JP2007130688A - 加工方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 被加工膜上に保護膜を形成して光加工を行う技術において、保護膜の除去を容易にする。
【解決手段】 被加工膜107上に有機樹脂で構成された有機膜149を形成する工程と、有機膜149の内部応力を小さくする工程と、有機膜149に加工光を照射し、加工領域の有機膜149を選択除去する工程と、有機膜149をマスクとして、被加工膜107をエッチングする工程を有する。
【選択図】 図7
【解決手段】 被加工膜107上に有機樹脂で構成された有機膜149を形成する工程と、有機膜149の内部応力を小さくする工程と、有機膜149に加工光を照射し、加工領域の有機膜149を選択除去する工程と、有機膜149をマスクとして、被加工膜107をエッチングする工程を有する。
【選択図】 図7
Description
本発明は、光照射により加工を行う加工方法、及びこの加工方法を用いた半導体装置の製造方法に関する。
半導体素子の微細化に伴い、半導体装置製造工程の中のリソグラフィー工程では下層との合わせ(アライメント)技術の高精度化が必須となっている。
しかし、レジスト下層に形成された膜がアライメント光に対して反射や吸収が大きい場合には、アライメントマークからの位置情報を検出が困難になる。例えば、Al等の金属配線を形成するリソグラフィー工程では、Al膜の下層に形成されたアライメントマークの位置を直接検出することはできない。そのため、予めアライメントマーク自身に段差を設け、その後にAl膜を形成し、アライメントマーク上に生じるAl膜の凹凸形状を検出することでアライメントを行わなくてはならない。しかし、Al膜上の表面凹凸はスパッタ蒸着等の成膜方法の性質から、下地の凹凸に対して非対称となるため、アライメント誤差が大きくなり、歩留まりが低下する。そこで、Al膜等アライメント光に対して不透明な膜をアブレーション技術によって選択的に除去する方法が提案されている。
アブレーション技術はレーザー等の光を用いた加工技術のひとつであり、リソグラフィー技術を用いることなく微細パターンの形成が可能となることから、近年、半導体装置の加工技術として注目されてきている。アブレーションとは被加工膜に光を照射した際、照射強度がある閾値以上に達すると、被加工膜が溶融し、ガス化する反応である。この反応を用いることで、穴あけや切断などの微細加工ができる。
しかし、半導体製造工程にアブレーション技術を用いた場合、アブレーション技術を用いた場合、アブレーション時に完全にガス化しきれなかった金属膜をはじめとする被加工膜の一部は加工領域周辺に飛散し、パーティクルとして付着する。パーティクルがデバイスパターン領域に付着した状態で、次に上層に化学増幅型ポジレジスト膜を形成するとレジスト膜厚差が生じる。そのため、露光・現像後のレジストパターンは所定の寸法に形成することができない。このように作成したレジストパターンをマスクに加工して作成した半導体デバイスはそのデバイス特性に大きくばらつきが生じることが問題となる。
このようなパーティクルによる欠陥を抑制するために、被加工膜上に保護膜を形成した後に光加工を行い、加工終了後に保護膜と一緒にパーティクルを除去する技術がある(例えば、特許文献1参照)。
引用文献1では、保護膜としてポリイミドやポリアミドなどの耐熱性有機材料を用いている。このような耐熱性有機材料は、溶剤に溶けず、保護膜を除去することが困難である。また、本発明者が検討したところ、保護膜除去後も被加工膜上にパーティクルが残ることが分かった。また、保護膜の機械的特性によっては加工時に膜剥がれが生じ、加工不良となるといった問題があった。
特開平5−337661号公報
上述したように、被加工膜上に耐熱性有機材料を形成して光加工を行う場合、耐熱性有機材料を除去することが困難であるという問題があった。
レーザー加工時、加工領域の加工膜を選択的に加工する際に発生するパーティクルが加工領域外に付着し欠陥の原因となるという問題があった。また、加工時に膜剥がれが生じて加工不良になるという問題があった。
本発明の目的は、被加工膜上に保護膜を形成して光加工を行う技術において、保護膜の除去が容易な加工方法、及びこの加工方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
また、本発明のさらなる目的は、欠陥の発生を抑制し得る加工方法、及びこの加工方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために以下のように構成されている。
本発明の一例に係わる加工方法は、被加工膜上に有機樹脂で構成された有機膜を形成する工程と、前記有機膜の内部応力を小さくする工程と、前記有機膜に加工光を照射し、前記加工領域の前記有機膜を選択除去する工程と、前記有機膜をマスクとして、前記被加工膜をエッチングする工程を有することを特徴とする。
本発明の一例に係わる半導体装置の製造方法は、半導体基板と位置合わせマークとを具備する被処理基板上に、被加工膜及び有機膜を形成する工程と、前記有機膜の内部応力を小さくする工程と、前記位置合わせマークを含む領域の前記有機膜に対して加工光を照射することにより、前記有機膜を選択的に除去する工程と、前記有機膜をマスクとして前記前記被加工膜をエッチングする工程と、前記被加工膜のエッチング後、前記有機膜を除去する工程と、前記被加工膜上に感光性膜を形成する工程と、前記位置合わせマークに参照光を照射して該マークの位置を認識する工程と、認識された位置合わせマークの位置情報に基づいて前記感光性膜の所定の位置にエネルギー線を照射して該感光性膜に潜像を形成する工程と、前記潜像が形成された感光性膜を現像する工程とを含むことを特徴とする。
本発明の一例に係わる半導体装置の製造方法は、半導体基板と位置合わせマークとを具備する被処理基板上に、被加工膜及び有機膜を形成する工程と、前記有機膜の内部応力を小さくする工程と、前記位置合わせマークを含む領域の前記有機膜に対して加工光を照射することにより、前記有機膜を選択的に除去する工程と、前記有機膜をマスクとして前記前記被加工膜をエッチングする工程と、前記被加工膜のエッチング後、前記有機膜を除去する工程と、前記被加工膜上に反射防止膜及び感光性膜を順次形成する工程と、前記位置合わせマークに参照光を照射して該マークの位置を認識する工程と、認識された位置合わせマークの位置情報に基づいて前記感光性膜の所定の位置にエネルギー線を照射して該感光性膜に潜像を形成する工程と、前記潜像が形成された感光性膜を現像する工程とを含むことを特徴とする。
本発明によれば、被処理基板上に形成された被加工膜を選択的に除去し、パターンを形成する手法に関して、被加工膜上に水溶性の保護膜を形成後に保護膜と被加工膜の加工を一括で行う、もしくは被加工膜の内部応力が小さくする処理を行うことで加工領域周辺にパーティクルや残渣のない光加工を行うことができる。
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
(第1の実施形態)
まず、光加工時に発生するパーティクルを加工領域周辺に付着させずに所定の加工を行うことを可能とするパターン形成方法について説明する。
まず、光加工時に発生するパーティクルを加工領域周辺に付着させずに所定の加工を行うことを可能とするパターン形成方法について説明する。
図1,2は、本発明の第1の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図1(a)に示すAl配線を形成する前の段階の半導体装置を用意する。図1(a)に示すように、半導体基板101上に形成された層間絶縁膜102の表面層には、後に形成されるAl配線と接続されるヴィアプラグ105、及びアライメントを行うアライメントマーク106が少なくとも形成されている。なお、符号103,104は、プラグ、下層配線層である。
図1(b)に示すように、半導体素子の表面にAl膜107、保護膜109を順次形成する。保護膜109は、膜厚100nmの水溶性樹脂であるポリアクリル酸樹脂(以後、保護膜と表記)を被処理基板上に回転塗布法にて塗布した後に、溶剤を揮発させて形成される。
図1(c)に示すように、大気中にて、下方にアライメントマーク106が形成されている加工領域(縦100μm×横200μm)に対して加工光110を5回照射することで保護膜109、及びAl膜107に開口を形成する。加工光照射により保護膜がガラス化しないようにする。本実施形態では、加工光208は、Q−switch YAGレーザーの第3高調波(波長355nm)であり、加工光208のフルエンスが0.4J/cm2・pulseである。なお、符号111は、アブレーション時に完全にガス化しきれずに飛散した保護膜109及びAl膜107のパーティクルである。
次に、光加工後に搬送ロボットにより被処理基板100を洗浄ユニットに搬送し、図1(d)に示すように、水を供給することで保護膜109を剥離する。保護膜109の剥離は、図3に示すように被処理基板の上方に配置されたノズル121から純水(流量:1L/min)122を供給し、100rpmで基板100を回転させながら60秒間洗浄することで行う。純水洗浄後、4000rpmまで回転数を上げ、基板を乾燥させる。
上記の光加工後にSEM観察を行った結果、金属膜の加工領域周辺でパーティクルが残留せず、良好な加工ができたことを確認した。
上記の光加工後にSEM観察を行った結果、金属膜の加工領域周辺でパーティクルが残留せず、良好な加工ができたことを確認した。
