JP2007173550A - 波長可変レーザ - Google Patents

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敦彦 蒲原
Shinichiro Tezuka
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Abstract

【課題】光ファイバーとの位置の調整が容易で、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能な波長可変レーザを実現する。
【解決手段】レーザ光の波長を変化できる波長可変レーザにおいて、InP基板と、InP基板上に形成されたミラー層と、ミラー層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第1の電極と、第1の電極の上方に一定距離をおいて形成され、レーザ光が出射される部分に貫通口を有するSOI基板と、SOI基板と活性層の間に形成され、ミラー層と光共振器を構成する光学膜と、SOI基板上に形成された第2の電極と、InP基板の裏面に形成された第3の電極とを備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、光通信用の波長可変レーザに関し、特に光ファイバーとの位置の調整が容易で、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能な波長可変レーザに関する。
従来の波長可変レーザに関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
特開2005−223111号公報 特公平7−73135号公報
図3はこのような従来の波長可変レーザの一例を示す構造断面図である。図3において1はInP(インジウムリン)基板、2は活性層、3は支持ポスト、4は薄膜、5及び6は光学ミラーである。
InP基板1上には活性層2が形成され、活性層2の上には支持ポスト3を介して薄膜4が形成される。また、図3中”CO1”に示すようにエッチング処理によりInP基板1に形成された凹部の底面には光学ミラー5が形成され、薄膜4上には光学ミラー6が形成される。
光学ミラー6はミラー形成時に発生する応力により光学ミラー5に対して凹面形状に形成されている。活性層2、光学ミラー5及び光学ミラー6は光共振器を構成している。
ここで、光共振器を用いたレーザ装置の動作を図4を用いて説明する。図4は光共振器を用いたレーザ装置の概念図である。図4において7は光源、8及び9はミラー、10はレーザ媒質、11はレーザ光である。また、ミラー8は反射率が”100%”、すなわち、全反射であり、ミラー9は反射率が”100%”未満、すなわち、わずかに光が透過する。
図4(A)において光源7からレーザ媒質10を励起するための光を入射する。レーザ媒質10中の原子はこの光を吸収し、励起状態になり、その後、光を放出して基底状態に戻る。この様子を示したのが図4(B)である。
光源7から光を入射し続けることにより、励起状態である原子数が基底状態である原子数より多くなり(この状態を反転分布状態という)、原子が放出する光と同じ波長の光を入射すると、励起状態である原子が同一方向に向けて光を放出(誘導放出)し、入射光よりも増幅された出射光が得られる(光増幅)。
図4(C)においてミラー8及びミラー9に対して垂直な光が反射を繰り返し、レーザ媒質10を往復することにより、光が増幅される。そして、増幅された光は反射率が”100%”未満であるミラー9を透過し、レーザ光11として出射される。
ここで、図3に示す従来例の動作を説明する。図3中”OP1”に示すように”980nm”の波長の光が入射されることにより活性層2が励起され、図3中”LA1”に示すように”1550nm”の波長のレーザ光が出射される。すなわち、活性層2での励起エネルギーの注入方式は光励起方式である。
そして、光学ミラー6が形成されている薄膜4とInP基板1の間に電圧を印加し、その時に発生する静電気力により、光学ミラー5及び光学ミラー6の間の距離、すなわち、光共振器の長さを変化させ、出射光の波長を変化させる。
この結果、活性層2に光を入射し、光学ミラー5及び光学ミラー6で構成される光共振器で反射を繰り返すことにより、活性層2の原子が反転分布状態になる。さらに、光を活性層2に入射することで、誘導放出が開始されるので、レーザ光が得られる。そして、光学ミラー6が形成されている薄膜4とInP基板1の間に電圧を印加し、その時に発生する静電気力により、光学ミラー5及び光学ミラー6の間の距離、すなわち、光共振器の長さを変化させ、出射光の波長を変化させることが可能になる。
しかし、図3に示す従来例では、光学ミラー6の凹面構造がミラー形成時に発生する応力により形成されているため、温度により凹面の曲率半径が変化するので、光ファイバー(図示せず)等の位置の調整が難しく、非常に時間がかかるという問題点があった。
従って本発明が解決しようとする課題は、光ファイバーとの位置の調整が容易で、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能な波長可変レーザを実現することにある。
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
レーザ光の波長を変化できる波長可変レーザにおいて、
InP基板と、このInP基板上に形成されたミラー層と、このミラー層上に形成された活性層と、この活性層上に形成された第1の電極と、この第1の電極の上方に一定距離をおいて形成され、レーザ光が出射される部分に貫通口を有するSOI基板と、このSOI基板と前記活性層の間に形成され、前記ミラー層と光共振器を構成する光学膜と、前記SOI基板上に形成された第2の電極と、前記InP基板の裏面に形成された第3の電極とを備えたことにより、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
