JP2007173550A - 波長可変レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ光の波長を変化できる波長可変レーザにおいて、InP基板と、InP基板上に形成されたミラー層と、ミラー層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第1の電極と、第1の電極の上方に一定距離をおいて形成され、レーザ光が出射される部分に貫通口を有するSOI基板と、SOI基板と活性層の間に形成され、ミラー層と光共振器を構成する光学膜と、SOI基板上に形成された第2の電極と、InP基板の裏面に形成された第3の電極とを備える。
【選択図】 図1
Description
レーザ光の波長を変化できる波長可変レーザにおいて、
InP基板と、このInP基板上に形成されたミラー層と、このミラー層上に形成された活性層と、この活性層上に形成された第1の電極と、この第1の電極の上方に一定距離をおいて形成され、レーザ光が出射される部分に貫通口を有するSOI基板と、このSOI基板と前記活性層の間に形成され、前記ミラー層と光共振器を構成する光学膜と、前記SOI基板上に形成された第2の電極と、前記InP基板の裏面に形成された第3の電極とを備えたことにより、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
請求項1記載の発明である波長可変レーザにおいて、
前記貫通口に、
レンズをのせたことにより、光ファイバーとの位置の調整が容易で、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
請求項1若しくは請求項2記載の発明である波長可変レーザにおいて、
前記貫通口が、
異方性エッチングにより形成されたことにより、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
請求項2記載の発明である波長可変レーザにおいて、
前記貫通口の一方の開口部、若しくは、他方の開口部が前記レンズの直径よりも小さいことにより、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
請求項1の発明によれば、SOI基板に貫通口を設けたことで光ファイバーとの結合効率が上がるので、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
2,15 活性層
3 支持ポスト
4 薄膜
5,6 光学ミラー
7 光源
8,9 ミラー
10 レーザ媒質
11 レーザ光
12 光ファイバー
14 ミラー層
16 光学膜
17,22 SOI基板
18 ボールレンズ
19,20,21 電極
Claims (4)
- レーザ光の波長を変化できる波長可変レーザにおいて、
InP基板と、
このInP基板上に形成されたミラー層と、
このミラー層上に形成された活性層と、
この活性層上に形成された第1の電極と、
この第1の電極の上方に一定距離をおいて形成され、レーザ光が出射される部分に貫通口を有するSOI基板と、
このSOI基板と前記活性層の間に形成され、前記ミラー層と光共振器を構成する光学膜と、
前記SOI基板上に形成された第2の電極と、
前記InP基板の裏面に形成された第3の電極と
を備えたことを特徴とする波長可変レーザ。 - 前記貫通口に、
レンズをのせたことを特徴とする
請求項1に記載の波長可変レーザ。 - 前記貫通口が、
異方性エッチングにより形成されたことを特徴とする
請求項1若しくは請求項2に記載の波長可変レーザ。 - 前記貫通口の一方の開口部、若しくは、他方の開口部が前記レンズの直径よりも小さいことを特徴とする
請求項2に記載の波長可変レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005369601A JP2007173550A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 波長可変レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005369601A Pending JP2007173550A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 波長可変レーザ |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2007173550A (ja) |
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2005
- 2005-12-22 JP JP2005369601A patent/JP2007173550A/ja active Pending
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|
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