このような方法でアライメントマーク上の金属膜を除去した後、図2(e)に示すように、I線レジスト膜112を形成する。次いで、図2(f)に示すように、アライメント光(参照光)113によりアライメントマーク106の位置を認識する。認識した位置に基づいてパターンを転写しレジストに潜像を形成する。潜像が形成されたレジスト膜の現像を行い、レジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクにAl膜107をエッチングし、図2(g)に示すように、配線パターンを形成する。レジストパターンを除去する。
これをマスクとして作成したデバイスは本処理を行わずに作成した安定したデバイス特性を得ることができ、歩留まりが向上した。
本実施形態では保護膜としてポリアクリル酸を用いたが、保護膜には水溶性であり、且つ加工光の波長における透過性が被加工膜に比べ高い材料を用いることが望ましい。透過性の高い保護膜を用いることで保護膜はレーザー光をほとんど吸収せず、保護膜自身からの発熱は小さい。そのため、光照射時に分解しきれなかった保護膜は溶融することなく、固体の状態で加工領域周辺に飛散する。固体のまま加工領域の周辺に飛散した保護膜は加工後の水洗浄によって速やかに除去される。更に水溶性であるため、比較的安価に保護膜の除去処理が可能である。
一方、保護膜のレーザー光の波長に対する透過性が被加工膜に比べて大きい場合には、保護膜での光吸収が大きい為、保護膜自身が発熱・溶融する。その為、溶融した保護膜がパーティクルとして加工領域周辺の保護膜に付着すると、付着したパーティクルが有する熱によって、保護膜が変質または下層の被加工膜と溶着する。その結果、加工後の保護膜除去時においても、溶融したパーティクルが付着した領域の保護膜を除去することができず欠陥となる。
本実施形態では、保護膜にポリアクリル酸を用いたが、材料はこれに限るものではない。被加工膜と比較してレーザー光による光吸収が小さいものであれば良く、レーザー光の波長λ(nm)における保護膜の消衰係数k,被加工膜の消衰係数k’とした時、以下の式(1)記載の関係式を満たす保護膜を用いるような材料及び加工光を選択すれば良い。
k<k’ …(1)
本実施形態での波長355nmに対するポリアクリル酸及び被加工膜であるAlの消衰係数は、1.0×10-4,3.36である。
本実施形態での波長355nmに対するポリアクリル酸及び被加工膜であるAlの消衰係数は、1.0×10-4,3.36である。
更には、レーザー照射された保護膜は固体の状態を維持できていることが望ましい。従って、レーザーが1パルス照射された際に保護膜が融点(Tm)以下に維持できれば良い。保護膜選択の基準としては、保護膜の比熱CF(J/cm3 ・K),吸収係数α(1/nm),消衰係数k,反射率RF(%),保護膜の温度変化ΔT(K),保護膜の融点Tm(K),大気温度T0(K),レーザーのフルエンスF(J/cm2・pulse),レーザー波長λ(nm)とした時、以下の式(2)から式(4)記載の関係式を満たすような材料及び加工光を選択すると良い。
あるいは、保護膜がレーザー光に対する光吸収が大きく、光加工によって溶融した保護膜が加工領域に付着した場合でも、加工領域周辺の保護膜が光加工前と同様に水溶性を維持する保護膜であれば何を用いても構わない。例えば水酸基、カルボキシル基やアミノ基等の親水基を有する有機材料、もしくは水溶性の無機材料でも良い。このような特性を有する保護膜であれば光加工後での水洗工程において保護膜の除去が可能となる為、本実施形態の保護膜に用いることができる。
本実施形態では、光加工用の光源としてQ−switch YAGレーザーの第3高調波を用いているが、光源はこれに限らずQ−switch YAGレーザーの第4高調波(波長266nm)やKrFエキシマレーザー等のパルスレーザー、及びランプ光でも良い。また、本実施形態ではレーザー加工は0.4J/cm2・pulseで5回照射することで行っているが、加工条件はこれに限らず、加工領域内に残渣が生じない、または被加工膜である金属膜に損傷を与えずに加工できるフルエンスや照射回数であれば良い。
また本実施形態では被加工膜が金属膜の場合について述べたが、適用例はこれに限らず、被加工膜は金属酸化膜、反射防止膜、金属膜、シリコン窒化膜、またはシリコン炭化膜、シリコン酸化膜、多結晶Si等に用いても構わない。
また、本実施形態では、光加工後にはI線レジスト膜を形成し、パターニングしているが、パターニングに用いるレジスト膜はこれに限らず、KrFレジスト、ArFレジスト、EBレジスト等何を用いても構わない。
本実施形態では、保護膜を全面に形成したが、図4に示すように、所望の位置にのみ選択的に保護膜を形成してもよい。保護膜の選択的な形成方法としては、例えば特開2000−79366記載の方法を用いれば良い。ここで、選択的な保護膜の形成方法として、特開2000−79366記載の方法を例に用いたが、膜厚の制御された保護膜を基板上に選択的に形成できる方法であれば何を用いてもよい。
