JP2007158353A

JP2007158353A - 埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード

Info

Publication number: JP2007158353A
Application number: JP2006331884A
Authority: JP
Inventors: Su Hwan Oh; スファンオ; Ki Soo Kim; キソキム; Oh Kee Kwon; オキクォン; Yong Soon Baek; ヨンソンベク
Original assignee: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Current assignee: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Priority date: 2005-12-08
Filing date: 2006-12-08
Publication date: 2007-06-21
Also published as: US7551658B2; KR20070060523A; US20070076773A1; KR100759802B1

Abstract

【課題】埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードを提供すること。
【解決手段】クラッド層上の一部に同じ幅に垂直に延びている、選択的エッチング層と第１導電型の第１化合物層で構成されたリッジ領域を備え、リッジ領域の外側のクラッド層上にリッジ領域の深さと同じ厚さを有し、第１導電型と逆の第２導電型の第２化合物層を備えるｐ−ｎ−ｐ電流遮断層を備え、電流遮断層は、第２化合物層上に拡張された第１化合物層を備える埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードである。
【選択図】図２

Description

本発明は、レーザダイオードに関し、より詳細には、電流遮断層を備える埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードに関する。

一般的に、レーザダイオードでの光導波路構造は、横方向への導波ビームの形成原理によって、利得導波路型と屈折率導波路型とに大別される。屈折率導波路型は、素子の構造によって、強い屈折率導波路型と弱い屈折率導波路型とに区分される。強い屈折率導波路型は、光利得を生成させる活性層を横方向に制限された幅だけ製作して、特定の活性層で光利得と光導波とが発生するように形成された構造であり、埋め込みヘテロ構造などが代表的である。弱い屈折率導波路型は、活性層は横方向に同一に形成されており、活性層上または下に屈折率を変化させる別途の構造体を有する。弱い屈折率導波路型は、前記構造体により間接的にビームを導波させ、リッジ型やリブ型などがある。

リッジ型の弱い屈折率導波路型は、一回の成長及びエッチング工程で素子を具現できる。これにより、前記導波路型は、製造工程が容易であり、素子特性が均一であり、かつ信頼性が優れているという長所がある。また、前記導波路型は、低い静電容量を有するので、高速動作が可能な素子である。

しかし、弱い屈折率導波路型は、強い屈折率導波路型に比べて横方向への搬送波の広がりまたは拡散により、発振開始電流が大きく、導波路の幅が広くて横方向の単一モードを容易に具現し難いという短所がある。前記横方向の単一モード特性を得るためには、リッジ幅を可能な限り狭く製作せねばならない。しかし、フォトエッチング工程により窓露出後に電極を蒸着し難いため、３μm以下のＲＷＧ−ＬＤ（ＲｉｄｇｅＷｅａｋｌｙｉｎｄｅｘＧｕｉｄｉｎｇ−ＬａｓｅｒＤｉｏｄｅ）を製作し難い。また、リッジ領域が形成されれば、リッジ領域とリッジ領域の外部の周辺領域との間に段差が発生する。前記段差を克服するために、周辺領域をポリイミド物質で埋め込むか、または金属メッキなどで金属層を厚く形成せねばならない。前記横方向の単一モード特性が得られるリッジの最大幅は、活性層の厚さを減少させれば多少広げることができるが、最大約５μmが限界と知られている。リッジの幅が前記限界以上であれば、横方向の多重モードが発生し、結局、電流−光出力上のキンク特性により素子の活用が困難である。

一方、前述した弱い屈折率導波路型構造、すなわちリッジ型レーザダイオードの問題点を補完するために、非特許文献１に記載された新たな形態の構造が提案された。また、前記非特許文献１には、新たな形態による最適の設計結果が報告された。図１は、前記非特許文献１に開示されたリッジ型レーザダイオードの構造を示す断面図である。

