JP2007121424A - アクティブマトリクス型表示装置およびそのリペア方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】効率良く、かつ、高い信頼性でリペアすることが可能なアクティブマトリクス型表示装置、およびそのリペア方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、表示素子16と、この表示素子に接続されたトランジスタ26を含み表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板8上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備えている。トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域50bを有した半導体層50を備えている。表示素子は、基板上に層間膜を介して形成されているとともにトランジスタに接続された第1電極62、およびこの第1電極に重ねて形成された第2電極66を有し、第1電極は、トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部63を有している。リペア時、基板側からリペア領域にレーザ光を照射し、半導体層を切断する。
【選択図】 図4
【解決手段】表示装置は、表示素子16と、この表示素子に接続されたトランジスタ26を含み表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板8上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備えている。トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域50bを有した半導体層50を備えている。表示素子は、基板上に層間膜を介して形成されているとともにトランジスタに接続された第1電極62、およびこの第1電極に重ねて形成された第2電極66を有し、第1電極は、トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部63を有している。リペア時、基板側からリペア領域にレーザ光を照射し、半導体層を切断する。
【選択図】 図4
Description
本発明は、アクティブマトリックス型表示装置およびそのリペア方法に関する。
近年、薄型、軽量、低消費電力の特徴を活かして、液晶表示装置に代表される平面表示装置の需要が急速に伸びている。中でも、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチを各画素に設けたアクティブマトリクス型表示装置は、隣接画素間でのクロストークのない良好な表示品位が得られることから、携帯情報機器を始め、種々のディスプレイに利用されている。
このような平面型のアクティブマトリクス型表示装置として、自己発光素子であるOLED(オーガニック・ライト・エミッティング・ダイオード)を用いた有機エレクトロルミネセンス(EL)表示装置が注目され、盛んに研究開発が行われている。有機EL表示装置は、薄型軽量化の妨げとなるバックライトを必要とせず、高速な応答性から動画再生に適し、さらに低温で輝度低下しないために寒冷地でも使用できるという特徴を備えている。
有機EL表示装置はマトリクス状に設けられた複数の画素を備え、各画素は、表示素子としての有機EL素子と、表示素子へ駆動電流を供給する画素回路とを含んでいる。そして、有機EL表示装置は、表示素子の発光輝度を制御することにより表示動作を行なう。画素回路は、例えば、有機EL素子に直列に接続された駆動トランジスタおよび出力スイッチ、駆動トランジスタのゲート−ドレイン間に接続され映像信号に応じたゲート電位を保持するダイオード接続スイッチ等を備えている。これらの駆動トランジスタ、出力スイッチ、ダイオード接続スイッチは、例えば、薄膜トランジスタにより構成されている。
このような有機EL表示装置は、液晶表示装置に比較して製造工程数が多く、また、構造も複雑になる。そのため、製造工程において、配線間ショート、トランジスタのゲートリーク、表示素子の陽極、陰極間ショート等が生じる場合がある。例えば、トランジスタのゲートリークが生じた場合、表示素子に常時電流が流れるため、表示素子が常時発光して輝点となる。また、表示素子の陽極、陰極ショートが生じた場合、ショートした部分に電流が流れ過ぎてしまい、逆に、有機層部分に電流が流れず滅点となる。
このことから、装置完成後の点灯試験により輝点が検出された際、この輝点画素を効率的に修復するリペア方法が要求されるようになっている。有機EL表示装置では、輝点をリペアする場合、発光素子の陰極と陽極との間に電流が流れないようにする必要がある。例えば、特許文献1には、装置完成後、レーザ光を所望の部位に照射してリペアを行う方法が提案されている。
特開2000−208252号公報
