JP2007078677A - 開口作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題手段】 錐状あるいは錐台状に形成されたチップの先端に光学的な開口を作製する開口作製方法であって、前記チップと該チップの近傍に配置されて尾根状に形成されたストッパーと少なくとも前記チップ上に形成された遮光膜とからなる被開口形成体のうち、前記チップの先端部に形成されている前記遮光膜を塑性変形させる第1の工程と、塑性変形させて残った前記遮光膜をエッチングして除去し、前記チップの先端に光学的な開口部を形成する第2の工程とからなることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、前記第2の工程は、複数個の前記チップに対し前記チップ先端部に形成されている前記遮光膜を塑性変形させて残った前期遮光膜を、同時にエッチングすることを特徴とする。
また、前記ドライエッチングにより除去する工程は、イオンミリング又はスパッタで行うことを特徴とする。
また、前記ドライエッチングにより除去する工程は、Arイオンで除去することを特徴とする。
また、複数個の前記チップを用いて前記エッチングを行う場合は、前記チップを大量に生産することが可能でコストが削減できる。
図1は、本発明の実施の形態1における光学的な開口の作製方法の概略図である。101はチップ、102は遮光膜、103は開口、104は遮光膜残滓、105はAr(アルゴン)プラズマを示す。
(実施の形態2)
図2は、本発明の実施の形態2における光学的な開口の作製方法の概略図である。212は錐状のチップ101先端の遮光膜102の塑性変形部である。まず、特許文献1に記載の方法により近接場光プローブとなるチップ101先端の遮光膜102を塑性変形する。遮光膜102にはAlを使用し、厚さは300nmである。図2(a)は、チップ101先端の遮光膜102を塑性変形した後のチップ101先端の概略図である。本発明の実施の形態1との相違点は、板709がチップ101先端に加える力を小さくし遮光膜102の塑性変形量を減少させているため、チップ101先端が遮光膜102から突出していないことである。チップ101先端の塑性変形部212においては、被覆する遮光膜102がチップ101側面の遮光膜102に対し極めて薄くなっている。チップ101先端の遮光膜102の厚さは特許文献1に記載の塑性変形方法により精度良く制御することができ、側面の遮光膜102に対して50分の1程度まで薄くすることができる。
(実施の形態3)
図3は、本発明の実施の形態3における光学的な開口の第1の作製方法の概略図である。チップ301は背景技術の図8で説明したワーク800上に作製されたものであり形状は錐台状である。まず、近接場光プローブとなるチップ301先端の遮光膜102を塑性変形する。遮光膜102にはAlを使用し、厚さは300nmである。このチップ301先端の遮光膜102の塑性変形方法は特許文献1に記載の方法である。図3(a)は、特許文献1に記載の方法によりチップ301先端の遮光膜102を塑性変形した後のチップ301の概略図である。
Arプラズマ105発生装置として、イオンミリング装置を用い10分間エッチングを行った。エッチング条件は印加電圧3kV、プラズマ電流1mV、試料台傾斜角15°である。その結果、残滓104が完全に除去された開口303をSEM(Scanning Electron Microscope)やFIB(Focused Ion Beam)で観察することができた。次に、レーザ光を入射し、残滓104除去後の光透過効率を測定した。その結果、表1に示すように残滓104除去前に比べ、約一桁程度光透過効率が向上したことが確認できた。
図5は、本発明の実施の形態4における光学的な開口の第1の作製方法の概略図である。図5(a)は開口作製工程前のチップ501先端の概略図である。チップ501は三角錐台状に作製しており三角錐台のチップ501の一つの側面にはAu膜513が形成され、その上から遮光膜102のAlを被覆している。遮光膜102にはAlを使用し厚さは300nmであり、Au膜513の厚さは10nmである。Au膜513は入射光によってプラズモンを励起する材質である。
図6に示すArプラズマ105を利用し開口501に付着している遮光膜塑性変形部612を実際に除去した実験結果を示す。
図13は、本発明の実施の形態5における光学的な開口の作製方法の概略図である。基板1306と透明基板1307上には実施の形態1のチップ101と同一形状の錐状チップ1301が厚さ300nmのAl遮光膜102に被覆され複数個形成されワーク1300となっている。まず、近接場光プローブとなる個々のチップ1301先端の遮光膜102を塑性変形する。このチップ1301先端の遮光膜102の塑性変形方法は特許文献1に記載の方法であり概略図を図13(a)に示す。図13(b)は、遮光膜102の塑性変形後におけるワーク1300の概略図である。遮光膜102の塑性変形後には個々のチップ1301先端に異なった状態で遮光膜残滓104が付着している。
(実施の形態6)
実施の形態5の図13で示す方法とほぼ同一方法で図3に示すチップ301を複数個作製した後、前記チップ301の開口303に付着している遮光膜残滓104を同時に除去した実験結果を示す。
