JP2007103303A - 有機el表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の有機EL表示装置は、光反射性及び光透過性を有する前面電極43と、背面電極41と、前面電極43と背面電極41との間に介在すると共に発光層421を含んだ有機物層42とを備え、前面電極43は、有機物層421と向き合った金属材料層431と、金属材料層431と有機物層42との間に介在した無機物からなる電子注入層432と、金属材料層431を被覆すると共に有機物層42が放出した光が内部で繰り返し反射干渉する光学調整層433とを含んだ有機EL素子40を具備したことを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
絶縁基板10上では、複数の画素がマトリクス状に配列している。各画素は、画素回路と有機EL素子40とを含んでいる。
(実施例1)
本例では、ガラス基板上に、図3の有機EL素子40を作製した。
本例では、電子注入層を省略したこと以外は実施例1と同様の方法により有機EL素子を作製した。
本例では、光学調整層を省略したこと以外は実施例1と同様の方法により有機EL素子を作製した。
本例では、実施例1と同様の構造を有する有機EL素子40について、陰極43の透過率及び反射率並びに位相シフトΦ1の光学調整層433の厚さに対する依存性をシミュレートした。その結果を図5乃至図7に示す。
Claims (12)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板に支持され、前記絶縁基板と向き合うと共に光反射性及び光透過性を有する前面電極と、前記絶縁基板と前記前面電極との間に介在した背面電極と、前記前面電極と前記背面電極との間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とを備え、前記前面電極は、前記有機物層と向き合った金属材料層と、前記金属材料層と前記有機物層との間に介在した無機物からなる電子注入層と、前記金属材料層を被覆すると共に前記有機物層が放出した光が内部で繰り返し反射干渉する光学調整層とを含んだ有機EL素子とを具備したことを特徴とする有機EL表示装置。 - 絶縁基板と、
前記絶縁基板に支持され、前記絶縁基板と向き合うと共に光反射性及び光透過性を有する前面電極と、前記絶縁基板と前記前面電極との間に介在した背面電極と、前記前面電極と前記背面電極との間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とを備え、前記前面電極は、前記有機物層と向き合った金属材料層と、前記金属材料層と前記有機物層との間に介在した無機物からなる電子注入層とを含んだ有機EL素子と、
前記金属材料層を被覆すると共に前記有機EL素子が放出した光が内部で繰り返し反射干渉する光学調整層とを具備したことを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記金属材料層は銀とマグネシウムとの合金からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
- 前記金属材料層は銀を75体積%乃至95体積%の濃度で含有していることを特徴とする請求項3に記載の有機EL表示装置。
- 前記金属材料層の厚さは10nm乃至30nmの範囲内にあることを特徴とする請求項3に記載の有機EL表示装置。
- 前記金属材料層の光吸収率は10%以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
- 前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属の酸化物、及びアルカリ金属の弗化物からなる群より選択される材料からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
- 前記電子注入層はフッ化リチウムからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
- 前記電子注入層の厚さは0.5nm乃至2nmの範囲内にあることを特徴とする請求項8に記載の有機EL表示装置。
- 前記光学調整層の光学的厚さは230nm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
- 前記光学調整層の光学的厚さは230nm以下であり、前記光学調整層はインジウム錫酸化物からなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記光学調整層の厚さは15nm乃至100nmの範囲内にあることを特徴とする請求項11に記載の有機EL表示装置。
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