JP2007173421A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】MOSトランジスタを微細化した上で駆動力を向上させることを目的とする。
【解決手段】チャネル領域において、チャネル領域中央が最も薄く、チャネル領域中央からソースおよびドレインのエクステンション領域の表面側に向けては中央部よりも濃い第1導電型不純物濃度を持つ第1ハロー領域を有し、チャネル中央部からソースおよびドレインのエクステンション領域の下部の半導体基板表面から深い位置には、さらに濃い第1導電型不純物濃度を持つ第2ハロー領域を有する。これらの半導体装置の製造方法としては、第1ハロー領域のドーピング工程を、第1導電型不純物をゲート電極の上方からゲート電極をマスクとして、ゲート電極側壁を眺めるように斜めにイオン注入し、さらに、第2ハロー領域は、ゲート電極上方からゲート電極をマスクとして、ゲート側壁に沿う方向に基板表面にはほぼ垂直に、かつ第1ハロー領域のイオン注入ドーズ量よりも大きなドーズ量でイオン注入することにより形成する。
【選択図】図1
Description
2…ゲート電極
3…ソース・ドレイン領域
4…第1ハロー領域
5…第2ハロー領域
6…絶縁膜
7…サイドウォール
8…エクステンション領域
100…半導体基板
101…ウェル領域
102…チャネル領域
103…ゲート絶縁膜
104…ゲート電極
105…エクステンション領域
106…ポケット領域
107…サイドウォール領域
108…ソースまたはドレイン領域
Claims (4)
- 第1導電型の半導体基板上に絶縁膜を介してゲート電極を有し、さらにそのゲート電極とは絶縁された形で、ゲート電極直下に位置する第1導電型の半導体基板のチャネル領域をはさむように、第2導電型の不純物ドーピング層からなるソースおよびドレイン領域を有し、さらに、それらソースおよびドレイン領域とチャネル領域の間において、第1導電型の不純物濃度として、チャネル領域中央が最も薄く、チャネル領域中央からソースおよびドレイン領域の表面側に向けては中央部よりも濃い第1導電型不純物濃度を持つ第1ハロー領域を有し、チャネル中央部からソースおよびドレイン領域の深部側には、さらに濃い第1導電型不純物濃度を持つ第2ハロー領域を有することを特徴とする半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板上に絶縁膜を介してゲート電極を有し、さらにそのゲート電極とは絶縁された形で、ゲート電極直下に位置する第1導電型の半導体基板のチャネル領域をはさむように、第2導電型の不純物ドーピング層からなるソースおよびドレイン領域を有し、さらに、それらソースおよびドレイン領域とチャネル領域の間にソースおよびドレイン領域と同じ第2導電型のより浅いエクステンション領域を有し、その浅いエクステンションにはさまれたチャネル領域において、第1導電型の不純物濃度として、チャネル領域中央が最も薄く、チャネル領域中央からソースおよびドレインのエクステンション領域の表面側に向けては中央部よりも濃い第1導電型不純物濃度を持つ第1ハロー領域を有し、チャネル中央部からソースおよびドレインのエクステンション領域の下部の半導体基板表面から深い位置には、さらに濃い第1導電型不純物濃度を持つ第2ハロー領域を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記の第1導電型のチャネル領域の不純物濃度を中央部からソースおよびドレイン領域の先端に向かって高くするような第1ハロー領域のドーピング工程を、第1導電型不純物をゲート電極のはるか上方からゲート電極をマスクとして、ゲート電極ソース側側壁を眺めるように斜めにイオン注入し、同様にゲート電極ドレイン側側壁を眺めるように再度斜めにイオン注入し、さらに、チャネル中央部からソースおよびドレイン領域の深部側に設ける第2ハロー領域は、ゲート電極はるか上方からゲート電極をマスクとして、ゲート側壁に沿う方向に、半導体基板表面にはほぼ垂直に、かつ第1ハロー領域のイオンの質量以上の質量のイオンを第1ハロー領域のイオン注入ドーズ量よりも大きなドーズ量でイオン注入することにより形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記の第1および第2ハロー領域の形成のためのイオン注入後に、注入された不純物の活性化を促進させるアニールとしての熱処理を1200℃以上かつ0.1秒未満の温度領域を含む熱処理で行うことを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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-
2005
- 2005-12-21 JP JP2005367409A patent/JP2007173421A/ja active Pending
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