JP2007155565A - 放射線画像検出モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】放射線検出エリアの拡大および放射線画像の高解像度化を実現可能にする。
【解決手段】集積回路素子１２の表面に位置する信号引出し用パッド１６を、集積回路素子１２と放射線検出素子１１とがオーバラップする領域内に形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、対象物から放射された放射線を検出して検出対象部位の画像表示を行う場合等に利用する放射線画像検出モジュールに関する。

医療用ガンマカメラに代表される特定のエネルギを持つ放射線を検出する放射線画像検出装置は、その特定のエネルギを持つ放射線が放射された位置とその放射線の数を、それぞれ単色の濃度差あるいは色相差として画面に表示する。これによって、前記特定のエネルギを持つ放射線の分布状態を確認できる。

このような特定のエネルギを持つ放射線により画像検出する放射線画像検出装置として、従来から、シンチレータ（ＮａＩ結晶）と光電子増倍管（ＰＭＴ）を使用するものが提供されている。これらは、対象物から放射される放射線を一旦可視光に変換し、この可視光を電子に変換し、かつ増幅するという機能を持つ。

ところが、このような放射線画像検出装置は大掛りで、光電子倍増管が高価かつ大型であるほか、得られた画像の解像度が低い。また、放射線から可視光への変換および可視光から電子への変換によって、信号の検出感度が低下してしまう。

さらに、周辺部からの不必要な放射線の侵入を招き易く、精度の高い放射線画像の表示を行えないという不都合がある。

一方、これに対して、小型化、軽量化が可能で、画像解像度を向上できるとともに、放射線を直接電気信号に変換できる放射線検出素子を用いた放射線画像検出装置が提供されるに及んでいる。

このような放射線画像検出装置では、半導体放射線検出素子が使用されるが、製造可能な素子サイズ上の制約から、複数個の半導体放射線検出素子を使用して、有効視野面積（画像検出面積）を確保している。

また、この放射線検出装置は、複数個並べた放射線検出素子のピクセルごとの放射線情報を、それぞれ電気信号に変換して検出するため、そのピクセル単位で信号の取り出しおよび信号処理を行うこととなる。

この放射線検出素子からのピクセル単位の信号は微小であり、信号劣化を防ぐためには、前記信号処理をできるだけ放射線検出素子の近傍で実施することが望ましい。

さらに、この放射線検出素子は、放射線画像の解像度を向上させるために、通常数百から数万にピクセル分割されている。このため、各ピクセルから信号処理回路への接続回路数が多大となり、信号処理回路を含めた単位放射線画像検出器のコンパクト化が困難になる。

一方、これに対して、放射線検出素子に電気的に接続された集積回路の信号処理回路（以下、集積回路素子という）の一辺だけに信号引出し用パッドを集め、その集積回路素子を前記放射線検出素子よりも信号引出し用パッド分長く形成した放射線画像検出モジュールが提案されている。

これによれば、放射線画像モジュールどうしを、前記信号引出し用パッド側とは反対側の辺で相互に隙間なく、衝き合わせ、この衝き合わせた２つの放射線画像検出モジュールを一組として、複数組を前記引出しパッドが設けられない辺側へ順次衝き合わせて、回路基板上に並設することができる（例えば、特許文献２参照）。従って、ある程度の放射線画像の解像度と、比較的大きい放射線画像検出面積を確保できる。
特開２００３−０６６１５１号公報

しかしながら、このような従来の放射線画像検出モジュールでは、集積回路素子が、信号引出し用パッド分長く放射線検出素子の外へはみ出すため、このはみ出す側では、放射線検出素子を隙間なく、衝き合わせることができない。

従って、複数の放射線画像検出モジュールを、これの４辺方向へ隙間なく並べて配置することができず、結果として、解像度が高く、放射線画像検出面積の大きい放射線画像検出装置の実現には限界があった。

本発明は、このような従来の問題を解決するためになされたものであり、放射線検出素子に対し、集積回路素子がはみ出さないような形態にモジュール化することで、放射線検出素子の４辺方向への隙間が無いように並べて配置することを可能とし、この配列による画像の高解像度化およびセンシングエリアの拡大を実現できる放射線画像検出モジュールを提供することを目的とする。

前記目的達成のために、本発明に係る放射線画像検出モジュールは、信号引出し用パッドおよびピクセル電極パッドを有する集積回路素子とピクセル電極パッドを有する放射線検出素子とが、それぞれのピクセル電極パッドを介して電気的に接続されてなる放射線画像検出モジュールであって、前記集積回路素子の表面に位置するが表面に有する前記信号引出し用パッドが、前記集積回路素子と前記放射線検出素子とがオーバラップする領域内に形成されていることを特徴とする。

この構成により、従来のように、放射線検出素子よりはみ出すような信号引出し用パッド設置分のエリアを、集積回路素子上に設ける必要がなくなり、集積回路素子を放射線検出素子と比べて同一または小さいサイズに抑えることができる。よって、複数の放射線画像検出モジュールを４辺方向に隙間なく回路基板上に並べて配置することができ、結果的に、複数の放射線画像検出モジュールによる放射線画像表示面の拡大と高解像度での放射線画像表示が可能になる。

また、本発明に係る放射線画像検出モジュールは、前記集積回路素子表面の前記信号引出し用パッドから、前記集積回路素子を貫通しまたは該集積回路素子の側面を通る垂直配線が導出されていることを特徴とする。

この構成により、集積回路素子からの放射線量信号を処理して画像生成するための後段信号処理回路への回路長を最短にすることができる。これにより、集積回路素子から前記後段信号処理回路へ伝達される信号が劣化するのを、最小限に抑えることできる。

また、本発明に係る放射線画像検出モジュールは、前記集積回路素子表面に設けられる複数の信号引出し用パッド間に、少なくとも２つ以上のピクセル電極パッドが配置されていることを特徴とする。

この構成により、信号引出し用パッドの設置によりデッドピクセルとなった領域の放射線検出信号を、そのデッドピクセル周囲の複数のピクセル電極パッドから得られる放射線検出信号の加算値をそのピクセル電極数で割った平均値を用いて補完する。従って、この補完データをデッドピクセルとされたエリアに対応する放射線検出情報として用い、放射線検出画像を生成することで、前記デッドピクセルによる放射線画像の解像度の低下を回避することができる。

また、本発明に係る放射線画像検出モジュールは、前記集積回路素子表面に設けられる信号引出し用パッドが、前記集積回路素子の４辺のうち１辺または２辺の付近に配置されていることを特徴とする。

この構成により、前記集積回路素子を隙間無く並べて配置した場合に、隣接する集積回路素子の各信号引出し用パッドどうしが互いに向い合う状況をなくすることができる。従って、各集積回路素子間の微小の隙間によるデッドピクセルおよび信号引出し用パッド位置のデッドピクセルに対する放射線検出信号の補完が、不十分になることを回避できる。

また、本発明に係る放射線画像検出モジュールは、前記集積回路素子表面に設けられる信号引出し用パッドの大きさが、同じくその集積回路素子表面に設けられたピクセル電極パッドの２つ以下を含む大きさであることを特徴とする。

この構成により、信号引出し用パッドの大きさが、ピクセル電極パッド３つ以上を含む大きさにした場合に、その信号引出し用パッド周辺にある、ピクセル電極パッドから得られる放射線情報を利用した補完データの信頼性が低下する、という不都合を回避することができる。

また、本発明に係る放射線画像検出モジュールは、前記集積回路素子の大きさが、前記放射線検出素子の大きさに比べ、同等もしくは小さいことを特徴とする。

この構成により、複数の放射線画像検出モジュールを隙間なく並べて配置することができる。そして、複数の放射線画像検出素子による放射線画像検出面積の拡大と、放射線画像の高解像度での大画面表示を実現することができる。

また、本発明に係る放射線画像検出モジュールは、前記放射線検出素子が、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅであることを特徴とする。

この構成により、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅが放射線検出時における放射線の吸収効率が高く、室温では高抵抗値であるという性質、および光電効果を利用することによって、放射線の高感度検出を実現することができる。

本発明は、集積回路素子が表面に有する信号引出し用パッドを、前記集積回路素子と放射線検出素子とオーバラップする領域内に形成したことにより、集積回路素子よりも信号引出し用パッド設置領域分、集積回路素子が外にはみ出すことがなくなり、集積回路素子を放射線検出素子と同一または小さいサイズに抑えることができる。