請求項2記載の発明は、
請求項1記載の発明である波長可変レーザにおいて、
前記貫通口に、
レンズをのせたことにより、光ファイバーとの位置の調整が容易で、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
請求項3記載の発明は、
請求項1若しくは請求項2記載の発明である波長可変レーザにおいて、
前記貫通口が、
異方性エッチングにより形成されたことにより、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
請求項4記載の発明は、
請求項2記載の発明である波長可変レーザにおいて、
前記貫通口の一方の開口部、若しくは、他方の開口部が前記レンズの直径よりも小さいことにより、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
本発明によれば次のような効果がある。
請求項1の発明によれば、SOI基板に貫通口を設けたことで光ファイバーとの結合効率が上がるので、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
請求項2及び請求項4の発明によれば、貫通口にボールレンズを配置したことにより、光ファイバーとの位置の調整が容易で、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
請求項3の発明によれば、貫通口が異方性エッチングにより形成されることにより、位置ずれなどが少なくなるので、レーザ光を効率良く光ファイバーに入れ、損失を軽減することが可能になる。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係る波長可変レーザの一実施例を示す構造断面図である。
図1において12は光ファイバー、13はInP基板、14はミラー層、15は活性層、16は光学膜、17はSOI(Silicon on Insulator)基板、18はボールレンズ、19,20及び21は電極である。
InP基板13の上にはミラー層14が形成され、ミラー層14の上には活性層15が形成される。活性層15の上には電極20が形成され、電極20の上方には一定距離をおいてSOI基板17が形成される。また、活性層15とSOI基板17の間に光学膜16が形成される。
InP基板13の裏面には電極19が形成され、SOI基板17の上部には電極21が形成される。SOI基板17には四角錐状の貫通口が設けられ、その貫通口にボールレンズ18がのせられる。この貫通口の一方の開口部はボールレンズ18の直径より大きく、他方の開口部はボールレンズ18の直径より小さくなっている。
また、光ファイバー12、光学膜16、ボールレンズ18は出射光(レーザ光)の光軸の中心線上に並ぶように配置される。ミラー層14、活性層15及び光学膜16は光共振器を構成している。
ここで、図1に示す実施例の動作を説明する。電極19と電極20に電圧を印加することで活性層15に電流が注入され、活性層15に含まれる原子が励起状態になり、光が出射される。この光がミラー層14と光学膜16の間を反射してレーザ発振を行う。すなわち、図1に示す実施例では電流注入による励起方式を採っている。そして、出射光はボールレンズ18を経由して光ファイバー12に入射される。
出射されるレーザ光の発振波長はミラー層14と光学膜16の間の距離で決定される。電極20と電極21に電圧を印加することにより、静電気力で光学膜16が動くので、ミラー層14との間の距離が変化し、波長を変えることが可能になる。
また、異方性エッチングによりSOI基板17に四角錐状の貫通口を設け、その貫通口にボールレンズ18を配置することにより、光ファイバー12に効率良くレーザ光を取り入れることが可能にある。
この結果、異方性エッチングによりSOI基板17に四角錐状の貫通口を設け、その貫通口にボールレンズ18をのせることにより、光ファイバー12との位置の調整が容易で、レーザ光を効率良く光ファイバー12に取り入れることができるので、損失を軽減することが可能になる。
なお、図1に示す実施例ではSOI基板17に設けた貫通口の形状を四角錐状としているが、必ずしもこの形状である必要は無く、レーザ光を効率良く光ファイバー12に入射できる形状、若しくは、ボールレンズ18が固定可能な形状であればよい。
具体的な例を図2に示す。図2は本発明に係る波長可変レーザの他の実施例を示す構造断面図である。図2において12,13,14,15,16,18,19,20及び21は図1と同一符号を付してあり、22はSOI基板である。
図2に示す実施例の層構成及び動作は図1の実施例と同一であり、異なる点はSOI基板22の貫通口の形状が階段状をしていることである。
また、図1に示す実施例ではボールレンズ18を使用しているが、必ずしもこの形状である必要は無く、レーザ光の光軸の中心線上に配置され、光ファイバー12へ効率良くレーザ光を入射可能なレンズであればよい。
また、図1に示す実施例では貫通口のボールレンズ18の直径より小さい方の開口部が光学膜16側になるように形成しているが、必ずしもこのようにする必要は無く、貫通口のボールレンズ18の直径より大きい方の開口部が光学膜16側になるように形成してもよい。この場合、ボールレンズ18は貫通口のボールレンズ18の直径より小さい方の開口部にのるようになる。
本発明に係る波長可変レーザの一実施例を示す構造断面図である。 本発明に係る波長可変レーザの他の実施例を示す構造断面図である。 従来の波長可変レーザの一例を示す構造断面図である。 光共振器を用いたレーザ装置の概念図である。
符号の説明
1,13 InP基板
2,15 活性層
3 支持ポスト
4 薄膜
5,6 光学ミラー
7 光源
8,9 ミラー
10 レーザ媒質
11 レーザ光
12 光ファイバー
14 ミラー層
16 光学膜
17,22 SOI基板
18 ボールレンズ
19,20,21 電極

