３を用いて送受信される。ＰＤＭ１９、ＤＭＵＸＩＣ２２、ＬＤＭ２１、ＭＵＸ２０、コネクタ２３はそれぞれプリント基板２７に実装されて、光伝送モジュール５０を構成する。

光伝送モジュールの送受信に於いて、高信頼度の伝送のために光の伝送波形の維持に高精度の設計がおこなわれている。具体的には、１０Ｇｂ／ｓの信号が通る受信側では、ＰＤＭからＤＭＵＸの間の、送信側ではＭＵＸからＬＤＭの間では、外部からのクロストークノイズや、信号伝播に於ける損失の増大や反射の発生を極力抑える工夫をプリント基板上の配線設計でなされている。

特許文献１には、フリップチップ実装されたチップと基板との間に、弾性係数が小さく、熱膨張率がはんだの熱膨張率とほぼ同じ樹脂を、充填する半導体装置が記載されている。

特開昭６２−３１６４４７号公報

しかし、１０Ｇｂ／ｓで実現できたプリント基板上の設計工夫では、４０Ｇｂ／ｓの信号を所定の信号晶質を保って伝送することが困難であることが判明している。
そこで、４０Ｇｂ／ｓの電気信号を低減衰でノイズに対する耐性の高い同軸ケーブルを用いて直接ＰＤＭ−ＤＭＵＸ間、およびＬＤＭ−ＭＵＸ間を繋ぐ方法が有望な手法である。これにより４０Ｇｂ／ｓの信号波形品質を大幅に低下させずに伝送させることが可能になってきている。

ところで、同軸ケーブルをＭＵＸＩＣやＤＭＵＸＩＣに設置するためには、通常セラミックＰＫＧ（ｐａｃｋａｇｅ）となり、ＰＫＧサイズ（基板平面と高さ）が大型化する。従来は、同軸ケーブルを具備してなるセラミックＰＫＧの基板への実装形態はＰＧＡ（ビングリッドアレイ）が主であった。これは、接続部の信顛性を保つことを優先させたことにある。しかし、電気信号として６２２ＭＨｚの電気信号を高品質で伝送するためには、ＩＣＰＫＧとプリント基板間の接続は接続距離をＰＧＡに比較して短くできるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）とならざるを得ない。

一方、セラミックＰＫＧＢＧＡについては、接続部信頼性の問題が常に有る。これは、通常使われるアルミナセラミックの熱膨張係数（約７ｐｐｍ／℃）がプリント基板の熱膨張係数（１４〜１６ｐｐｍ／℃）と大きく異なり、稼動中のＢＧＡはんだに大きなストレスが発生しはんだが熱疲労を起こし接続寿命が短くなることにある。

通信機器は１０年以上の信頼性を要求されており、これを満足する手段として大形のセラミックＢＧＡＰＥＧでは、アンダーフィルが必要とされている。しかし、同軸ケーブルを具備したセラミックＢＧＡＰＫＧについてこれまで、信頼性の高い実装手段が開示されていない。

本発明では、セラミックＢＧＡパッケージはんだ接続部の高信頼度実装方法について解決する。本発明によれば、信頼性の高いセラミックＢＧＡパッケージＩＣを有する光伝送モジュールおよび半導体装置を得ることができる。

上記課題は、複数の電気信号を多重してシリアル電気信号を生成するマルチプレクサーＩＣと、シリアル電気信号を光信号に変換して光ファイバに送出する電気光変換モジュールとをプリント基板に実装され、マルチプレクサーＩＣと電気光変換モジュールとは同軸ケーブルで接続されてシリアル電気信号を伝送し、マルチプレクサーＩＣはプリント基板と複数のはんだボールで接続され、複数のはんだボールはアンダーフィル流動防止枠で囲われ、複数のはんだボールの周囲は、マルチプレクサーＩＣの側面とアンダーフィル流動防止枠の内側面との間で概ね懸垂線状のプロファイルを有するようにアンダーフィルによって充填された光伝送モジュールにより、達成できる。

また、光ファイバから受信した光信号を電気信号に変換する光電気変換モジュールと、電気信号を分離して複数のパラレル電気信号を生成するデマルチプレクサーＩＣとをプリント基板に実装され、光電気変換モジュールとデマルチプレクサーＩＣとは同軸ケーブルで接続されて電気信号を伝送し、でマルチプレクサーＩＣはプリント基板と複数のはんだボールで接続され、複数のはんだボールはアンダーフィル流動防止枠で囲われ、複数のはんだボールの周囲は、マルチプレクサーＩＣの側面とアンダーフィル流動防止枠の内側面との間で概ね懸垂線状のプロファイルを有するようにアンダーフィルによって充填された光伝送モジュールにより、達成できる。

さらに、半導体をセラミックキャリアに搭載し、セラミックキャリアの底面に複数のはんだボールを形成して半導体と接続され、底面の全周に０．５ｍｍ以上のＣ面取りまたは０.２ｍｍ以上のＲ面取りを設けた半導体装置により、達成できる。

本発明により、信頼性の高いセラミックＢＧＡパッケージＩＣを有する光伝送モジュールおよびセラミックＢＧＡパッケージＩＣを得ることができる。

以下、本発明の実施の形態に付いて、実施例を用いて図面を参照しながら説明する。なお、同一部位には同じ参照番号を振り、説明は繰り返さない。
実施例を図２ないし図４を用いて説明する。ここで、図２は光伝送モジュールのブロック図である。図３は光伝送モジュールの同軸ケーブル付きセラミックＢＧＡ部の部分断面図である。図４は光伝送モジュールの同軸ケーブル付きセラミックＢＧＡ部の平面図である。

図２において、光ファイバ１４からの伝送速度４０Ｇｂｉｔ／ｓの入力光は、光電気変換モジュール（ＰＤＭ：ＰｈｏｔｏＤｉｏｄｅＭｏｄｕｌｅ）９で受信される。ＰＤＭ９は、光信号を電気信号に変換し、４０Ｇｂｉｔ／ｓの正相信号と逆相信号とをそれぞれ同軸ケーブル８でデマルチプレクサーＩＣ（ＤＭＵＸ）１２に送信する。ＤＭＵＸ１２は４０Ｇｂｉｔ／ｓ電気信号を、６２２ＭＨｚＸ６４本に変換して、３００ピンコネクター１３から出力する。

一方、外部から３００ピンコネクター１３に入力される６２２ＭＨｚＸ６４本の電気信号は、マルチプレクサーＩＣ（ＭＵＸ）１０で受信される。ＭＵＸ１０は６２２ＭＨｚＸ６４本の電気信号を４０Ｇｂｉｔ／ｓの正相信号と逆相信号に変換し、２本の同軸ケーブル８を経由して、電気光変換モジュール（ＬＤＭ：ＬａｓｅｒＤｉｏｄｅＭｏｄｕｌｅ）１１に送信する。ＬＤＭ１１は４０Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号を、４０Ｇｂｉｔ／ｓの光信号に変換して、光ファイバ１５から出力する。光伝送モジュール１００の入出力電気信号は、コネクタ１３を用いて入出力する。ＰＤＭ９、ＤＭＵＸＩＣ１２、コネクタ１３、ＬＤＭ１１、ＭＵＸＩＣ１０は、プリント基板７に実装し、光伝送モジュール１００を構成する。

なお、図２に示す光伝送モジュール１００は、ＰＤＭ９とＬＤＭ１１とをともに備える。しかし、本明細書において、光伝送モジュールとは、ＰＤＭとＬＤＭとの一方のみを備える光伝送モジュールを含む。ＰＤＭのみを含む光伝送モジュールは、光受信モジュールであるＬＤＭのみを含む光伝送モジュールは、光送信モジュールである。