また、本実施形態では、光加工時には光の照射領域を加工領域と同じ大きさにして加工を行ったが、光加工時には図5(a),図5(b)に示すように、基板上での加工光141の照射形状を短冊状にし、加工光140を基板に対して相対的に走査することで加工を行ってもよい。基板と光を相対的に走査する方法としては、光軸を固定して基板を移動させる。あるいは、形状を制御したスリット(絞り)を並進運動させる事により、光軸を移動させてもよい。なお、符号140は加工領域である。図5(a)は断面図、図5(b)は加工領域の平面図である。
例えば、大気中にて所定の加工領域(縦100μm×横200μm)に対して、縦100μm×横5μmのスリットを設け、Q−switch YAGレーザーの第3高調波(波長355nm)をフルエンス1.0J/cm2・pulse、発振周波数250Hz、スリットの走査速度を500μm/secで加工領域の一端から他端へ走査させながら、レーザーを照射して保護膜とAl膜を除去する。
通常、パーティクルはアブレーションによって発生したガス体が膨張する際に、ガス化しきれなかった被加工膜の一部をガス体が吹き飛ばすことで生じる。その為、加工領域の全領域を一括照射によって光加工を行った時に比べ、図5に示すスリット状に絞った照射領域を被処理基板に対して相対的に走査させ、光加工を行った時の方が1度の光照射で生じるガスの体積が小さくなり、加工領域周辺へのパーティクル数や加工領域境界での保護膜の膜剥がれをより抑制することができる。また、図6(a),図6(b)に示すように、短冊形状の加工光141a〜141dが走査方向に等間隔に複数照射されていても良い。また、図6(c),図6(d)に示すように、ドット形状の加工光141c,141dが走査方向に等間隔、及び走査方向に直交する方向に等間隔に複数照射されて居ても良い。また、図6(d)に示すように、走査方向に隣接する加工光141dがオバーラップしていても良い。
なお、短冊状又はドット形状というのは、走査方向の長さが加工領域の長さより短い四角形の事である。特に短冊形状とは、走査方向に直交する方向の長さが加工領域の走査方向に直交する方向の長さと略等しい。ドット形状というのは、走査方向の長さが加工領域の長さより短い四角形の事である。特に短冊形状とは、走査方向に直交する方向の長さが加工領域の走査方向に直交する方向の長さより短い。
(第2の実施形態)
図7は、本発明の第2の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図7は、本発明の第2の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す断面図である。
先ず、図7(a)に示すように、熱分解剤を含有したノボラック樹脂(有機材料)を主成分とした有機膜149を回転塗布法にてAl膜107に塗布する。次に、100℃、60秒の条件でホットプレートにて加熱処理を行い、有機膜149中の溶剤を揮発させることで、保護膜を形成する。ここで、熱分解剤とは、熱分解反応を誘起できる触媒としての働きを有し、マスク膜として働く有機膜を構成する樹脂を分解できるものであればよく、特に限定はしない。
次に図7(b)に示すように、被処理基板を150℃、60秒の条件で加熱処理を行った有機膜150を得る。加熱処理で、熱分解剤が有機膜を構成する樹脂の熱分解反応の触媒として働く。熱分解反応により樹脂の主鎖が切断される。樹脂の主鎖が切断されて分子量が小さくなり、有機膜150の内部応力が小さくなる。
そして、図7(c)に示すように、大気中にてQ−switch YAGレーザーの第3高調波(波長355nm)を用い、加工領域(縦100μm×横200μm)に対してレーザーのフルエンスが0.6J/cm2・pulseで5回照射することで樹脂膜150に開口を形成する。
次いで、図7(d)に示すように、樹脂膜をマスクにAl膜をウェットエッチングにより選択除去する。この時、膜剥がれに由来する加工不良が生じなかった。
樹脂膜を除去した後、第1の実施形態と同様に、Al膜107上にI線レジスト膜を形成し、アライメントマーク106にアライメント光(参照光)を照射してアライメントマークの位置を認識する。認識されたアライメントマーク106の位置に基づいて露光を行った後、現像を行い、レジストパターンパターンを形成する。レジストパターンをマスクにAl膜107をエッチングし、配線パターンを形成する。上述した工程で作成された半導体素子は本処理を行わずに作成した安定したデバイス特性を得ることができ、歩留まりが向上した。
