JP2007135248A - 圧電薄膜共振子およびフィルタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】例えば本発明のフィルタは、基板110上の積層共振体120と、積層共振体120および基板110により囲まれてなる空隙部110aとを含む圧電薄膜共振子100Aが複数接続されたものである。積層共振体120は、基板110側の第1面およびこれとは反対の第2面を有する圧電膜123と、前記第1面に接する部位を有して空隙部110aに部分的に露出する電極膜121と、前記第2面に接する部位を有する電極膜122とからなる。積層共振体120にて圧電膜123を介して両電極膜121,122が重複する領域は励振部を構成し、励振部は電極膜121側で空隙部110aに露出する。空隙部110aの励振部に接する面積は、空隙部110aの積層共振体120に接する面積より小さい。
【選択図】図13
Description
前記第1の面に接する第1電極膜、当該第1電極膜に重なる圧電膜、および当該圧電膜に重なる第2電極膜からなる積層共振体と、を備え、
前記基板には、前記積層共振体に対応する位置において、前記第1の面にて開口する第1開口部および前記第2の面にて開口する第2開口部を有しつつ前記第1の面に対して略垂直な空隙部が開設されていることを特徴とする、圧電薄膜共振子。
(付記2)前記第1電極膜は、一軸配向構造を有する単層導電膜、または、一軸配向構造を有する複数の導電膜が積層されてなる積層導電膜である、付記1に記載の圧電薄膜共振子。
(付記3)前記圧電膜は一軸配向構造を有する、付記2に記載の圧電薄膜共振子。
(付記4)前記基板は(111)カットのシリコン基板であり、前記第1の面および前記第2の面は(111)面である、付記1から3のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子。
(付記5)(111)面である第1の面を有する(111)カットのシリコン基板と、
AlまたはCuを含んで前記第1の面に接する第1電極膜と、
AlNまたはZnOを含んで前記第1電極膜に重なる圧電膜と、
前記圧電膜に重なる第2電極膜と、を備えることを特徴とする、圧電薄膜共振子。
(付記6)前記第1電極膜は、(111)の一軸配向構造をとるAlまたはCuを含む単層導電膜である、付記4または5に記載の圧電薄膜共振子。
(付記7)前記第1電極膜は、一軸配向構造を有する複数の導電層が積層されてなり、(111)の一軸配向構造をとるAlまたはCuを含んで前記第1の面に接する第1導電層を有する積層導電膜である、付記4または5に記載の圧電薄膜共振子。
(付記8)前記第1電極膜は、(111)の一軸配向構造をとるAlまたはCuを含んで前記第1の面に接する第1導電層と、(110)の一軸配向構造をとるMoを含む第2導電層とからなる2層導電膜である、付記4または5に記載の圧電薄膜共振子。
(付記9)前記圧電膜は、(002)の一軸配向構造をとるAlNまたはZnOである、付記6から8のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子。
(付記10)更に、前記基板の前記第2の面に接合されて前記空隙部を閉塞するカバー基板を有する、付記1から4および6から9のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子。
(付記11)前記第1開口部および前記第2開口部の形状は、円または楕円である、付記1から4および6から10のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子。
(付記12)前記第1電極膜の一部および前記圧電膜の一部は、前記空隙部に露出している、付記1から4および6から11のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子。
(付記13)第1の面およびこれと反対の第2の面を有する基板と、
前記第1の面に接する第1電極膜、当該第1電極膜に重なる圧電膜、および当該圧電膜に重なる第2電極膜からなる積層共振体と、を備え、
前記基板には、前記積層共振体に対応する位置において、前記第1の面にて開口する第1開口部を有する空隙部が開設されており、
前記第1電極膜の一部および前記圧電膜の一部は、前記空隙部に露出していることを特徴とする、圧電薄膜共振子。
(付記14)前記第1電極膜において前記空隙部に露出する部分、および、前記圧電膜において前記空隙部に露出する部分は、フッ素系のガスでエッチングされない導電性材料により構成されている、付記12または13に記載の圧電薄膜共振子。
(付記15)前記積層共振体における励振部の面積に対する前記第1開口部の面積の比は、1〜2.25である、付記1から4および6から14のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子。
(付記16)前記第1電極膜の励振部の形状と前記第2電極膜の励振部の形状は略一致している、付記1から15のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子。
(付記17)前記第1電極膜の励振部の形状および前記第2電極膜の励振部の形状は、円または楕円の一部を有する、付記1から16のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子。
(付記18)付記1から17のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子を少なくとも1つ含んだ複数の圧電薄膜共振子を有し、当該複数の圧電薄膜共振子が一体となって動作することを特徴とする、フィルタ。
(付記19)第1の面およびこれと反対の第2の面を有する基板と、
