以下図面を参照して、本発明の光送受信モジュールの実施の形態について説明する。先に、後述する光送受信ボード10を構成する複数のリジッド基板の配置が異なる、光送受信モジュールの各実施の形態について説明する。その後、各インピーダンス整合手段の構成例及び動作例について説明し、最後に光送受信モジュール全体の動作例について説明する。
<本発明の光送受信モジュールの構成例>
図1から図8は、第1から第4の実施の形態の光送受信モジュールの構成を示す説明図であり、断面形状の概略を示している。図1は第1の実施の形態の光送受信モジュール1の第1の例を示し、図2は第1の実施の形態の光送受信モジュール1の第2の例を示す。図3は第2の実施の形態の光送受信モジュール2の第1の例を示し、図4は第2の実施の形態の光送受信モジュール2の第2の例を示す。図5は第3の実施の形態の光送受信モジュール3の第1の例を示し、図6は第3の実施の形態の光送受信モジュール3の第2の例を示す。図7は第4の実施の形態の光送受信モジュール4の第1の例を示し、図8は第4の実施の形態の光送受信モジュール4の第2の例を示す。
光送受信モジュール1・2・3・4は、パーソナルコンピュータ等の拡張スロットに搭載され、光ケーブルを通じて外部の情報通信機器とデータの送受信を行うネットワークカード等に搭載される。
図1から図8に示すように、光送受信モジュール1・2・3・4は、光送受信モジュール筐体、TOSA5、ROSA6、TOSA接続用FPC7、ROSA接続用FPC8及び光送受信回路部9を有する光送受信ボード10を備えて構成される。
TOSA5及びROSA6は、光送受信モジュール筐体の光ケーブル接続コネクタ11に対応した位置に並んで配置される。TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)5は、レーザーダイオード等を備えた送信用の光デバイスであり、光ケーブル接続コネクタ11に接続される光ケーブルのコネクタに対するインターフェースを有し、電気信号を光信号に変換して出力する。ROSA(Receiver Optical Sub-Assembly)6は、フォトダイオード等を備えた受信用の光デバイスであり、光ケーブル接続コネクタ11に接続される光ケーブルのコネクタに対するインターフェースを有し、光信号を電気信号に変換して出力する。
TOSA5及びROSA6は、それぞれTOSA接続用FPC(Flexible Printed Circuit)7及びROSA接続用FPC8により、光送受信ボード10に接続される。TOSA接続用FPC7及びROSA接続用FPC8はフレキシブル基板である。光送受信ボード10は、リジット基板により構成され、TOSA接続用FPC7及びROSA接続用FPC8を介してTOSA5及びROSA6に接続された光送受信回路部9を備える。光送受信ボード10は複数の基板から構成される。図1から図8に示す光送受信モジュール1・2・3・4では、光送受信ボード10が三つの基板から構成されている例を示している。各光送受信ボード10は光送受信ボード接続用FPC12により接続される。光送受信ボード接続用FPC12はフレキシブル基板である。光送受信回路部9には、例えばTOSA5のレーザーダイオードの駆動回路、及びROSA6のフォトダイオードにより受光した信号のポストアンプ回路等が備えられる。光送受信回路部9の各回路は光送受信ボード10の各基板上に分かれて搭載される。光送受信回路部9は光送受信回路の一例であり、光送受信ボード10を構成する各リジッド基板及び光送受信ボード接続用FPC12は光送受信回路基板の一例である。
また、図1から図8に示す光送受信モジュール1・2・3・4は、フレキシブル基板である他基板接続用FPC13を介して、図示しない、例えばネットワークカードのホストボート等の他基板に接続される。これにより、光送受信回路部9の各回路は、他基板接続用FPC13を介して他基板の各回路に接続された状態となる。他基板の各回路には、例えばPHY(Physical layer)用チップ、及びMAC(Media Access Control)用チップ等が備えられる。他基板の各回路は、ネットワークカードが搭載された拡張スロット等を介してパーソナルコンピュータ等に接続される。他基板の各回路にPHY用チップが備えられず、光送受信回路部9の各回路が直接MAC用チップに接続される構成としてもよい。
また、フレキシブル基板である、ROSA接続用FPC8、TOSA接続用FPC7、光送受信ボード接続用FPC12及び他基板接続用FPC13と、光送受信ボード10を構成する各リジッド基板の最外層の信号配線層には、高周波信号を伝送するためのマイクロストリップラインとして信号線路が配線されている。
図1及び図2に示す第1の実施の形態の光送受信モジュール1においては、光送受信ボード10を構成する三つの基板は、ROSA6及びTOSA5の後方にて、光ケーブル接続コネクタ11への光ケーブルの接続方向に、各基板の各断面が所定の間隔で平行になるように配置される。各基板の間隔は各基板上に搭載される光送受信回路部9の各回路部品の物理的な寸法、及び各回路部品の冷却条件等を考慮して決められる。
図1に示す光送受信モジュール1の第1の例では、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7が、ROSA6、TOSA5及び光送受信ボード10の下方に位置し、他基板接続用FPC13が、光送受信モジュール筐体1aの上端部近傍から光送受信モジュール筐体1aの外部へ引き出される構成としている。このような構成を備えることにより、各部の長さは例えば次のようになる。図1のL1で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体1a内部の上端部までの長さは5mmとなり、L2で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体1a内部の下端部までの長さは5mmとなる。また、L3で示す、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7の、ROSA6及びTOSA5への接続箇所から光送受信モジュール筐体1aの内部の後端部までの長さは16mmとなる。
図2に示す光送受信モジュール1の第2の例では、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7が、ROSA6、TOSA5及び光送受信ボード10の上方に位置し、他基板接続用FPC13が、光送受信モジュール筐体1bの下端部近傍から光送受信モジュール筐体1bの外部へ引き出される構成としている。このような構成を備えることにより、各部の長さは例えば次のようになる。図2のL4で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体1b内部の上端部までの長さは7mmとなり、L5で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体1b内部の下端部までの長さは3mmとなる。また、L6で示す、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7の、ROSA6及びTOSA5への接続箇所から光送受信モジュール筐体1aの内部の後端部までの長さは16mmとなる。
図3及び図4に示す第2の実施の形態の光送受信モジュール2においては、光送受信ボード10を構成する三つの基板は、ROSA6及びTOSA5の後方にて、光ケーブル接続コネクタ11への光ケーブルの接続方向と直交する向きに、各基板の各断面が所定の間隔で平行になるように配置される。各基板の間隔は各基板上に搭載される光送受信回路部9の各回路部品の物理的な寸法、及び各回路部品の冷却条件等を考慮して決められる。