例えば、完成した表示パネルにその発光面側からレーザ光を照射して所望の配線等を切断すると、レーザ光により不要な部位が損傷を受ける場合、あるいは、レーザ光により切断された配線等が変位して他の部位をショートさせてしまう場合が考えられる。そのため、効率的なリペアが困難になるとともに、リペアの信頼性が低下する。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、効率良く、かつ、高い信頼性でリペアすることが可能なアクティブマトリクス型表示装置、およびそのリペア方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、この発明の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置は、表示素子と、この表示素子に接続されたトランジスタを含み前記表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備え、前記トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域を有した半導体層を具備し、前記表示素子は、前記基板上に層間膜を介して形成されているとともに前記トランジスタに接続された第1電極、この第1電極に重ねて形成された第2電極を有し、前記第1電極は、前記トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部を有している。
この発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法は、表示素子と、この表示素子に接続されたトランジスタを含み前記表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備え、前記トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域を有した半導体層を具備し、前記表示素子は、前記基板上に層間膜を介して形成されているとともに前記トランジスタに接続された第1電極、この第1電極に重ねて形成された第2電極を有し、前記第1電極は、前記トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部を有しているアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法において、
前記第1電極の開口部と重なって位置する前記半導体層のリペア領域に、前記基板側からレーザ光を照射して前記半導体層のリペア領域を切り離し、前記トランジスタと発光素子との接続を切断することを特徴としている。
前記第1電極の開口部と重なって位置する前記半導体層のリペア領域に、前記基板側からレーザ光を照射して前記半導体層のリペア領域を切り離し、前記トランジスタと発光素子との接続を切断することを特徴としている。
この発明の態様によれば、効率良く、かつ、高い信頼性でリペアすることが可能なアクティブマトリクス型表示装置、およびそのリペア方法を提供することができる。
以下図面を参照しながら、この発明の実施形態に係る有機EL表示装置およびそのリペア方法について詳細に説明する。
図1は、有機EL装置全体を概略的に示している。図1に示すように、有機EL表示装置は、例えば、10型以上の大型アクティブマトリクス型表示装置として構成され、有機ELパネル10および有機ELパネル10を制御するコントローラ12を備えている。
図1は、有機EL装置全体を概略的に示している。図1に示すように、有機EL表示装置は、例えば、10型以上の大型アクティブマトリクス型表示装置として構成され、有機ELパネル10および有機ELパネル10を制御するコントローラ12を備えている。
有機ELパネル10は、ガラス板等の絶縁基板8上にマトリクス状に配列され表示領域11を構成したm×n個の表示画素PX、表示画素の行毎に接続されているとともにそれぞれ独立してm本ずつ設けられた第1走査線Sga(1〜m)、第2走査線Sgb(1〜m)および第3走査線Sgc(1〜m)、表示画素PXの列毎にそれぞれ接続されたn本の映像信号線X(1〜n)、第1、第2、第3走査線Sga(1〜m)、Sgb(1〜m)、Sgc(1〜m)を表示画素の行毎に順次駆動する走査線駆動回路(YDR)14、および複数の映像信号線X(1〜n)を駆動する信号線駆動回路(XDR)15を備えている。走査線駆動回路14および信号線駆動回路15は、表示領域11の外側で絶縁基板8上に一体的に形成されている。
画素部として機能する各表示画素PXは、対向電極間に光活性層を備えた表示素子と、この表示素子に駆動電流を供給する画素回路18とを含んでいる。表示素子は、例えば自己発光素子であり、本実施形態では、光活性層として少なくとも有機発光層を備えた有機EL素子16を用いている。
図2に表示画素PXの等価回路を示す。画素回路18は電流信号からなる映像信号に応じて有機EL素子16の発光を制御する電流駆動方式の画素回路であり、画素スイッチ20、駆動トランジスタ22、第1スイッチ24、出力スイッチ26、および保持容量Csを備えている。画素スイッチ20、駆動トランジスタ22、第1スイッチ24、出力スイッチ26は、ここでは同一導電型、例えばPチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。本実施形態において、画素回路18を構成する薄膜トランジスタは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。
駆動トランジスタ22、出力スイッチ26、および有機EL素子16は、電圧電源線Vddと基準電圧電源線Vssとの間でこの順で直列に接続されている。基準電圧電源線Vssおよび電圧電源線Vddは、例えば、−9Vおよび+6Vの電位にそれぞれ設定される。駆動トランジスタ22は、その第1端子、ここではソースが電圧電源線Vddに接続されている。有機EL素子16は、一方の電極、ここではカソードが基準電圧電源線Vssに接続されている。この発明におけるトランジスタとして機能する出力スイッチ26は、そのソースが駆動トランジスタ22の第2端子、ここではドレインに接続されている。出力スイッチ26は、そのドレインが有機EL素子16のアノードに接続され、更に、ゲートが第2走査線Sgbに接続されている。
駆動トランジスタ22は、映像信号に応じた電流量の発光電流を有機EL素子16に出力する。出力スイッチ26は、第2走査線Sgbからの制御信号Sb(1〜m)によりオン(導通状態)、オフ(非導通状態)が制御され、駆動トランジスタ22と有機EL素子16との接続、非接続を制御する。
保持容量Csは、駆動トランジスタ22の第1端子、制御端子間、ここではソース、ゲート間に接続され、映像信号により決定される駆動トランジスタ22のゲート制御電位を保持する。画素スイッチ20は、対応する映像信号線X(1〜n)と駆動トランジスタ22のドレインとの間に接続され、そのゲートは第2走査線Sgbに接続されている。画素スイッチ20は、第1走査線Sgbから供給される制御信号Sb(1〜m)に応答して対応の映像信号線X(1〜n)から階調電流としての信号電流を取り込む。
第1スイッチ24は、駆動トランジスタ22のドレイン、ゲート間に接続され、そのゲートが第1走査線Sgaに接続されている。第1スイッチ24は、第1走査線Sgaからの制御信号Sa(1〜m)に応じてオン、オフ制御され、駆動トランジスタ22のゲート、ドレイン間の接続、非接続を制御するとともに、保持容量Csからの電流リークを規制する。
図4は表示画素PXの平面構成を示している。絶縁基板8上には、マトリクス状に配置された画素に電圧および電流を供給するための配線電極群が設けられている。映像信号線X、第1、第2、第3走査線Sga、Sgb、Sgcを含む配線電極は、Al、Tiまたは窒化チタン(TiN)、Ta、Mo、Cr、W、Cu、Nd、Zr等のいずれか1種または2種以上を含有する金属を単層または2層以上の積層構造に形成されている。本発明においては、この材料に限られるものではない。
駆動トランジスタ22のゲート電圧を保持する保持容量CSは、隣接する画素間の非表示領域におおむね形成されている。低分子の有機EL素子によりフルカラーパネルを作成する場合、有機EL層をメタルマスクによるマスク蒸着で形成するため、隣接する画素間の非表示領域の幅は約10〜20μmとなる。この部分は発光に寄与しない部分となるため、保持容量CSをこの領域に形成することは、トランジスタを形成したガラス基板側から光を取り出す方式の場合、開口率向上のために有効な手段となる。
次に、図4および図5を参照して、画素回路および有機EL素子16の構成を詳細に説明する。図5は、画素回路のうち、特に、出力スイッチ26、駆動トランジスタ22、保持容量Cs、有機EL素子16の構成の一例を示している。
出力スイッチ26を構成したPチャネル型の薄膜トランジスタは、透明な絶縁基板8上に形成されたポリシリコンからなる半導体層50を備え、この半導体層はソース領域50a、ドレイン領域50b、およびソース、ドレイン領域間に位置したチャネル領域50cを有している。本実施形態において、半導体層50のドレイン領域50bは、リペア時に切断されるリペア領域を構成している。
出力スイッチ26を構成したPチャネル型の薄膜トランジスタは、透明な絶縁基板8上に形成されたポリシリコンからなる半導体層50を備え、この半導体層はソース領域50a、ドレイン領域50b、およびソース、ドレイン領域間に位置したチャネル領域50cを有している。本実施形態において、半導体層50のドレイン領域50bは、リペア時に切断されるリペア領域を構成している。
半導体層50に重ねてゲート絶縁膜52が形成され、このゲート絶縁膜上にゲート電極Gが設けられチャネル領域50cと対向している。ゲート電極Gに重ねて層間絶縁膜54が形成され、この層間絶縁膜上にソース電極(ソース)Sおよびドレイン電極(ドレイン)Dが設けられている。ソース電極Sおよびドレイン電極Dは、それぞれ層間絶縁膜54およびゲート絶縁膜52に貫通形成されたコンタクトを介して半導体層50のソース領域50aおよびドレイン領域50bにそれぞれ接続されている。なお、第1スイッチ24、画素スイッチ20、および駆動トランジスタ22を構成する各薄膜トランジスタも上記と同一の構造に形成されている。
層間絶縁膜54上には映像信号線X、電圧電源線Vdd等の複数の配線が設けられている。また、層間絶縁膜54上には、ソース電極S、ドレイン電極D、配線を覆って保護膜56が形成されている。更に、保護膜56上には、絶縁層60が順に積層されている。
有機EL素子16は、ルミネセンス性有機化合物を含む有機発光層64をアノード電極62およびカソード電極66間に挟持した構造を有している。第1電極として機能するアノード電極62は、ITO(インジウム・ティン・オキサイド)等の透明電極材料から形成され、保護膜56上に設けられている。アノード電極62の一部は、保護膜56に貫通形成されたコンタクト62aを介して出力スイッチ26のドレイン電極Dに電気的に接続されている。また、アノード電極62の内、出力スイッチ26における半導体層50のリペア領域、つまり、ドレイン領域50bと重なって位置した部分には、例えば、矩形状の開口部63が形成されている。この開口部63はアノード電極62をパターニングする際に電極と同時に形成される。
絶縁層60の内、アノード電極62上の部分はエッチングにより除去されている。そして、アノード電極62上に有機発光層64が形成され、更に、有機発光層64および絶縁層60に重ねて例えば、バリウム・アルミ合金から成るカソード電極66が積層されている。第2電極として機能するカソード電極66の内、出力スイッチ26における半導体層50のドレイン領域50bと重なって位置した部分には、例えば、矩形状の開口部67が形成されている。これにより、開口部67は、アノード電極62の開口部63およびドレイン領域50bと、絶縁基板8の厚さ方向に沿って重なっている。この開口部67はカソード電極66をパターニングする際に電極と同時に形成される。更に、有機発光層64に水分が入らないようにするため、カソード電極66の外側は、例えば透明なガラス板等からなる封止材80によって封止されている。
このような構造の有機EL素子16では、アノード電極62から注入されたホールと、カソード電極66から注入された電子とが有機発光層64の内部で再結合したときに、有機発光層を構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励起子が放射失活する過程で発光し、この光が有機発光層64から透明なアノード電極62および光透過性絶縁基板8を介して外部へ放出される。
ここで、出力スイッチ26を介してアノード電極62を駆動トランジスタ22のドレインに接続し、カソード電極66を基準電圧電源線Vssに接続する場合について説明したが、カソード電極66を駆動トランジスタ22のドレインに、アノード電極62を基準電圧電源線Vssに接続してもよい。有機EL素子16の形成された絶縁基板8側を表示面とする場合について説明したが、有機EL素子の形成された基板8と対向する側(上記実施形態ではカソード電極66側)を表示面とするものであってもよい。
いずれの場合も光出射面側を透明導電材料で形成する必要があり、例えばカソード電極66を光出射面側に配置する場合には、アルカリ土類金属、希土類金属を光透過性を有する程度に薄く形成することで達成できる。
一方、図1に示すコントローラ12は有機ELパネル10の外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、走査線駆動回路14および信号線駆動回路15を制御する。コントローラ12は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、および水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生する。そして、コントローラ12は、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ走査線駆動回路14および信号線駆動回路15に供給すると共に、水平および垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を信号線駆動回路15に供給する。
走査線駆動回路14は、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される水平走査スタートパルスを順次次段に転送し、出力バッファを介して各行の表示画素PXに制御信号、すなわち、制御信号Sa(1〜m)、Sb(1〜m)、Sc〈1〜m)を供給する。これにより、各第1、第2、第3走査線Sga(1〜m)、Sgb(1〜m)、Sgc(1〜m)は、互いに異なる1水平走査期間において、それぞれ制御信号Sa(1〜m)、制御信号Sb(1〜m)、制御信号Sc(1〜m)により駆動される。
信号線駆動回路15は水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号をアナログ形式に変換して信号電流Idataとし、複数の映像信号線X(1〜n)に並列的に供給する。
画素回路18の動作は、映像信号書込み動作および発光動作に分けられる。図2に示すように、映像信号書込み動作において、画素スイッチ20および第1スイッチ24がオン(導通状態)、出力スイッチ26がオフ(非導通状態)となるような制御信号Sa、Sb、Sc、ここでは、制御信号Sa、Sbがローレベル、制御信号Scがハイレベル、が出力される。これにより、画素スイッチ20および第1スイッチ24がオン(導通状態)、出力スイッチ26がオフ(非導通状態)に切換えられ、映像信号書込み動作が開始される。
映像信号書込み期間において、信号線駆動回路15から対応する映像信号線X(1〜n)に供給された映像信号電流Idataは画素スイッチ20を介して、選択された表示画素PXに供給される。表示画素PXにおいて、画素スイッチ20および第1スイッチ24はオン状態にあり、取り込まれた映像信号電流Idataは駆動トランジスタ22に供給され駆動トランジスタ22を書き込み状態とする。これにより、電圧電源線Vddから駆動トランジスタ22を通して映像信号線X1に書き込み電流が流れ、映像信号電流Idataの電流量に対応した駆動トランジスタ22のゲート、ソース間電位が保持容量Csに書き込まれる。
