JP2007101896A - 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007101896A JP2007101896A JP2005291584A JP2005291584A JP2007101896A JP 2007101896 A JP2007101896 A JP 2007101896A JP 2005291584 A JP2005291584 A JP 2005291584A JP 2005291584 A JP2005291584 A JP 2005291584A JP 2007101896 A JP2007101896 A JP 2007101896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- common
- electrode
- gate
- line
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】透明な第1導電層101と不透明な第2導電層103が積層された二重構造のゲートライン102と、ゲートライン102と交差し、画素領域を定義するデータライン104と、ゲートライン102及びデータライン104と接続された薄膜トランジスタと、ゲートライン102と並行して第1導電層101と第2導電層103を有する共通ライン120と、画素領域に共通ライン120の第1導電層101が延長され形成された共通電極122と、薄膜トランジスタと接続され、画素領域に共通電極122と水平電界を成すように形成された画素電極118とを備えることを特徴とする。
【選択図】図5
Description
Claims (32)
- 透明な第1導電層と不透明な第2導電層とが積層された二重層構造のゲートラインと、
前記ゲートラインと交差し、画素領域を定義するデータラインと、
前記ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタと、
第1導電層と第2導電層を有し、前記ゲートラインと並行な共通ラインと、
前記画素領域に前記共通ラインの第1導電層が延長され形成された共通電極と、
前記薄膜トランジスタと接続され、前記画素領域に前記共通電極に対する水平電界を形成する画素電極と
を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記画素電極及び前記共通電極の一部分が重畳され形成されたストレージキャパシタをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極及び前記共通ラインの一部分が重畳され形成されたストレージキャパシタをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極及び前記共通電極の一部分が重畳され形成された第1ストレージキャパシタと、
前記画素電極及び前記共通ラインの一部分が重畳され形成された第2ストレージキャパシタと
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記共通ラインの第1導電層の線幅は、前記画素電極により重畳された前記共通ラインの部分より広いことを特徴とする請求項3または請求項4に記載の液晶表示装置。
- 前記共通電極と重畳された光遮断層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記光遮断層は、前記共通電極の両側部を露出させる線幅を有することを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
- 前記光遮断層は、前記共通ラインの前記第2導電層が前記共通電極に沿って延長され形成されたことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲートラインから延長された二重層構造のゲートパッド下部電極と、絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記ゲートパッド下部電極に接続されるゲートパッド上部電極とを含むゲートパッドをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記共通ラインから延長された二重層構造の共通パッド下部電極と、絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記共通パッド下部電極に接続される共通パッド上部電極とを含む共通パッドをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記コンタクトホールは、前記ゲートパッド下部電極の前記第2導電層を貫通することを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。
- 前記コンタクトホールは、前記共通パッド下部電極の前記第2導電層を貫通することを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記データラインから延長されたデータパッド下部電極と、絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記データパッド下部電極に接続されるデータパッド上部電極とを含むデータパッドをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲートライン及び前記共通ラインの前記第1及び第2導電層は、段差部を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は、透明導電層、チタニウム、タングスタンの中の一つで形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は、絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記共通電極は、二重層構造を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 第1マスクを用いて、基板上に透明な第1導電層及び不透明な第2導電層が積層された二重層構造のゲートパターンと、前記二重層構造の共通ライン及び前記第1導電層に成された共通電極を含む共通パターンとを形成する段階と、
前記ゲートパターン及び共通パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
第2マスクを用いて、前記ゲート絶縁膜上に半導体パターンを形成し、その上にデータライン及びソース電極とドレイン電極を含むソース/ドレインパターンを形成する段階と、
第3マスクを用いて、前記ソース/ドレインパターン上に保護膜を形成し、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
第4マスクを用いて、前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続され、前記共通電極に対する水平電界を形成する画素電極を形成する段階と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記共通電極及び画素電極の一部分が前記ゲート絶縁膜及び保護膜を介して重畳されストレージキャパシタを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極及び前記共通ラインの一部分が前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜を介して重畳されストレージキャパシタを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極及び前記共通電極の一部分が前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜を介して重畳され第1ストレージキャパシタを形成する段階と、
前記画素電極の他の一部分が前記ゲート絶縁膜及び保護膜を介して前記共通ラインの一部分と重畳され第2ストレージキャパシタを形成する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記共通ラインの第1導電層の線幅は、前記画素電極により重畳された前記共通ラインの部分より広いことを特徴とする請求項20または請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2導電層を用いて前記共通電極と重畳された光遮断層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記光遮断層は、前記共通電極の両側部を露出させる線幅を有するように形成されたことを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ゲートラインから延長された二重層構造のゲートパッド下部電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜を貫通する他のコンタクトホールを形成する段階と、
前記他のコンタクトホールを通じて前記ゲートパッド下部電極に接続されるゲートパッド上部電極を形成する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記共通ラインから延長された二重層構造の共通パッド下部電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜を貫通する他のコンタクトホールを形成する段階と、
前記他のコンタクトホールを通じて前記共通パッド下部電極に接続される共通パッド上部電極を形成する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールは、前記ゲートパッド下部電極の第2導電層まで貫通するように延長されたことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールは、前記共通パッド下部電極の第2導電層まで貫通するように延長されたことを特徴とする請求項26に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データラインから延長されたデータパッド下部電極を形成する段階と、
前記保護膜を貫通する他のコンタクトホールを形成する段階と、
前記他のコンタクトホールを通じて前記データパッド下部電極に接続されるデータパッド上部電極を形成する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲートライン及び前記共通ラインは、その第1及び第2導電層が段差を有して積層された構造に形成されたことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極は、透明導電層、チタニウム、タングスタンの中の一つで形成されることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ゲートパターン及び前記共通パターンを形成する段階は、
前記基板上に前記第1及び第2導電層を形成する段階と、
前記第2導電層上にハーフトーンマスクまたは回折露光マスクを用いたフォトリソグラフィ工程で互いに異なる厚さを有する第1及び第2フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第1及び第2フォトレジストパターンを用いたエッチング工程で前記第1及び第2導電層をパターニングして、前記二重層構造の前記ゲートパターン及び前記共通ラインと、前記第2導電層が残存する前記共通電極とを形成する段階と、
アッシング工程で前記第1フォトレジストパターンを薄くして前記第2フォトレジストパターンを除去する段階と、
アッシングされた前記第1フォトレジストパターンを用いたエッチング工程で前記共通電極上の第2導電層を除去する段階と、
アッシングされた前記第1フォトレジストパターンを除去する段階と
を含むことを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005291584A JP4537929B2 (ja) | 2005-10-04 | 2005-10-04 | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005291584A JP4537929B2 (ja) | 2005-10-04 | 2005-10-04 | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007101896A true JP2007101896A (ja) | 2007-04-19 |
JP4537929B2 JP4537929B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=38028900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005291584A Expired - Fee Related JP4537929B2 (ja) | 2005-10-04 | 2005-10-04 | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4537929B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008281799A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Ulvac Japan Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2014017456A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 表示装置及び画素欠陥修正方法 |