このように、熱分解反応によって、マスク膜として働く有機膜を構成する樹脂の主鎖を切断することで保護膜内部にかかる応力は小さくなるため、内部にかかる応力が大きい材料でも保護膜として用いることができる。
また、本実施形態での熱分解剤はマスク膜の成膜温度(本実施形態では100℃)から200℃の温度範囲で反応が開始する熱分解剤を含有している。熱分解剤の反応開始温度が成膜温度より低いと、成膜時の加熱処理でノボラック樹脂の分解が進行しすぎるため、加工特性が悪化する問題が生じる。また、反応開始温度が200℃を超えるとノボラック樹脂の酸化反応により膜特性が劣化する恐れがある。従って、熱分解剤の反応開始温度は成膜温度から200℃の範囲であることが望ましい。また、熱分解剤の添加量が少なすぎると分解反応がほとんど進行しない為、光加工特性に変化が見られず、膜剥がれを生じる。また、熱分解剤の添加量が多すぎると、分解反応が促進するため、光加工後ウェットエッチング時での薬品耐性が劣化する恐れがある。従って、ノボラック樹脂に対する熱分解剤の添加量は適切な範囲であることが望ましい。
加工すべき金属膜に対して光加工装置のフルエンスが十分得られない場合には、第1の実施形態のパターン形成方法では所望のパターンを形成することが容易ではない。しかし、本実施形態で説明したパターン形成方法によれば、Al膜の加工に加工光のフルエンスが関係ないので、所望のパターンを形成することができる。
また、本実施形態ではマスク膜の改質処理をホットプレートによる加熱によって行ったが、加熱方法はこれに限らず、被処理基板に赤外線を照射することで行ってもよく、被処理基板を加熱できるものであれば何を用いても構わない。
また、マスク膜の改質処理は加熱処理に限るものではない。この他にもマスク膜に含有させる触媒がエネルギー線を照射することで活性化し、マスク膜を分解させる働きを有する光触媒を用いても良い。また、光触媒を活性化させるエネルギー源は紫外線、遠紫外線、深紫外線、電子線等の光を照射することで触媒が活性化し、マスク膜を分解反応が生じさせることができるものであれば何を用いても良い。
本実施形態では大気中で光加工を行ったが、流水中で行っても良い。
また、本実施形態ではマスク膜の光加工後に行う金属膜のエッチング方法としては、ウェットエッチングにて行ったが、エッチング方法はこれに限らずドライエッチングや異方性エッチングでも構わず、被加工膜の特性によって適宜最適な方法を選択すれば良い。
また本実施形態では被加工膜が金属膜の場合について述べたが、適用例はこれに限らず、被加工膜は金属酸化膜、反射防止膜、金属膜、シリコン窒化膜、またはシリコン炭化膜、シリコン酸化膜、多結晶Si等何に用いても構わない
また、本実施形態では、光加工後にはI線レジスト膜を形成し、パターニングしているが、パターニングに用いるレジスト膜はこれに限らず、KrFレジスト、ArFレジスト、EBレジスト等何を用いても構わない。
また、本実施形態では、光加工後にはI線レジスト膜を形成し、パターニングしているが、パターニングに用いるレジスト膜はこれに限らず、KrFレジスト、ArFレジスト、EBレジスト等何を用いても構わない。
また、本実施形態では、光加工時には光の照射領域を加工領域と同じ大きさにして加工を行ったが、第1の実施形態でも述べたように光の照射形状を短冊形状又はドット形状にし、加工光を基板に対して相対的に走査することで加工を行ってもよい。
(第3の実施形態)
図8は、本発明の第3の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、図8において、アライメントマークが形成されている領域のみを示す。
図8は、本発明の第3の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、図8において、アライメントマークが形成されている領域のみを示す。
図8(a)に示すように、半導体基板101を回転させつつ、SiO2 膜203上に溶剤及び反射防止材を含む反射防止膜形成用薬液206をノズル205から供給し、液状の液膜204を形成する。なお、符号106はシリコン基板に埋め込み形成されたアライメントマーク、符号201はシリコン窒化膜である。
次に、図8(b)に示すように、半導体基板101を回転させ、スピンドライ処理により、液膜204から溶剤の一部が除去された反射防止膜207を得る。スピンドライ処理以外にも、液膜が形成された基板を減圧下に載置して、液膜から一部の溶剤を除去しても良い。
次に、図8(c)に示すように、大気中にて、加工領域(縦100μm×横200μm)に対して加工光208を5回照射することで反射防止膜207に開口を形成する。開口が形成されるのはアライメントマークの上方である。光加工後にSEM観察を行った結果、反射防止膜の加工領域周辺でパーティクルが残留しない、良好な加工ができたことを確認された。加工光208は、Q−switch YAGレーザーの第3高調波(波長355nm)であり、加工光208のフルエンスが0.4J/cm2・pulseである。