次に、制御信号Sa1、Sb1がハイレベル(オフ電位)となり、画素スイッチ20および第1スイッチ24がオフとなる。これにより、映像信号書込み動作が終了する。続いて、制御信号Sc1がローレベルとなり、出力スイッチ26がオンとなる。これにより、発光動作が開始する。図3に示すように、発光期間において、駆動トランジスタ22は、保持容量Csに書き込まれたゲート制御電圧により導通状態に維持され、電圧電源線Vddから映像信号電流Idataに対応した電流量の発光電流を出力スイッチ26側へ供給する。この発光電流は、出力スイッチ26を通った後、有機EL素子16に供給される。これにより有機EL素子16が発光し、発光動作が開始される。そして、有機EL素子16は、1フレーム期間後に、再び制御信号Sc1がオフ電位となるまで発光状態を維持する。
次に、上記のように構成された有機EL表示装置に欠点、例えば、輝点が生じた場合のリペア方法について説明する。
まず、有機EL表示装置の完成後、点灯試験を行う。この点灯試験により点欠と判定された画素の内、トランジスタのゲートリークや、陽極、陰極間のショートが生じた画素は、常時、発光電流が流れるため、有機EL素子が発光して輝点となる。この場合、図5に示すように、絶縁基板8の発光面側から、輝点画素の出力スイッチ26の半導体層50、ここでは、リペア領域を構成するドレイン領域50bにレーザ光を照射し、ドレイン領域50bをレーザカットする。これにより、出力スイッチ26と有機EL素子16との接続を切断し、有機EL素子をフローティングする。その結果、輝点画素を減点化しリペアする。
まず、有機EL表示装置の完成後、点灯試験を行う。この点灯試験により点欠と判定された画素の内、トランジスタのゲートリークや、陽極、陰極間のショートが生じた画素は、常時、発光電流が流れるため、有機EL素子が発光して輝点となる。この場合、図5に示すように、絶縁基板8の発光面側から、輝点画素の出力スイッチ26の半導体層50、ここでは、リペア領域を構成するドレイン領域50bにレーザ光を照射し、ドレイン領域50bをレーザカットする。これにより、出力スイッチ26と有機EL素子16との接続を切断し、有機EL素子をフローティングする。その結果、輝点画素を減点化しリペアする。
レーサ光としては、グリーンレーザ、例えば、波長500〜560nmのYAGレーザ、YLFレーザを用いる。グリーンレーザを用いる理由としては、赤外レーザでは、ポリシリコンからなる半導体層50を透過し易く、熱加工による下層膜への損傷が大きいこと、また、紫外領域レーザでは、ガラス基板やアンダーコートへの吸収が大きく、半導体層を切断するためには高エネルギのレーザが必要であることが挙げられる。
レーザ光を照射して切断する半導体層は、発光層は金属配線と重ならない配置が望ましく、酸化膜や窒化膜等によって覆われた断面構造が望ましい。上記構成の有機EL表示装置によれば、有機EL素子16のカソード電極66となる金属膜、および、アノード電極62を構成したITO膜は、ドレイン領域50bと重なる部分が除去され開口部67、63を形成している。そのため、ドレイン領域50bにレーザ光を照射した場合でも、このレーザ光によりアノード電極62およびカソード電極66が損傷を受けることを防止できる。その結果、例えば、レーザ光照射によりアノード電極62が変形されカソード電極とショートするといった不具合の発生を防止することができる。これにより、輝点画素を容易に、かつ、確実に減点化しリペアすることが可能となる。
なお、上述した実施形態では、アノード電極62およびカソード電極66の両方に開口部63、67を設ける構成としたが、少なくともアノード電極に開口部を設けることによりレーザ光による損傷を防止することができる。
以上のことから、本実施形態によれば、効率良く、かつ、高い信頼性でリペアすることが可能なアクティブマトリクス型表示装置、およびそのリペア方法が得られる。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
例えば、有機EL素子のアノード電極、およびカソード電極に設けた開口部は、矩形状に限らず、必要に応じて他の形状としてもよい。レーザ光照射により切断するリペア領域は、半導体層のドレイン領域に限らず、ソース領域としてもよい。また、リペア領域は、アノード電極のコンタクト部分としてもよい。この場合、レーザ光を絶縁基板と反対側、つまり、封止材側からコンタクトに照射するようにしてもよく、また、波長400nm以下の短波長レーザを用いることができる。
また、前述した実施形態において、薄膜トランジスタの半導体層は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコンで構成することも可能である。表示画素を構成する自己発光素子は、有機EL素子に限定されず自己発光可能な様々な表示素子を適用可能である。
8…絶縁基板、 10…有機ELパネル、12…コントローラ、
14…走査線駆動回路、 15…信号線駆動回路、 16…有機EL素子、
18…画素回路、 20…画素スイッチ、 22…駆動トランジスタ、
24…第1スイッチ、 26…出力スイッチ、 50…半導体層、
50a…ソース領域、 50b…ドレイン領域、 62…アノード電極、
63、67…開口部、 66…カソード電極
14…走査線駆動回路、 15…信号線駆動回路、 16…有機EL素子、
18…画素回路、 20…画素スイッチ、 22…駆動トランジスタ、
24…第1スイッチ、 26…出力スイッチ、 50…半導体層、
50a…ソース領域、 50b…ドレイン領域、 62…アノード電極、
63、67…開口部、 66…カソード電極
Claims (7)
- 表示素子と、この表示素子に接続されたトランジスタを含み前記表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備え、