JP2014096600A (ja) * | 2007-12-03 | 2014-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
CN104459992A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-03-25 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 像素阵列和制作方法、以及显示装置 |
JP2015135977A (ja) * | 2009-03-05 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、テレビジョン装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2016028432A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9299726B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-03-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having an overlapping low reflection conductive line |
JP2016103660A (ja) * | 2008-05-16 | 2016-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017175148A (ja) * | 2007-07-27 | 2017-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2018223430A1 (zh) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板 |
US10551708B2 (en) | 2017-06-07 | 2020-02-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd | Array substrates, manufacturing methods thereof and display panels |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998027454A1 (fr) * | 1996-12-18 | 1998-06-25 | Hitachi, Ltd. | Visuel a cristaux liquides a systeme de champs transversal electrique permettant d'ameliorer le rapport d'ouverture |
JP2002139737A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2005258408A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 横電界方式液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2006163407A (ja) * | 2004-12-04 | 2006-06-22 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-10-04 JP JP2005291584A patent/JP4537929B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998027454A1 (fr) * | 1996-12-18 | 1998-06-25 | Hitachi, Ltd. | Visuel a cristaux liquides a systeme de champs transversal electrique permettant d'ameliorer le rapport d'ouverture |
JP2002139737A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2005258408A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 横電界方式液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2006163407A (ja) * | 2004-12-04 | 2006-06-22 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008281799A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Ulvac Japan Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2017175148A (ja) * | 2007-07-27 | 2017-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2014096600A (ja) * | 2007-12-03 | 2014-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US11646322B2 (en) | 2008-05-16 | 2023-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having conductive oxide electrode layers in direct contact with oxide semiconductor layer |
US11133332B2 (en) | 2008-05-16 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US10580797B2 (en) | 2008-05-16 | 2020-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2019054283A (ja) * | 2008-05-16 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016103660A (ja) * | 2008-05-16 | 2016-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017073564A (ja) * | 2008-05-16 | 2017-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10326008B2 (en) | 2009-03-05 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10686061B2 (en) | 2009-03-05 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11955537B2 (en) | 2009-03-05 | 2024-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9941393B2 (en) | 2009-03-05 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2015135977A (ja) * | 2009-03-05 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、テレビジョン装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2019159339A (ja) * | 2009-03-05 | 2019-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2016028432A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019083319A (ja) * | 2009-08-07 | 2019-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9954005B2 (en) | 2009-08-07 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer |
JP2014017456A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 表示装置及び画素欠陥修正方法 |
US9299726B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-03-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having an overlapping low reflection conductive line |
CN104459992A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-03-25 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 像素阵列和制作方法、以及显示装置 |
US10551708B2 (en) | 2017-06-07 | 2020-02-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd | Array substrates, manufacturing methods thereof and display panels |
WO2018223430A1 (zh) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4537929B2 (ja) | 2010-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7316944B2 (en) | Fabricating method of a liquid crystal display device | |
JP4537946B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4537929B2 (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 | |
JP4619997B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
KR101201017B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4468876B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4754877B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP4433480B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4392390B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP5052880B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4499628B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US20050092991A1 (en) | Thin film transistor substrate of horizontal electric field type liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
KR20060136287A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US7489379B2 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
JP2006184903A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4727201B2 (ja) | 水平電界型の液晶表示パネル | |
US20070001170A1 (en) | Thin film transistor substrate and fabricating method thereof | |
US7132688B2 (en) | Thin film transistor substrate using a horizontal electric field and fabricating method thereof | |
KR100538327B1 (ko) | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그제조 방법 | |
KR20060073380A (ko) | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100558712B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20040084597A (ko) | 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |