JP2007142404A - 電流伝達率の温度係数を補償する方法及び装置 - Google Patents

電流伝達率の温度係数を補償する方法及び装置 Download PDF

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Abstract

【課題】オプトカプラシステムの電流伝達率の温度変化による影響を補償すること。
【解決手段】バッファ回路(110)、絶縁体(140)、及び検出装置(160)を含むオプトカプラシステム(100)。オプトカプラシステム(100)は、温度係数を有する電流伝達率(CTR)を有する。バッファ回路(110)は、絶縁体(140)を通過する光を生成する光源(130)を含む。検出装置(160)は、絶縁体(140)を通過した光を受光し、受光した光に基づいて出力信号を生成する。このシステム(100)は、CTRの温度係数を補償する温度係数を有するベース信号を生成するための電流伝達率(CTR)温度係数補償手段(120)を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、電流伝達率の温度係数を補償する方法、及び装置に関する。
オプトカプラシステムは、第1の回路と第2の回路の間を電気的に絶縁しなければならない多数の用途において有用である。用途の一例は、オプトカプラを使用して、ユーザインタフェース(例えば、ロジックインタフェース)を高電圧信号から電気的に絶縁することである。
オプトカプラシステムは、互いに電気的に絶縁された第1の回路、及び第2の回路を含む。第1の回路は、電流源に接続された発光ダイオード(LED)を含む。第1の回路は第2の回路に光学的に結合される。第2の回路はフォトダイオード(PD)を含む。例えば、LEDから放射された光は、フォトダイオードに衝突し、フォトダイオードを流れる電流(例えば、フォトダイオード電流)を発生させる。第2の回路は更に、トランスインピーダンス増幅器を含む。トランスインピーダンス増幅器はフォトダイオードに接続され、フォトダイオード電流に基づいて出力電圧信号を生成する。第2の回路は更に、基準電流を生成する電流源を含む。通常、フォトダイオード電流は基準電流(信号)と比較され、その比較により、出力電圧信号が生成される。
オプトカプラシステムは、3つの主要な構成要素を有する。すなわち、1)バッファ回路、2)絶縁体、及び3)検出装置である。バッファ回路は、光源(例えば、発光ダイオード(LED))を駆動するための一定の電流を生成する。この電流はLED電流と呼ばれ、LEDを点灯させる。光は絶縁体を通過する。絶縁体には、例えば、透明な物質が使用される。なお、この光は、検出装置によって受光されるまでに、特定量の減衰を受ける。この減衰の1つの主要な原因は、オプトカプラシステムが有する電流伝達率(CTR)である。
検出装置は、受光した光を対応する電気信号(例えば、電流信号と電圧信号)に変換する。検出装置は、受光した光に対応する電圧信号を基準信号と比較し、その比較に基づいて出力信号(例えば、「1」、又は「0」)を生成する。
しかしながら、このオプトカプラシステムの設計には重大な問題があり、多数の問題、及び設計問題を引き起こす。既存のオプトカプラシステムにおいて遭遇する1つの問題は、オプトカプラシステムの電流伝達率が、温度に従って変化することである。換言すれば、フォトダイオード電流とLED駆動電流の比が、温度の関数になることである。従来技術によるオプトカプラの1つの欠点は、LED駆動電流が、電流伝達率に与える温度変化の影響を補償しないことである。この温度変化を考慮するために、従来のオプトカプラは、基準電流を、温度変化が存在しない通常の場合よりも低い値に設定している。したがって、検出装置はグラウンドノイズの影響を受けやすく、これは望ましくない。
上記の理由から、上で述べた欠点を克服する電流伝達率の温度変化による影響を補償する方法及び装置が依然として必要とされている。
本発明は、一実施形態として、電流伝達率(CTR)温度係数調節手段を備えたオプトカプラシステムについて説明する。このオプトカプラシステムは、バッファ回路、絶縁体、及び検出装置を含む。オプトカプラシステムは、温度係数を有する電流伝達率(CTR)を有する。バッファ回路は、絶縁体を通過する光を生成する光源を含む。検出装置は、絶縁体を通過した光を受光し、受光した光に基づいて出力信号を生成する。オプトカプラシステムは、電流伝達率(CTR)の温度係数を補償する温度係数を有するベース信号を生成するための電流伝達率温度係数(CTRTC)補償手段を備える。
