JP2007109369A - 光ディスク - Google Patents
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Abstract
【課題】 書き換え用の記録層と書き換え不可能な追記用の記録層とをそれぞれ1層以上設けるようにし、もって使い勝手を向上させるようにした光ディスクを提供する。
【解決手段】 表面に案内溝が形成された透明なディスク基板2上に、レーザ光により情報の記録再生が可能な複数の記録層を有し、前記ディスク基板側からのみ前記レーザ光を照射するようにした光ディスクにおいて、前記複数の記録層は、書き換え用の記録層4と、書き換え不可能な追記用の記録層8とをそれぞれ少なくとも1層含み、前記書き換え用の記録層は、結晶とアモルファスの変化を前記レーザ光の照射により可逆的に起こす相変化材料、または希土類−遷移金属系の光磁気材料よりなる。
【選択図】 図1
【解決手段】 表面に案内溝が形成された透明なディスク基板2上に、レーザ光により情報の記録再生が可能な複数の記録層を有し、前記ディスク基板側からのみ前記レーザ光を照射するようにした光ディスクにおいて、前記複数の記録層は、書き換え用の記録層4と、書き換え不可能な追記用の記録層8とをそれぞれ少なくとも1層含み、前記書き換え用の記録層は、結晶とアモルファスの変化を前記レーザ光の照射により可逆的に起こす相変化材料、または希土類−遷移金属系の光磁気材料よりなる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、レーザ光により情報の記録再生を行う光ディスクに関する。
一般に、光基板上に記録膜を形成してなる情報媒体として種々の光記録媒体や磁気記録媒体が知られている。光で検出可能な光学的状態の変化に対応させて情報を記録する光記録媒体は高密度化が可能であり、光ディスクして実用化されている。
そして、CD(Compact Disc)やDVD(Digital Versatile Disc)やBlu−Ray Discや「HD(High−Difinition) DVD」等に代表される上記光ディスクは、光ディスク記録再生装置より出力されるレーザ光をその回折限界まで絞り、絞られた光スポットを光ディスク上の位相ピット列に照射し、反射光量変化を検出することにより、光ディスクに記録された信号を再生するものである。この光ディスクの記憶容量は情報の記録マークの大きさ、すなわち使用するレーザ光の波長λ、対物レンズの開口数NAで決定されるレーザスポットの大きさに支配される。
さらに大きな記録容量を1枚の光ディスクに求めるときには記録面を有するディスク基板を2枚貼り合わせた貼り合わせ型光ディスクや、一枚のディスク基板の表面に記録面を2つ設けた2層型光ディスクなども提案されて、実用化されている(例えば特許文献1)。このうち、貼り合わせ型光ディスクは光ディスクの両面から記録再生を行うようにした構造のものが多く、この場合には、2つの記録面を記録再生するには光ディスクを手動で上下反転させるか、ピックアップを光ディスクの両面に2組装備した光ディスク記録再生装置が必要となる。これに対して、2層型光ディスクはレーザ光の入射方向はディスクの片面から行われるので、前述した貼り合わせ型光ディスクのような煩雑さが無いことが有利である。
記録可能な2層型光ディスクとしては、実用化されたものとして2層追記型のDVD+R DL、2層書き換え型のBlu−Ray Discなどがある。また、1層目を再生専用層とし、2層目を書き換え層とした上記特許文献1に開示された光ディスクもある。
また記録型光ディスクのうち、追記型光ディスクを使うときの用途として、1度しか記録できないので情報の保存用として使われることが多い。近年、市場が大きくなっているハードディスク搭載のDVDレコーダで情報を光ディスクに記録して保存するときには、通常の記録はハードディスクで行い、ハードディスク内に記録した情報を好適な状態にするため、不要部分の削除や情報の順番の並び替えなどの各種編集を行った後にDVD−Rのような追記型光ディスクにコピーするという方法が一般的に行われる。
また記録型光ディスクのうち、追記型光ディスクを使うときの用途として、1度しか記録できないので情報の保存用として使われることが多い。近年、市場が大きくなっているハードディスク搭載のDVDレコーダで情報を光ディスクに記録して保存するときには、通常の記録はハードディスクで行い、ハードディスク内に記録した情報を好適な状態にするため、不要部分の削除や情報の順番の並び替えなどの各種編集を行った後にDVD−Rのような追記型光ディスクにコピーするという方法が一般的に行われる。
