JP2007103807A - Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶構造及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配管パージなどの残留Ｓｅを取り除く作業を行うことなく、残留Ｓｅのエピタキシャル層への混入を防止できるIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１とエピタキシャル層２〜８との間に、ＡｌＡｓ層９を成長し、このＡｌＡｓ層９に気相成長装置内の残留Ｓｅを閉じ込めることにより、成長の合間に行っていた残留Ｓｅの取り除き作業が不要となり、連続的な成長が行える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、III−Ｖ族化合物半導体結晶構造及びその製造方法に係り、特にｎ型ドーパントであるＳｅ（セレン）のメモリー効果を低減できるIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造及びその製造方法に関する。

トランジスタの性能を向上させるためには、より多くの多数キャリアをより高速に伝達できる材質を用いることが重要である。ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓはＳｉに比べて、電子移動度が高いという特長がある。この特長を活かして、ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓは高速デバイスに多く用いられている。代表例として、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）が挙げられる。

ＨＥＭＴやＦＥＴ（Field Effect Transistor、電界効果トランジスタ）といった電子デバイスは、現在、ＧａＡｓの半絶縁性基板上に、バッファ層を成長し、その上にチャネル層（活性層）をエピタキシャル成長させたウエハから作製するのが一般的である。

図４に、従来のＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの概略断面構造を示す。ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハは、半絶縁性の基板２１上に結晶成長されたバッファ層２２、チャネル層２３、スペーサ層２４、キャリア供給層２５、及びコンタクト層２６を有する。基板２１は単結晶成長するための下地であり、バッファ層２２は基板２１表面の残留不純物によるデバイス特性劣化を防ぐ働きと、チャネル層２３のリーク電流を抑えるための層である。また、チャネル層２３は自由電子が流れる層であり、高純度である必要がある。スペーサ層２４は電子の散乱を防止する層であり、キャリア供給層２５は自由電子を発生しチャネル層２３へ供給するための層である。コンタクト層２６は電極を形成するための層である。

コンタクト層２６は、電極を形成するために低抵抗であることが重要であってｎ型ドーパントが添加されている。コンタクト層２６の抵抗を下げるためには、キャリア濃度を高くしなければならないが、従来よく用いられているＧａＡｓでは５×１０¹⁸ｃｍ^-3以上のキャリア濃度を得るのは難しい。一方、ＩｎＧａＡｓを用いれば、４×１０¹⁹ｃｍ^-3という高キャリア濃度を実現できる。このｎ型のＩｎＧａＡｓ層を結晶成長する場合には、高濃度にドーピングするために、ｎ型ドーパントのＳｅの原料として、Ｈ₂Ｓｅ（セレン化水素）が用いられている。

ところが、Ｈ₂Ｓｅは、いわゆる「メモリー効果」が非常に大きく、気相成長装置の反応炉にＨ₂Ｓｅガスを送る配管系や反応炉内に付着して残留し易い。このため、従来の気相成長方法により連続して結晶成長を行う場合、残留Ｓｅをバッファ層２２内に閉じ込めてしまうことはできず、エピタキシャル層中やエピタキシャル層の界面・表面に取り込まれ、電気的特性が影響を受ける。例えば、Ｓｅがキャリア供給層２５に取り込まれてｎ型が強くなると、ＨＥＭＴの重要な特性であるシートキャリア濃度が高くなってしまう。

従って、従来、Ｈ₂Ｓｅを流す工程を含むエピタキシャル成長を連続で行うことができず、成長の合間に残留Ｓｅを取り除く作業が必要となる。残留Ｓｅを取り除く作業としては、通常、気相成長前に、水素や窒素などの不活性ガスを配管系に供給して流す配管パージが実施されている。また、配管パージだけでは除去は不十分として、気相成長前や気相成長中断中に、Ｖ族元素を含む原料化合物をｎ型ドーパント供給ラインに流すことによって、ｎ型ドーパント供給ラインの清浄化を行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１０−９７９９６号公報

しかしながら、気相成長前などに、水素などの不活性ガスを配管系に流す配管パージや、Ｖ族原料化合物をｎ型ドーパント供給ラインに流すという、上記従来の残留Ｓｅを取り除く作業は、作業に時間がかかり、生産性を上げることができなかった。

そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、配管パージなどの残留Ｓｅを取り除く作業を行うことなく、電気的特性などに影響を与える残留Ｓｅのエピタキシャル層への混入を防止できるIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。

請求項１の発明は、基板上に、Ｓｅドープのエピタキシャル層を含むIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層が積層されたIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造において、前記基板と前記積層されたIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層との間に、ＡｌＡｓ層が形成されていることを特徴とする。

基板とIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層の間に形成されたＡｌＡｓ層は、残留Ｓｅを閉じ込める層として機能し、Ｓｅのエピタキシャル層への混入・拡散を防止でき、優れた特性の結晶構造が得られる。

上記III族元素としては、Ｇａ（ガリウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｉｎ（インジウム）があり、Ｖ族元素としては、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）がある。これらの組み合わせにより、上記III−Ｖ族化合物半導体結晶には、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＰ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎ等の、２元系結晶から４元系結晶が含まれる。

請求項２の発明は、ＧａＡｓ系基板上に、バッファ層を有し且つＳｅドープのエピタキシャル層を含むＧａＡｓ系エピタキシャル層が積層されたIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造において、前記ＧａＡｓ系基板と前記バッファ層との間に、ＡｌＡｓ層が形成されていることを特徴とする。

請求項３の発明は、請求項１又は２に記載のIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造において、前記ＡｌＡｓ層の膜厚が２〜２００ｎｍであることを特徴とする。

請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載のIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造において、前記III−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層又は前記ＧａＡｓ系エピタキシャル層の積層構造が、ＨＥＭＴ、ＦＥＴ、ＨＢＴのいずれかの構造を有することを特徴とする。

請求項５の発明は、気相成長装置内に設置した基板を加熱し、前記基板にIII族原料、Ｖ族原料を供給することにより、前記基板上にＳｅドープのエピタキシャル層を含むIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層を成長させるIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造の製造方法において、前記基板上にＡｌＡｓ層を成長させた後、前記III−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層を成長させるようにしたことを特徴とする。

請求項６の発明は、請求項５に記載のIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造の製造方法において、前記ＡｌＡｓ層の膜厚が２〜２００ｎｍであることを特徴とする。

請求項７の発明は、請求項５又は６に記載のIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造の製造方法において、前記Ｖ族原料として、ＡｓＨ₃（アルシン）、Ａｓ（ＣＨ₃）₃（トリメチル砒素）、ＴＢＡ（ターシャリーブチルアルシン）、ＰＨ₃（ホスフィン）又はＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）のいずれか、又はこれらを組み合わせて用い、前記III族原料として、Ａｌ（ＣＨ₃）₃（トリメチルアルミニウム）、Ａｌ（ＣＨ₃ＣＨ₂）₃（トリエチルアルミニウム）、Ｇａ（ＣＨ₃）₃（トリメチルガリウム）、Ｇａ（ＣＨ₃ＣＨ₂）₃（トリエチルガリウム）、Ｉｎ（ＣＨ₃）₃（トリメチルインジウム）又はＩｎ（ＣＨ₃ＣＨ₂）₃（トリエチルインジウム）のいずれか、又はこれらを組み合わせて用い、希釈用ガスとして、Ｈ₂（水素）、Ｎ₂（窒素）又はＡｒ（アルゴン）を用いることを特徴とする。

本発明によれば、残留Ｓｅを取り除く作業を必要とせずに、連続的に生産性よく、高品質のIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造が得られる。また、ＧａＡｓ系基板とバッファ層との間にＡｌＡｓ層を設けると、バッファ層を高抵抗化でき、ＦＥＴやＨＥＭＴなどの電子デバイスを高耐圧化することができ、電子デバイスの高性能化を実現することができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

図３に、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置の反応炉の構成を示す。この反応炉１０は、基板の結晶成長面が下向きになるフェースダウンタイプのもので、回転軸１２を中心として回転する円板状のサセプタ１１に、ＧａＡｓから成る複数の半絶縁性の基板１が、サセプタ１１の中心から少し離れた位置にその周方向に沿って等間隔に配設され且つ基板１表面の成長面がガス流路１４側に下向きに支持されている。基板１の裏面側のサセプタ１１の上方には、基板加熱用ヒータ１５が配置され、このヒータ１５によりサセプタ１１を介して基板１が加熱される（ヒータ温度は４００〜１２００℃である）。原料ガス１６は、サセプタ１１中心部の下方側からガス流路１４に流入した後、ガス流路１４を放射状に水平方向外側に流れ、加熱された基板１上に半導体結晶をエピタキシャル成長させる構造となっている。