図3に示す光送受信モジュール2の第1の例では、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7が、ROSA6及びTOSA5の下方に位置し、他基板接続用FPC13が、光送受信モジュール筐体2aの上端部近傍から光送受信モジュール筐体2aの外部へ引き出される構成としている。このような構成を備えることにより、各部の長さは例えば次のようになる。図3のL7で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体内部2aの上端部までの長さは7mmとなり、L8で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体2a内部の下端部までの長さは7mmとなる。また、L9で示す、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7の、ROSA6及びTOSA5への接続箇所から光送受信モジュール筐体2aの内部の後端部までの長さは12mmとなる。
図4に示す光送受信モジュール2の第2の例では、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7が、ROSA6及びTOSA5の上方に位置し、他基板接続用FPC13が、光送受信モジュール筐体2bの下端部近傍から光送受信モジュール筐体2bの外部へ引き出される構成としている。このような構成を備えることにより、各部の長さは例えば次のようになる。図4のL10で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体2b内部の上端部までの長さは7mmとなり、L11で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体2b内部の下端部までの長さは7mmとなる。また、L12で示す、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7の、ROSA6及びTOSA5への接続箇所から光送受信モジュール筐体2bの内部の後端部までの長さは12mmとなる。
図5及び図6に示す第3の実施の形態の光送受信モジュール3においては、光送受信ボード10を構成する三つの基板は、ROSA6及びTOSA5の後方にて、光送受信ボード接続用FPC12で接続された各基板が互いに直交した向きになるように配置される。図5及び図6に示す第3の実施の形態の光送受信モジュール3においては、光送受信ボード10を構成する三つの基板はコ字状に配置される。各基板の配置位置は、は各基板上に搭載される光送受信回路部9の各回路部品の物理的な寸法、及び各回路部品の冷却条件等を考慮して決められる。
図5に示す光送受信モジュール3の第1の例では、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7が、ROSA6及びTOSA5の下方に位置し、他基板接続用FPC13が、光送受信モジュール筐体3aの上端部近傍から光送受信モジュール筐体3aの外部へ引き出される構成としている。このような構成を備えることにより、各部の長さは例えば次のようになる。図5のL13で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体3a内部の上端部までの長さは7mmとなり、L14で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体3a内部の下端部までの長さは5mmとなる。また、L15で示す、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7の、ROSA6及びTOSA5への接続箇所から光送受信モジュール筐体3aの内部の後端部までの長さは16mmとなる。
図6に示す光送受信モジュール3の第2の例では、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7が、ROSA6及びTOSA5の上方に位置し、他基板接続用FPC13が、光送受信モジュール筐体3bの下端部近傍から光送受信モジュール筐体3bの外部へ引き出される構成としている。このような構成を備えることにより、各部の長さは例えば次のようになる。図6のL16で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体3b内部の上端部までの長さは5mmとなり、L17で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体3b内部の下端部までの長さは7mmとなる。また、L18で示す、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7の、ROSA6及びTOSA5への接続箇所から光送受信モジュール筐体3bの内部の後端部までの長さは16mmとなる。
図7及び図8に示す第4の実施の形態の光送受信モジュール4においては、光送受信ボード10を構成する三つの基板は、ROSA6及びTOSA5の後方にて、光送受信ボード接続用FPC12で接続された各基板が互いに直交した向きになるように配置される。各基板の配置位置は、は各基板上に搭載される光送受信回路部9の各回路部品の物理的な寸法、及び各回路部品の冷却条件等を考慮して決められる。
図7に示す光送受信モジュール4の第1の例では、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7が、ROSA6及びTOSA5の上方に位置し、他基板接続用FPC13が、光送受信モジュール筐体4aの上端部近傍から光送受信モジュール筐体4aの外部へ引き出される構成としている。このような構成を備えることにより、各部の長さは例えば次のようになる。図7のL19で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体4a内部の上端部までの長さは7mmとなり、L20で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体4a内部の下端部までの長さは7mmとなる。また、L21で示す、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7の、ROSA6及びTOSA5への接続箇所から光送受信モジュール筐体4aの内部の後端部までの長さは18mmとなる。
図8に示す光送受信モジュール4の第2の例では、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7が、ROSA6及びTOSA5の下方に位置し、他基板接続用FPC13が、光送受信モジュール筐体4bの下端部近傍から光送受信モジュール筐体4bの外部へ引き出される構成としている。このような構成を備えることにより、各部の長さは例えば次のようになる。図8のL22で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体4b内部の上端部までの長さは7mmとなり、L23で示すROSA6及びTOSA5の中心部から、光送受信モジュール筐体4b内部の下端部までの長さは7mmとなる。また、L24で示す、ROSA接続用FPC8及びTOSA接続用FPC7の、ROSA6及びTOSA5への接続箇所から光送受信モジュール筐体4bの内部の後端部までの長さは18mmとなる。
図1から図8に示す光送受信モジュール1・2・3・4においては、光送受信ボード10を構成する各基板の両面に光送受信回路部9の各回路部品が搭載される構成としたが、光送受信回路部9の構成等によっては、光送受信ボード10を構成する各基板の片面のみに光送受信回路部9の各回路部品が搭載される構成としてもよい。
また、図1から図8に示す光送受信モジュール1・2・3・4においては、光送受信ボード10を構成する各基板が略同一の形状を有するとした。しかし、光送受信回路部9の構成等によっては、光送受信ボード10を構成する各基板の大きさを異なったものにしてもよい。
図1から図8で示す本実施の形態の光送受信モジュール1・2・3・4においては、光送受信回路部9の各回路が複数の基板から構成される光送受信ボード10上に分散されて搭載さる。また光送受信ボード10を構成する各基板はリジッド基板により構成され、フレキシブル基板である光送受信ボード接続用FPC12により接続される。これにより、各光送受信ボード接続用FPC12の長さの範囲内で光送受信ボード10を構成する各基板の配置を行うことが可能となる。
この結果、図1から図8に示したように、本実施の形態の光送受信モジュール1・2・3・4は、XFPモジュールと比較して、モジュール全体の小型化が可能になる。
また、図1から図8に示す光送受信モジュール1・2・3・4の第1の例及び第2の例においては、上述したように、光送受信モジュール筐体の大きさ及び形状、光ケーブル接続コネクタ11の位置及び他基板接続用FPC13が筐体の外へ引き出される位置等が異なる。よって、光送受信モジュールを搭載するネットワークカード等の構成に応じて、適用可能な光送受信モジュールを選択することができる。
次にフレキシブル基板である、ROSA接続用FPC8、TOSA接続用FPC7、光送受信ボード接続用FPC12及び他基板接続用FPC13と、光送受信ボード10を構成する各リジッド基板の各接続部における、マイクロストリップ線路の特性インピーダンスの整合を行うためのインピーダンス整合手段の構成例について説明する。
本発明の光送受信モジュールにおいては、後述するように、外部の情報通信機器等の間と高速でデータの送受信が行われ、その際には、各フレキシブル基板及び各リジッド基板にマイクロストリップラインとして備えられた各信号線路で高周波信号が伝送される。インピーダンス整合手段は、フレキシブル基板とリジッド基板の各接続部におけるインピーダンスを整合し、高周波信号の伝送特性を向上させるために設けられる。まず、第1のインピーダンス整合手段の構成例について説明する。
<第1のインピーダンス整合手段の構成例>
第1のインピーダンス整合手段においては、フレキシブル基板である、ROSA接続用FPC8、TOSA接続用FPC7、光送受信ボード接続用FPC12及び他基板接続用FPC13と、光送受信ボード10を構成する各リジッド基板は、それぞれの基板端部に備えられた接続端子が半田により接続される。第1のインピーダンス整合手段として各リジッド基板及びフレキシブル基板は、次のような基板接続構造を有する。
図9から図14は、第1のインピーダンス整合手段の基板接続構造を示す説明図である。図9はフレキシブル基板14とリジッド基板15の接続構造の概略を示す平面図であり、説明のため一部の構成を透視した状態で破線で示している。図10は図9のA−A断面を示す概略図である。図11は後述するフレキシブル基板14のカバーレイ16及び第一配線層14aを示す平面図であり、図9の上方から見た状態を示している。図12は後述するフレキシブル基板14のカバーレイ16及び第二配線層14cを示す平面図であり、図9の下方から見た状態を示している。図13は後述するリジッド基板15のレジスト17及び第一配線層14aを示す平面図であり、図9の上方から見た状態を示している。図14は後述するフレキシブル基板14の第二配線層14cを示す平面図であり、図9の上方から見た状態を示している。
図9から図14に示すように、第1のインピーダンス整合手段の基板接続構造では、フレキシブル基板14とリジッド基板15が、重ね合わされた状態で電気的に接続される。フレキシブル基板14は第一配線層14a、第一絶縁層14b及び第二配線層14cが上下に積層されて形成される。第一配線層14aの上部及び第二配線層14cの下部にはカバーレイ16が備えられる。リジッド基板15は第一から第四の各配線層と第一から第三の各絶縁層が交互に上下に積層されて形成される。第一配線層15aの上部にはレジスト17が備えられる。
また、フレキシブル基板14の第一配線層14aには、信号配線層としてマイクロストリップラインである一対の信号線路19a・19bが配線される。リジッド基板15の第一配線層15aには、信号配線層としてマイクロストリップラインである一対の信号線路19c・19dが配線される。フレキシブル基板14の第二配線層14cにはグランド層14eが形成され、リジッド基板15の第二配線層15cはグランド層15hが形成される。リジッド基板15の第三配線層15e及び第四配線層15gは信号配線層又はグランド層として用いられる。グランド層は接地導体層の一例である。
更に、フレキシブル基板14の第二配線層14cの端部には、リジッド基板15との電気的接続に用いられる信号接続パッド14f及びグランド接続パッド14gが備えられる。信号接続パッド14fはリジッド基板接続信号端子の一例であり、グランド接続パッド14gはリジッド基板接続接地端子の一例である。リジッド基板15の第一配線層15aの端部には、フレキシブル基板14との電気的接続に用いられる信号接続パッド15j及びグランド接続パッド15iが備えられる。信号接続パッド15jはフレキシブル基板接続信号端子の一例であり、グランド接続パッド15iはフレキシブル基板接続接地端子の一例である。フレキシブル基板14とリジッド基板15は、基板の一方の面の端部に備えられたこれらの接続パッドにより電気的に接続するように、互いに重ね合わされた状態となる。フレキシブル基板14とリジッド基板15の各接続パッドは半田18により接続される。
リジッド基板15の各接続パッドは、例えばフレキシブル基板14の対応した各接続パッドと比較してある程度大きいサイズに形成される。これにより、フレキシブル基板14及びリジッド基板15が、所定の位置からある程度ずれて重ね合わされた場合にも各信号及びグランドのラインの電気的な接続を確保することが可能となる。
またフレキシブル基板14は、第一配線層14aに備えられた信号線路19a・19bと第二配線層14cに備えられた各信号接続パッド14fを接続する貫通ビアである信号ビア14dを備える。第一配線層14aに備えられた信号線路19a・19bと第二配線層14cに備えられた信号接続パッド14fは、インダクタンスの影響による特性インピーダンスのミスマッチを避けるため、例えば二つの信号ビア14dにより接続される。更にフレキシブル基板14は、第一配線層14aと第二配線層14cに備えられたグランド接続パッド14gを接続する貫通ビアであるグランドビア14hを備える。グランドビア14hは、それぞれ信号ビア14dに対する所定の位置に設けられる。
ここで、信号ビア14d及びグランドビア14hは貫通ビアとして形成されているため、フレキシブル基板14とリジッド基板15の各接続パッドどうしを圧着により半田18で接続する際に、各信号ビア14d及びグランドビア14hの上部から加えられる熱を半田18に対して効率良く伝達することが可能となる。信号ビア14dは信号配線用ビアの一例である。
また、図5及び図7に示すように、フレキシブル基板14の第一配線層14aに備えられた信号線路19a・19bは、信号ビア14dの近傍で、各信号線路19a・19bの所定の線幅と信号ビア14dの直径に応じて信号ビア14dに向かってテーパ状に広くなるように形成された信号線路テーパ部14iを備える。信号線路テーパ部14iは、フレキシブル基板のマイクロストリップ線路に形成されたテーパ部の一例である。
更に、図5及び図8に示すように、フレキシブル基板14の第二配線層14cのグランド層14eは、グランドビア14hの近傍において、第一配線層14aに形成された信号線路19a・19bの信号線路テーパ部14iの向きに合わせて形成されたグランド層テーパ部14jを備える。グランド層テーパ部14jは、フレキシブル基板のマイクロストリップ線路に対応した接地導体部に形成されたテーパ部の一例である。図12のCに示す領域は、フレキシブル基板14とリジッド基板15の各接続パッドの圧着による接続時の半田18の流入を防ぐため、グランド層14eが非形成となる。
また、フレキシブル基板14の両面に備えられるそれぞれのカバーレイ16は信号ビア14d及びグランドビア14hの周囲の所定の領域にて非形成となっている。ここで図11のBに示すように、フレキシブル基板14の第一配線層14aの面に備えられるカバーレイ16は、第一配線層14aの信号線路19a・19bの信号線路テーパ部14iの一部を覆う形状に形成される。また、図12のDに示すように、フレキシブル基板14の第二配線層14cの面に備えられるカバーレイ16は、第二配線層14cのグランド層14eのグランド層テーパ部14jの一部を覆う形状に形成される。カバーレイ16は保護フィルムの一例である。
更にリジッド基板15の第一配線層15aに備えられているレジスト17は、信号ビア14d及びグランドビア14hの周囲の所定の領域にて非形成となっている(レジスト開口部17a)。
図9から図14に示す第1のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、二つの信号線路19により差動信号が伝送される構成とした。しかし、一つの信号線路19によりシングルエンドモードの信号が伝送され、この信号線路19の接続を行う信号ビア14d及び信号接続パッド14fの両側に所定の間隔でグランドビア14h及びグランド接続パッド14gが配置される構成としてもよい。
次に、第2のインピーダンス整合手段の構成例について説明する。
<第2のインピーダンス整合手段の構成例>
第2のインピーダンス整合手段においては、第1のインピーダンス整合手段と同様に、フレキシブル基板である、ROSA接続用FPC8、TOSA接続用FPC7、光送受信ボード接続用FPC12及び他基板接続用FPC13と、光送受信ボード10を構成する各リジッド基板は、それぞれの基板端部に備えられた接続端子が半田により接続される。また、後述するように、第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、リジッド基板15の第二配線層15cのグランド層15kを、第1のインピーダンス整合手段の基板接続構造のリジッド基板15の第二配線層15cのグランド層15hで、信号接続パッド15jの形状に応じてグランド層を非形成としたグランド層開口部15lを備える形状としたものである。第2のインピーダンス整合手段として各リジッド基板及びフレキシブル基板は、次のような基板接続構造を有する。
図15から図20は、第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造の構成を示す説明図である。図15はフレキシブル基板14とリジッド基板15の接続構造の概略を示す平面図であり、説明のため一部の構成を透視した状態で破線で示している。図16は図15のE−E断面を示す概略図である。図17は後述するフレキシブル基板14のカバーレイ16及び第一配線層14aを示す平面図であり、図16の上方から見た状態を示している。図18は後述するフレキシブル基板14のカバーレイ16及び第二配線層14cを示す平面図であり、図16の下方から見た状態を示している。図19は後述するリジッド基板15のレジスト17及び第一配線層14aを示す平面図であり、図16の上方から見た状態を示している。図20は後述するフレキシブル基板14の第二配線層14cを示す平面図であり、図16の上方から見た状態を示している。
図15から図20に示すように、第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、第1のインピーダンス整合手段の基板接続構造と同様に、フレキシブル基板14とリジッド基板15が、重ね合わされた状態で電気的に接続される。第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、フレキシブル基板14は第一配線層14a、第一絶縁層14b及び第二配線層14cが上下に積層されて形成され、第一配線層14aの上部及び第二配線層14cの下部にはカバーレイ16が備えられる。リジッド基板15は第一から第四の各配線層と第一から第三の各絶縁層が交互に上下に積層されて形成され、第一配線層14aの上部にはレジスト17が備えられる。
また、フレキシブル基板14の第一配線層14aには、信号配線層としてマイクロストリップラインである一対の信号線路19a・19bが配線される。リジッド基板15の第一配線層15aには、信号配線層としてマイクロストリップラインである一対の信号線路19c・19dが配線される。フレキシブル基板14の第二配線層14cにはグランド層14eが形成され、リジッド基板15の第二配線層15cはグランド層15kが形成される。リジッド基板15の第三配線層15e及び第四配線層15gは信号配線層又はグランド層として用いられる。グランド層は接地導体層の一例である。
更に、フレキシブル基板14の第二配線層14cの端部には、リジッド基板15との電気的接続に用いられる信号接続パッド14f及びグランド接続パッド14gが備えられる。信号接続パッド14fはリジッド基板接続信号端子の一例であり、グランド接続パッド14gはリジッド基板接続接地端子の一例である。リジッド基板15の第一配線層15aの端部には、フレキシブル基板14との電気的接続に用いられる信号接続パッド15j及びグランド接続パッド15iが備えられる。信号接続パッド15jはフレキシブル基板接続信号端子の一例であり、グランド接続パッド15iはフレキシブル基板接続接地端子の一例である。フレキシブル基板14とリジッド基板15は、基板の一方の面の端部に備えられたこれらの接続パッドにより電気的に接続するように、互いに重ね合わされた状態となる。フレキシブル基板14とリジッド基板15の各接続パッドは半田18により接続される。
リジッド基板15の各接続パッドは、例えばフレキシブル基板14の対応した各接続パッドと比較してある程度大きいサイズに形成される。これにより、フレキシブル基板14及びリジッド基板15が、所定の位置からある程度ずれて重ね合わされた場合にも各信号及びグランドのラインの電気的な接続を確保することが可能となる。
また図15及び図20に示すように、第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、第1のインピーダンス整合手段の基板接続構造と異なり、リジッド基板15の第二配線層15cのグランド層15kに、リジッド基板15の信号接続パッド14fの形状に応じてグランド層を非形成としたグランド層開口部15lを備える。グランド層開口部15lは、例えば一対の信号線路19を接続する一対の信号接続パッド14fに対応した矩形に形成される。グランド層開口部15lは開口部の一例である。
またフレキシブル基板14は、第一配線層14aに備えられた信号線路19a・19bと第二配線層14cに備えられた信号接続パッド14fを接続する貫通ビアである信号ビア14dを備える。第一配線層14aに備えられた信号線路19と第二配線層14cに備えられた信号接続パッド14fは、インダクタンスの影響による特性インピーダンスのミスマッチを避けるため、例えば二つの信号ビア14dにより接続される。更にフレキシブル基板14は、第一配線層14aと第二配線層14cに備えられたグランド接続パッド14gを接続する貫通ビアであるグランドビア14hを備える。グランドビア14hは、それぞれ信号ビア14dに対する所定の位置に設けられる。
ここで、信号ビア14d及びグランドビア14hは貫通ビアとして形成されているため、フレキシブル基板14とリジッド基板15の各接続パッドどうしを圧着により半田18で接続する際に、各信号ビア14d及びグランドビア14hの上部から加えられる熱を半田18に対して効率良く伝達することが可能となる。信号ビア14dは信号配線用ビアの一例である。
また、図15及び図17に示すように、フレキシブル基板14の第一配線層14aに備えられた信号線路19a・19bは、信号ビア14dの近傍で、各信号線路19a・19bの所定の線幅と信号ビア14dの直径に応じて信号ビア14dに向かってテーパ状に広くなるように形成された信号線路テーパ部14iを備える。信号線路テーパ部14iは、フレキシブル基板のマイクロストリップ線路に形成されたテーパ部の一例である。
更に、図15及び図18に示すように、フレキシブル基板14の第二配線層14cのグランドビア14hの近傍において、第一配線層14aに形成された信号線路19a・19bの信号線路テーパ部14iの向きに合わせて形成されたグランド層テーパ部14jを備える。グランド層テーパ部14jは、フレキシブル基板のマイクロストリップ線路に対応した接地導体部に形成されたテーパ部の一例である。図18のGに示す領域は、フレキシブル基板14とリジッド基板15の各接続パッドの圧着による接続時の半田18の流入を防ぐため、グランド層14eが非形成となる。
また、フレキシブル基板14の両面に備えられるそれぞれのカバーレイ16は信号ビア14d及びグランドビア14hの周囲の所定の領域にて非形成となっている。ここで図17のFに示すように、フレキシブル基板14の第一配線層14aの面に備えられるカバーレイ16は、第一配線層14aの信号線路19a・19bの信号線路テーパ部14iの一部を覆う形状に形成される。また、図18のHに示すように、フレキシブル基板14の第二配線層14cの面に備えられるカバーレイ16は、第二配線層14cのグランド層14eのグランド層テーパ部14jの一部を覆う形状に形成される。カバーレイ16は保護フィルムの一例である。
更にリジッド基板15の第一配線層15aに備えられているレジスト17は、信号ビア14d及びグランドビア14hの周囲の所定の領域にて非形成となっている(レジスト開口部17a)。
図15から図20に示す第2の実施の形態の基板接続構造においては、二つの信号線路19により差動信号が伝送される構成とした。しかし、一つの信号線路19によりシングルエンドモードの信号が伝送され、この信号線路19接続を行う信号ビア14d及び信号接続パッド14fの両側に所定の間隔でグランドビア14h及びグランド接続パッド14gが配置される構成としてもよい。
次に、第1及び第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造の動作例ついて説明する。
<第1・第2のインピーダンス整合手段の動作例>
第1及び第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造では、フレキシブル基板14の第一配線層14aに設けられた信号線路19a・19b、及びリジッド基板15の第一配線層15aに設けられた信号線路19c・19dにより高周波の信号が伝送される。信号が伝送される際には、フレキシブル基板14の第一配線層14aの信号線路19a・19b及びリジッド基板15の第一配線層15aの信号線路19c・19d、及び、これらの信号線路19を接続する信号ビア14dに信号電流が流れる。
図21は第1・第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造のフレキシブル基板14の信号線路19にて、高周波の信号が伝送される際の信号電流及び帰還電流の流れを示す平面図である。図21は、フレキシブル基板14の第一配線層14aに設けられた信号線路19a・19b及び第二配線層14cに設けられたグランド層14eを示している。フレキシブル基板14及びリジッド基板15の各信号線路19に高周波の信号が伝送される際には、図21の矢印Iに示すように信号線路19a・19bに電流が流れる。またこの時、図21の矢印Jに示すようにグランド層14eを帰還電流が流れる。
ここで第1・第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、フレキシブル基板14の第一配線層14aに備えられた信号線路19a・19bは、信号ビア14dの近傍で信号ビア14dに向かってテーパ状に広くなるように形成された信号線路テーパ部14iを備える。また、フレキシブル基板14の第二配線層14cのグランドビア14hの近傍において、フレキシブル基板14の信号線路19の信号線路テーパ部14iに合わせた向きに形成された、グランド層テーパ部14jを備える。
このため、信号線路19a・19bと信号ビア14dの接続部近傍における、信号線路19a・19bとフレキシブル基板14の第二配線層14cのグランド層の結合を強めることができ、伝送線路の特性インピーダンスの急激な変化が抑えられる。更に、図21の矢印Jに示すように、グランドビア14hの近傍において帰還電流の経路の急激な変化が抑えられる。これにより、フレキシブル基板14とリジッド基板15の接続箇所における高周波の信号の伝送特性を向上させることが可能となる。
また、第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、図16及び図20に示すように、リジッド基板15の第二配線層15cのグランド層15kに、リジッド基板15の信号接続パッド15jの形状に応じてグランド層を非形成としたグランド層開口部15lを備える。これにより、リジッド基板15の信号接続パッド15jとリジッド基板15の第二配線層15cのグランド層15kとの間の結合が弱まり、生じるキャパシタンスを小さくなる。よって、リジッド基板15の信号接続パッド15jにおける特性インピーダンスの低下による伝送線路の特性インピーダンスのミスマッチを防ぎ、高周波の信号の伝送特性を更に向上させることが可能となる。これは、リジッド基板15の第一絶縁層15bの厚さが薄く、信号接続パッド15jとリジッド基板15の第二配線層15cのグランド層15kとの間の結合が強い場合に、特に有効となる。
また、第1及び第2のインピーダンス整合手段の基板接続構造では、フレキシブル基板14の両面にカバーレイ16が備えられる。図11のB及び図17のFに示すように、フレキシブル基板14の第一配線層14aの面に備えられるカバーレイ16は、第一配線層14aの信号線路19の信号線路テーパ部14iの一部を覆う形状に形成される。また、図8のD及び図18のHに示すように、フレキシブル基板14の第二配線層14cの面に備えられるカバーレイ16は、第二配線層14cのグランド層14eのグランド層テーパ部14jの一部を覆う形状に形成される。
このため、カバーレイ16の端部が重なる箇所の信号線路19a・19b及びグランド層14eの幅が広くなり、フレキシブル基板14の折り曲げに対する強度を向上させることができる。
次に、第3のインピーダンス整合手段の構成例について説明する。
<第3のインピーダンス整合手段の構成例>
第3のインピーダンス整合手段においては、フレキシブル基板及びリジッド基板は、フレキシブル基板の一部にリジッド基板が上下に積層されたフレックスリジッド基板として構成される。第3のインピーダンス整合手段として各リジッド基板及びフレキシブル基板は、次のような基板接続構造を有する。
図22から図28は、第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造の構成を示す説明図である。図22は当該基板接続構造の概略を示す平面図であり、説明のため一部の構成を透視した状態で破線で示している。図23は図22のK−K断面を示す概略図である。図24は後述する第一配線層21aを示す平面図であり、説明のため後述する第二配線層21cのグランド層開口部21pを破線で示している。図25は後述する第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kを示す平面図である。図26は後述する第三配線層21eを示す平面図であり、説明のため後述する第四配線層21gのグランド層開口部21oを破線で示している。図27は後述する第四配線層21gを示す平面図であり、説明のためフレキシブル基板部22とリジッド基板部20の境界を破線で示している。
図22及び図23に示すように、第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、フレキシブル基板のみにより構成されるフレキシブル基板部22と、フレキシブル基板の一部の上下にリジッド基板が積層されたリジッド基板部20とを備える。また図23に示すように、フレキシブル基板部22は、第三配線層21e、第三絶縁層21f及び第四配線層21gが上下に積層されて形成される。リジッド基板部20は、第一から第六の各配線層と第一から第五の各絶縁層が交互に上下に積層されて形成される。
図24及び図26に示すように、第一配線層21aにはマイクロストリップラインである一対の信号線路19e・19fが配線され、第三配線層21eにはマイクロストリップラインである一対の信号線路19g・19hが配線される。また図25及び図27に示すように、第二配線層21c、第四配線層21g、第五配線層21i及び第六配線層21kはグランド層21mが形成される。グランド層は接地導体層及び接地導体部の一例である。
また、図22から図27に示すように、第一配線層21aに設けられた各信号線路19と、第三配線層21eに設けられた各信号線路19をそれぞれ接続する一対の信号ビア21lが、所定の間隔でリジッド基板部20に配置される。更に、第二配線層21c、第四配線層21g、第五配線層21i及び第六配線層21kの各グランド層21mを接続する一対のグランドビア21nがリジッド基板部20に備えられる。各グランドビア21nは一対の信号ビア21lを挟む位置に配置される。グランドビア21nと信号ビア21lの間隔は、例えば信号ビア21l間の間隔と等しい、若しくは信号ビア21l間の間隔よりも広く形成される。また、各信号ビア21l及び各グランドビア21nは、リジッド基板部20を貫通して形成される貫通ビアとして形成される。信号ビア21lは信号配線用ビアの一例であり、グランドビア21nは接地配線用ビアの一例である。