図３は、図１を用いて説明した光伝送モジュールのＭＵＸ１０、ＤＭＵＸ１２の実装状態を示したものである。ＭＵＸ１０およびＤＭＵＸ１２は、図３に示すセラミック基板部１と金属部２から構成され、該当金属部の一部側面に同軸コネクタ一部３が構成され、さらに同軸ケーブル８が同軸コネクタ一部３に装着された構成である。さらにＭＵＸ１０およびＤＭＵＸ１２のセラミック基板１の下部にははんだボール４が設置してあり、プリント基板７との間の電気的接続を実施する。セラミック基板の周辺のプリント基板上にはあらかじめ設けたアンダーフィル流れ防止枠５が設置してあり、セラミック基板１とアンダーフィル防止枠との間にアンダーフィル材料を充填・固化してある。ここで、アンダーフィル６は、はんだボール４をセラミック基板１の側面とアンダーフィル流れ防止枠５の内側面との間で概ね懸垂線状のプロファイルを有して、形成されている。ここで懸垂線状とは、下に凸の２次曲線状とも表現できる。

以下、具体的な数値を用いて説明する。図３において、同軸ケーブルを伝わる信号の伝送速度は４０Ｇｂｉｔ／ｓで有り、セラミック基板のサイズは２０ｍｍ×２０ｍｍ×２．５ｍｍ厚、金属部のサイズは幅２２ｍｍ×長さ２５ｍｍ×厚さ３．０ｍｍ、はんだボールは１ｍｍピッチで１９×１９のエリアアレイで合計３６１個からなる。アンダーフィル流れ防止枠の外形は、２５×２５×２ｍｍ高さ（同軸コネクタ下部は高さ１ｍｍ）で枠の厚みは１ｍｍとし材質はプリント基板と同一材料である。図３において、セラミック基板１とアンダーフィル流動防止枠５との間隔を２．５ｍｍとした。ここで、アンダーフィル流れ防止枠は、ＰＫＧに同軸ケーブルを設置部分については流れ防止枠をＰＫＧ構造物の直下に設置し、それ以外の部分はＰＫＧとアンダーフィル流れ防止枠にすき間を設けた。

アンダーフィル流動防止枠５とセラミック基板１との間隔およびアンダーフィル流動防止枠５の高さを決めるに当たって、以下の検討を行った。
まず、高周波伝送の点からＭＵＸＩＣ１０およびＤＭＵＸＩＣ１２からコネクターヘの配線距離はできるだけ短くする必要が有り、アンダーフィル流動防止枠のようなデッドスペースを無くするのが配線の原則である。しかし、ＭＵＸ１０およびＤＭＵＸ１２の周辺にはコンデンサーなどの受動部品が設置されるが、これらの部品がアンダーフィルに部分的に覆われる場合に、アンダーフィルの硬化収縮応力が加わりはんだ接続部にダメージを加える。

一方、アンダーフィルは、後述のようにセラミック基板の側面から滑らかなフィレットを形成していないとセラミックとアンダーフィルの界面の応力が大きくなり剥がれる可能性が高い。また、アンダーフィルがセラミック側面に掛からないと応力集中部がアンダーフィルとセラミック基板の接続点に発生し、この場合にも剥がれが発生する可能性が高い。従って、アンダーフィルを、セラミック基板の側面から滑らかなスロープを形成させて形成することがはんだボールの温度サイクル信頼性を確保するためには必須である。その場合、１ｍｍピッチＢＧＡの場合でセラミック基板の底面から１ｍｍの側面部分にアンダーフィル開始点を設けると、アンダーフィルの裾野がセラミックの端部から１０ｍｍ程度に広がる。この場合、セラミック基板サイズ２０×２０ｍｍの周辺４０×４０ｍｍに部品が置けないエリア（セラミック基板の床面積の４倍の床面積が必要）が発生し、送受信モジュールの特性からすると非常に不利な設計を強いられることになる。図３では、アンダーフィル流動防止枠により部品実装禁止領域が２５×２５ｍｍ（セラミック基板の床面積の１．６倍の床面積）と大幅に縮減できる。