図１に示したように、前記レーザダイオードは、屈折率が相対的に高いインジウム燐（ＩｎＰ、屈折率＝３．１７）で周辺領域を埋め込み、リッジ領域内にさらに成長されたインジウムガリウム砒素燐（ＩｎＧａＡｓＰ）２４の厚さによって横方向の屈折率が調節される構造になっている。参考までに、従来のリッジ型レーザダイオードでは、周辺領域は、屈折率の低い空気（屈折率＝１）またはポリイミド（屈折率＝１．８）物質で埋め込む。前記周辺領域は、ｎ−型電流遮断層２２が配置されており、リッジ領域にのみ電流が注入される。前記構造は、横方向に活性層が制限的でなく、活性層上に形成されたＩｎＧａＡｓＰの形態によってビームが導波されるので、弱い屈折率導波路構造である。また、電流遮断層によりリッジ領域が埋め込まれているので、埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードという。

前記構造は、ＩｎＧａＡｓＰの厚さによって横方向の屈折率を調節できるので、相対的に広いリッジ幅、例えば６ないし９μmに対しても横方向の単一モード特性が得られる。また、周辺領域は、電流遮断層で埋め込むので、従来のポリイミド工程または金属メッキなどが不要である。前記非特許文献１で提案された構造及び設計方法に立脚して製作された結果を参照すれば、リッジ領域の幅が約７μmでも横方向の単一モード動作が可能であるということが示された。

埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードは、横方向モード特性において、従来のリッジ型レーザダイオードより単一モードを形成させるために、リッジ幅が相対的に広い幅でも動作可能である。また、リッジ領域を製作するとき、従来のポリイミド工程及び金属メッキが必要でなくて素子を容易に製作できる。

韓国光学会誌（ｖｏｌ．１２，ｎｏ．４，ｐｐ．３１２−３１９，２００１）

前述した埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードでは、周辺領域のｎ−ｐＩｎＰ層（ｎ−ｐ電流遮断層）によりリッジ領域に限定して電流が流れる。しかし、限定された領域への電流が注入されてリッジ領域の電流密度は増加する。増加した電流密度は、リッジ領域の熱抵抗及び直列抵抗を増加させて素子の発振特性、特に温度特性を低下させる。また、ｎ−ＩｎＰ層とｐ−ＩｎＰ層との接合部に電流が漏れて光損失が増加するという問題がある。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、温度特性を向上させ、漏れ電流による光損失を減らす埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードを提供することにある。

前記課題を解決するための本発明による埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードは、活性層上に配置されたクラッド層と、前記クラッド層上の一部に同じ幅に垂直に延びている、選択的エッチング層と第１導電型の第１化合物層で構成されたリッジ領域と、を備える。前記リッジ領域の外側の前記クラッド層上に前記リッジ領域の深さと同じ厚さを有し、前記第１導電型と逆の第２導電型の第２化合物層を備えるｐ−ｎ−ｐ電流遮断層を備える。このとき、前記電流遮断層は、前記第２化合物層上に拡張された前記第１化合物層を備える。

前記選択的エッチング層は、前記リッジ領域の前記クラッド層上に所定の厚さに形成され、前記選択的エッチング層は、ｐ−ＩｎＧａＡｓ、ｐ−ＩｎＧａＰ及びｐ−ＧａＡｓのうち選択された少なくとも一つの層でありうる。また、前記選択的エッチング層の幅は、６ないし９μmでありうる。

前記第１化合物層の前面にオーミック接触層をさらに備えうる。

前記電流遮断層は、前記クラッド層、第２化合物層及び第１化合物層が順次に積層されて形成され、前記電流遮断層は、それぞれｐ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＰ及びｐ−ＩｎＰで構成されている。

前記電流遮断層は、前記第２化合物層、第１化合物層及びオーミック接触層が順次に積層されて形成され、前記電流遮断層は、ｐ−ＧａＡｓ、ｎ−ＧａＡｓ及びｐ−ＧａＡｓ、ｐ−ＡｌＧａＡｓ、ｎ−ＡｌＧａＡｓ及びｐ−ＡｌＧａＡｓ、またはｐ−ＩｎＧａＰ、ｎ−ＩｎＧａＰ及びｐ−ＩｎＧａＰで構成しうる。