また、図25に示すように、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kに形成された各グランド層21mにおいては、各信号ビア21lの周囲において、例えば次のような形状にグランド層21mが非形成となるグランド層開口部21pを備える。まず、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mが非形成となる。更に、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向側となる領域においては、一対の信号ビア21lの周囲にて所定の大きさの半長円形の領域で、グランド層21mが非形成となる。また図4に示す、第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kの端部まで、グランド層21mが非形成となるグランド層開口部21pが備えられる。
第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造では、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kにおいて、グランド層開口部21pは、以上のような構成を備えるため、各グランドビア21nは、グランド層21mのグランド層開口部21pに対する端部に位置する。
更に、図27に示すように、第四配線層21gに形成されたグランド層21mにおいては、例えば一対の信号ビア21lの周囲にて所定の大きさの長円形の領域で、グランド層21mが非形成となるグランド層開口部21oを備える。グランド層開口部21p及びグランド層開口部21oは開口部の一例である。
また、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kに形成された各グランド層21mにおいては、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19g・19hの配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mが非形成となる。このため、信号ビア21lと第二配線層、第五配線層21i及び第六配線層21kのグランド層21mとの間に生じる寄生容量は小さくなる。
更に第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、一対の信号ビア21lの間隔は、第一配線層21a及び第三配線層21eにおける一対の信号線路19の間隔よりも広くなり、このため一対の信号線路19は、図24及び図26に示すように、第一配線層21a及び第三配線層21eにおいて、それぞれ第二配線層21c及び第四配線層21gに形成されたグランド層開口部21pに対応した箇所において、八の字状に広がるように形成される。
図22から図27に示す第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、二つの信号線路19により差動信号が伝送される構成とした。しかし、一つの信号線路19によりシングルエンドモードの信号が伝送され、この信号線路19の層間接続を行う信号ビア21lの両側に所定の間隔でグランドビア21nが配置される構成としてもよい。
また、第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造の第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kに形成された各グランド層21mにおいては、図25に示すように、次のようにグランド層21mが非形成となるグランド層開口部21pを備えるとした。グランド層開口部21pにおいては、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mが非形成となり、更に、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向側となる領域においては、一対の信号ビア21lの周囲にて所定の大きさの半長円形の領域で、グランド層21mが非形成となる。
しかし、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kに形成された各グランド層21mにおいて、信号ビア21lの周囲の所定の領域から第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mを非形成としたグランド層開口部21pを備えるとしてもよい。
<第4のインピーダンス整合手段の構成例>
次に第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造の構成について説明する。第4のインピーダンス整合手段においては、フレキシブル基板及びリジッド基板は、フレキシブル基板の一部にリジッド基板が上下に積層されたフレックスリジッド基板として構成される。第4のインピーダンス整合手段として各リジッド基板及びフレキシブル基板は、次のような基板接続構造を有する。後述するように、第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造において、各信号線路19の信号ビア21lへの接続箇所をテーパ状に形成したものである。
図29から図34は、第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造の構成を示す説明図である。図29は第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造の概略を示す平面図であり、説明のため一部の構成を透視した状態で破線で示している。図30は図29のP−P断面を示す概略図である。図31は後述する第一配線層21aを示す平面図であり、説明のため後述する第二配線層21cのグランド層開口部21pを破線で示している。図32は後述する第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kを示す平面図である。図34は後述する第三配線層21eを示す平面図であり、説明のため後述する第四配線層21gのグランド層開口部21oを破線で示している。図34は後述する第四配線層を示す平面図であり、説明のためフレキシブル基板部22とリジッド基板部20の境界を破線で示している。
図29及び図30に示すように、第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、フレキシブル基板のみにより構成されるフレキシブル基板部22と、フレキシブル基板の一部の上下にリジッド基板が積層されたリジッド基板部20とを備える。また図30に示すように、フレキシブル基板部22及びリジッド基板部20は、第一から第六の各配線層と第一から第五の各絶縁層が交互に上下に積層されて形成される。
図31及び図33に示すように、第一配線層21aにはマイクロストリップラインである一対の信号線路19e・19fが配線され、第三配線層21eにはマイクロストリップラインである一対の信号線路19g・19hが配線される。また図32及び図34に示すように、第二配線層21c、第四配線層21g、第五配線層21i及び第六配線層21kはグランド層21mが形成される。グランド層21mは接地導体層及び接地導体部の一例である。
また、図29から図34に示すように、第一配線層21aに設けられた信号線路19g・19hと、第三配線層21eに設けられた信号線路19e・19fをそれぞれ接続する一対の信号ビア21lが、所定の間隔でリジッド基板部20に配置される。更に、第二配線層21c、第四配線層21g、第五配線層21i及び第六配線層21kの各グランド層21mを接続する一対のグランドビア21nがリジッド基板部20に備えられる。各グランドビア21nは一対の信号ビア21lを挟む位置に配置される。グランドビア21nと信号ビア21lの間隔は、例えば信号ビア21l間の間隔と等しい、若しくは信号ビア21l間の間隔よりも広く形成される。また、各信号ビア21l及び各グランドビア21nは、リジッド基板部20を貫通して形成される貫通ビアとして形成される。信号ビア21lは信号配線用ビアの一例であり、グランドビア21nは接地配線用ビアの一例である。