次に、図8(d)に示すように、ホットプレート210上に半導体基板101を載置し、所望の反射防止特性を得るため、300℃、120秒の条件で加熱処理(本加熱処理)を行い、溶剤がほぼ完全に除去された反射防止膜209を得る。
上記の処理後、反射防止膜上に膜厚200nmのArF光(波長193nm)用化学増幅型ポジレジスト形成した。次いで、該基板をArFエキシマレーザーが光源である露光装置に搬送し、露光用レチクルを介して、アライメント光(参照光)を照射してアライメントマーク106の位置を認識する。アライメントマーク106の位置に応じて、ゲート加工用パターンを転写する。該基板を熱処理後に現像を行い、ゲート加工用パターンを形成する。このように作成したレジストパターンをマスクに加工して作成したデバイスはレーザー加工時にパーティクルが発生せず、所定のゲート寸法に形成することができるため、その後の工程を経て作製されたデバイスの特性に影響を与えることなく半導体デバイスを製造することができた。
本実施形態では、溶剤を完全に除去するための加熱処理を行う前に光加工を行うことを特徴とする。加熱処理前に光加工を行うことで反射防止膜は速やかに気化し、パーティクルのない加工を行うことができる。一方、従来方法、即ち300℃の高温で加熱処理後に光加工を行うと、反射防止膜は気化しにくいため、パーティクルが生じる。特に、反射防止膜の中には加熱処理によって架橋反応することで、反射防止特性が得られるものもある。反射防止膜が架橋するものの場合、光加工時にはより気化しにくくなるため、パーティクルがより多数発生する。
本実施形態では、加工光としてQ−switch YAGレーザーの第3高調波を用いているが、加工光はこれに限らずQ−switch YAGレーザーの第4高調波(波長266nm)やKrFエキシマレーザー等のパルスレーザー、及びランプ光でも良い。また、本実施形態において、光加工は上述した条件に限らず、加工領域内に残渣が生じない、または反射防止膜の下層膜に損傷を与えずに加工できるフルエンスや照射回数であれば良い。また、本実施形態では大気下で光加工を行ったが加工領域上に液流又は気流が形成された状態で行ってもよい。
また、本実施形態では、光加工時には光の照射領域を加工領域と同じ大きさにして加工を行ったが、第1の実施形態でも述べたように光の照射領域をスリット状に絞り、基板と光を相対的に走査することで加工を行ってもよい。
また、本実施形態では被加工膜が反射防止膜の場合について述べたが、被加工膜はこれに限らず、レジスト膜、酸化ケイ素膜、ポリイミド膜等の塗布膜であれば何に用いても構わない。
(第4の実施形態)
図9は、本発明の第4の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。図9において、図1と同一な部位には同一符号を付し、その説明を省略する。
図9は、本発明の第4の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。図9において、図1と同一な部位には同一符号を付し、その説明を省略する。
先ず、図9(a)に示すように回転塗布法にて溶剤を含む反射防止膜形成用薬液206を供給し、液膜204を形成する。その後、スピンドライ処理を行い被処理基板上に液膜から一部の溶剤が除去された反射防止膜を形成する。スピンドライ処理以外にも、液膜が形成された基板を減圧下に載置して、液膜から一部の溶剤を除去しても良い。
次に、図9(b)に示すように、ホットプレート210上に半導体基板101を載置し、150℃、60秒の条件でプレ加熱処理を行い、膜中に含まれる溶剤の一部が除去された反射防止膜217を得る。本実施形態に用いた反射防止膜がリソグラフィー工程に必要な反射防止特性を得る為には、通常300℃にて加熱処理を行う。しかし、この段階での基板の加熱処理はそれよりも低い温度で行うことを特徴とする。
次に、図9(c)に示すように、大気中にて、加工領域(縦100μm×横200μm)に対して加工光208を5回照射することで反射防止膜207に開口を形成する。開口が形成されるのはアライメントマークの上方である。光加工後にSEM観察を行った結果、反射防止膜の加工領域周辺でパーティクルが残留しない、良好な加工ができたことを確認された。加工光208は、Q−switch YAGレーザーの第3高調波(波長355nm)であり、加工光208のフルエンスが0.4J/cm2・pulseである。
次に、図9(d)に示すように、ホットプレート210上に半導体基板101を載置し、350℃、120秒の条件で本加熱処理を行い、膜中の溶剤がほぼ除去され、架橋反応が生じた反射防止膜218を得る。
上記の処理後、反射防止膜上に膜厚200nmのArF光(波長193nm)用化学増幅型ポジレジスト形成した。次いで、該基板をArFエキシマレーザーが光源である露光装置に搬送し、露光用レチクルを介して、アライメント光(参照光)をアライメントマーク106に照射して、アライメントマーク106の位置を得る。アライメントマーク106の位置に応じて、ゲート加工用パターンを転写する。該基板を熱処理後に現像を行い、ゲート加工用パターンを形成する。このように作成したレジストパターンをマスクに加工して作成したデバイスはレーザー加工時にパーティクルが発生せず、所定のゲート寸法に形成することができるため、その後の工程を経て作製されたデバイスの特性に影響を与えることなく半導体デバイスを製造することができる。
第3の実施形態では、スピンドライ処理を用いて駅膜中の溶剤の一部を除去していた。しかし、被加工膜の中には回転塗布法にて膜を形成した段膜では膜中に溶剤を多量に含んでいるため、その状態で光加工を行うと膜剥がれ等が生じる恐れがある。本実施形態では、スピンドライ処理により、プリ加熱処理により溶剤を更に除去しているので、膜剥がれを生じることなく、パーティクルが生じない。
本実施形態では、反射防止膜を得るためのプレ加熱処理の加熱温度条件は150℃である。第3の実施形態でも述べたように、光加工前の加熱温度が高すぎると、光加工時には反射防止膜は気化しにくくなり、パーティクルが生じる。特に、被加工膜が加熱処理によって架橋反応を生じるものの場合はより顕著になるため、このような被加工膜の光加工を行う際は、光加工前での基板の加熱温度は反射防止膜の架橋温度未満であることが望ましい。
また、逆に加熱温度が低すぎると、材料によっては膜中に溶剤が多量に残るため、膜強度が劣化する。そのため、光加工時に膜剥がれ等が生じる恐れがある。従って、光加工前の段階での基板の加熱温度は反射防止膜の架橋温度未満、且つ加工形状に影響を及ぼさない程度の範囲であることが必要である。
本実施形態では、光加工用の光源としてQ−switch YAGレーザーの第3高調波を用いているが、光源はこれに限らずQ−switch YAGレーザーの第4高調波(波長266nm)やKrFエキシマレーザー等のパルスレーザー、及びランプ光でも良い。また、本実施形態ではレーザー加工は0.4J/cm2・pulseで5回照射することで行っているが、加工条件はこれに限らず、加工領域内に残渣が生じない、または反射防止膜の下層に形成されている層間絶縁膜に損傷を与えずに加工できるフルエンスや照射回数であれば良い。また、本実施形態では大気下で光加工を行ったが流水下で行ってもよい。
また、本実施形態では、光加工時には光の照射領域を加工領域と同じ大きさにして加工を行ったが、第1の実施形態でも述べたように光の照射領域をスリット状に絞り、基板と光を相対的に走査することで加工を行ってもよい。
また、本実施形態では被加工膜が反射防止膜である場合について述べたが、被加工膜はこれに限らず、レジスト膜、酸化ケイ素膜、ポリイミド膜等の塗布膜であれば何に用いても構わない。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、各実施形態では、半導体装置の製造工程に適用した例を示したが、他の用途にも用いることができる。
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
101…半導体基板
102…層間絶縁膜
105…ヴィアプラグ
106…アライメントマーク
107…Al膜
109…保護膜
110…加工光
112…レジスト膜
113…アライメント光(参照光)
102…層間絶縁膜
105…ヴィアプラグ
106…アライメントマーク
107…Al膜
109…保護膜
110…加工光
112…レジスト膜
113…アライメント光(参照光)
Claims (14)
- 被加工膜上に有機樹脂で構成された有機膜を形成する工程と、
前記有機膜の内部応力を小さくする工程と、
前記有機膜に加工光を照射し、前記加工領域の前記有機膜を選択除去する工程と、
前記有機膜をマスクとして、前記被加工膜をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする加工方法。 - 前記有機膜は、有機樹脂と、該樹脂の主鎖を分解するための触媒として働く分解開始剤とを含むことを特徴とする請求項1記載の加工方法。
- 前記樹脂の内部応力を小さくする処理は、加熱処理により前記分解開始剤が前記有機樹脂の主鎖を分解することを特徴とする請求項2記載の加工方法。
- 前記樹脂の内部応力を小さくする処理は、エネルギー線の照射により前記分解開始剤が前記有機樹脂の主鎖を分解することを特徴とする請求項2記載の加工方法。
- 前記エネルギー線は紫外線、遠紫外線、深紫外線、電子線の何れかを含む事を特徴とする請求項4記載の加工方法。
