JP6341713B2 - 外部共振器レーザ - Google Patents
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Description
[第1実施形態]
図2は、第1実施形態の外部共振器レーザ10Aの概略構成図である。外部共振器レーザ10Aは、半導体利得チップ101Aと、波長選択素子110を有する外部光学系30Aを有する。半導体利得チップ101Aと外部光学系30の間に配置されるレンズ系105も外部光学系30Aの一部に含めてもよい。
[第2実施形態]
図9は、第2実施形態の外部共振器レーザ10Bの概略構成図である。第2実施形態では、レーザ出力光を、導波路基板106側から取り出す。
[第3実施形態]
図10は、第3実施形態の外部共振器レーザ10Cの概略構成図である。第3実施形態では、結合導波路111を1本にして、第1スラブ導波路107への入力導波路129を複数にしている。また、結合導波路111と入力導波路129の間に、結合導波路111に光学的に結合する入力導波路129を選択する光スイッチ130が配置されている。光スイッチ130は、既知の熱光学効果を用いたマッハツェンダー干渉型光スイッチを組み合わせて構成可能である。半導体利得チップ101Cの構成は、第1実施形態の半導体利得チップ101Aと同じである。
[第4実施形態]
図11は、第4実施形態の外部共振器レーザ10Dの概略構成図である。第4実施形態では、結合導波路111を1本にして、分光出力導波路131を複数にしている。
[第5実施形態]
図13は、第5実施形態の外部共振器レーザ10Eの概略構成図である。第5実施形態の構成は、第4実施形態の構成で、出力光を導波路基板106側から取り出す。複数の分光出力導波路131は、ファイバアレイ接続第132を介して光ファイバ127に接続され、光アイソレータ128から一方向の光が取り出される。
(1)波長選択素子としてアレイ導波路回折格子110を利用しているため、導波路基板106内で屈曲して回折格子を構成できるので、外部共振器レーザ10A〜10Eを小型に構成できる。
(2)量子ドット活性層117を利用し、アレイ導波路回折格子110の複数波長選択性を用いて、同時に複数の波長でレーザ発振することが可能であり、また、各々のレーザ発振は互いに影響しない。
(3)半導体利得チップ101とアレイ導波路回折格子110の結合導波路111端でのモードフィールド形状を相似形とするように、結合導波路111にテーパ構造を設けている。さらに、半導体利得チップ101とアレイ導波路回折格子110を結合するレンズ系105の像倍率を調整して、共振器内損失を低減し、外部共振器レーザ10A〜10Eの発振しきい値を下げ、高出力化することができる。
(4)導波路基板106を微動して、半導体利得チップ101と結合する結合導波路111を選択することによって発振波長を選択することが可能である。
(5)石英導波路による光スイッチ130を集積して、光スイッチ130によって共振器構成を変更し、発振波長を選択することが可能である。
30A〜30E 外部光学系
101 半導体利得チップ
103、114 ミラーコーティング
105 レンズ系
106:導波路基板
110 アレイ導波路回折格子
111 結合導波路
112、131 分光出力導波路
117 活性層
Claims (5)
- 半導体利得チップと、
前記半導体利得チップの外部に配置される外部光学系と、
を有し、
前記外部光学系の波長選択素子はアレイ導波路回折格子であり、
前記アレイ導波路回折格子を前記半導体利得チップに光学的に結合する複数の結合導波路と、
前記半導体利得チップに対する前記結合導波路の配列の相対位置を前記結合導波路の配列方向に沿って変える駆動装置、
と、をさらに有し、
前記半導体利得チップに対する前記配列方向に沿った前記結合導波路の相対位置を変えることにより、前記複数の結合導波路の中から前記半導体利得チップと光学的に結合する結合導波路を選択することを特徴とする外部共振器レーザ。 - 前記半導体利得チップの活性層は、InAs量子ドットないしInGaAs量子ドットを含むことを特徴とする請求項1に記載の外部共振器レーザ。
- 前記アレイ導波路回折格子に接続される複数の分光出力導波路、
をさらに有し、
前記半導体利得チップは、複数の波長で同時に発振することを特徴とする請求項1または2に記載の外部共振器レーザ。 - 前記半導体利得チップと前記外部光学系の間に配置されるレンズ系、
をさらに有し、
前記半導体利得チップの前記外部光学系と対向する側の端面のモードフィールド径は、前記レンズ系の像倍率により、前記外部光学系の前記半導体利得チップと対向する側の端面のモードフィールド径と近似するように調節されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の外部共振器レーザ。 - 前記外部光学系の前記半導体利得チップと対向する側の端面は、前記アレイ導波路回折格子が形成される面内で、前記半導体利得チップからの入射光の方向に対する垂線から一定の角度で傾斜していることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の外部共振器レーザ。
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