本発明は、添付の図面に制限としてではなく、例として示される。図中、同じ参照符号は、同様の構成要素であることを意味する。
電流伝達率の温度係数を補償する方法及び装置について説明する。下記の説明では、例示の目的で、本発明を完全に理解してもらうために、多数の具体的詳細を説明する。しかしながら、当業者には明らかなように、本発明は、それらの具体的詳細なしでも実施することが可能である。その他、既知の構成、及び装置については、本発明を不必要に不明確にしないように、ブロック図に描かれていない。
オプトカプラシステム100
図1は、本発明の一実施形態による電流伝達率温度補償(CTRTC)手段120を含むオプトカプラシステムを示すブロック図である。オプトカプラシステム100は、3つの主要な構成要素、すなわちセクションを含む。すなわち、バッファ回路110、絶縁体140、及び検出装置160である。バッファ回路110は、絶縁体140を通過する光134を生成し、絶縁体140は、その光134を減衰させ、「LIGHT_1」で示す減衰された光136を生成する。絶縁体140は、光透過媒体154を含む場合がある。検出装置160は、減衰された光LIGHT_1(136)を受光し、その光に応答して、減衰された光LIGHT_1(136)に基づいて出力信号138(例えば、検出装置160によって検出された光に相当する電流信号、又は電圧信号)を生成する。
電流伝達率(CTR)とは、光検出装置180によって生成された信号(例えば、検出光に相当する電流信号)と、光源130を駆動するために生成される駆動信号(例えば、光源駆動電流信号)の比である。例えば、約1mAの駆動電流が発光ダイオード(LED)に供給されたとき、光検出装置は、約1μAの電流を生成する場合がある。電流伝達率(CTR)は、フォトディテクタの量子効率や光源(例えば、LED)の量子効率のような、光伝達効果及びその他の効果のような要因に応じて変化する。また、電流伝達率(CTR)は、温度の関数でもある。例えば、電流伝達率(CTR)は、温度変化(例えば、オプトカプラシステム100の動作温度)に応じて変化する可能性がある。この温度変化に起因するCTRの変化は、電流伝達率(CTR)の温度係数、又は「Tempco」と呼ばれる。つまり、電流伝達率(CTR)は温度係数を有する。例えば、電流伝達率(CTR)は、約−3500ppmの負の温度係数を有する場合がある。
バッファ回路110は、光134を生成する光源(例えば、発光ダイオード(LED))を含む。バッファ回路110は更に、光源駆動信号(LSDS)124を生成する電流伝達率温度係数(CTRTC)補償手段120を含む。この光源駆動信号(LSDS)124は、電流伝達率(CTR)の温度係数を補償する温度係数を有する。
光源130によって生成された光134は、絶縁体120を通過する。絶縁体120の一例は、透明な物質である。前述のように、光134は、検出装置160に到達するまでに、特定量の減衰を受ける。
図2は、本発明の一実施形態による図1のオプトカプラシステムの更なる詳細を示している。この実施形態では、光源駆動信号(LSDS124)は、「I_LED」で示す電流信号214である。この実施形態では、電流伝達率温度係数(CTRTC)補償手段120は、電流信号I_LED214を生成する光源駆動信号発生器210を備える。プロセス変動と温度変動の両方について、I_LED信号214の温度係数(Tempco)は、「I_TH」で示す基準電流の温度係数に一致し、且つ、CTRの温度係数にも一致する。
一実施形態において、光源駆動信号発生器210は、光源130に一定の電流(I_LED)を供給し、光源130を点灯させる電流源である。光源駆動信号(LSDS)発生器210については、後で図3を参照して詳しく説明する。
この実施形態では、検出装置160は、光検出装置240、基準増幅器250、第2の光源254、トランスインピーダンス増幅器(TIA)260、及び比較器270を含む。光検出装置240は、フォトダイオードを用いて実施することができる。フォトダイオード240は、所定の電力信号(例えば、グラウンド信号)に接続された第1の電極と、第2の電極とを有する。フォトダイオード240は、絶縁体240から光を受光し、その光を対応する電気信号に変換する。例えば、検出装置160は、受光した光を電流(I_PD)244、及び電圧V_PHに変換する。ただし、電圧V_PHは、I_PD×R_Fに等しい。
