JP2007134453A - マイクロマシン混載の電子回路装置、およびマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子回路の信頼性を損なうことなく、マイクロマシンの動作が確実になされる空洞部の形成を行うことができるようにする。
【解決手段】マイクロマシン動作構造部７が、配線層間絶縁層９に形成されたエッチング用開口１２ａ内に配置され、マイクロマシン動作構造部７下に、エッチングストップ層４が配置される。配線層間絶縁層９におけるエッチング用開口１２ａの内側壁面に、エッチング保護壁１２がマイクロマシン動作構造部７と所要の間隔を保持して形成され、上記マイクロマシン動作構造部７の配置部に、その全外表面が、他部と非接触状態を保持する空洞部１３が形成されて、エッチング保護壁１２によって空洞部１３の形成による隣接配線部への特性劣化を回避する。
【選択図】図４

Description

本発明は、共通の基板上に例えばミクロンオーダ、ナノオーダサイズの微小電気機械素子いわゆるマイクロマシン素子と電子回路とが作り込まれたマイクロマシン混載の電子回路装置、およびマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法に関する。

マイクロマシン（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical System）素子の研究開発はめざましく、昨今においては、センサ、アクチュエータ、光学、バイオ、高周波回路等など様々な分野での利用が展開されている。
例えば加速度センサやマイクロミラーデバイスなど、一部のデバイスは既に商品化され、日常生活の中にも見られるようになってきた。
このような進展とともに、これまでは単機能だったＭＥＭＳを、例えばその周辺回路を構成する電子回路に組み込んでマイクロマシンと電子回路の混載装置で作りこんでシステムとしての機能を与えたり、マイクロマシン混載の電子装置を構成することで、より利便性を高めることができると考えられる。

マイクロマシンの製造においては、通常、半導体製造技術が多く適用されていること、また、マイクロマシンのより小型化によるフットプリントの減少化、さらに、半導体装置の複合化で行なわれているＳｉＰ（System in Package）やＳｏＣ（System on Chip）の利用が可能であるなどの諸条件から、マイクロマシンと、その周辺回路を構成する半導体回路との複合化、言い換えれば、共通基板上にマイクロマシン混載の電子回路装置を構成することの実現化の要求が高まっている。

このように、マイクロマシン素子を、電子回路に組み込むに当たっては、このマイクロマシンの振動、移動、回転等の機械的動作がなされるマイクロマシン構造物が、必要とされる動作が阻害されることがないように、その配置部周辺には空洞部が形成される。
通常この空洞部の形成は、その製造過程で、空洞部の形成部にあらかじめ犠牲層を形成しておき、この上に、上述した機械的動作がなされるマイクロマシン構造物を形成し、その後、犠牲層をエッチング除去することによって、マイクロマシン構造物が動作可能に空洞部に形成するようになされる（例えば特許文献１参照）。

ところで、マイクロマシン混載の電子回路装置を構成する場合、電子回路部における配線部は、導電性にすぐれたＡｌ配線によって構成される。
一方、マイクロマシンの作製においては、上述した半導体製造技術の適用ができ、また、機械的特性にすぐれていることからポリシリコンによって構成することが望まれる。このポリシリコンによる場合、電気的特性、例えばリンドープのポリシリコンで、その抵抗の低下を図ることから比較的高温の熱処理が必要とされ。これに対して、電子回路の配線は、Ａｌのように耐熱性の低い金属層によって構成される。このため、この配線部は、マイクロマシンの形成後に形成する。

しかし、この手順による場合、マイクロマシン上にも層間絶縁層の堆積がなされることから、マイクロマシンの機械的動作を行うことができるようにする空洞部の形成は、この部分の配線層間絶縁層の排除、続いてマイクロマシン構造物下の犠牲層の排除を必要とする。

絶縁層に対し開口を形成する方法は、すでに多く知られているところである。例えばフォトダイオード等の受光を必要とする部分に開口部を形成する半導体装置の製造方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。
しかしながら、この技術を上述したマイクロマシン混載の電子回路に直ちに適用することは最適な方法とは言いがたい点を有する。
すなわち、この特許文献２に記載の発明は、下地部材（例えば受光素子の受光面）を覆って形成された酸化シリコン膜を、受光面上の画定された領域に、画定的に開口を形成する手法である。この場合に、受光面の表面の反射防止膜等の表面膜に損傷を来たすことがないように、ウエットエッチングによって開口の形成を行う。このウエットエッチングは、その等方性によって、開口が広がることから、この発明では、この広がりを回避して、受光面の所定領域にエッチングがなされるように、受光面上でエッチングストッパを形成するという手法によるものである。

これに対し、マイクロマシンにあっては、そのマイクロマシン動作構造部が機械的動作ができるように、その支持部以外の全周辺、すなわちその上および周囲の層間絶縁層と下層の犠牲層を、排除して空洞部を形成することが必要となる。
このような空洞部の形成は、隣接する電子回路への影響、特に配線部の層間絶縁層への影響、これに伴う配線パターンの信頼性、耐久性の低下を考慮する必要がある。
特開平９−１６２４６２号公報 特開２００２−２４６３６３号公報

本発明は、マイクロマシン混載の電子回路装置にあって、その機械的動作が確実になされる空洞部の形成を容易に、また隣接する電子回路に、特性劣化、耐久性劣化等の影響の改善を図ることができるようにしたマイクロマシン混載の電子回路装置およびマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法を提供するものである。

本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置は、共通の基板上に、マイクロマシン素子と電子回路とが混載され、配線層間絶縁層が堆積されて成るマイクロマシン混載の電子回路装置であって、上記マイクロマシン素子の機械的動作がなされるマイクロマシン動作構造部が、上記配線層間絶縁層に形成されたエッチング用開口内に配置され、上記マイクロマシン動作構造部下に、エッチングストップ層が配置され、上記配線層間絶縁層の上記エッチング用開口の内側壁面に、エッチング保護壁が上記マイクロマシン動作構造部と所要の間隔を保持して形成され、上記マイクロマシン動作構造部の配置部に、該マイクロマシン動作構造部の機械的支持部以外の全外表面が、他部と非接触状態を保持する空洞部が形成され、上記マイクロマシン動作構造部の機械的動作が阻害されない構造としたことを特徴とする。

本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法は、共通の基板上に、マイクロマシン素子と電子回路とが混載され、配線層間絶縁層が堆積されて成るマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法であって、上記基板の電子回路の形成部に、電子回路素子を形成する工程と、上記基板のマイクロマシン素子の形成部に、エッチングストップ層を形成する工程と、該エッチングストップ層上に犠牲層を形成する工程と、該犠牲層上に、上記マイクロマシン動作構造部を有するマイクロマシン素子を形成する工程と、配線層間絶縁層と配線パターンの形成工程と、上記マイクロマシン素子の上記マイクロマシン素子の機械的動作がなされるマイクロマシン動作構造部を形成する工程と、少なくとも該マイクロマシン動作構造部と少なくとも上記電子回路の形成部との間に上記マイクロマシン動作構造部と所要の距離を隔てて、上記配線層間絶縁層に溝を掘り込む工程と、該溝内に耐エッチング材を充填してエッチング保護壁を形成する工程と、上記配線層間絶縁層に、上記マイクロマシン動作構造部を露出する開口を形成すると共に、上記マイクロマシン動作構造部下の上記犠牲層をエッチング除去する等方性エッチング工程とを有し、上記マイクロマシン動作構造部の配置部に、該マイクロマシン動作構造部の機械的支持部以外の全外表面が、他部と非接触状態を保持する空洞部が形成されるようにしたことを特徴とする。

また、本発明は、上述したマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法と同様の工程をとるものであるが、上述した等方性エッチング工程の後に、上記エッチング保護壁を除去する工程をとる。

上述した本発明によるミクロンオーダ、ナノオーダサイズに及ぶ微小電気機械素子のマイクロマシン混載の電子回路装置によれば、マイクロマシン動作構造部とこれに隣接する電子回路部との間に保護壁が介在された構成によることから、電子回路部の特に配線パターンの配線層間絶縁層の損傷による絶縁性の低下、これによる配線パターンの電気的、機械的特性の経時劣化を回避することができる。

また、本発明製造方法によれば、配線層間絶縁層に対するマイクロマシン動作構造部の可動化の空洞部の形成をマイクロマシン動作構造部から離間した位置にエッチング保護壁を設けて行なうようにしたことから、この電子回路の配線部への影響を与えることなく、マイクロマシン動作構造部下の犠牲層排除のエッチングを含めて確実に行うことができる。
したがって、電子回路の信頼性を損なうことなく、マイクロマシンの動作が確実になされる空洞部の形成を行うことができるものである。

本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置およびマイクロマシンと電子回路の混載装置の製造方法の実施の形態例を図面を参照して説明するが、本発明は、この例示に限定されるものではないことはいうまでもない。
図１〜図４の各ＡおよびＢは、マイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法の一例の各製造工程の概略断面図である。
この例では、共通の基板上に、高周波共振器を構成するマイクロマシン素子（すなわち微小電気機械素子）とその周辺回路による電子回路が形成された高周波フィルタを構成するマイクロマシン混載の電子回路装置を例示したものである。
この場合、図１Ａに示すように、例えばシリコン半導体より成る基板１に、電子回路を構成する回路素子２を形成する。この回路素子２は、通常の半導体集積回路の製造方法と同様の周知の方法によって形成される。図においては、回路素子として、ＣＭＯＳを構成する１つのＭＯＳのみが開示されている。
シリコン基板１の回路素子の形成部以外のフィールド部には、例えば局部的熱酸化（ＬＯＣＯＳ：Local Oxidation of silicon）による素子分離絶縁層３が形成されている。

シリコン基板１上には、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によってＳｉＯ_２による下層絶縁層９ｄが被着形成される。
そして、下層絶縁層９ｄ上のマイクロマシン素子すなわち共振器の形成部に、エッチングストップ層４と、その上に共振器の導電パターン５を形成する。
エッチングストップ層４は、例えば減圧ＣＶＤによってＳｉＮ層を全面的に形成し、フォトリソグラフィによって、不要部分をエッチング除去して形成する。
導電パターン５は、例えばりん（Ｐ）ドープのポリシリコンを、同様に全面的に形成し、フォトリソグラフィによって所要のパターンに形成する。この導電パター５は、ＭＥＭＳ共振器の機械的振動がなされるマイクロマシン動作構造部に対する電荷供給がなされる端子パター５１および５２と、入力信号線５ｉと出力信号線５ｏとが形成される。

図１Ｂに示すように、導電パターン５上のＭＥＭＳ素子の形成部に犠牲層６を形成する。この犠牲層６は例えばＣＶＤによる酸化シリコン例えばＳｉＯ_２層を全面的に形成し、同様にフォトリソグラフィによってパターン化し、端子パターン５１および５２上の、最終的に形成されるマイクロマシン動作構造部７の支持部、すなわち橋脚を構成する部分に開口６ａが形成されたパターンとする。

次に、図２Ａに示すように、犠牲層６上に、その開口６ａ内を含めて例えばＣＶＤによってポリシリコン層を形成し、これをフォトリソグラフィによってパターン化し、例えば平面形状が直方形状のマイクロマシン動作構造部７を形成する。
その後、導電パターン５およびマイクロマシン動作構造部７の活性化処理を通常の不純物活性化条件で行う。この処理は、例えば窒素雰囲気中で８００℃〜９００℃の熱処理によって行なう。
そして図２Ｂに示すように、配線部８を形成する。この配線部８は、通常におけるように、例えば多層の配線層間絶縁層９の介在によって多層の配線パターン１０が積層される。積層された所定の配線パターン１０間が、配線層間絶縁層９に貫通して形成された貫通孔いわゆるビアホール内に形成された連結導電体１０ｃを介して接続されて構成される。この場合、通常の半導体集積回路装置におけると同様に、その配線層間絶縁層９は、電子回路の形成部およびマイクロマシンの形成部上を含んで全面的に堆積させる。この配線層間絶縁層９は、犠牲層６とエッチング液が共通のＳｉＯ_２によって構成される。

次に、図３Ａに示すように、少なくともマイクロマシン動作構造部7の形成部と配線部８との間に介在されるように、例えばマイクロマシン動作構造部７を取り囲んで、かつマイクロマシン動作構造部７の周辺から所要の間隙を隔てた位置に、溝１１を配線層間絶縁層９を横切る深さに、例えばドライエッチングによる異方性エッチングによって形成する。

図３Ｂに示すように、エッチングに耐性を有し、低温で溝１１内を良好に埋め込むことができる保護材料層１２Ｍ、例えばＳｉＮエッチング保護材を例えばプラズマＣＶＤによって形成して溝１１内を充填する。このよういして溝１１内にエッチング保護壁１２を形成する。

図４Ａに示すように、エッチング保護材料層１２Ｍの、マイクロマシン動作構造部７の配置部上にエッチング用開口１２ａを、フォトリソグラフィ技術の適用によって形成する。
次に、図４Ｂに示すように、この開口１２ａを通じて、フッ酸によるウエットエッチング、すなわち等方性エッチングによって配線層間絶縁層９と犠牲層６とをエッチング除去して、空洞部１３を形成する。
また、配線部８の外部に接続する配線パターン１０上の配線層間絶縁層９にコンタクト窓１８をフォトリソグラフィによるパターンエッチングによって開口する。

このようにして、空洞部１３内に、犠牲層６の排除によってマイクロマシン動作構造部７が、犠牲層６の開口６ａを通じて端子パターン５１および５２に連結された橋脚による支持部１４以外のすべてがその全周辺すなわち全外表面が他部と離間した構成とされ、その機械的動作、この例では、振動が阻害されることがない中空構造によるマイクロマシン動作構造部７を有するマイクロマシン素子１５が構成される。そして、このマイクロマシン素子１５が形成された共通の基板１に、回路素子２と配線部８を有する電子回路１６が形成された目的とするマイクロマシン混載の電子回路装置１７が構成される。

この構成によるマイクロマシン混載の電子回路装置１７は、端子リード５１および５２によって、マイクロマシン動作構造部７に所要の電圧を印加することによってこのマイクロマシン動作構造部７に静電荷が蓄積された状態で、入力信号線５ｉに入力信号を導入すると、マイクロマシン動作構造部７の固有振動数に一致する周波数の入力信号によってマイクロマシン動作構造部７が共鳴し、大きい振幅を持って振動する。これによってマイクロマシン素子１５と周辺回路を構成する電子回路部１６とによって所定の周波数のフィルタ回路を構成することができる。

そして、この構成によるマイクロマシン混載の電子回路装置１７は、マイクロマシン動作構造部７とこれに隣接する電子回路部１６との間にエッチング保護壁１２が介在された構成によることから、電子回路部１６の特に配線パターンの配線層間絶縁層１０が、空洞部１３を形成するエッチングによって損傷することによる絶縁性の低下、これによる配線パターンの電気的、機械的特性の経時劣化を回避することができる。

また、本発明製造方法によれば、配線層間絶縁層１０に対するマイクロマシン動作構造部７の可動化の空洞部１３の形成をマイクロマシン動作構造部７から離間した位置にエッチング保護壁を設けて行なうようにしたことから、電子回路部１６の配線部への影響を回避でき、マイクロマシン動作構造部７下の犠牲層６の排除のエッチングを含めて確実に行うことができる。
したがって、電子回路の信頼性を損なうことなく、マイクロマシンの動作が確実になされる空洞部の形成を行うことができるものである。

上述した製造方法においては、空洞部１３をウエットエッチングのみによって形成した場合であるが、ウエットエッチングに先立ってドライエッチングによって所要の深さまでのエッチングを行い、その後、上述したウエットエッチングによって行なうことができる。
図１〜図４で示した例では、最終的にエッチング保護壁を残存させた構成とした場合であるが、最終的にエッチング保護壁が残存されない構成の電子回路装置を構成することもできる。

図５〜図７の各ＡおよびＢは、それぞれ本発明製造方法の他の例の各工程の要部の断面図である。
これら図５〜図７図を参照して本発明製造方法の他の例を説明する。

この例においても図５Ａに示すように、例えば前述した図１および図２で説明したと同様の方法によって、共通のシリコン半導体による基板１に、回路素子２、配線層間絶縁層９と配線パターン１０が形成された配線部８、マイクロマシン動作構造部７等の形成を行う。

そして、この例においては、堆積された配線層間絶縁層９上に、全面的に例えばプラズマＣＶＤによってＳｉＮによるパッシベーション膜１９を形成する。
次に、この例においては、図５Ｂに示すように、配線部８の外部に接続する配線パターン１０上の配線層間絶縁層９とパッシベーション膜１９に渡ってコンタクト窓１８と、最終的にマイクロマシンを構成する空洞部１３の形成部上に、凹部２０を形成する。

次に、図６Ａに示すように、図３Ａで説明したと同様に、少なくともマイクロマシン動作構造部7の形成部と配線部８との間に介在されるように、例えばマイクロマシン動作構造部７を取り囲んで、かつマイクロマシン動作構造部７の周辺から所要の間隙を隔てた位置に、溝１１を配線層間絶縁層９を横切る深さに、例えばドライエッチングによる異方性エッチングによって形成する。
図６Ｂに示すように、例えばフォトレジストをスピンコートし溝１１内に、低温で、溝１１内を良好に埋め込むことができるフォトレジストを充填して、エチング保護壁１２を形成すると共に、コンタクト窓１８を覆う保護膜２３を形成する。この保護膜２３の凹部２０上には、開口２２を形成する。