前記第1の面に接する第1電極膜、当該第1電極膜に重なる圧電膜、および当該圧電膜に重なる第2電極膜からなる複数の積層共振体と、
前記基板における、前記積層共振体の各々に対応する位置において、前記第1の面にて開口する第1開口部および前記第2の面にて開口する第2開口部を有しつつ前記第1の面に対して略垂直に開設された空隙部と、を備えて複数の圧電薄膜共振子が一体的に形成されており、
隣接する前記第1開口部間の距離は420μm以下であることを特徴とする、フィルタ。
(付記20)前記複数の圧電薄膜共振子は、相互に直列に接続された複数の第1圧電薄膜共振子と、相互に並列に接続された複数の第2圧電薄膜共振子とを含み、前記複数の第1圧電薄膜共振子および前記複数の第2圧電薄膜共振子によりラダー型フィルタとして構成されている、付記18または19に記載のフィルタ。(付記21)前記複数の圧電薄膜共振子の少なくとも1つにおいて、前記第1電極膜の一部および前記圧電膜の一部は、前記空隙部に露出している、付記19または20に記載のフィルタ。
(付記22)第1の面およびこれと反対の第2の面を有する基板と、
前記第1の面に接する第1電極膜、当該第1電極膜に重なる圧電膜、および当該圧電膜に重なる第2電極膜からなる複数の積層共振体と、
前記基板における、前記積層共振体の各々に対応する位置において、前記第1の面にて開口する第1開口部を有するように開設された空隙部と、を備えて複数の圧電薄膜共振子が一体的に形成されており、
前記複数の圧電薄膜共振子の少なくとも1つにおいて、前記第1電極膜の一部および前記圧電膜の一部は、対応する空隙部に露出していることを特徴とする、フィルタ。
(付記23)前記第1電極膜において前記空隙部に露出する部分、および、前記圧電膜において前記空隙部に露出する部分は、フッ素系のガスでエッチングされない導電性材料により構成されている、付記19から22のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子。
(付記24)前記第1電極膜の励振部の形状と前記第2電極膜の励振部の形状は略一致している、付記19から23のいずれか1つに記載のフィルタ。
(付記25)前記積層共振体における励振部の面積に対する前記第1開口部の面積の比は、1〜2.25である、付記19から24のいずれか1つに記載のフィルタ。
(付記26)前記第1開口部および前記第2開口部の形状は、円または楕円である、付記19から25のいずれか1つに記載のフィルタ。
(付記27)第1の面およびこれと反対の第2の面を有する基板に、前記第1の面に接する第1電極膜と、当該第1電極膜に重なる圧電膜と、当該圧電膜に重なる第2電極膜とからなる積層共振体を形成する工程と、
前記基板に対して、ドライエッチングにより、前記積層共振体に対応する位置において前記第1の面および前記第2の面にて開口する空隙部を前記第1の面に対して略垂直に形成する工程と、を含むことを特徴とする、圧電薄膜共振子の製造方法。
(付記28)第1の面およびこれと反対の第2の面を有する基板に、前記第1の面に接する第1電極膜と、当該第1電極膜に重なる圧電膜と、当該圧電膜に重なる第2電極膜とからなる積層共振体を形成する工程と、
前記基板に対して、ドライエッチングにより、前記積層共振体に対応する位置において前記第1の面および前記第2の面にて開口する空隙部を形成する工程とを含み、
前記空隙部を形成する工程において、前記第1電極膜の一部および前記圧電膜の一部を前記空隙部に露出させることを特徴とする、圧電薄膜共振子の製造方法。
(付記29)前記ドライエッチングはDeep−RIEである、付記27または28に記載の圧電薄膜共振子の製造方法。
(付記30)更に、前記空隙部を閉塞するように前記基板の前記第2の面にカバー基板を接合する工程を含む、付記27から29のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子の製造方法。
(付記31)前記空隙部を形成する工程では、圧電薄膜共振子またはこれにより構成されるフィルタの輪郭を規定する溝部もエッチング形成される、付記27から30のいずれか1つに記載の圧電薄膜共振子の製造方法。
500,600 バンドパスフィルタ
110,410 シリコン基板
110a,410a 空隙部
111,411 第1の面
111a,411a 第1開口部
112,412 第2の面
112a,412a 第2開口部
120,420 積層共振体
121,221,421 第1電極膜
122,222,422 第2電極膜
123,423 圧電膜
Claims (7)
- 基板上に設けられた積層共振体と、当該積層共振体および前記基板により囲まれてなる空隙部と、を含んで構成される圧電薄膜共振子が、複数接続されたフィルタであって、
前記積層共振体は、前記基板の側を向く第1面およびこれとは反対の第2面を有する圧電膜と、前記圧電膜の前記第1面の側に接する部位を有し且つ前記空隙部に部分的に露出する第1電極膜と、前記圧電膜の前記第2面の側に接する部位を有する第2電極膜とからなり、
前記積層共振体において前記圧電膜を介して前記第1電極膜および前記第2電極膜が重複する領域は、励振部を構成し、当該励振部はその第1電極膜側で前記空隙部に露出し、
前記空隙部の前記励振部に接する面積は、前記空隙部の前記積層共振体に接する面積より小さく、
前記複数の圧電薄膜共振子のうち少なくとも二つの圧電薄膜共振子は、各々の前記第2電極膜どうしの接続により電気的に接続されている、フィルタ。 - 前記圧電膜の一部は、前記空隙部に露出する、請求項1に記載のフィルタ。
- 前記第1電極膜は、前記圧電膜に接しない第1導電層と前記圧電膜に接する第2導電層とを少なくとも含む積層構造を有し、前記第2導電層および前記第2電極膜は、同じ材料よりなる、請求項1または2に記載のフィルタ。