また、図32に示すように、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kに形成された各グランド層21mにおいては、各信号ビア21lの周囲において、例えば次のような形状にグランド層21mが非形成となるグランド層開口部21pを備える。まず、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mが非形成となる。更に、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向側となる領域においては、一対の信号ビア21lの周囲にて所定の大きさの半長円形の領域で、グランド層21mが非形成となる。また図15に示す、第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kの端部まで、グランド層21mが非形成となるグランド層開口部21pが備えられる。
第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造では、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kにおいて、グランド層開口部21pは、以上のような構成を備えるため、各グランドビア21nは、グランド層21mのグランド層開口部21pに対する端部に位置する。
更に、図34に示すように、第四配線層21gに形成されたグランド層21mにおいては、例えば一対の信号ビア21lの周囲にて所定の大きさの長円形の領域で、グランド層21mが非形成となるグランド層開口部21oを備える。グランド層開口部21p及びグランド層開口部21oは開口部の一例である。
また、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kに形成された各グランド層21mにおいては、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mが非形成となる。このため、信号ビア21lと第二配線層、第五配線層21i及び第六配線層21kのグランド層21mとの間に生じる寄生容量は小さくなる。
更に第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、一対の信号ビア21lの間隔は、第一配線層21a及び第三配線層21eにおける一対の信号線路19の間隔よりも広くなり、このため一対の信号線路19は、図31及び図33に示すように、第一配線層21a及び第三配線層21eにおいて、それぞれ第二配線層21c及び第四配線層21gに形成されたグランド層開口部21pに対応した箇所において、八の字状に広がるように形成される。
また、第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造と異なり、図31及び図33に示すように、第一配線層21a及び第三配線層21eに設けられた各信号線路19は、第二配線層21c及び第四配線層21gに形成されたグランド層開口部21pに対応した箇所において、各信号線路19の所定の線路幅と信号ビア21lの径に応じて信号ビア21lに向かって広がるようにテーパ状に形成されている。
図29から図34に示す第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、二つの信号線路19により差動信号が伝送される構成とした。しかし、一つの信号線路19によりシングルエンドモードの信号が伝送され、この信号線路19の層間接続を行う信号ビア21lの両側に所定の間隔でグランドビア21nが配置される構成としてもよい。
また、第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造の第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kに形成された各グランド層21mにおいては、図32に示すように、次のようにグランド層21mが非形成となるグランド層開口部21pを備えるとした。グランド層開口部21pにおいては、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mが非形成となり、更に、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向側となる領域においては、一対の信号ビア21lの周囲にて所定の大きさの半長円形の領域で、グランド層21mが非形成となる。
しかし、第二配線層21c、第五配線層21i及び第六配線層21kに形成された各グランド層21mにおいて、信号ビア21lの周囲の所定の領域から第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mを非形成としたグランド層開口部21pを備えるとしてもよい。
次に、第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造の動作例ついて説明する。
<第3・第4のインピーダンス整合手段の動作例>
第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造では、第一配線層21a及び第三配線層21eに設けられた信号線路19により信号が伝送される。信号が伝送される際には、第一配線層21a及び第三配線層21eの信号線路19、及び、第一配線層21a及び第三配線層21eの信号線路19を接続する信号ビア21lに信号電流が流れる。
図28は第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造の信号線路19にて、高周波の信号が伝送される際の信号電流及び帰還電流の流れを示す平面図であり、図35は第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造の信号線路19にて、高周波の信号が伝送される際の信号電流及び帰還電流の流れを示す平面図である。図28及び図35は、第一配線層21aに設けられた信号線路19及び第二配線層21cに設けられたグランド層21mを示している。第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造において、信号線路19に高周波の信号が伝送される際には、図28の矢印N及び図35の矢印Sに示すように信号線路19に電流が流れる。またこの時、図28の矢印O及び図35の矢印Tに示すようにグランド層21mを帰還電流が流れる。
ここで、高周波の帰還電流はグランド層21mの端部を流れる性質がある。しかし、第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造の第二配線層21cにおいては、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mが非形成となる。このため、帰還電流は、図28の矢印S及び図35の矢印Tに示すように短い経路で流れる。このため第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、帰還電流の伝送損失を小さくすることができ、信号線路19の高周波の信号の伝送特性を良好にすることが可能となる。
また、第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mが非形成となる。このため、信号ビア21lと第二配線層21cのグランド層21mとの間に生じる寄生容量は小さくなる。よって、信号ビア21lの特性インピーダンスの値が、第二配線層21cのグランド層21mの影響により小さくなることを押さえることができる。これにより、信号線路19の高周波の信号の伝送特性を良好にすることが可能となる。
第3のインピーダンス整合手段の基板接続構造及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、第二配線層21cにおいて所定の形状にグランド層21mが非形成となるグランド層開口部21p又はグランド層開口部21oを備える。よって第二配線層21cのグランド層開口部21p又はグランド層開口部21oに対応した箇所においては、第一配線層21aの各信号線路19はグランド層21mとの結合が弱まり、寄生容量が小さくなり特性インピーダンスの値が大きくなってしまう。