この結果、複数の放射線画像検出モジュールを２辺方向〜４辺方向に隙間なく、回路基板上に並べて配置することができ、複数の放射線画像検出モジュールによる放射線画像検出面および表示面の拡大と、高解像度での放射線画像表示を実現できる放射線画像検出モジュールを提供することができる。

以下、本発明の実施形態による放射線画像検出モジュールを、図面を参照しながら説明する。

図１は、本発明の実施形態による放射線画像検出モジュールＭを概念的に示す斜視図、図２は、その放射線画像検出モジュールＭの断面図、図３は、放射線画像検出モジュールＭにおける集積回路素子１２の平視図、図４は、放射線画像検出装置の斜視図である。

図１〜図４に示すように、放射線画像検出モジュールＭは、半導体型の放射線検出素子１１と集積回路素子１２とを電気的に接続したものからなる。これらのうち、放射線検出素子１１は、例えばモノリシックアレイ型の半導体からなり、図２の断面図に示すように、この半導体ウエハの放射線入射面に共通電極１３を有する。

また、この放射線入射面側とは反対側の面（下面）にピクセル単位で検出された放射線検出信号を取り出す複数のピクセル電極パッド（信号電極）１４を有する。

前記放射線検出素子１１の半導体としては、放射線の検出感度が高いＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなどが用いられ、例えば短辺が５ｍｍ以上５０ｍｍ以下、長辺が１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の四角形で、厚さが０．５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に形成されている。

一方、集積回路素子１２は、放射線検出素子１１がピクセル単位で検出した放射線情報にもとづいて放射線量に相当する電気信号を出力する。この集積回路素子１２の上面には、複数のピクセル電極パッド１５が設けられている。これらのピクセル電極パッド１５は、放射線検出素子１１下面のピクセル電極パッド１４に対応するものに、それぞれフリップチップボンド方式によって接続されている。

また、前記集積回路素子１２の上面周辺であって、いずれかの１辺（または隣り合う２辺）付近に、図３に示すように、入出力パッド（Ｉ／Ｏパッド）としての複数の信号引出し用パッド１６が設けられている。このため、この信号引出し用パッド１６が設けられる部位の集積回路素子１２上面には、ピクセル電極パッド２５が設けられない。

図３は、この集積回路素子１２上面における信号引出し用パッド１６とピクセル電極パッド１５との配置を示し、ここでは集積回路素子１２の一辺に４個の信号引出し用パッドが設けられている。また、これらの信号引出し用パッド１６間には、少なくとも２つ以上のピクセル電極パッド１５が配置されている。

信号引出し用パッド１６がピクセル電極パッド１５の配置部位に設けられることで、信号引出し用パッド１６設置のために、集積回路素子１２を、放射線検出素子１１の外形より外にはみ出すことを回避できる。従って、集積回路素子１２の外形サイズを、放射線検出素子１１に対して同等または小さくすることができる。

前記信号引出し用パッド１６上には、ピクセル電極パッド１５や信号引出し用パッド１６の設置面に対し、集積回路素子１２を垂直方向に貫通する微小孔１７が形成されている。

この微小孔１７には、一端が前記信号引出し用パッド１６に接続され、他端が集積回路素子１２の下面に延出される配線としての貫通配線１８が設けられている。

この微小孔１７は、集積回路素子１２にドライエッチング方法などにより形成され、この微小孔１７の内周面を絶縁材料により絶縁した後、その絶縁層(絶縁膜）の孔内への導電材の充填により、または内周面への導電材のスパッタリングやメッキにより形成される導電膜により、前記貫通配線１８が設けられる。

また、貫通配線１８は、集積回路素子１２の下面側にも延出され、その集積回路素子１２下面の絶縁層１９上に設けられた各一の外部出力端子２０に、電気的に接続されている。

前記放射線画像検出モジュールＭは、放射線検出素子１１と集積回路素子１２とを重ね合わせて構成され、集積回路素子１２の信号引出し用パッド１６側である電気的な接続面（信号引出し面）から反対側の裏面へ、前記のように貫通配線１８が垂直方向に設けられている。

このため、貫通配線１８も、放射線検出素子１２と同等または小さい集積回路素子１２のサイズ内に収めることが可能になる。この結果、前記接合によって集積回路素子１２が放射線検出素子１１の外にはみ出ることがなくなる。