本発明の実施形態に係るＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの構造を図１に示した。このＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの各エピタキシャル層の成長には、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）を用いた。すなわち、III族有機金属原料ガスとＶ族原料ガスは、高純度水素キャリアガスとの混合ガスとして、図３の反応炉１０内に送り込まれ、加熱された半絶縁性のＧａＡｓ基板１付近で原料ガスは熱分解され、基板１上にエピタキシャル層が成長する。

まず、ＧａＡｓ基板１上にバッファ層２の最下層ともいえる無添加（ｉ型）のｉ型ＡｌＡｓ層９（厚さ５０ｎｍ、キャリア濃度３×１０¹⁷ｃｍ^-3 以下）をエピタキシャル成長させ、次いで、バッファ層２、チャネル層３、スペーサ層４、キャリア供給層５、ショットキー層６、コンタクト層７、オーミックコンタクト層８を順次成長させた。これらの成長時の基板温度は６５０℃、成長炉内圧力は約１０１３０Ｐａ（７６Ｔｏｒｒ）、希釈用ガスは水素であり、サセプタ１１の回転数は１０回転／分とした。

上記バッファ層２は、ｉ型ＧａＡｓ層（厚さ５００ｎｍと２００ｎｍ、キャリア濃度１×１０¹⁵ｃｍ^-3以下）とｉ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層（厚さ１００ｎｍ、キャリア濃度１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下）を交互に２回積層し、更にその上にｉ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層（厚さ１００ｎｍ、キャリア濃度１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下）を積層したものである。チャネル層３は、ｉ型Ｉｎ_0.20Ｇａ_0.80Ａｓ層（厚さ２０ｎｍ、キャリア濃度１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下）、スペーサ層４は、ｉ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層（厚さ３ｎｍ、キャリア濃度１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下）、キャリア供給層５は、Ｓｉドープのｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層（厚さ２５０ｎｍ、キャリア濃度３×１０¹⁸ｃｍ^-3）、ショットキー層６は、ｉ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層（厚さ５０ｎｍ、キャリア濃度１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下）、コンタクト層７は、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ層（厚さ１００ｎｍ、キャリア濃度３×１０¹⁸ｃｍ^-3）である。オーミックコンタクト層８は、Ｓｅドープのｎ型Ｉｎ_0→0.50Ｇａ_1.0→0.5Ａｓ層（厚さ５０ｎｍ、キャリア濃度０．５→４×１０¹⁹ｃｍ^-3）から成るグレーデッドノンアロイ層８ａ及びＳｅドープのｎ型Ｉｎ_0.50Ｇａ_0.50Ａｓ層（厚さ５０ｎｍ、キャリア濃度４×１０¹⁹ｃｍ^-3）から成る均一組成ノンアロイ層８ｂである。

上記において、ｉ型ＡｌＡｓ層９の成長には、Ａｌ（ＣＨ₃）₃及びＡｓＨ₃を用い、それらの流量はそれぞれ５．６ｃｍ³／分及び３００ｃｍ³／分とした。

バッファ層２のｉ型ＧａＡｓ層の成長には、Ｇａ（ＣＨ₃）₃とＡｓＨ₃を用いた。Ｇａ（ＣＨ₃）₃の流量は１０．５ｃｍ³／分とし、ＡｓＨ₃の流量は３１５ｃｍ³／分とした。

バッファ層２やスペーサ層４やショットキー層６のｉ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層の成長には、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、Ａｌ（ＣＨ₃）₃及びＡｓＨ₃を用い、それらの流量は、それぞれ５．３ｃｍ³／分、１．４３ｃｍ³／分及び６３０ｃｍ³／分とした。

チャネル層３のｉ型Ｉｎ_0.20Ｇａ_0.80Ａｓ層の成長にはＧａ（ＣＨ₃）₃、Ｉｎ（ＣＨ₃）₃及びＡｓＨ₃を用い、それらの流量は、それぞれ５．３ｃｍ³／分、２．０９ｃｍ³／分及び５００ｃｍ³／分とした。