ところで、上述のように追記型光ディスクに好適な状態で情報を記録するためには上述したような事前の編集作業が必要であり、その作業は記録しようとする追記型光ディスクとは別にハードディスクや書き換え型光ディスクのような媒体が必要となる。そのため、記録するために必要なディスク記録装置が複雑になったり、記録媒体である光ディスクが複数枚必要になる、等の問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、書き換え用の記録層と書き換え不可能な追記用の記録層とをそれぞれ1層以上設けるようにし、もって使い勝手を向上させるようにした光ディスクを提供することにある。
請求項1に係る発明は、表面に案内溝が形成された透明なディスク基板上に、レーザ光により情報の記録再生が可能な複数の記録層を有し、前記ディスク基板側からのみ前記レーザ光を照射するようにした光ディスクにおいて、前記複数の記録層は、書き換え用の記録層と、書き換え不可能な追記用の記録層とをそれぞれ少なくとも1層含み、前記書き換え用の記録層は、結晶とアモルファスの変化を前記レーザ光の照射により可逆的に起こす相変化材料よりなることを特徴とする光ディスクである。
請求項2に係る発明は、表面に案内溝が形成された透明なディスク基板上に、レーザ光により情報の記録再生が可能な複数の記録層を有し、前記ディスク基板側からのみ前記レーザ光を照射するようにした光ディスクにおいて、前記複数の記録層は、書き換え用の記録層と、書き換え不可能な追記用の記録層とをそれぞれ少なくとも1層含み、前記書き換え用の記録層は、希土類−遷移金属系の光磁気材料よりなることを特徴とする光ディスクである。
本発明によれば、ディスク基板上に2つ以上の記録層を有し、少なくとも1つは書き換えが可能な記録層であり、もう1つは追記可能な記録層であり、上記書き換え用の記録層は例えば編集作業のために用いられ、追記用の記録層は書き換え用の記録層で編集した情報を記録するために用いられ、これらの役割を持った少なくとも2つの記録層を有することでハードディスクや他の記録媒体は不要で従来の追記型光ディスクや書き換え型光ディスクには出来ない自己編集保存が1枚の光ディスクだけで行うことができる。
以下に、本発明に係る光ディスクの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係る光ディスクの第1実施例を示す概略断面図、図2は図1に示す断面を詳細に示す拡大図である。
図1に示すように、この光ディスクD1は、透明なディスク基板2を有しており、このディスク基板2上に、図中では下方に向けて、書き換え用の記録層4と、分離層6と、書き換え不可能な追記用の記録層8と、反射層9とを、この順序で順次積層し、最後に、この反射層9の表面に保護層10を形成して全体が構成されている。
図1は本発明に係る光ディスクの第1実施例を示す概略断面図、図2は図1に示す断面を詳細に示す拡大図である。
図1に示すように、この光ディスクD1は、透明なディスク基板2を有しており、このディスク基板2上に、図中では下方に向けて、書き換え用の記録層4と、分離層6と、書き換え不可能な追記用の記録層8と、反射層9とを、この順序で順次積層し、最後に、この反射層9の表面に保護層10を形成して全体が構成されている。
上記ディスク基板2の書き換え用の記録層4側の表面には、グルーブとランドよりなる案内溝12が形成されており、この記録層4に情報を記録再生する時にトラッキングを行い得るようになっている。
また同様に、上記分離層6の追記用の記録層8側の表面には、グルーブとランドよりなる案内溝14が形成されており、この記録層8に情報を記録再生する時にトラッキングを行い得るようになっている。この場合、情報の書き込み用、或いは読み出し用のレーザ光Lはディスク基板2側から行う。
また同様に、上記分離層6の追記用の記録層8側の表面には、グルーブとランドよりなる案内溝14が形成されており、この記録層8に情報を記録再生する時にトラッキングを行い得るようになっている。この場合、情報の書き込み用、或いは読み出し用のレーザ光Lはディスク基板2側から行う。
そして、上記書き換え用の記録層4は、第1誘電体膜4aと、書き換え用の記録膜4bと、第2誘電体膜4cとを、この順序で積層して構成されている。この場合、この書き換え用の記録層4として半透明反射膜としての機能を併せ持つ場合には、特に半透明反射膜を設ける必要はないが、書き換え用の記録層4が必要な反射率を有していない場合には、別途、半透明反射膜を設けるようにする。また上記追記用の記録層8は、第3誘電体膜8aと、追記用の記録膜8bと、第4誘電体膜8cとを、この順序で積層して構成されている。
上記光ディスクD1を製造するには、まず、表面に案内溝12が形成された例えばポリカーボネート樹脂製のディスク基板2を用意する。このディスク基板2の厚さは、例えば0.6mmに設定されている。そして、このディスク基板2を真空装置内に導入し、このディスク基板2を回転させながらArを真空装置内に導入し、スパッタリング法により、上記ディスク基板2上に書き換え用の記録層4に相当するものとして第1誘電体膜4a、書き換え用の記録膜4b、第2誘電体膜4cをそれぞれ順次形成し、その後、分離層6を形成する。
上記書き換え用の記録膜4bとしては、結晶とアモルファスの変化をレーザ光の照射により可逆的に起こす相変化材料であるGeSbTe、AgInSbTe、GeInSbTeなどや希土類−遷移金属系の光磁気材料であるTbFeCo、GdFeCoなどが使用できる。この光磁気材料は、例えば磁化方向の向きで反射光の偏光方向が変わる。
光学的および熱的な調整のために第1及び第2誘電体膜4a、4cを必要に応じて形成する。この材料としては、例えば、SiN、AlN、SiO2 、SiO、ZnS、MgF2 などの透明誘電材料が使用できる。上記分離層6には追記用の記録層8のための案内溝14が必要であるが、この案内溝14は2P法または案内溝14が形成済みの透明なシートを貼りあわせることにより形成することが出来る。
光学的および熱的な調整のために第1及び第2誘電体膜4a、4cを必要に応じて形成する。この材料としては、例えば、SiN、AlN、SiO2 、SiO、ZnS、MgF2 などの透明誘電材料が使用できる。上記分離層6には追記用の記録層8のための案内溝14が必要であるが、この案内溝14は2P法または案内溝14が形成済みの透明なシートを貼りあわせることにより形成することが出来る。
上記分離層6を形成した後、上記ディスク基板2側を真空装置内に導入し、追記用の記録層8に相当するものとして第3誘電体膜8a、追記用の記録膜8b、第4誘電体膜8cをそれぞれ順次形成し、その後に反射層9を形成した。上記追記用の記録膜8bとしては、TeOxのような無機材料でも色素のような有機材料でも構わない。第3及び第4誘電体膜8a、8cも上記第1及び第2誘電体膜4a、4cと同様の透明誘電材料が使用できる。上記反射層9としては、Al、Ag、Au、Siなどが使用できる。
上記各薄膜を形成した後、スピンコート法により紫外線硬化樹脂からなる保護層10を形成し、紫外線照射して上記保護層10を硬化させることにより光ディスクDが製造される。
尚、光ディスクの製造方法としては、上述のように1つの光ディスク基板2上に各層、或いは各膜を順に積層して行く積み上げ方法に限定されず、例えば図3に示すように2枚のディスク基板を貼り合わせるように構成してもよい。図3は本発明に係る光ディスクの第2実施例を示す概略断面図である。図3に示す光ディスクD2の場合には、2枚のディスク基板2A、2Bを別々に用意し、一方のディスク基板2Aの表面に、上記第1実施例のディスク基板2の案内溝12と同じ案内溝12を形成し、他方のディスク基板2Bの表面に、第1実施例の分離層6に形成した案内溝14と同じ案内溝14を形成する。そして、上記各ディスク基板2A、2Bにそれぞれ書き換え用の記録層4と追記用の記録層8を形成した後、両基板を接着剤によって貼り合わす。この場合、この接着剤が分離層6となり、この分離層6には第1実施例と異なって案内溝14を設ける必要がない。
尚、光ディスクの製造方法としては、上述のように1つの光ディスク基板2上に各層、或いは各膜を順に積層して行く積み上げ方法に限定されず、例えば図3に示すように2枚のディスク基板を貼り合わせるように構成してもよい。図3は本発明に係る光ディスクの第2実施例を示す概略断面図である。図3に示す光ディスクD2の場合には、2枚のディスク基板2A、2Bを別々に用意し、一方のディスク基板2Aの表面に、上記第1実施例のディスク基板2の案内溝12と同じ案内溝12を形成し、他方のディスク基板2Bの表面に、第1実施例の分離層6に形成した案内溝14と同じ案内溝14を形成する。そして、上記各ディスク基板2A、2Bにそれぞれ書き換え用の記録層4と追記用の記録層8を形成した後、両基板を接着剤によって貼り合わす。この場合、この接着剤が分離層6となり、この分離層6には第1実施例と異なって案内溝14を設ける必要がない。
この場合、レーザ光Lの入射側のディスク基板2Aの厚さは0.6mmであり、また他方のディスク基板2Bの厚さも0.6mmである。尚、分離層6などの他の各層の全体の厚さは50nm程度である。
また、上記各実施例では、レーザ光の入射側に書き換え用の記録層4を配置し、この反対側に追記用の記録層8を配置したが、これらの順序を逆にして配置するようにしてもよいし、更には、上記2層に加えて、更なる記録層を設けるようにしてもよい。この場合にも、全体として上記書き換え用の記録層4と追記用の記録層8とをそれぞれ少なくとも1層は設けるようにする。
また、上記各実施例では、レーザ光の入射側に書き換え用の記録層4を配置し、この反対側に追記用の記録層8を配置したが、これらの順序を逆にして配置するようにしてもよいし、更には、上記2層に加えて、更なる記録層を設けるようにしてもよい。この場合にも、全体として上記書き換え用の記録層4と追記用の記録層8とをそれぞれ少なくとも1層は設けるようにする。
次に、上記第1実施例の光ディスクの各態様を実際に作製して評価を行ったので、その評価結果について説明する。
<第1実施例の1>
表面にグルーブ及びランドよりなる案内溝12が形成された厚さ0.6mm、トラック幅0.74μmのディスク基板2を作製した。このディスク基板2はDVD相当の厚さ、トラック幅およびデータ記録可能領域のディスク基板に対応する。このディスク基板2を真空装置内に導入し、ディスク基板2を回転させながら、Arを真空装置内に導入し、スパッタリング法により、ディスク基板2上に第1誘電体膜4a、書き換え用の記録膜4b、第2誘電体膜4cを順次形成した後、分離層6を形成した。この分離層6には追記用の記録層8のためのトラックとして案内溝14を2P法により形成した。このトラック幅は上記ディスク基板2と同じ0.74μmとした。分離層6の厚さは50μmとした。
<第1実施例の1>
表面にグルーブ及びランドよりなる案内溝12が形成された厚さ0.6mm、トラック幅0.74μmのディスク基板2を作製した。このディスク基板2はDVD相当の厚さ、トラック幅およびデータ記録可能領域のディスク基板に対応する。このディスク基板2を真空装置内に導入し、ディスク基板2を回転させながら、Arを真空装置内に導入し、スパッタリング法により、ディスク基板2上に第1誘電体膜4a、書き換え用の記録膜4b、第2誘電体膜4cを順次形成した後、分離層6を形成した。この分離層6には追記用の記録層8のためのトラックとして案内溝14を2P法により形成した。このトラック幅は上記ディスク基板2と同じ0.74μmとした。分離層6の厚さは50μmとした。
上記分離層6を形成した後、このディスク基板2を真空装置内に導入し、第3誘電体膜8a、追記用の記録膜8b、第4誘電体膜8c及び反射層9をスパッタリング法により順次形成した。
上記第1、第2、第3及び第4誘電体膜4a、4c、8a、8cとしては、それぞれSiNを形成した。
また書き換え用の記録膜4bとしては、相変化材料であるGeSbTeを形成した。追記用の記録膜8bとしては、TeOxを形成した。また反射層9としては、Agが98atm%以上のAg合金を形成した。上記各薄膜、或いは各層を形成した後、スピンコート法により紫外線硬化樹脂からなる保護層10を形成し、紫外線照射して硬化させることによって光ディスクを作製した。
上記第1、第2、第3及び第4誘電体膜4a、4c、8a、8cとしては、それぞれSiNを形成した。
また書き換え用の記録膜4bとしては、相変化材料であるGeSbTeを形成した。追記用の記録膜8bとしては、TeOxを形成した。また反射層9としては、Agが98atm%以上のAg合金を形成した。上記各薄膜、或いは各層を形成した後、スピンコート法により紫外線硬化樹脂からなる保護層10を形成し、紫外線照射して硬化させることによって光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長650nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.6の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度3.84m/sで記録再生した。いずれの記録層でも最短マークが0.44μmである8−16変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。
<第1実施例の2>
上記第1実施例の1の書き換え用の記録膜4bをTbFeCo及びGdFeCoからなる光磁気材料とし、反射層9をAl合金とし、他は第1実施例と同様な多層光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長650nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.6の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度3.84m/sで記録再生した。書き換え用の記録膜4bへの記録はレーザ光の照射に加えて、記録時に外部磁界を加えた。いずれの記録層でも最短マークが0.44μmである8−16変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。
上記第1実施例の1の書き換え用の記録膜4bをTbFeCo及びGdFeCoからなる光磁気材料とし、反射層9をAl合金とし、他は第1実施例と同様な多層光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長650nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.6の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度3.84m/sで記録再生した。書き換え用の記録膜4bへの記録はレーザ光の照射に加えて、記録時に外部磁界を加えた。いずれの記録層でも最短マークが0.44μmである8−16変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。