Arプラズマ105発生装置はスパッタ装置を用い、そのエッチング時間と条件は実施の形態3に示す条件とほぼ同一条件でエッチングを行った。その結果、残滓104が完全に除去された開口303をSEMやFIBで観察することができた。次に、実施の形態3で示す方法と同じ方法で遮光膜残滓104除去後の光透過効率を測定した。その結果、表4に示すように遮光膜塑性変形部412除去前に比べ、光透過効率が開口として使用可能な値まで向上したことが確認できた。
102 遮光膜
103 開口
104 遮光膜残滓
105 Arプラズマ
212 塑性変形部
301 チップ
303 開口
412 塑性変形部
501 チップ
503 開口
513 Au膜
612 塑性変形部
700 ワーク
701 チップ
702 遮光膜
703 開口
704 遮光膜残滓
706 基盤
707 透明基盤
708 ストッパー
709 板
710 押し込み用具
F 力
800 ヘッド
801 チップ
802 遮光膜
803 開口
807 透明基盤
811 スライダー
812 ABS
901 チップ
902 遮光膜
903 開口
907 透明基盤
913 Au膜
1300 ワーク
1301 チップ
1303 開口
1306 基盤
1307 透明基盤
1309 板
1310 押し込み用具
Claims (10)
- 錐状あるいは錐台状に形成されたチップの先端に光学的な開口を作製する開口作製方法であって、
前記チップと、該チップの近傍に配置されて尾根状に形成されたストッパーと、少なくとも前記チップ上に形成された遮光膜と、からなる被開口形成体のうち、前記チップの先端部に形成されている前記遮光膜を塑性変形させる第1の工程と、前記塑性変形させて残った前記遮光膜をエッチングして除去し、前記チップの先端に光学的な開口部を形成する第2の工程と、からなることを特徴とする開口作製方法。 - 前記第1の工程は、前記被開口形成体に対して前記チップ及び前記ストッパーの少なくとも一部を覆うように板材を載置し、該板材に所定の加重を加えて前記板材のしなりを用いることにより、前記遮光膜に覆われた前記チップの先端部分の前記遮光膜を塑性変形させて前記チップ先端部を突出させる工程からなることを特徴とする請求項1に記載の開口作製方法。
- 前記第1の工程は、前記被開口形成体に対して前記チップ及び前記ストッパーの少なくとも一部を覆うように板材を載置し、該板材に所定の加重を加えて前記板材のしなりを用いることにより、前記遮光膜に覆われた前記チップの先端部分の前記遮光膜を塑性変形させ、前記チップ先端部の前記遮光膜を薄くする工程からなることを特徴とする請求項1に記載の開口作製方法。
- 前記第2の工程は、前記チップ先端部に付着した前記遮光膜残滓をドライエッチングにより除去する工程からなることを特徴とする請求項2に記載の開口作製方法。
- 前記第2の工程は、前記チップ先端部に付着した前記遮光膜残滓をウェットエッチングにより除去する工程からなることを特徴とする請求項2に記載の開口作製方法。
- 前記第2の工程は、前記チップ先端部の前記遮光膜の薄膜をドライエッチングにより除去する工程からなることを特徴とする請求項3に記載の開口作製方法。
- 前記第2の工程は、前記チップ先端部の前記遮光膜の薄膜をウェットエッチングにより除去する工程からなることを特徴とする請求項3に記載の開口作製方法。
- 前記第2の工程は、複数個の前記チップに対し前記チップ先端部に形成されている前記遮光膜を塑性変形させて残った前記遮光膜を、同時にエッチングすることを特徴とする請求項2あるいは3に記載の開口作製方法。
- 前記ドライエッチングにより除去する工程は、イオンミリング又はスパッタで行うことを特徴とする請求項4あるいは6に記載の開口作製方法。
- 前記ドライエッチングにより除去する工程は、Arイオンで除去することを特徴とする請求項4あるいは6に記載の開口作製方法。
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JP2006213266A JP2007078677A (ja) | 2005-08-17 | 2006-08-04 | 開口作製方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007212450A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-08-23 | Seiko Instruments Inc | 近接場光発生素子の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323790A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Canon Inc | 半導体近接場光源、その製造方法、及びこれを用いた近接場光学システム |
JP2002181683A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Seiko Instruments Inc | 光学的な開口の形成方法とその形成方法によって作製される近接場光デバイス |
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2006
- 2006-08-04 JP JP2006213266A patent/JP2007078677A/ja active Pending
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