図７Ａに示すように、開口２２を通じてフォトレジストによる保護壁１２が耐性を有するＢＨＦ（バッファドフッ酸）のエッチングによるウエットエッチングによる等方性エッチングを行なって配線層間絶縁層９および犠牲層６のエッチング除去をおこなって空洞部１３を形成する。
その後、図７Ｂに示すように、エッチング保護壁１２と保護膜２３をその溶剤によって除去する。

このようにして、空洞部１３内に、犠牲層６の排除によってマイクロマシン動作構造部７が、犠牲層６の開口６ａを通じて端子パターン５１および５２に連結された橋脚による支持部１４以外のすべてがその全周辺すなわち全外表面が他部と離間した構成とされ、その機械的動作、この例では、振動が阻害されることがないマイクロマシン動作構造部７を有するマイクロマシン素子１５が構成される。そして、このマイクロマシン素子１５が形成された共通の基板１に、回路素子２と配線部８を有する電子回路１６が形成された目的とするマイクロマシン混載の電子回路装置１７が構成される。

この製造方法による場合においても、前述した例と同様に、空洞部１３の形成を容易に、かつ他部への影響を効果的に回避することができる。
したがって、本発明によれば、信頼性の高いマイクロマシン混載の電気回路装置を構成することができる。

この例では、マイクロマシン混載の電子回路装置１７として、エッチング保護壁１２が排除された構成としたが、エッチング保護壁１２の材料選定を行うことによってエッチング保護壁１２が残存させる構成とすることもできる。
なお、図５〜図７において、図１〜図４図に対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。

上述した各構成および製造方法において、空洞部１３を構成するウエットエッチングは、マイクロマシン１５の構成材の例えばポリシリコンを侵食しないか極めて侵食性が低く、また、配線層間絶縁層９および犠牲層６の構成材例えばＳｉＯ_２に対して高いエッチング性を有し、エッチングストップ層およびエッチング保護壁１２の構成材の例えばＳｉＮに対してエッチング性がないか十分低いエッチング液の例えばフッ酸系のエッチング液を用いることができる。そして、エッチング保護壁１２の構成材としてフォトレジストが用いられる場合は、空洞部１３を形成するエッチング液は、ＢＨＦ（バッファドフッ酸）を用いることができる。

上述した例では、エッチング保護壁１２を構成するエッチング保護材料が、犠牲層６が、酸化シリコンである場合において、フォトレジスト層、あるいはプラズマＣＶＤによるＳｉＮとしたが、エッチング保護材料は、これに限定されるものではない。犠牲層６のエッチャントに対する耐性を有し、かつメタルハイブリッド戦争にダメージを与えない程度（一般に４００℃以下）の温度で溝１１内を良好に充填することができる材料であればよく、例えば有機系ではポリイミド、無機系ではプラズマＣＶＤによるアモルファスシリコンなどによっても構成することができる。

また、上述した例では、基板１がシリコン基板である場合を例示したが、絶縁ないしは半絶縁基体上に半導体層が形成された基板を用いることもできるなど、本発明は、上述した例に限られるものではなく、種々の変形、変更を行うことができるものである。

ＡおよびＢは、本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法の一例の各製造工程の概略断面図である。 ＡおよびＢは、本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法の一例の各製造工程の概略断面図である。 ＡおよびＢは、本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法の一例の各製造工程の概略断面図である。 ＡおよびＢは、本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法の一例の各製造工程の概略断面図である。 ＡおよびＢは、本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法の他の例の各製造工程の概略断面図である。 ＡおよびＢは、本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法の他の例の各製造工程の概略断面図である。 ＡおよびＢは、本発明によるマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法の他の例の各製造工程の概略断面図である。

符号の説明

１……基板、２……回路素子、３……素子分離絶縁層、４……エッチングストップ層、５……導電パターン，５ｉ……入力信号線、５ｏ……出力信号線、６……犠牲層、６ａ……開口、７……マイクロマシン動作構造部、８……配線部、９……配線層間絶縁層、９ｄ……下層絶縁層、１０……配線パターン、１０ｃ……連結導電体、１１……溝、１２ａ……エッチング用開口、１２……エッチング保護壁、１２Ｍ……エッチング保護材料層、１３……空洞部、１７……マイクロマシン混載の電子回路装置、１８……コンタクト窓、１９……パッシベーション膜、２０……凹部、２２……開口、２３……保護膜、５１，５２……端子パターン

Claims (6)

1. 共通の基板上に、マイクロマシン素子と電子回路とが混載され、配線層間絶縁層が堆積されて成るマイクロマシン混載の電子回路装置であって、
   上記マイクロマシン素子の機械的動作がなされるマイクロマシン動作構造部が、上記配線層間絶縁層に形成されたエッチング用開口内に配置され、
   上記マイクロマシン動作構造部下に、エッチングストップ層が配置され、
   上記配線層間絶縁層の上記エッチング用開口の内側壁面に、エッチング保護壁が上記マイクロマシン動作構造部と所要の間隔を保持して形成され、
   上記マイクロマシン動作構造部の配置部に、該マイクロマシン動作構造部の機械的支持部以外の全外表面が、他部と非接触状態を保持する空洞部が形成され、上記マイクロマシン動作構造部の機械的動作が阻害されない構造とした
   ことを特徴とするマイクロマシン混載の電子回路装置。
2. 上記マイクロマシン動作構造部が上記空洞部による中空構造を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子回路装置。
3. 共通の基板上に、マイクロマシン素子と電子回路とが混載され、配線層間絶縁層が堆積されて成るマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法であって、
   上記基板の電子回路の形成部に、電子回路素子を形成する工程と、
   上記基板のマイクロマシン素子の形成部に、エッチングストップ層を形成する工程と、
   該エッチングストップ層上に犠牲層を形成する工程と、
   該犠牲層上に、上記マイクロマシン動作構造部を有するマイクロマシン素子を形成する工程と、
   配線層間絶縁層と配線パターンの形成工程と、
   上記マイクロマシン素子の上記マイクロマシン素子の機械的動作がなされるマイクロマシン動作構造部を形成する工程と、
   少なくとも該マイクロマシン動作構造部と少なくとも上記電子回路の形成部との間に上記マイクロマシン動作構造部と所要の距離を隔てて、上記配線層間絶縁層に溝を掘り込む工程と、
   該溝内に耐エッチング材を充填してエッチング保護壁を形成する工程と、
   上記配線層間絶縁層に、上記マイクロマシン動作構造部を露出する開口を形成すると共に、上記マイクロマシン動作構造部下の上記犠牲層をエッチング除去する等方性エッチング工程とを有し、
   上記マイクロマシン動作構造部の配置部に、該マイクロマシン動作構造部の機械的支持部以外の全外表面が、他部と非接触状態を保持する空洞部が形成されるようにした
   ことを特徴とするマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法。
4. 共通の基板上に、マイクロマシン素子と電子回路とが混載され、配線層間絶縁層が堆積されて成るマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法であって、
   上記基板の電子回路の形成部に、電子回路素子を形成する工程と、
   上記基板のマイクロマシン素子の形成部に、エッチングストップ層を形成する工程と、
   該エッチングストップ層上に犠牲層を形成する工程と、
   該犠牲層上に、上記マイクロマシン動作構造部を有するマイクロマシン素子を形成する工程と、
   配線層間絶縁層と配線パターンの形成工程と、
   上記マイクロマシン素子の上記マイクロマシン素子の機械的動作がなされるマイクロマシン動作構造部を形成する工程と、
   少なくとも該マイクロマシン動作構造部と少なくとも上記電子回路の形成部との間に上記マイクロマシン動作構造部と所要の距離を隔てて、上記配線層間絶縁層に溝を掘り込む工程と、
   該溝内に耐エッチング材を充填してエッチング保護壁を形成する工程と、
   上記配線層間絶縁層に、上記マイクロマシン動作構造部を露出する開口を形成すると共に、上記マイクロマシン動作構造部下の上記犠牲層をエッチング除去する等方性エッチング工程と、
   その後、上記エッチング保護壁を除去する工程とを有し、
   上記マイクロマシン動作構造部の配置部に、該マイクロマシン動作構造部の機械的支持部以外の全外表面が、他部と非接触状態を保持する空洞部が形成されるようにした
   ことを特徴とするマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法。
5. 上記配線層間絶縁層に上記マイクロマシン動作構造部を露出する開口を形成するエッチングにおいて、上記等方性エッチングに先立って異方性エッチングを行うことを特徴とするを請求項３または４に記載のマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法。
6. 上記犠牲層は、酸化シリコンによって構成され、
   上記エッチング保護壁は、フォトレジスト層、あるいはＳｉＮ、ポリイミド、アモルファスシリコンによって構成され、
   上記犠牲層のエッチング液は、フッ酸、もしくはバッファドフッ酸を用いた
   ことを特徴とする請求項３または４に記載のマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法。

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