<第1実施例の3>
上記第1実施例の1のディスク基板2のトラック幅を0.74μmから0.70μmへ変更し、他は第1実施例の1と同様にして光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長650nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.6の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度3.84m/sで記録再生した。いずれの記録層でも最短マークが0.44μmである8−16変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。このとき、書き換え用の記録層4に記録できた容量は4.52GBであり、追記用の記録層8に記録できた容量は4.27GBであり、光ディスク記録再生装置のレーザ素子及び対物レンズはそのままで、記録再生の線速度もそのままで書き換え用の記録層4の記録容量を追記用の記録層8の記録容量よりも大きくすることができた。
上記第1実施例の1のディスク基板2のトラック幅を0.74μmから0.70μmへ変更し、他は第1実施例の1と同様にして光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長650nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.6の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度3.84m/sで記録再生した。いずれの記録層でも最短マークが0.44μmである8−16変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。このとき、書き換え用の記録層4に記録できた容量は4.52GBであり、追記用の記録層8に記録できた容量は4.27GBであり、光ディスク記録再生装置のレーザ素子及び対物レンズはそのままで、記録再生の線速度もそのままで書き換え用の記録層4の記録容量を追記用の記録層8の記録容量よりも大きくすることができた。
<第1実施例の4>
図4に示すように、表面にグルーブ及びランドよりなる案内溝12が形成された厚さ0.6mm、トラック幅0.34μmのディスク基板2Cを作製した。このディスク基板2Cは「HD DVD」相当の厚さ、トラック幅およびデータ記録可能領域のディスク基板に対応する。このディスク基板2Cを真空装置内に導入し、ディスク基板2Cを回転させながら、Arを真空装置内に導入し、スパッタリング法により、ディスク基板2C上に第1誘電体膜4a、書き換え用の記録膜4b、第2誘電体膜4cを順次形成した後、分離層6を形成した。この分離層6には追記用の記録層8のためのトラックとして案内溝14を2P法により形成した。このトラック幅は上記ディスク基板2Cと同じ0.34μmとした。分離層6の厚さは50μmとした。
図4に示すように、表面にグルーブ及びランドよりなる案内溝12が形成された厚さ0.6mm、トラック幅0.34μmのディスク基板2Cを作製した。このディスク基板2Cは「HD DVD」相当の厚さ、トラック幅およびデータ記録可能領域のディスク基板に対応する。このディスク基板2Cを真空装置内に導入し、ディスク基板2Cを回転させながら、Arを真空装置内に導入し、スパッタリング法により、ディスク基板2C上に第1誘電体膜4a、書き換え用の記録膜4b、第2誘電体膜4cを順次形成した後、分離層6を形成した。この分離層6には追記用の記録層8のためのトラックとして案内溝14を2P法により形成した。このトラック幅は上記ディスク基板2Cと同じ0.34μmとした。分離層6の厚さは50μmとした。
上記分離層6を形成した後、このディスク基板2Cを真空装置内に導入し、第3誘電体膜8a、追記用の記録膜8b、第4誘電体膜8c及び反射層9をスパッタリング法により順次形成した。
上記第1、第2、第3及び第4誘電体膜4a、4c、8a、8cとしては、それぞれSiNを形成した。
また書き換え用の記録膜4bとしては、相変化材料であるGeSbTeを形成した。追記用の記録膜8bとしては、TeOxを形成した。また反射層9としては、Agが98atm%以上のAg合金を形成した。上記各薄膜、或いは各層を形成した後、スピンコート法により紫外線硬化樹脂からなる保護層10を形成し、紫外線照射して硬化させることによって光ディスクを作製した。
上記第1、第2、第3及び第4誘電体膜4a、4c、8a、8cとしては、それぞれSiNを形成した。