また、アンダーフィルについて、シュリンジを用いて塗布する際に、図５に示すようにアンダーフィル充填量が過少の場合には、アンダーフィルのセラミック基板の側面に濡れ上がりにくくなる。その結果温度サイクル試験時にセラミックの角からクラックが入りアンダーフィルを破断させる。さらに、その結果アンダーフィルとセラミック基板との界面のアンダーフィルが剥がれ始めてＢＧＡはんだの温度サイクル寿命が短くなる問題が発生している。この場合には、はがれ面が逆にＢＧＡはんだに応力集中を引き起こしアンダーフィルが無い場合より温度サイクル寿命が短くなることも発生する。

逆にアンダーフィル充填量が過多の場合には、図６に示すようにフィレット形状が無くなり、セラミック基板から直角に近い状態でアンダーフィルが形成されてしまう問題がある。図６のような場合には、温度サイクル試験時にアンダーフィルとセラミック基板の間に発生する熱収縮応力がほぼ接続界面に垂直となる。この結果、アンダーフィルをセラミックから剥がす応力が最大となり、これにより温度サイクル時にアンダーフィルがセラミック基板の側面から剥がれ始め順次セラミック基板底面側に剥がれが進行する。最終的には、ＢＧＡはんだに応力集中が発生し図５と類似のモードとなって、アンダーフィルが無い場合より温度サイクル寿命が短くなる場合がある。

上記のようにアンダーフィルのフィレット形状は、セラミックＢＧＡ接続部の実稼動信頼性に大きな影響を及ぼすことが判明した。一方、特許文献１に示すようにアンダーフィル材質（ヤング率（縦弾性係数）、熱膨張係数）がセラミックＢＧＡ接続部の実稼動信頼性に大きな影響を及ぼすことが知られている。しかし、アンダーフィルのフィレット形状とアンダーフィル材質を統一的に、具体的な数値で示した情報は開示されておらず実際の信頼性の高いセラミックＢＧＡの実装を実現した例は無い。図３の構成とするに当たって、表１の条件で数値シミュレーションを実施し、アンダーフィルの材質と発生応力および発生ひずみの関係を把握した。表１は、アンダーフィルを２水準（大、中）とし、アンダーフィル材料のヤング率を７.９ＧＰａと４.０ＧＰａ、熱膨張係数を３０ｐｐｍ／℃と６０ｐｐｍ／℃として解析し、その結果を発生応力とひずみの相対比較で示した。

表１
アンダー熱膨張係数ヤング率Ａ点応力Ｂ点応力Ｃ点ひずみ
フィル α Ｅ △σＡ △σＢ｜△εＣ｜
水準（ｐｐｍ）（ＧＰａ）（ＭＰａ）（ＭＰａ）（ｐｐｍ）
------------------------------------------------------------------
大６０７.９１７５８４９１１００
大３０７.９７５４６９６７５
大６０４.０８６４５９４３３
大３０４.０４４２５７６４
中６０７.９１６９３４９１１５９
中３０７.９７７１６３６４９
中６０４.０８３１７７４１０
中３０４.０４６８２９０

表１の発生応力と発生ひずみの代表値は、図５において温度サイクル時に発生するアンダーフィルの剥がれの基点となるセラミックの角Ａ点の応力、アンダーフィル・フィレット開始点であるＢ点の応力とＢＧＡはんだのＣ点のひずみとした。Ａ点、Ｂ点での応力は、アンダーフィルの剥がれが対象であるので、アンダーフィルの応力を代表値とし、また、Ｃ点ははんだの疲労寿命が対象となるのではんだのひずみを代表値とした。

表１より、アンダーフィルのフィレットが中となることにより同一材料構成でもＢ点（アンダーフィルの開始点）の応力が下がり剥がれにくくなることが判明した。セラミックの角部Ａ点の応力およびＢＧＡはんだＣ点のひずみには差が無い。このことより、アンダーフィルの塗布量が中となる塗布によりアンダーフィル・フィレットの形成が重要であることが判明した。次に、セラミックの角部Ａ点の応力に着目すると、表１よりアンダーフィルのヤング率が小さいか、熱膨張係数が小さいほうが応力が小さくなることが判明した。また、同一割合でヤング率と熱膨張係数が変化した場合に、応力の低減にはヤング率の変化の方が効果的であることが判明した。