キャリア供給層５のｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層の成長には、ｉ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層の成長に使用したＧａ（ＣＨ₃）₃、Ａｌ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃に加えて、Ｓｉ₂Ｈ₆を使用した。Ｓｉ₂Ｈ₆の流量は、７．７８×１０^-3ｃｍ³／分とした。Ｓｉ₂Ｈ₆以外の流量は、ｉ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層の場合と同じである。

コンタクト層７のｎ型ＧａＡｓ層の成長には、ｉ型ＧａＡｓの成長に使用したＧａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃に加えて、Ｓｉ₂Ｈ₆を用いた。Ｓｉ₂Ｈ₆の流量は１．４７×１０^-4ｃｍ³／分とした。Ｓｉ₂Ｈ₆以外の流量は、ｉ型ＧａＡｓ層の場合と同じである。

オーミックコンタクト層８の、ｎ型Ｉｎ_0→0.50Ｇａ_1.0→0.5Ａｓから成るグレーデッドノンアロイ層８ａの成長には、Ｉｎ（ＣＨ₃）₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃、Ｈ₂Ｓｅを用いた。それらＩｎ（ＣＨ₃）₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃、Ｈ₂Ｓｅの成長開始時の流量は、それぞれ０ｃｍ³／分、５．３ｃｍ³／分、５００ｃｍ³／分、１．２×１０^-1ｃｍ³／分とし、また成長終了時の流量は、それぞれ８．３ｃｍ³／分、５．３ｃｍ³／分、５００ｃｍ³／分、１．６ｃｍ³／分とした。

オーミックコンタクト層８の、ｎ型Ｉｎ_0.50Ｇａ_0.50Ａｓから成る均一組成ノンアロイ層８ｂの成長には、Ｉｎ（ＣＨ₃）₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃、Ｈ₂Ｓｅを用いた。それらＩｎ（ＣＨ₃）₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃、Ｈ₂Ｓｅの流量は、それぞれ８．３ｃｍ³／分、５．３ｃｍ³／分、５００ｃｍ³／分、１．６ｃｍ³／分である。

本発明の実施形態の効果を確認するために、ＡｌＡｓ層９の膜厚を０〜２００ｎｍと変化させて作製したＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハａ〜ｉについて、そのシートキャリア濃度を測定した。ここに、シートキャリア濃度とは１ｃｍ²あたりの電子数であり、シートキャリア濃度の測定にはｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法を用いた。測定結果を表１および図２に示す。測定を行うために、作製したＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハのコンタクト層７及びオーミックコンタクト層８の一部を除去し測定した。なお、ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハａが従来構造のものであり、ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハｆが上記実施形態（図１）である。

表１、図２に示す通り、従来のＡｌＡｓ層を設けない（膜厚０ｎｍ）エピタキシャルウェハａに対し、ＡｌＡｓ層を設けた本発明の実施形態のエピタキシャルウェハｂ〜ｉでは、ＡｌＡｓ層に残留Ｓｅが取り込まれ、連続成長を行っても、シートキャリア濃度の増加が抑えられている。この効果は、ＡｌＡｓ層の膜厚が厚くなるほど、大きくなっている。ＡｌＡｓ層の膜厚が２ｎｍ、５ｎｍのエピタキシャルウェハｂ、ｃにおいては、エピタキシャル結晶成長を連続で成長させると、１回目の成長ではシートキャリア濃度が２．４８×１０¹²ｃｍ^-2であったものが、残留Ｓｅを取り除く作業を実施せずに、連続して行った２回目の成長ではシートキャリア濃度が２．５７×１０¹²ｃｍ^-2、２．５２×１０¹²ｃｍ^-2と高くなっている。これと比較して、ＡｌＡｓ層の膜厚が１０ｎｍ以上のエピタキシャルウェハｄ〜ｉにおいては、エピタキシャル結晶成長を連続で成長させても２回目のシートキャリア濃度は２．４９×１０¹²ｃｍ^-2〜２．４８×１０¹²ｃｍ^-2で、高くならない。