本発明による埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードによれば、リッジ領域の外部にｐ−ｎ−ｐ電流遮断層を配置することによって、レーザダイオードの温度特性を向上させ、漏れ電流による光損失を減らすことができる。

以下、添付された図面を参照しつつ本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。後述する実施形態は、色々な他の形態に変形され、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。本発明の実施形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。実施形態の全体にわたって、同じ参照符号は同じ構成要素を表す。

図２は、本発明の実施形態による埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード（ＢｕｒｉｅｄＲｉｄｇｅｔｙｐｅＷａｖｅｇｕｉｄｅＬａｓｅｒＤｉｏｄｅ：Ｂ−ＲＷＧＬＤ）を示す断面図である。本発明の実施形態によるＢ−ＲＷＧＬＤは、従来の構造と異なり、周辺領域にｐ−ｎ−ｐ電流遮断層が形成されたものである。便宜上、本発明の実施形態で提示する構造をＢ−ＲＷＧＬＤＩＩという。

図２に示すように、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩには、ＩｎＰ基板またはＧａＡｓ基板のような基板１００上に導波路層１０２が配置され、活性層１０４，１０６上にクラッド層１０８が配置されている。クラッド層１０８上の一部に同じ幅に垂直に延びている、選択的エッチング層１１０と第１導電型の第１化合物層１１４で構成されたリッジ領域を備える。周辺領域のクラッド層１０８上にリッジ領域の深さと同じ厚さを有し、第１導電型と逆の第２導電型の第２化合物層１１２が配置されている。第２化合物層１１２上には、リッジ領域の第１化合物層１１４が拡張されて覆われている。第１化合物層１１４の前面にオーミック接触層１１６が配置される。

選択的エッチング層１１０は、リッジ領域のクラッド層１０８上に所定の厚さに形成されうる。選択的エッチング層１１０は、ｐ−ＩｎＧａＡｓ、ｐ−ＩｎＧａＰ及びｐ−ＧａＡｓのうち選択された少なくとも一つの層でありうる。また、選択的エッチング層１１０の幅は、６ないし９μmでありうる。

電流遮断層は、同じ物質で構成されており、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰのうち選択されたいずれか一つでありうる。一方、本発明の実施形態は、二つの形態の電流遮断層を例示的に提示する。

電流遮断層の一つの形態は、クラッド層１０８、第２化合物層１１２及び第１化合物層１１４が順次に積層されて形成される。このとき、電流遮断層は、それぞれｐ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＰ及びｐ−ＩｎＰで構成されたｐ−ｎ−ｐ電流遮断層でありうる。

電流遮断層の他の形態は、第２化合物層１１２、第１化合物層１１４及びオーミック接触層１１６が順次に積層されて形成される。このとき、前記電流遮断層は、ｐ−ＧａＡｓ、ｎ−ＧａＡｓ及びｐ−ＧａＡｓ、ｐ−ＡｌＧａＡｓ、ｎ−ＡｌＧａＡｓ及びｐ−ＡｌＧａＡｓ、またはｐ−ＩｎＧａＰ、ｎ−ＩｎＧａＰ及びｐ−ＩｎＧａＰで構成されたｐ−ｎ−ｐ電流遮断層でありうる。

本発明によるＢ−ＲＷＧＬＤＩＩは、相対的に広い第１化合物層１１４、例えばｐ−ＩｎＰ層により従来の場合に比べて電流密度が減少する。電流密度が減少すれば、温度特性が向上する。また、本発明のｐ−ｎ−ｐ遮断層は、従来のｎ−ｐ遮断層に比べて電流遮断効果が優れているので、漏れ電流による光損失を減らす。

次いで、本発明のＢ−ＲＷＧＬＤＩＩの製造方法を説明する。Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩを製作するために、ＭＱＷ（ＭｕｌｔｉＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ）エピタキシー層を、例えばＭＯＣＶＤ方式で成長させる。Ｂ−ＲＷＧＬＤＩのエピタキシー層の構造は、必要な場合、前述した非特許文献１に掲載された最適化された設計の結果を採用した。

図３は、前記最適化された設計結果を示すグラフである。図３に示すように、クラッド層１０８、例えばｐ−ＩｎＰ層を０．１５μmとする場合、横方向の単一モードの動作のために有効屈折率差を０．０１以上に維持するためには、選択的エッチング層１１０、例えばＩｎＧａＡｓＰ層が９００Å以上でなければならない。したがって、選択的エッチング層１１０は、約１０００Åほど成長させた。前記設計結果を参照して、成長されたエピタキシー層の厚さ、屈折率及び構成成分を下記の表に示した。

このとき、活性層は、格子整合された、例えばＩｎＧａＡｓＰのウェル層１１４と、例えばＩｎＧａＡｓＰ（λ＝１．２５μm）層の障壁層１１６とをそれぞれ６０Å、１００Åに５対を成長させた。そして、クラッド層１０８、例えばｐ−ＩｎＰ層を１．５μmとし、オーミック接触層１１６、例えばｐ−ＩｎＧａＡｓ層を０．２μmとした。クラッド層１０８、選択的エッチング層１１０及び第１化合物層１１４のドーピング濃度は、それぞれ７×１０^１７／ｃｍ^３とし、オーミック接触層１１６のドーピング濃度は、５×１０^１８／ｃｍ^３とした。導波路層１０２及び活性層１０４，１０６はドーピングしなかった。

次いで、エピタキシー層が成長された基板１００上に、通常的なフォトエッチング工程を通じて５μmまたは７μmの幅のストライプ状のＳｉＮｘマスク（図示せず）を形成する。次いで、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層は、Ｈ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏが３：１：１の溶液に３０秒間エッチングし、ｐ−ＩｎＰ層は、ＨＣｌ：Ｈ_３ＰＯ_４が１：４の溶液に３分間エッチングした。そして、１．２５μmのＩｎＧａＡｓＰ層は、Ｈ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏが３：１：１の溶液に３０秒間エッチングした。前記エッチングは、選択的エッチング層１１０まで進み、クラッド層１０８はエッチングしなかった。これにより、前記クラッド層１０８上にリッジ領域が形成される。

次いで、リッジ領域が形成されたクラッド層１０８上の周辺領域にＭＯＣＶＤで２次再成長して第２化合物層１１２、例えばｎ−ＩｎＰ層を形成する。次いで、ＳｉＮｘマスク（図示せず）及びオーミック接触層１１６であるｐ−ＩｎＧａＡｓ層を除去し、ＭＯＣＶＤで３次再成長してｐ−ＩｎＰ層１１４及びオーミック接触層１１６であるｐ−ＩｎＧａＡｓ層を形成する。

基板１００のｐ側電極は、Ｔｉ（約３００Å）／Ｐｔ（約２００Å）／Ａｕ（約４０００Å）を電子ビーム蒸着器で蒸着した。次いで、ｐ側電極は、ＲＴＡ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇ）装置で約４２５℃に約３０秒間熱処理し、このときに使われた雰囲気ガスは、１０％のＨ_２／Ｎ_２であった。ｎ側電極は、Ｃｒ（約５００Å）／Ａｕ（約５０００Å）を電子ビーム蒸着器を使用して蒸着し、約４００℃で約３０秒間熱処理した。

比較例
本発明の実施形態と比較される比較例に提示する構造をＢ−ＲＷＧＬＤＩという。Ｂ−ＲＷＧＬＤＩの構造は図１と同じであり、これは、前述した非特許文献１を根拠として設計したものである。また、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩは、前述したＢ−ＲＷＧＬＤＩＩの製造方法のうち、２次再成長を完了すれば得られる。

以下、本発明の実施形態によるＢ−ＲＷＧＬＤＩＩと比較例によるＢ−ＲＷＧＬＤＩとの物性を比較する。

（１）共振器の長さに応じたＩ−Ｌ特性の比較
図４は、本発明の実施形態によるＢ−ＲＷＧＬＤＩＩの共振器の長さに応じた注入電流対光出力（Ｉ−Ｌ）特性を示すグラフである。このとき、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩのＩ−Ｌ測定のための実験では、ジュール熱による光出力の低下を防止するために、パルス周期は１ｍｓ、パルス幅は１０μsである１％の周期サイクルを使用して発振実験を行った。

図４に示すように、光出力が２０ｍＷに達するまで高次モード発振によるキンク現象が起きなかった。これにより、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩが７μmのリッジ幅でも横方向の単一モードに動作することが分かる。また、共振器の長さが３００μmである場合、発振臨界電流値が４８ｍＡであるということが分かる。しかし、比較例であるＢ−ＲＷＧＬＤＩでは、前記臨界電流値がＢ−ＲＷＧＬＤＩＩより約３ないし５ｍＡほど大きく現れた。

（２）リッジ幅に応じた内部量子効率と内部損失との比較
図５は、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩとＢ−ＲＷＧＬＤＩとのリッジ幅に応じた内部量子効率η_ｉと内部損失α_ｉｎｔとを示すグラフである。このとき、横軸は共振器の長さであり、縦軸は外部微分量子効率の逆数を表している。

図５を参照すれば、まず、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩでは、リッジ幅がそれぞれ５μm、７μmである場合に、内部量子効率がそれぞれ６３％、７１％であり、内部損失はそれぞれ２３ｃｍ^−１、２１ｃｍ^−１と現れた。これに対して、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩは、リッジ幅がそれぞれ５μm、７μmである場合に、内部量子効率がそれぞれ７３％、８３％であり、内部損失はそれぞれ１９ｃｍ^−１、２０ｃｍ^−１と現れた。すなわち、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩは、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩより内部量子効率が優れている。これは、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩは、漏れ電流による注入キャリアの損失だけでなく、オーミック接触層１１６での接触抵抗によるキャリアの損失が少なくて活性層へのキャリア注入効率が優れているためである。

（３）注入電流による光出力の比較
図６は、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩとＢ−ＲＷＧＬＤＩとの注入電流による光出力を示すグラフである。このとき、ＬＤのリッジ幅は約７μmであり、長さは約９００μmであり、デューティサイクルは１％である。ＬＤの出射面はコーティングしなかった。一方、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩは、一般的な強い屈折率導波路型に比べて活性層の幅が広いため、高出力特性に有利である。また、ビームサイズが大きいため、最大光出力側面のＣＯＤ（ＣａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃＯｐｔｉｃａｌＤａｍａｇｅ）レベルが高い。したがって、製作されたＢ−ＲＷＧＬＤの最大光出力を測定してみたが、その結果が図６に示されている。

図６に示すように、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩがＢ−ＲＷＧＬＤＩに比べて勾配効率が優れており、飽和光出力は、いずれも約８０ｍＷであった。二つのＬＤで飽和光出力の差がないと見なすとき、飽和出力は、クラッド層１０８の厚さによる光吸収の差に依存するものではなく、活性層自体の利得飽和によると見なされる。光出力の測定結果は、出射面をコーティングしていない状態でなされたものである。したがって、今後、出射面に高反射膜コーティングと無反射膜コーティングとを行えば、さらに優れた光出力特性が得られる。

（４）温度特性の比較
図７は、温度による臨界電流Ｉ_ｔｈの変化を示すグラフである。このとき、図７で、リッジ幅による温度は、Ｔ_Ｏ値と表した。図７で、各点は測定結果であり、実線は、Ｔ_Ｏを計算した理論値である。

図７を参照すれば、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩで、リッジ幅が５μm、７μmである場合、Ｔ_Ｏがそれぞれ３２Ｋ、３７Ｋと現れた。これに対して、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩの場合、Ｔ_Ｏがそれぞれ４７Ｋ、５０Ｋと現れた。これにより、Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩの温度特性がＢ−ＲＷＧＬＤＩより１２ないし１３Ｋ優れて現れた。

以上、本発明は、望ましい実施形態を挙げて詳細に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内で当業者により色々な変形が可能である。

本発明は、レーザダイオード関連の技術分野に適用可能である。

韓国光学会誌（ｖｏｌ．１２，ｎｏ．４，ｐｐ．３１２−３１９，２００１）に開示されたリッジ型レーザダイオードの構造を示す断面図である。本発明によるＢ−ＲＷＧＬＤを示す断面図である。前記韓国光学会誌に開示されたリッジ型レーザダイオードの構造の最適化された設計結果を示すグラフである。本発明のＢ−ＲＷＧＬＤＩＩの共振器の長さに応じた注入電流対光出力特性を示すグラフである。本発明のＢ−ＲＷＧＬＤＩＩと従来のＢ−ＲＷＧＬＤＩとのリッジ幅に応じた内部量子効率及び内部損失を示すグラフである。Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩとＢ−ＲＷＧＬＤＩとの注入電流による光出力を示すグラフである。Ｂ−ＲＷＧＬＤＩＩの温度による注入電流に対する光出力特性を示すグラフである。

符号の説明

１００基板
１０２導波路層
１０４ウェル層
１０６障壁層
１０８クラッド層
１１０選択的エッチング層
１１２第２化合物層
１１４第１化合物層
１１６オーミック接触層

Claims

活性層上に配置されたクラッド層と、
前記クラッド層上の一部に同じ幅に垂直に延びている、選択的エッチング層と第１導電型の第１化合物層で構成されたリッジ領域と、
前記リッジ領域の外側の前記クラッド層上に前記リッジ領域の深さと同じ厚さを有し、前記第１導電型と逆の第２導電型の第２化合物層を備えるｐ−ｎ−ｐ電流遮断層と
を備え、
前記電流遮断層は、前記第２化合物層上に前記リッジ領域の前記第１化合物層が拡張された第１化合物層を備えることを特徴とする埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記選択的エッチング層は、前記リッジ領域の前記クラッド層上に所定の厚さに形成されることを特徴とする請求項１に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記選択的エッチング層は、ｐ−ＩｎＧａＡｓ、ｐ−ＩｎＧａＰ及びｐ−ＧａＡｓのうち選択された少なくとも一つの層であることを特徴とする請求項１に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記選択的エッチング層の幅は、６ないし９μmであることを特徴とする請求項１に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記第１化合物層の前面にオーミック接触層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記電流遮断層は、同じ物質で構成されたことを特徴とする請求項１に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記電流遮断層は、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰのうち選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項６に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記電流遮断層は、前記クラッド層、第２化合物層及び第１化合物層が順次に積層されて形成されたことを特徴とする請求項４に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記電流遮断層は、それぞれｐ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＰ及びｐ−ＩｎＰで構成されたことを特徴とする請求項８に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記電流遮断層は、前記第２化合物層、第１化合物層及びオーミック接触層が順次に積層されて形成されたことを特徴とする請求項５に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記電流遮断層は、ｐ−ＧａＡｓ、ｎ−ＧａＡｓ及びｐ−ＧａＡｓで構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記電流遮断層は、ｐ−ＡｌＧａＡｓ、ｎ−ＡｌＧａＡｓ及びｐ−ＡｌＧａＡｓで構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。
前記電流遮断層は、ｐ−ＩｎＧａＰ、ｎ−ＩｎＧａＰ及びｐ−ＩｎＧａＰで構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の埋め込み型リッジ導波路レーザダイオード。