また書き換え用の記録膜4bとしては、相変化材料であるGeSbTeを形成した。追記用の記録膜8bとしては、TeOxを形成した。また反射層9としては、Agが98atm%以上のAg合金を形成した。上記各薄膜、或いは各層を形成した後、スピンコート法により紫外線硬化樹脂からなる保護層10を形成し、紫外線照射して硬化させることによって光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長405nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.65の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度は2.27m/sから6.61m/sの範囲で記録再生した。いずれの記録層でも最短マークが0.173μmである8−12変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。
<第1実施例の5>
上記第1実施例の4の書き換え用の記録膜4bをTbFeCo及びGdFeCoからなる光磁気材料とし、反射層9をAl合金とし、他は第1実施例と同様な多層光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長405nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.65の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度は2.27m/sから6.61m/sの範囲で記録再生した。書き換え用の記録膜4bへの記録はレーザ光の照射に加えて、記録時に外部磁界を加えた。いずれの記録層でも最短マークが0.173μmである8−12変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。
上記第1実施例の4の書き換え用の記録膜4bをTbFeCo及びGdFeCoからなる光磁気材料とし、反射層9をAl合金とし、他は第1実施例と同様な多層光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長405nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.65の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度は2.27m/sから6.61m/sの範囲で記録再生した。書き換え用の記録膜4bへの記録はレーザ光の照射に加えて、記録時に外部磁界を加えた。いずれの記録層でも最短マークが0.173μmである8−12変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。
<第1実施例の6>
上記第1実施例の4のディスク基板2Cのトラック幅を0.34μmから0.32μmへ変更し、他は第1実施例の4と同様にして光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長405nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.65の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度は2.27m/sから6.61m/sの範囲で記録再生した。いずれの記録層でも最短マークが0.173μmである8−12変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。このとき、書き換え用の記録層4に記録できた容量は21GBであり、追記用の記録層8に記録できた容量は20GBであり、光ディスク記録再生装置のレーザ素子及び対物レンズはそのままで、記録再生の線速度もそのままで書き換え用の記録層4の記録容量を追記用の記録層8の記録容量よりも大きくすることができた。
上記第1実施例の4のディスク基板2Cのトラック幅を0.34μmから0.32μmへ変更し、他は第1実施例の4と同様にして光ディスクを作製した。
このようにして作製した光ディスクを、波長405nmのレーザ光を発するレーザ素子と、開口数0.65の対物レンズを有する光ピックアップを装備した光ディスク記録再生装置で線速度は2.27m/sから6.61m/sの範囲で記録再生した。いずれの記録層でも最短マークが0.173μmである8−12変調方式のランダム信号の記録再生を確認した。このとき、書き換え用の記録層4に記録できた容量は21GBであり、追記用の記録層8に記録できた容量は20GBであり、光ディスク記録再生装置のレーザ素子及び対物レンズはそのままで、記録再生の線速度もそのままで書き換え用の記録層4の記録容量を追記用の記録層8の記録容量よりも大きくすることができた。
ここで、第1実施例の3及び第1実施例の6のように、書き換え用の記録層4の記録容量が追記用の記録層8の記録容量よりも大きい場合の利点について説明する。
図5は書き換え用の記録層の情報を編集して、追記用の記録層へ記録する時の編集の一例を示す図であり、図5(A)は書き換え用の記録層の記録容量と追記用の記録層8の記録容量が同じ場合を示し、図5(B)は書き換え用の記録層4の記録容量が追記用の記録層8の記録容量よりも大きい場合を示す。