- 前記加工光の照射は、前記加工領域上に気流又は液流が形成された状態で行うことを特徴とする請求項1記載の加工方法。
- 前記基板は、前記加工領域に形成されたアライメントマーク、または位置ずれ計測マークを具備することを特徴とする請求項1記載の加工方法。
- 前記被加工膜は、反射防止膜、金属膜、金属酸化膜、シリコン窒化膜、またはシリコン炭化膜、シリコン酸化膜、多結晶Siの何れかであることを特徴とする請求項1記載の加工方法。
- 前記加工光はレーザー光、ランプ光である事を特徴とする請求項1記載の加工方法。
- 前記加工光の前記基板上での照射形状は前記加工領域よりも小さく、前記加工光を前記基板に対して走査させることを特徴とする請求項1記載の加工方法。
- 前記加工光の照射形状は、前記加工光の走査方向の幅が前記加工領域の前記走査方向の幅より短い四角形であることを特徴とする請求項10記載の加工方法。
- 前記加工光が、前記走査方向に沿って等間隔に複数照射されていることを特徴とする請求項10に記載の加工方法。
- 半導体基板と位置合わせマークとを具備する被処理基板上に、被加工膜及び有機膜を形成する工程と、
前記有機膜の内部応力を小さくする工程と、
前記位置合わせマークを含む領域の前記有機膜に対して加工光を照射することにより、前記有機膜を選択的に除去する工程と、
前記有機膜をマスクとして前記前記被加工膜をエッチングする工程と、
前記被加工膜のエッチング後、前記有機膜を除去する工程と、
前記被加工膜上に感光性膜を形成する工程と、
前記位置合わせマークに参照光を照射して該マークの位置を認識する工程と、
認識された位置合わせマークの位置情報に基づいて前記感光性膜の所定の位置にエネルギー線を照射して該感光性膜に潜像を形成する工程と、
前記潜像が形成された感光性膜を現像する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板と位置合わせマークとを具備する被処理基板上に、被加工膜及び有機膜を形成する工程と、
前記有機膜の内部応力を小さくする工程と、
前記位置合わせマークを含む領域の前記有機膜に対して加工光を照射することにより、前記有機膜を選択的に除去する工程と、
前記有機膜をマスクとして前記前記被加工膜をエッチングする工程と、
前記被加工膜のエッチング後、前記有機膜を除去する工程と、
前記被加工膜上に反射防止膜及び感光性膜を順次形成する工程と、
前記位置合わせマークに参照光を照射して該マークの位置を認識する工程と、
認識された位置合わせマークの位置情報に基づいて前記感光性膜の所定の位置にエネルギー線を照射して該感光性膜に潜像を形成する工程と、
前記潜像が形成された感光性膜を現像する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2006319099A JP2007130688A (ja) | 2006-11-27 | 2006-11-27 | 加工方法及び半導体装置の製造方法 |
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CN112962055A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-15 | 合肥维信诺科技有限公司 | 掩膜板、显示基板蒸镀组件及显示基板 |
Citations (1)
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JPH09225669A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-02 | Hitachi Ltd | レーザ加工用マスクおよびその製造方法 |
-
2006
- 2006-11-27 JP JP2006319099A patent/JP2007130688A/ja active Pending
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JPH09225669A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-02 | Hitachi Ltd | レーザ加工用マスクおよびその製造方法 |
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CN112962055A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-15 | 合肥维信诺科技有限公司 | 掩膜板、显示基板蒸镀组件及显示基板 |
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