図４は、複数枚の前記放射線画像検出モジュールＭを、一枚の回路基板２１上に並設した状態を示す。前記のように、各放射線画像検出モジュールＭにおいて、集積回路素子１２が放射線検出素子１１より外にはみ出ないサイズであるため、複数の放射線画像検出モジュールＭを、一枚の回路基板２１上において、２方向、３方向または４方向に、隙間なく、敷き詰めて並べて接続することができる。

そして、このように隙間なく複数枚の放射線画像検出モジュールＭを並べて配置することで、放射線画像情報を同時に検出できる面積を、必要とするサイズに拡大することができる。

各放射線画像検出モジュールＭ間に大きな隙間が生じないため、放射線画像の解像度を向上することができる。

ところで、前記のような集積回路素子１２上に信号引出し用パッド１６が設置されるため、この部位ではピクセル電極パッド１５が無いデッドピクセルのエリアとなる。このため、このデッドピクセルとなるエリアでは放射線検出が行えない。

そこで、本発明では、このデッドピクセルとなるエリアについては、このエリアを中心とする周辺のピクセル電極パッド１５から得られる放射線検出情報のフィルタ処理を実行し、このフィルタ処理によって得られた情報を用いて、補完を行う。

このデッドピクセルとなるエリアにおける放射線検出情報の補完方法を、図５を参照して説明する。この図５は、複数の放射線画像検出モジュールＭを並べて配置した場合の、各放射線画像検出モジュールＭ間の隙間Ｇ付近を示す平面図である。

ここでは、一方の放射線画像検出モジュールＭの一辺付近に、６つのピクセル電極パッド１５とともに、２個の信号引出し用パッド１６が一列に配置されている。

そして、２つの信号引出し用パッド１６は、２つのピクセル電極パッド１５を介して配置されている。

前記放射線画像検出モジュールＭと隣り合う他方の放射線画像検出モジュールＭには、信号引出し用パッド１６は設けられず、ピクセル電極パッド１５のみが配置されている。各放射線画像検出モジュールＭ間には、微小の隙間Ｇが生じており、この隙間Ｇも放射線検出が不可能なデッドピクセルのエリアとなっている。

図６は、各放射線画像検出モジュールＭにおけるデッドピクセルのエリアとピクセル電極パッド１５との配置関係を示す模式図である。

この図６において、○印のエリアはピクセル電極パッド１５があるエリアを示し、数字を記入した箇所はピクセル電極パッド１５が無いデッドピクセルのエリアを示す。

デッドピクセルのエリアの周囲には、５個または６個のピクセル電極パッド１５が隣接しており、前記デッドピクセルのエリア内に記入した数字は、これらに隣接する周囲のピクセル電極パッド１５の数を示している。

本発明では、その５個または６個のピクセル電極パッド１５に得られる各放射線検出情報の合計の平均化処理データを用いて、そのデッドピクセルのエリアが仮にピクセル電極パッドであった場合に得られる放射線検出情報を推定するようにしている。

この放射線検出情報の平均化処理では、周知の移動平均フィルタや加重平均フィルタ等が用いられる。例えば移動平均フィルタでは、１つのデッドピクセルのエリアを中心とする３×３の平方領域の各領域における放射線検出情報の行列式を演算する。また、この演算結果の値に、１／９を乗算する、という処理を行う。

一方、加重平均フィルタでは、注目するピクセル電極パッドに重み付けをすることができる。そして、これらの演算結果を用いて前記デッドピクセルのエリアの検出を補完することにより、放射線検出画像の分布を滑らかにすることが可能になる。

図７は、隣接する２つの放射線画像検出モジュールＭにおいて、信号引出し用パッド１６の他の設置側を示す平面図である。この例では、２つの信号引出し用パッド１６Ａが、一方の放射線画像検出モジュールＭの一辺付近に配置されている。これらの信号引出し用パッド１６Ａ間には、２つのピクセル電極パッド１５が介在されている。

また、この放射線画像検出モジュールＭの信号引き出し用パッド１６Ａを有する１辺に隣接する他方の放射線画像検出モジュールＭの１辺付近には、信号引出し用パッド１６は設けられない。

これらの信号引出し用パッド１６Ａは、ピクセル電極パッドの２つ以下（１つまたは２つ）を含む大きさを有し、その信号引出しパッド１６Ａにおける１つの電極パッド相当分の位置に、前記同様の貫通配線１８が設けられている。