図5において、50aは書き換え用の記録層4の記録済み容量(編集前)を示し、50bは書き換え用の記録層4の必要なデータ領域の容量(編集後)を示し、51は追記用の記録層8の記録可能容量を示す。また52は必要なデータ領域を示し、53は不要なデータ領域を示し、54(図5(A)の場合)は追記用の記録層8の記録領域の余り部分を示す。
図5は書き換え用の記録層の情報を編集して、追記用の記録層へ記録する時の編集の一例を示す図であり、図5(A)は書き換え用の記録層の記録容量と追記用の記録層8の記録容量が同じ場合を示し、図5(B)は書き換え用の記録層4の記録容量が追記用の記録層8の記録容量よりも大きい場合を示す。
図5において、50aは書き換え用の記録層4の記録済み容量(編集前)を示し、50bは書き換え用の記録層4の必要なデータ領域の容量(編集後)を示し、51は追記用の記録層8の記録可能容量を示す。また52は必要なデータ領域を示し、53は不要なデータ領域を示し、54(図5(A)の場合)は追記用の記録層8の記録領域の余り部分を示す。
図5(A)に示すように、書き換え用の記録層と追記用の記録層の容量が同じ場合には、書き換え用の記録層のデータ領域を編集し、追記用の記録層にコピーすると追記用の記録層に余りの部分54ができてしまう。
これに対して、図5(B)に示すように、書き換え用の記録層が追記用の記録層よりも大きな記録容量であれば、書き換え用の記録層の記録領域の不要部分を削除しても残りの必要データを追記用の記録層の記録領域までは全て記録することが出来る。
尚、上記各実施例の積層構造は単に一例を示したに過ぎず、これに限定されないのは勿論である。
これに対して、図5(B)に示すように、書き換え用の記録層が追記用の記録層よりも大きな記録容量であれば、書き換え用の記録層の記録領域の不要部分を削除しても残りの必要データを追記用の記録層の記録領域までは全て記録することが出来る。
尚、上記各実施例の積層構造は単に一例を示したに過ぎず、これに限定されないのは勿論である。
2,2A,2B,2C…ディスク基板、4…書き換え用の記録層、4a…第1の誘電体膜、4b…書き換え用の記録膜、4c…第2の誘電体膜、6…分離層、8…追記用の記録層、8a…第3の誘電体膜、8b…追記用の記録膜、8c…第4の誘電体膜、9…反射層、10…保護膜、12,14…案内溝、D1,D2…光ディスク。
Claims (2)
- 表面に案内溝が形成された透明なディスク基板上に、レーザ光により情報の記録再生が可能な複数の記録層を有し、
前記ディスク基板側からのみ前記レーザ光を照射するようにした光ディスクにおいて、
前記複数の記録層は、書き換え用の記録層と、書き換え不可能な追記用の記録層とをそれぞれ少なくとも1層含み、
前記書き換え用の記録層は、結晶とアモルファスの変化を前記レーザ光の照射により可逆的に起こす相変化材料よりなることを特徴とする光ディスク。 - 表面に案内溝が形成された透明なディスク基板上に、レーザ光により情報の記録再生が可能な複数の記録層を有し、
前記ディスク基板側からのみ前記レーザ光を照射するようにした光ディスクにおいて、
前記複数の記録層は、書き換え用の記録層と、書き換え不可能な追記用の記録層とをそれぞれ少なくとも1層含み、
前記書き換え用の記録層は、希土類−遷移金属系の光磁気材料よりなることを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006236468A JP2007109369A (ja) | 2005-09-16 | 2006-08-31 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006236468A JP2007109369A (ja) | 2005-09-16 | 2006-08-31 | 光ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007109369A true JP2007109369A (ja) | 2007-04-26 |
Family
ID=38035111
Family Applications (1)
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JP2006236468A Pending JP2007109369A (ja) | 2005-09-16 | 2006-08-31 | 光ディスク |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007109369A (ja) |
-
2006
- 2006-08-31 JP JP2006236468A patent/JP2007109369A/ja active Pending
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