基準増幅器250は、反転入力、非反転入力、及び出力を有する。反転入力は第2の電流源254に接続される。第2の電流源254は、直列接続されたバッテリと抵抗器を用いて実施することができ、非反転入力は、フォトダイオード240の第2の電極に接続される。第2の電流源254は、抵抗器に基づいて決まる「I_TH」で示す電流を生成する。基準抵抗器252(R_REF)は、基準増幅器250の反転入力と出力の間に接続される。基準増幅器250は、基準信号258(例えば、基準電圧信号V_REF258)をその出力部に生成する。基準電圧(V_REF)は、次の式によって決定される場合がある:V_REF=I_TH×R_REF。
トランスインピーダンス増幅器(TIA)260は、反転入力、及び出力を有する。反転入力は、フォトダイオード240の第2の電極に接続される。抵抗器264(R_F)は、トランスインピーダンス増幅器(TIA)260の反転入力と出力の間に接続される。トランスインピーダンス増幅器260は、フォトダイオード電流I_PD244を検出し、それに基づいて、フォトダイオード信号266(例えば、フォトダイオード電圧信号V_PH)をその出力部に生成する。フォトダイオード電圧(V_PH)は、次の式によって決定される場合がある:V_PH=I_PD×R_F。
比較器270は、基準増幅器250の出力に接続された反転入力と、トランスインピーダンス増幅器260の出力に接続された非反転入力とを有する。比較器270は、出力信号138を生成するための出力を更に有する。比較器270は、V_REFをV_PHと比較し、論理高信号(例えば、論理「1」信号)と論理低信号(例えば、論理「0」信号)のいずれかを生成する。
なお、I_LED信号214は、第1の抵抗器(R1)の関数になる場合がある。また、I_TH信号256は、第2の抵抗器(R2)の関数になる場合がある。一実施形態において、第1の抵抗器と第2の抵抗器は同等のものである。2つの抵抗器R1と抵抗器R2が同等のものであるため、I_LED信号とI_TH信号は一致し、それらは、プロセス変動や温度変動の際に、ほぼ同様の形で変化する。
なお、I_PD信号244は、I_LED信号214と電流伝達率(CTR)の両方の関数となる。本発明による補償手段がなければ、温度変化によって受けるCTRの影響は全く補償されない。この実施形態では、CTRは、約−3500ppmの温度係数を有する。これに関し、I_TH電流信号256は、従来のシステムにおけるCTRの変動を考慮して比較的低い値にセットされ、それによって、検出装置はグラウンドノイズの影響を受けやすくなる。
電流伝達率温度係数(CTRTC)補償手段
図3は、本発明の一実施形態による電流伝達率温度係数(CTRTC)補償手段の一例を示す回路図である。一実施形態において、CTR温度係数補償手段は、CTRの温度係数を補償する光源駆動信号(LSDS)発生器を用いて実施される。例えば、光源駆動信号(LSDS)発生器は、CTRの温度係数を補償するためのI_LED電流210の温度係数を調節するI_LED電流源214を用いて実施される。
I_LED電流源214は、I_LED電流210の温度係数を調節し、CTRの温度係数に一致させる。補償手段は第1の電流源320(例えば、CTAT電流源(CTAT:Complementary To Absolute Temperature))を含み、第1の電流源320はCTAT信号(例えば、CTAT電流信号)を生成する。第1の電流源320は、抵抗器に直列接続された電圧源によって実施することができる。補償手段は更に第2の電流源330(例えば、PTAT電流源(PTAT:Proportional To Absolute Temperature))を含み、第2の電流源330はPTAT信号(例えば、PTAT電流信号)を生成する。第2の電流源330は、抵抗器に直列接続された電圧源によって実施することができる。
トランジスタM1とトランジスタM2は電流ミラー回路を形成する。比Nを調節することにより、電流I_1(I_1(CTAT))のCTAT電流の量として特定の値を指定することができる。例えば、電流I_1は、約N×I_1Aに等しい。