従って、２箇所の前記２ピクセル電極パッド１６Ａがピクセル電極パッドの無いデッドピクセルのエリアとなる。

この場合においても、２つの放射線画像検出モジュールＭ間には、微小の隙間Ｇがあるため、この隙間Ｇもデッドピクセルのエリアとなる。

図８は、各放射線画像検出モジュールＭにおけるデッドピクセルのエリアとピクセル電極パッド１５との配置関係を示す模式図である。

この図８において、○印のエリアはピクセル電極パッド１５があるエリアを示し、数字を記入した箇所はピクセル電極パッド１５がないデッドピクセルのエリアを示す。

デッドピクセルのエリアの周囲には、周囲に４個または５個のピクセル電極パッド１５が隣接しており、前記デッドピクセルのエリア内に記入した数字は、これらに隣接する周囲のピクセル電極パッド１５の数を示している。

本発明では、その４個または５個のピクセル電極パッド１５に得られる各放射線検出情報の合計の平均化処理データを用いて、そのデッドピクセルのエリアが仮にピクセル電極パッドであった場合に得られる放射線検出情報を推定するようにしている。

このように、各デッドエリアを平均化処理した放射線情報によって補完することができる。

なお、放射線画像検出モジュールＭ間の隙間Ｇのようなデッドエリアでも、補完のために使用可能なピクセル電極パッド１５の数は少ないケースでも、前記のように４個あり、結果として画像補完を十分なものにすることができる。

図９は、隣接する２つの放射線画像検出モジュールＭにおける信号引出し用パッドの他の設置例を示す平面図である。この例では、２つの信号引出し用パッド１６Ｂが、隙間Ｇから離れた一方の放射線画像検出モジュールＭに配置されている。

これらの信号引出し用パッド１６Ｂは、２ピクセル電極パッド分の面積を有し、その１ピクセル電極パッド相当分の位置に、前記同様の貫通配線１８が設けられている。従って、２箇所の２ピクセル電極パッド分がピクセル電極パッドの無いデッドピクセルのエリアとなる。

この場合においても、２つの放射線画像検出モジュールＭ間には、微小の隙間Ｇがあるため、この隙間Ｇもデッドピクセルのエリアとなる。

また、図１０は、各放射線画像検出モジュールＭにおけるデッドピクセルのエリアとピクセル電極パッド１５との配置関係を示す模式図である。この場合においても、ピクセル電極パッド１５がある○印のエリアに対し、数字を記入した信号引出し用パッド１６Ｂのエリアは、ピクセル電極パッド１５が無いデッドエリアとなる。

これらのデッドエリアの周囲には、前記数字の個数のピクセル電極パッド１５がある。このため、各デッドエリアを、前記のように平均化処理した放射線情報によって補完することができる。

また、放射線画像検出モジュールＭ間の隙間Ｇのようなデッドエリアでも、補完のために使用可能なピクセル電極パッド１５の数は少ないケースでも６個は存在している。このため、画像補完を十分なものにすることができる。

図１１は、隣接する２つの放射線画像検出モジュールＭを並べて配置して、その一方の放射線画像検出モジュールＭに、２つのピクセル電極パッドを含む大きさの信号引出し用パッド１６Ｃを２つ配置したものを示す。

これらの信号引出し用パッド１６Ｃには、集積回路素子１２の側面を垂直方向に延びて裏面に至る側面配線２２の一端が、電気的に接続されている。

この側面配線２２は、集積回路素子１２のダイシングライン上にドライエッチング処理などにより微小孔を開け、この微小孔の内周面に絶縁材料の絶縁層を設けた上で、その絶縁層内へ導電材料を充填することにより、または前記内周面へ導電材料のスパッタリングやメッキを行うことによって得られる。

その後、ダイシングを行うことによって、前記集積回路素子１２の個片化がなされる。このため、各集積回路素子１２の前記側面において、側面配線２２はダイシングラインの内側にあり、外側へは突出しない。

また、この集積回路素子１２の下面に延設された側面配線２２端は、その集積回路素子１２下面に設けられた外部出力端子２０に電気的に接続される。

このような構成になる放射線画像検出モジュールＭにあっても、信号引出し用パッド１６Ｃが放射線検出素子１１とオーバラップする集積回路素子１５上に設けられる。また、側面配線２２を、前記のように集積回路素子１２のサイズ内に収めることができる。従って、集積回路素子１２が放射線検出素子１１の外へはみ出すことが無い。