さらに、ＢＧＡはんだＣ点のひずみに着目するとヤング率と熱膨張係数の両者ともに小さくなるとはんだのひずみは小さくなる。その度合いは、熱膨張係数の方が効果が大きいことが判明した。これらを、より材料選定を明確に判定するために、図７、図８、図９を作成した。ここで、図７はアンダーフィル大の場合のＡ点の応力を説明する図である。図８はアンダーフィル大の場合のＢ点の応力を説明する図である。図９はアンダーフィル大の場合のＣ点のひずみを説明する図である。

図７ないし図９では、材料選定のパラメータであるアンダーフィルの熱膨張係数とヤング率をそれぞれｘ軸、ｙ軸とし、Ａ点、Ｂ点の応力値とＣ点のひずみを等高線として示す。各図には、これまでの小型セラミックＢＧＡのアンダーフィル塗布部品における信頼性データから目標許容値を太線で示す。この目標値は、Ａ点の応力では３８０ＭＰａ以下、Ｂ点の応力では１７５ＭＰａ以下、Ｃ点のひずみでは０.４ｐｐｍ以下である。信頼性判定基準は、光伝送モジュールが満足すべきｔｅｌｃｏｒｄｉａＧＲ−４６８−ＣＯＲＥ基準の−４０〜８５℃の温度サイクル試験で５００サイクルを合格する条件である。

これらの結果から、アンダーフィル材料のヤング率と熱膨張係数の最大値は、Ｃ点のひずみで決まり、ヤング率５ＧＰａ、熱膨張係数３５ｐｐｍ／℃程度が適当と発明者等は、判断した。一方、アンダーフィル材料のヤング率と熱膨張係数の最小値は発明者等の知見により、ヤング率２ＧＰａ、熱膨張係数２０ｐｐｍ／℃程度である。したがって、アンダーフィル材料のヤング率２〜５ＧＰａ、熱膨張係数２０〜３５ｐｐｍ／℃が好適である。なお、アンダーフィル材料のヤング率と熱膨張係数の最大値は、ヤング率６ＧＰａ、熱膨張係数４０ｐｐｍ／℃程度であっても良い。

さらに、図３において、通常のセラミックの切断加工では角の面取りは０．０５以下と極めて小さい。この場合、Ａ点のアンダーフィルに応力集中が発生し、数値計算上の応力値より数倍大きくなる。このため温度サイクル試験時に、アンダーフィルＡ点にクラックが入り易く温度サイクル寿命が短いと言う問題があった。

これに対してセラミックの角部にＲ０．２以上の面取りをつけることによりＡ点に発生するアンダーフィルの応力集中を避けることが出来る。また、面取りとしてはＣ０．５以上のＣ面取りにて、Ｒ面取りＲ０．２とほぼ同等の効果が得られている。

ここで、Ｃ面取りとは、交差する面部分を４５°でカットする加工である。例えば、それぞれ１ｍｍずつの場所で４５°カットの場合Ｃ１である。Ｒ面取りとは、交差する面部分を丸形状にする加工である。丸形状の半径が１ｍｍであればＲ１である。

伝送速度１０Ｇｂｉｔ／ｓの光伝送モジュールのブロック図である。光伝送モジュールのブロック図である。光伝送モジュールの同軸ケーブル付きセラミックＢＧＡ部の部分断面図である。光伝送モジュールの同軸ケーブル付きセラミックＢＧＡ部の平面図である。光伝送モジュールの同軸ケーブル付きセラミックＢＧＡ部の部分断面図である（アンダーフィル充填量過少）。光伝送モジュールの同軸ケーブル付きセラミックＢＧＡ部の部分断面図である（アンダーフィル充填量過多）。アンダーフィル大の場合のＡ点の応力を説明する図である。図８はアンダーフィル大の場合のＢ点の応力を説明する図である。アンダーフィル大の場合のＣ点のひずみを説明する図である。