電流I_3は検出装置160の電流I_THに一致する。なぜなら、これらはいずれも、同タイプのバイアス回路、及び抵抗器の関数であるからである。なお、電流I_2は電流I_3に比例し、且つ、電流I_THに一致するか、又は電流I_THにほぼ対応する。
一実施形態によれば、電流I_3は、電流I_1と電流I_2を結合したものである。電流I_1を調節することにより、電流I_2の所定の温度係数、又は必要温度係数を達成、又は選択的に達成することができる。例えば、電流I_2は、次式によって表わされる:I_2=I_3−I_1。ただし、電流I_2は、光源駆動信号(例えば、I_LED電流信号)である電流I_4に比例する。
一実施形態によれば、更に次の式も成り立つ。
(ΔI_2/ΔT)/I_2=(ΔI_3/ΔT)/I_2−(ΔI_1/ΔT)/I_2
項A=項B−項C
−3500ppmの電流伝達率(CTR)を補償するためには、I_LED、又はI_2は、更に+3500ppmの温度係数(Tempco)を有する必要がある。上記の式を参照すると、項A(I_2)は、項Bと項Cの差に等しい。項B(I_3、PTAT)は、検出装置の基準電流I_TH(閾値電流とも呼ばれる)とほぼ同じ値を常に有する。なぜなら、これら2つの項はいずれも、同様の抵抗器の関数であるからである。項Cは通常、正の温度係数を生成する。なぜなら、I_1が負の符号を持ち、負の温度係数を有するからである。I_2の値を変化させることにより、項Cを変化させ、CTRのTempcoに一致させることができる。例えば、Tempcoが十分でない場合、I_2を減らせば、項Cを増加させることができる。I_1を増加させれば、I_2を減少させることができる。なお、I_2が必要な温度係数に達すると、トランジスタM4のサイズを増加させることにより、I_LED電流を増加させることができる。例えば、I_4はM×I_2に等しい。一実施形態では、I_LED電流の温度係数を約+3500ppmだけ増加させることにより、約2000ppm〜約−5000ppmの範囲でCTRの温度係数を補償することができる。
CTR温度係数補償手段により実施される処理
図4は、本発明の一実施形態による光源駆動信号(例えば、I_LED電流信号214)を生成するために、電流伝達率温度補償(CTRTC)手段によって実施される方法を示すフロー図である。ステップ410では、第1の項(I_3(PTAT))、及び第2の項(I_1A(CTAT))を含む式を使用して、ベース電流(I_2)を生成する。ステップ420では、第1の項(I_3(PTAT))を使用して、I_TH電流のプロセス変動や温度変動のような、閾値電流(I_TH電流)の変動に一致させる。I_3(PTAT)信号は、PTAT電流源330を使用して生成することができる。
ステップ430では、第2の項(I_A1(CTAT))を使用して、CTRの温度係数(Tempco)を補償する。I_1A(CTAT)信号は、CTAT電流源320を使用して生成することができる。なお、本発明による補償手段は、状況に応じて、CTRの温度係数(Tempco)を部分的に補償するものであっても、完全に補償するものであっても、過剰に補償するものであってもよい。一実施形態において、ステップ430は、−3500ppmの温度係数を補償するために、約3500ppmの正の温度係数(Tempco)を生成することを含む。
ステップ440では、必要な温度係数(Tempco)が達成された後、ベース電流(I_2)を必要量になるように調節(例えば、増減)し、駆動信号I_4(例えば、I_LED電流信号)を生成する。トランジスタM3とM4によって形成される電流ミラー回路を使用して、I_2からI4を生成することができる。
一実施形態において、光源駆動信号生成手段は、LSDS信号の温度係数を調節することにより、CTRの温度係数を補償する。更に他の実施形態において、光源駆動信号生成手段は、LSDS信号の温度係数を調節することにより、オプトカプラにおけるプロセス変動、又は温度変動のいずかを補償する場合がある。
本発明による手段は、2つのグラウンド電位が必要とされる用途やシステム、レベルシフトが必要とされる用途、及び第1の回路と第2の回路の間に電気的絶縁を必要とする他の用途のような種々の用途において有用である。例えば、本発明によるオプトカプラシステムは、論理回路(例えば、標準的な5ボルトの信号を使用するもの)と、比較的高い電力の信号で動作し、場合によってはフローティンググラウンドを有するアナログ制御回路(例えば、モータ制御回路や他の工業用途におけるもの)との間の絶縁に使用される場合がある。また、本発明による手段は、高電圧信号とヒューマン・インタフェース(例えば、ロジックインタフェース)との間に絶縁が必要とされる用途にも有用である。