しかし、第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、図31に示すように、第一配線層21aに設けられた各信号線路19は、第二配線層21cに形成されたグランド層開口部21pに対応した箇所において信号ビア21lに向けてテーパ状に広がるように形成されている。このため、信号線路19と図14のCに示す第二配線層21cの端部との結合が強くなる。よって、寄生容量が小さくなることによる特性インピーダンスの値が大きくなることを防ぎ、信号線路19の高周波の信号の伝送特性を良好にすることが可能となる。
同様に、第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、第四配線層21gにおいて所定の形状にグランド層21mが除かれたグランド層開口部21oを備える。よって第二配線層21cのグランド層開口部21oに対応した箇所においては、第三配線層21eの各信号線路19はグランド層21mとの結合が弱まり、寄生容量が小さくなり特性インピーダンスの値が大きくなってしまう。
しかし、第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、図33に示すように、第三配線層21eに設けられた各信号線路19は、第四配線層21gに形成されたグランド層開口部21oに対応した箇所において信号ビア21lに向けてテーパ状に広がるように形成されているため、信号線路19と図33のRに示す第四配線層21gの端部との結合を強くなる。よって、寄生容量が小さくなることによる特性インピーダンスの値が大きくなることを防ぎ、信号線路19の高周波の信号の伝送特性を良好にすることが可能となる。
第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、図23のM及び図30のQに示すように、信号ビア21lに信号電流の伝送に寄与しないスタブ部分が形成されている。このスタブ部分は伝送線路の特性インピーダンスを低下させ、伝送特性を悪化させる原因となっている。しかし、第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造では、図24及び図31に示すように、第五配線層21iと第六配線層21kにおいて、信号ビア21lとグランドビア21nを結ぶ線で分割して、第一配線層21aの信号線路19の配線方向の反対側となる領域において、グランド層21mが非形成となる。
このため、第3及び第4のインピーダンス整合手段の基板接続構造は、信号ビア21lと第五配線層21i及び第六配線層21kの各グランド層21mとの間に生じる寄生容量が小さくなるので、図23のM及び図30のQに示すスタブ部分による伝送線路の特性インピーダンスの低下を小さくすることができ、その結果、伝送線路の悪化を押さえることができ、信号線路19の高周波の信号の伝送特性を良好にすることが可能となる。
図36は、本発明のインピーダンス整合手段の基板接続構造の各周波数における、信号線路19上の信号電流の反射損失(S11)及び伝送損失(S21)の測定結果を示す図である。Uは反射損失(S11)の測定結果を示し、Vは伝送損失(S21)の測定結果を示している。
高速信号の安定した伝送を行うためには、伝送データレートの周波数において伝送路の反射損失(S11)が−10dB以下であり、伝送損失(S21)が−3dB以上であることが必要であるとされる。図36に示すように、本発明のインピーダンス整合手段の
基板接続構造においては23GHz程度まで上記条件を満たす。よって、本発明のインピーダンス整合手段の基板接続構造においては、10Gbpsの高速のシリアル伝送を安定して行うことができる。以上より、本発明のインピーダンス整合手段の基板接続構造で、フレキシブル基板とリジッド基板との接続箇所における高周波信号の伝送特性を向上させることが可能となることが確認できる。
次に、本発明の光送受信モジュール全体の動作例について説明する。
<本発明の光送受信モジュールの動作例>
図1から図8で示した構成を備え、フレキシブル基板とリジッド基板の各接続部に第1から第4のインピーダンス整合手段を備えることにより、本実施の形態の光送受信モジュール1・2・3・4では、光ケーブル接続コネクタ11に接続された光ケーブルを通じて、次に示すように外部の情報通信機器等とのデータの送受信が行われる。
外部の情報通信機器等へのデータの送信は、次のように行われる。パーソナルコンピュータ等の拡張スロットを介して、データ送信に必要な情報が電気信号で光送受信モジュール50が搭載されたネットワークカード等の各回路に入力される。入力されたデータ送信に必要な情報は、備えられているMAC用チップ及びPHY用チップ等により処理が行われ、他基板接続用FPC13を介して光送受信ボード10上の光送受信回路部9に電気信号で入力される。
その後、光送受信回路部9に入力された情報に基づき、TOSA接続用FPC7を介して、電気信号でTOSA5のレーザーダイオードが駆動され、光ケーブルを通じて外部の情報通信機器に対して光信号でデータの送信が行われる。
外部の情報通信機器等からのデータの受信は、次のように行われる。外部の情報通信機器からのデータが、ROSA6のフォトダイオードに光ケーブルを通じて光信号で入力される。ROSA6のフォトダイオードに入力された光信号は電気信号に変換され、ROSA接続用FPC8を介して、光送受信ボード10上の光送受信回路部9に電気信号で入力される。光送受信回路部9に入力された電気信号はポストアンプ回路等により処理された後、他基板接続用FPC13を介して他基板上の各回路に入力される。入力された電気信号は、備えられているPHY用チップ及びMAC用チップ等により処理が行われ、受信したデータとして拡張スロット等を介してパーソナルコンピュータ等側に電気信号で出力される。
また、上述したように、光ケーブルを通じて外部の情報通信機器とデータの送受信が行われる際には、TOSA接続用FPC7、ROSA接続用FPC8、光送受信ボード接続用FPC12、他基板接続用FPC13及び光送受信ボード10の各基板の各信号線路、及び各接合箇所では高周波の電気信号が伝送される。例えば、10Gビット/秒といった高速のシリアルデータ伝送が行われるような場合は、10GHzを越える高周波の信号に対しても対応する必要がある。
本実施の形態の光送受信モジュール1・2・3・4では、フレキシブル基板とリジッド基板の接続部に第1から第4のインピーダンス整合手段が備えられる。これにより、高速のデータの送受信を行うことで各基板の信号線路及び接合箇所に高周波の信号が伝送される場合であっても、高品位な信号の伝送が可能となり、安定したデータの送受信が可能となる。
また、本実施の形態の光送受信モジュール1・2・3・4においては、フレキシブル基板とリジッド基板の各接続部において、第1から第4の何れのインピーダンス整合手段も適用可能である。よって、フレキシブル基板とリジッド基板の接続部によってインピーダンス整合手段が異なる構成とすることも可能である。
1・・・光送受信モジュール、2・・・光送受信モジュール、3・・・光送受信モジュール、4・・・光送受信モジュール、5・・・TOSA、6・・・ROSA、7・・・TOSA接続用FPC、8・・・ROSA接続用FPC、9・・・光送受信回路部、10・・・光送受信ボード、12・・・光送受信ボード接続用FPC、13・・・他基板接続用FPC、14・・・フレキシブル基板、14e・・・グランド層、14f・・・信号接続パッド、14g・・・グランド接続パッド、14d・・・信号ビア、14h・・・グランドビア、14i・・・信号線路テーパ部、14j・・・グランド層テーパ部、15・・・リジッド基板、15h・・・グランド層、15i・・・グランド接続パッド、15j・・・信号接続パッド、15l・・・グランド層開口部、16・・・カバーレイ、19・・・信号線路、20・・・リジッド基板部、21l・・・信号ビア、21m・・・グランド層、21n・・・グランドビア、21o・・・グランド層開口部、21p・・・グランド層開口部、22・・・フレキシブル基板部