- 前記第1導電層は、AlまたはCuを含む導電膜である、請求項1から3のいずれか一つに記載のフィルタ。
- 前記圧電膜は、AlNまたはZnOよりなる、請求項1から4のいずれか一つに記載のフィルタ。
- 前記空隙部の平面視形状は、円または楕円である、請求項1から5のいずれか一つに記載のフィルタ。
- 前記複数の圧電薄膜共振子は、相互に直列に接続された複数の第1圧電薄膜共振子と、相互に並列に接続された第2圧電薄膜共振子とからなり、当該第1および第2圧電薄膜共振子によりラダー型フィルタとして構成されている、請求項1から6のいずれか一つに記載のフィルタ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010166371A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電デバイスの製造方法 |
JP2011139295A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Ngk Insulators Ltd | 障害物の超音波検知デバイス |
WO2015076135A1 (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | コニカミノルタ株式会社 | 薄膜圧電アクチュエータおよびその製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58156220A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nec Corp | 薄膜圧電フイルタ |
JPS6031305A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電共振子 |
JPS60126907A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単一応答複合圧電振動素子 |
JPS63187714A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
JPH03242982A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 圧電薄膜素子 |
JPH08148968A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
JPH1052280A (ja) * | 1987-07-17 | 1998-02-24 | Schering Biotech Corp | 新規プロモーター |
JPH11205898A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 誘電体薄膜素子用電極およびその製造方法とそれを用いた超音波振動子 |
JP2001024476A (ja) * | 1999-06-02 | 2001-01-26 | Agilent Technol Inc | 送受切換器 |
-
2007
- 2007-02-16 JP JP2007035997A patent/JP2007135248A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58156220A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nec Corp | 薄膜圧電フイルタ |
JPS6031305A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電共振子 |
JPS60126907A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単一応答複合圧電振動素子 |
JPS63187714A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
JPH1052280A (ja) * | 1987-07-17 | 1998-02-24 | Schering Biotech Corp | 新規プロモーター |
JPH03242982A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 圧電薄膜素子 |
JPH08148968A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
JPH11205898A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 誘電体薄膜素子用電極およびその製造方法とそれを用いた超音波振動子 |
JP2001024476A (ja) * | 1999-06-02 | 2001-01-26 | Agilent Technol Inc | 送受切換器 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010166371A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電デバイスの製造方法 |
JP2011139295A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Ngk Insulators Ltd | 障害物の超音波検知デバイス |
WO2015076135A1 (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | コニカミノルタ株式会社 | 薄膜圧電アクチュエータおよびその製造方法 |
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