本発明の種々の例示的実施形態を以下に列挙する。
1.絶縁体と、
駆動信号によって駆動されたときに前記絶縁体を通過する光を生成する光源を含むバッファ回路と、
前記絶縁体を通過する光を受光し、受光した光に基づいて検出信号を生成する検出装置と、
前記駆動信号と前記検出信号の間における、温度係数を有する電流伝達率(CTR)と、
前記CTRの温度係数を補償する電流伝達率(CTR)温度係数補償手段と
を含む、オプトカプラシステム。
2.前記電流伝達率(CTR)温度係数補償手段は、
基準信号の変動に一致する第1の信号を生成する第1の電流源と、
前記CTRの温度係数を選択的に調節する第2の信号を生成する第2の電流源と
を含み、前記ベース信号は、前記第1の信号、及び前記第2の信号に基づいて決定される、1に記載のオプトカプラシステム。
3.前記電流伝達率(CTR)温度係数補償手段は、
前記ベース信号を受信し、該ベース信号を選択的に増加させることによって所定のレベルの光源駆動信号を生成する電流ミラー回路とを更に含む、2に記載のオプトカプラシステム。
4.前記第1の電流源に接続された1:Nの比を有する第1の電流ミラー回路と、
前記第2の電流源に接続された1:Mの比を有する第2の電流ミラー回路と
を更に含み、前記1:Nの比、及び前記1:Mの比を調節することによって、前記電流伝達率の温度係数の補償量がプログラムされる、2に記載のオプトカプラシステム。
5.前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を部分的に補償する、2に記載のオプトカプラシステム。
6.前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を完全に補償する、2に記載のオプトカプラシステム。
7.前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を過剰に補正する、2に記載のオプトカプラシステム。
8.前記第1の電流源は、絶対温度に対して相補的な電流源であり、前記第2の電流源は、絶対温度に比例する電流源である、2に記載のオプトカプラシステム。
9.電流伝達率温度係数を補償する方法であって、
閾値信号におけるプロセス変動、及び温度変動のうちの一方に一致する第1の信号を生成するステップと、
電流伝達率の温度係数を補償する第2の信号を生成するステップと、
前記第1の信号、及び前記第2の信号に基づいてベース信号を生成するステップと
を含み、前記ベース信号によって前記CTRの温度係数が補償される、方法。
10.前記ベース信号を所定量だけ増加させ、光源駆動信号を生成するステップを更に含む、9に記載の方法。
11.前記CTRの温度係数の補償は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を補償することからなる、9に記載の方法。
12.前記CTRの温度係数の補償は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を部分的に補償することからなる、9に記載の方法。
13.前記CTRの温度係数の補償は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を完全に補償することからなる、9に記載の方法。
14.前記CTRの温度係数の補償は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を過剰に補償することからなる、9に記載の方法。
15.温度係数を有する電流伝達率(CTR)を有するオプトカプラにおける、光源駆動信号と光検出装置信号の間の電流伝達率(CTR)温度係数補償装置であって、
基準信号の変動に一致する第1の信号を生成する第1の電流源と、
前記CTRの温度係数を選択的に補償する第2の信号を生成する第2の電流源と
を含み、前記装置によって生成されるベース信号が、前記第1の信号、及び前記第2の信号に基づいて決定される、電流伝達率温度係数補償装置。
16.前記ベース信号を受信し、該ベース信号を選択的に増加させることにより、所定のレベルの光源駆動信号を生成する電流ミラー回路を更に含む、15に記載の電流伝達率温度係数補償装置。