前記トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域を有した半導体層を具備し、
前記表示素子は、前記基板上に層間膜を介して形成されているとともに前記トランジスタに接続された第1電極、この第1電極に重ねて形成された第2電極を有し、前記第1電極は、前記トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部を有しているアクティブマトリクス型表示装置。 - 前記表示素子は、前記第1電極および第2電極間に配設された有機発光層を有している請求項1に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記各表示素子の第2電極は、前記第1電極の開口部と重なって位置した他の開口部を有している請求項1又は2に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記駆動回路は、信号電流に応じた駆動電流を前記表示素子に供給する駆動トランジスタ、電圧電源間に前記表示素子および駆動トランジスタと直列に接続され前記トランジスタを構成した出力スイッチと、この駆動トランジスタに書き込まれる信号電流を保持する第1スイッチ、および前記駆動トランジスタのゲートとソースとの電位差を一定に保持する保持容量と、画素の選択および非選択を制御する画素スイッチと、を備えている請求項1に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記駆動トランジスタ、第1スイッチ、画素スイッチおよび出力スイッチは、半導体層にポリシリコンを用いた薄膜トランジスタで構成されている請求項4に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 表示素子と、この表示素子に接続されたトランジスタを含み前記表示素子を駆動する画素回路と、を有し、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部を備え、前記トランジスタは、前記基板上に形成されているとともにリペア領域を有した半導体層を具備し、前記表示素子は、前記基板上に層間膜を介して形成されているとともに前記トランジスタに接続された第1電極、この第1電極に重ねて形成された第2電極を有し、前記第1電極は、前記トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部を有しているアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法において、
前記第1電極の開口部と重なって位置する前記半導体層のリペア領域に、前記基板側からレーザ光を照射して前記半導体層のリペア領域を切り離し、前記トランジスタと発光素子との接続を切断するアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法。 - 波長が500〜560nmのレーサ光を照射する請求項6に記載のアクティブマトリクス型表示装置のリペア方法。
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WO2020174879A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | 発光素子基板、表示装置および表示装置のリペア方法 |
WO2021161379A1 (ja) * | 2020-02-10 | 2021-08-19 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 表示パネルおよび表示装置の製造方法 |
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2005
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Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
WO2020174879A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | 発光素子基板、表示装置および表示装置のリペア方法 |
WO2021161379A1 (ja) * | 2020-02-10 | 2021-08-19 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 表示パネルおよび表示装置の製造方法 |
JP7446383B2 (ja) | 2021-12-23 | 2024-03-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | リペア構造を有する電界発光表示装置 |
CN114420882A (zh) * | 2022-01-12 | 2022-04-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其修复方法、显示装置 |
CN114420882B (zh) * | 2022-01-12 | 2023-09-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其修复方法、显示装置 |
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