符号の説明

１…セラミック基板、２…ＰＥＧフレーム、３…同軸コネクタ部、４…ＢＧＡボール、５…アンダーフィル流動防止枠、６…アンダーフィル、７…プリント基板、８…同軸ケーブル、９…光電気変換モジュール（ＰＤＭ）、１０…マルチプレクサーＩＣ（ＭＵＸ）、１１…電気光変換モジュール（ＬＤＭ）、１２…デマルチプレクサーＩＣ（ＤＭＵＸ）、１３…コネクタ、１４…入力用光ファイバ、１５…出力用光ファイバ、１９…光電気変換モジュール（ＰＤＭ）、２０…マルチプレクサーＩＣ（ＭＵＸ）、２１…電気光変換モジュール（ＬＤＭ）、２２…デマルチプレクサーＩＣ（ＤＭＵＸ）、２３…コネクタ。

Claims

複数の電気信号を多重してシリアル電気信号を生成するマルチプレクサーＩＣと、前記シリアル電気信号を光信号に変換して光ファイバに送出する電気光変換モジュールとをプリント基板に実装された光伝送モジュールにおいて、
前記マルチプレクサーＩＣと前記電気光変換モジュールとは同軸ケーブルで接続されて前記シリアル電気信号を伝送し、
前記マルチプレクサーＩＣは前記プリント基板と複数のはんだボールで接続され、
前記複数のはんだボールはアンダーフィル流動防止枠で囲われ、
前記複数のはんだボールの周囲は、前記マルチプレクサーＩＣの側面と前記アンダーフィル流動防止枠の内側面との間で概ね懸垂線状のプロファイルを有するようにアンダーフィルによって充填されていることを特徴とする光伝送モジュール。
光ファイバから受信した光信号を電気信号に変換する光電気変換モジュールと、前記電気信号を分離して複数のパラレル電気信号を生成するデマルチプレクサーＩＣとをプリント基板に実装された光伝送モジュールにおいて、
前記光電気変換モジュールと前記デマルチプレクサーＩＣとは同軸ケーブルで接続されて前記電気信号を伝送し、
前記でマルチプレクサーＩＣは前記プリント基板と複数のはんだボールで接続され、
前記複数のはんだボールはアンダーフィル流動防止枠で囲われ、
前記複数のはんだボールの周囲は、前記マルチプレクサーＩＣの側面と前記アンダーフィル流動防止枠の内側面との間で概ね懸垂線状のプロファイルを有するようにアンダーフィルによって充填されていることを特徴とする光伝送モジュール。
請求項１または請求項２に記載された光伝送モジュールであって、
前記複数のはんだボールを形成された接続面の全周に０．５ｍｍ以上の面取りまたは０.２ｍｍ以上のＲ面取りを設けたことを特徴とする光伝送モジュール。
請求項１または請求項２に記載された光伝送モジュールであって、
前記アンダーフィルは、ヤング率６Ｇｐａ以下かつ熱膨張係数４０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする光伝送モジュール。
請求項４に記載された光伝送モジュールであって、
前記アンダーフィルは、ヤング率５Ｇｐａ以下かつ熱膨張係数３５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする光伝送モジュール。
半導体をセラミックキャリアに搭載し、前記セラミックキャリアの底面に複数のはんだボールを形成して前記半導体と接続された半導体装置において、
前記底面の全周に０．０５ｍｍを超えるＣ面取りを設けたことを特徴とする半導体装置。
半導体をセラミックキャリアに搭載し、前記セラミックキャリアの底面に複数のはんだボールを形成して前記半導体と接続された半導体装置において、
前記底面の全周に０．５ｍｍ以上のＣ面取りまたは０．２ｍｍ以上のＲ面取りを設けたことを特徴とする半導体装置。
請求項６または請求項７に記載の半導体装置であって、
前記半導体は複数の電気信号を多重してシリアル電気信号を生成することを特徴とする半導体装置。
請求項６または請求項７に記載の半導体装置であって、
前記半導体は電気信号を分離して複数のパラレル電気信号を生成することを特徴とする半導体装置。