よって、ＡｌＡｓ層の膜厚を１０ｎｍ以上成長させれば、エピタキシャル結晶成長を連続で成長させても２回目のシートキャリア濃度は高くならない。但し、ＡｌＡｓ層の成長速度は極端に遅いために、膜厚を厚く成長させると生産性が低下する。よって、ＡｌＡｓ層の膜厚は１０〜２００ｎｍが適当である。なお、ＡｌＡｓ層の膜厚が薄く、残留Ｓｅの取込が十分ではないために、残留Ｓｅを取り除く作業が必要になる場合にも、ＡｌＡｓ層を形成することにより、残留Ｓｅを取り除く作業の時間短縮や作業内容の簡素化が図れる。

上記実施形態では、ＨＥＭＴについて述べたが、ＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）においても、例えば、基板とバッファ層との間に、バッファ層の最下層としてＡｌＡｓ層を成長することで、ＡｌＡｓ層に残留Ｓｅを取り込むことができる。

また、本発明は、ＦＥＴやＨＥＭＴなどの電子デバイスだけでなく、それらを中心とした半導体集積回路に応用でき、更にまた光発光・受光素子、レーザーの埋め込みの抵抗層にも利用できる。

本発明の一実施形態に係るＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの断面構造を示す図である。 ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハのＡｌＡｓ層の膜厚を変えた時の、成長回数とシートキャリア濃度の関係を示す図である。 有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置の反応炉の構成を示す概略縦断面図である。 従来のＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの断面構造を示す図である。

符号の説明

１ ＧａＡｓ基板
２ バッファ層
３ チャネル層
４ スペーサ層
５ キャリア供給層
６ ショットキー層
７ コンタクト層
８ オーミックコンタクト層
９ ＡｌＡｓ層
１０ 反応炉
１１ サセプタ
１２ 回転軸
１４ ガス流路
１５ ヒータ
１６ 原料ガス

Claims (7)

1. 基板上に、Ｓｅドープのエピタキシャル層を含むIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層が積層されたIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造において、
   前記基板と前記積層されたIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層との間に、ＡｌＡｓ層が形成されていることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造。
2. ＧａＡｓ系基板上に、バッファ層を有し且つＳｅドープのエピタキシャル層を含むＧａＡｓ系エピタキシャル層が積層されたIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造において、
   前記ＧａＡｓ系基板と前記バッファ層との間に、ＡｌＡｓ層が形成されていることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造。
3. 請求項１又は２に記載のIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造において、
   前記ＡｌＡｓ層の膜厚が２〜２００ｎｍであることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載のIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造において、
   前記III−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層又は前記ＧａＡｓ系エピタキシャル層の積層構造が、ＨＥＭＴ、ＦＥＴ、ＨＢＴのいずれかの構造を有することを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造。
5. 気相成長装置内に設置した基板を加熱し、前記基板にIII族原料、Ｖ族原料を供給することにより、前記基板上にＳｅドープのエピタキシャル層を含むIII−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層を成長させるIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造の製造方法において、
   前記基板上にＡｌＡｓ層を成長させた後、前記III−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル層を成長させるようにしたことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造の製造方法。
6. 請求項５記載のIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造の製造方法において、
   前記ＡｌＡｓ層の膜厚が２〜２００ｎｍであることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造の製造方法。
7. 請求項５又は６に記載のIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造の製造方法において、
   前記Ｖ族原料として、ＡｓＨ₃（アルシン）、Ａｓ（ＣＨ₃）₃（トリメチル砒素）、ＴＢＡ（ターシャリーブチルアルシン）、ＰＨ₃（ホスフィン）又はＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）のいずれか、又はこれらを組み合わせて用い、
   前記III族原料として、Ａｌ（ＣＨ₃）₃（トリメチルアルミニウム）、Ａｌ（ＣＨ₃ＣＨ₂）₃（トリエチルアルミニウム）、Ｇａ（ＣＨ₃）₃（トリメチルガリウム）、Ｇａ（ＣＨ₃ＣＨ₂）₃（トリエチルガリウム）、Ｉｎ（ＣＨ₃）₃（トリメチルインジウム）又はＩｎ（ＣＨ₃ＣＨ₂）₃（トリエチルインジウム）のいずれか、又はこれらを組み合わせて用い、
   希釈用ガスとして、Ｈ₂（水素）、Ｎ₂（窒素）又はＡｒ（アルゴン）を用いることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体結晶構造の製造方法。

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