Claims (4)

  1. レーザ光の波長を変化できる波長可変レーザにおいて、
    InP基板と、
    このInP基板上に形成されたミラー層と、
    このミラー層上に形成された活性層と、
    この活性層上に形成された第1の電極と、
    この第1の電極の上方に一定距離をおいて形成され、レーザ光が出射される部分に貫通口を有するSOI基板と、
    このSOI基板と前記活性層の間に形成され、前記ミラー層と光共振器を構成する光学膜と、
    前記SOI基板上に形成された第2の電極と、
    前記InP基板の裏面に形成された第3の電極と
    を備えたことを特徴とする波長可変レーザ。
  2. 前記貫通口に、
    レンズをのせたことを特徴とする
    請求項1に記載の波長可変レーザ。
  3. 前記貫通口が、
    異方性エッチングにより形成されたことを特徴とする
    請求項1若しくは請求項2に記載の波長可変レーザ。
  4. 前記貫通口の一方の開口部、若しくは、他方の開口部が前記レンズの直径よりも小さいことを特徴とする
    請求項2に記載の波長可変レーザ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013545318A (ja) * 2010-12-20 2013-12-19 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 面発光レーザシステム及びその製造方法
JP2017106897A (ja) * 2015-12-09 2017-06-15 ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company 光検出測距(lidar)撮像システムおよび方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08209364A (ja) * 1995-02-02 1996-08-13 Ricoh Opt Ind Co Ltd 光学素子および物理的エッチング方法
JP2000155251A (ja) * 1998-09-16 2000-06-06 Rohm Co Ltd 部材の結合方法およびこれを用いた光学部品
JP2002261375A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Kyocera Corp 光半導体素子キャリア及びその実装構造
JP2002270943A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置用キャップとこれを用いた光半導体装置
JP2004309925A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器
JP2005223111A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Yokogawa Electric Corp 波長可変レーザー

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08209364A (ja) * 1995-02-02 1996-08-13 Ricoh Opt Ind Co Ltd 光学素子および物理的エッチング方法
JP2000155251A (ja) * 1998-09-16 2000-06-06 Rohm Co Ltd 部材の結合方法およびこれを用いた光学部品
JP2002261375A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Kyocera Corp 光半導体素子キャリア及びその実装構造
JP2002270943A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置用キャップとこれを用いた光半導体装置
JP2004309925A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器
JP2005223111A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Yokogawa Electric Corp 波長可変レーザー

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013545318A (ja) * 2010-12-20 2013-12-19 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 面発光レーザシステム及びその製造方法
US9711947B2 (en) 2010-12-20 2017-07-18 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Vertical-cavity surface-emitting laser system and method for fabricating the same
JP2017106897A (ja) * 2015-12-09 2017-06-15 ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company 光検出測距(lidar)撮像システムおよび方法

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