この結果、図４に示すように、複数本の前記放射線画像検出モジュールＭを一枚の回路基板２１上に、２辺方向、３辺方向または４辺方向へ並設した際、これらの放射線画像検出モジュールＭを隙間無く、並べて配置することができる。

これにより、大面積の放射線画像検出装置が構成され、放射線の検出面積を拡大できる。

さらに、一度で対象物の全部または大部分の放射線画像が得られるとともに、検出画像の解像度向上を実現することができる。

このように、本実施形態では、前記集積回路素子１２が表面に有する前記信号引出し用パッド１６、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃを、前記集積回路素子１２と前記放射線検出素子１１とがオーバラップする領域内に形成したことによって、放射線検出モジュールの４辺方向への隙間が殆んど無いように並べて配置することが可能となり、この配列により放射線検出エリアの拡大、および放射線検出画像の高解像度化を実現することができる。

本発明に係る放射線画像検出モジュールは、放射線検出素子より外へはみ出すような信号引出し用パッド設置分のエリアを、集積回路素子上に設ける必要がなくなり、集積回路素子を放射線検出素子と同一または僅か小さいサイズに抑えることができ、従って、複数の放射線画像検出モジュールを４辺方向に隙間なく回路基板上に並べて配置することができるという効果を有し、対象物から放射された放射線を検出して検出対象部位の画像表示を行う場合等に有用である。

本発明の実施の形態による放射線画像検出モジュールを示す斜視図である。 図１に示す放射線画像検出モジュールの詳細を示す断面図である。 図１における集積回路素子を概念的に示す平面図である。 図１に示す放射線画像検出モジュールからなる放射線画像検出装置を示す斜視図である。 図４の集積回路素子における信号引出し用パッドの設置例を示す要部の平面図である。 図５におけるデッドピクセルのエリアとピクセル電極パッドとの配置関係を示す模式図である。 図４の集積回路素子における信号引出し用パッドの他の設置例を示す要部の平面図である。 図７におけるデッドピクセルのエリアとピクセル電極パッドとの配置関係を示す模式図である。 図４の集積回路素子における信号引出し用パッドの他の設置例を示す要部の平面図である。 図９におけるデッドピクセルのエリアとピクセル電極パッドとの配置関係を示す模式図である。 図４の集積回路素子における信号引出し用パッドに対する側面配線の設置例を示す放射線画像検出モジュールの平面図である。

符号の説明

１１ 放射線検出素子
１２ 集積回路素子
１３ 共通電極
１４、１５ ピクセル電極パッド
１６、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ 信号引出し用パッド
１７ 微小孔
１８ 貫通配線
２０ 外部出力端子
２１ 回路基板
２２ 側面配線
Ｍ 放射線画像検出モジュール

Claims (7)

1. 信号引出し用パッドおよびピクセル電極パッドを有する集積回路素子とピクセル電極パッドを有する放射線検出素子とが、それぞれのピクセル電極パッドを介して電気的に接続されてなる放射線画像検出モジュールであって、 前記集積回路素子の表面に位置する前記信号引出し用パッドが、前記集積回路素子と前記放射線検出素子とがオーバラップする領域内に形成されてなることを特徴とする放射線画像検出モジュール。
2. 前記集積回路素子表面に設けられた前記信号引出し用パッドから、前記集積回路素子を貫通しまたは該集積回路素子の側面を通る垂直配線が導出されてなることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像検出モジュール。
3. 前記集積回路素子表面に設けられた複数の前記信号引出し用パッド間には、少なくとも２つ以上のピクセル電極パッドが配置されてなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線画像検出モジュール。
4. 前記集積回路素子表面に設けられた信号引出し用パッドが、前記集積回路素子の４辺のうち１辺または２辺の付近に配置されてなることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の放射線画像検出モジュール。
5. 前記集積回路素子表面に設けられた信号引出し用パッドの大きさが、前記集積回路素子表面に設けられたピクセル電極パッドの２つ以下を含む大きさであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の放射線画像検出モジュール。
6. 前記集積回路素子の大きさが、前記放射線検出素子の大きさに比べ、同等もしくは小さいことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の放射線画像検出モジュール。
7. 前記放射線検出素子が、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の放射線画像検出モジュール。

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