17.前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成ことにより、前記CTRの温度係数を補償する、15に記載の電流伝達率温度係数補償装置。
18.前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成することにより,前記CTRの温度係数を部分的に補償する、15に記載の電流伝達率温度係数補償装置。
19.前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を完全に補償する、15に記載の電流伝達率温度係数補償装置。
20.前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を過剰に補償する、15に記載の電流伝達率温度係数補償装置。
上記の説明では、特定の実施形態を参照して本発明を説明している。しかしながら、当然ながら、本発明の広い範囲から外れることなく、それらの実施形態に対して種々の変更、及び修正を施すことも可能である。したがって、本明細書、及び図面は例示のためのものであり、制限の意味で解釈してはならない。
本発明の一実施形態による電流伝達率温度補償手段を備えたオプトカプラシステムを示すブロック図である。 本発明の一実施形態による図1のオプトカプラシステムの詳細を示す図である。 本発明の一実施形態による電流伝達率温度係数(CTRTC)補償手段の一例を示す回路図である。 本発明の一実施形態による電流伝達率温度係数補償手段により実施される方法を示すフロー図である。
符号の説明
100 オプトカプラシステム
110 バッファ回路
120 温度係数補償手段
130,320,330 光源
140 絶縁体
160 検出装置

Claims (8)

  1. 絶縁体(140)と、
    駆動信号によって駆動されたときに前記絶縁体(140)を通過する光を生成する光源(130)を含むバッファ回路(110)と、
    前記絶縁体(140)を通過する光を受光し、受光した光に基づいて検出信号を生成する検出装置(160)と、
    前記駆動信号と前記検出信号の間における、温度係数を有する電流伝達率(CTR)と、
    前記CTRの温度係数を補償する電流伝達率(CTR)温度係数補償手段(120)と
    を含む、オプトカプラシステム(100)。
  2. 前記電流伝達率(CTR)温度係数補償手段は、
    基準信号の変動に一致する第1の信号を生成する第1の電流源(320)と、
    前記CTRの温度係数を選択的に調節する第2の信号を生成する第2の電流源(330)と
    を含み、前記ベース信号は、前記第1の信号、及び前記第2の信号に基づいて決定される、請求項1に記載のオプトカプラシステム。
  3. 前記電流伝達率(CTR)温度係数補償手段は、
    前記ベース信号を受信し、該ベース信号を選択的に増加させることによって所定のレベルの光源駆動信号を生成する電流ミラー回路を更に含む、請求項2に記載のオプトカプラシステム。
  4. 前記第1の電流源に接続された1:Nの比を有する第1の電流ミラー回路と、
    前記第2の電流源に接続された1:Mの比を有する第2の電流ミラー回路と
    を更に含み、前記1:Nの比、及び前記1:Mの比を調節することによって、前記電流伝達率の温度係数の補償量がプログラムされる、請求項2に記載のオプトカプラシステム。
  5. 前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を部分的に補償する、請求項2に記載のオプトカプラシステム。
  6. 前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を完全に補償する、請求項2に記載のオプトカプラシステム。
  7. 前記第2の電流源は、前記ベース信号の温度係数を選択的に増加させる第2の信号を生成することにより、前記CTRの温度係数を過剰に補償する、請求項2に記載のオプトカプラシステム。
  8. 前記第1の電流源は、絶対温度に対して相補的な電流源であり、前記第2の電流源は、絶対温度に比例する電流源である、請求項2に記載のオプトカプラシステム。
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